【課題】高感度で、１，２００Ｊ／ｍ^２以下の露光量でも十分なスペーサー形状が得られ、柔軟性と高回復率、ラビング耐性、透明基板との密着性、耐熱性等に優れた液晶表示素子用スペーサーを形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
【解決手段】
（ａ１）不飽和カルボン酸および／または不飽和カルボン酸無水物、
（ａ２）分子内に１つの水酸基を有する水酸基含有不飽和化合物
（ａ３）（ａ１）及び（ａ２）以外の他の不飽和化合物の共重合体に、イソシアネート化合物を反応させて得られる重合体を含有する感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、ラインエッジラフネス、パターン倒れが改良されたポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる化合物、該ポジ型感光性組成物に用いられる樹脂及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有するポジ型感光性組成物であって、（Ｂ）成分の樹脂が、同一繰り返し単位内に環状炭化水素構造と特定の部分構造とを有する繰り返し単位を有するポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる化合物、該ポジ型感光性組成物に用いられる樹脂及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ラインウィズスラフネスが良好なレジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、および（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有するレジスト組成物。
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【課題】超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトパブリケーションプロセスに好適に用いられるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(Ａ)酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、(Ｂ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）ラクトン基を有する分子量２０００以下の芳香族化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に使用されるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であって、液浸露光によるパターン形成において、表面ラフネスの劣化が改良され、発生酸の液浸液への溶出が低減されたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｂ）少なくとも１つの脂環構造を有する繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂を含有するレジスト組成物であって、（Ｂ）成分の樹脂が、その主鎖末端にパーフルオロアルキル基又はＳｉ原子を有する基を有する樹脂であるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、ラインウィズスラフネスが良好なレジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】 特定の繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、および（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、解像力、ラインエッジラフネス、エッチング速度比が良好なレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】（Ａ）ラクトン基とナフタレン環を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に使用されるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であって、解像力、ラインエッジラフネスが改良され、且つ液浸露光に於いてラインアンドスペースパターンを良好に解像し得るレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂を含有するレジスト組成物であって、（Ｂ）成分の樹脂が、特定構造のモノマーによる繰り返し単位を有するレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液浸露光用液体の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加なしに、形状良好なレジストパターンを形成可能な保護膜形成用材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（I）
【化１】


（式（I）中、Ｒ₁は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ₂は炭素原子数１から５のアルキレン鎖を示し、Ｒ₃は水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換された炭素原子数１から１０のフッ素化アルキレン鎖であり、ｍは繰り返し単位を表す）
で表される構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーを少なくとも含有して保護膜形成用材料を構成する。 （もっと読む）

【課題】
従来用いられてきた樹脂組成物では、基盤との密着性が弱い為に現像液である有機アルカリ類の水溶液、特に半導体用途で一般的に使用されている２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液ではパターン剥がれが起こり、２．３８％より低濃度の専用現像液でなければ加工できないという課題があった。本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、その目的とするところは密着性に優れた感光性樹脂組成物を提供することにある。
【解決手段】
（Ａ）酸性基を有する環状オレフィン系樹脂と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）１３０℃以上の温度で（Ａ）の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物と、シランカップリング剤（Ｄ）と、分子中にＳを有する酸化防止剤（Ｅ）を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物及びそれを用いて製作された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー分野における感光性樹脂などの機能性樹脂のモノマーとして有用なアダマンタン誘導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）又は（IV）で表されるアダマンタン誘導体、及びそれらの製造方法。式中、Ｒは水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、Ｙはアルキル基、ハロゲン原子、水酸基又は２つのＹが一緒になって形成された＝Ｏを示す。Ｒ¹は少なくとも一つの水酸基を含む炭化水素基を示す。ｋは０〜１４、ｍ、ｎは０又は１の整数を示す。
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本発明は、液晶の配向用材料に特に有用な、式（Ｉ）の官能化された光反応性化合物に関するものである。２個の不飽和環構造へ直接に結合した不飽和を持つ特定の分子構造に、電子求引基を付加することによって、本発明の官能化された光反応性化合物を含む材料において、並外れて高い光感応性、優れた配向特性並びに良好な機械的耐久性を達成することができた。
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【課題】１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、疎密依存性に優れたポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び
（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する樹脂を含有するポジ型感光性組成物であって、（Ｂ）成分の樹脂が、ジアマンタン構造を有する繰り返し単位（Ｂａ）と、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有し、該酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基の酸の作用により脱離する基内に非多環の炭化水素構造を有する繰り返し単位（Ｂｂ）とを有する樹脂であることを特徴とするポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】分子内の主鎖に特定モノマー由来の不飽和二重を有する変性ポリビニルアルコールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】分子主鎖中に、特定モノマー由来の不飽和二重結合単位を有する変性ポリビニルアルコールであって、その重量平均分子量（Ｍｗ）と、オゾン分解処理して得られた重合体成分の重量平均分子量（Ｍｗ’）との関係Ｍｗ’／Ｍｗが、０．００１〜０．７０である変性ポリビニルアルコール。 （もっと読む）

【課題】 解像性に優れたレジストパターンを形成できる高分子化合物、並びに該高分子化合物を含有するネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）を含む高分子化合物である。


［式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基であり、Ｒ_０はヒドロキシ基を有するアルキル基である。］ （もっと読む）

【課題】分子内の主鎖に特定モノマー由来の不飽和二重結合を有する変性ポリビニルアルコールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】分子主鎖中に、マレイン酸ジメチル、フマル酸ジメチル、シトラコン酸ジメチル、無水マレイン酸、無水シトラコン酸等の特定のモノマー由来の不飽和二重結合を有する結合単位とアニオン性基を含有する変性ポリビニルアルコール。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物に於いて、パターン倒れ、スカム、ＥＬ及びプロファイルについて、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）溶剤を含有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物。 （もっと読む）

半導体デバイス及びＭＥＭＳデバイス製造時に用いられる新規なフォトレジストを提供する。プライマー層は好ましくは、溶媒系に溶解または分散したシランを含む。フォトレジスト層は、スチレンモノマー、アクリロニトリルモノマー、およびエポキシ含有モノマーから調製されたコポリマーを含む。フォトレジスト層は光酸発生剤を含み、好ましくはネガ型である。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチ耐性を有し且つレジストパターンが倒れにくく、酸の溶出防止が可能であると共に、レジストとしての基本特性が優れたレジスト組成物を実現できるようにする。
【解決手段】レジスト組成物は、少なくとも１つのアクリル酸エステル誘導体等に由来する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸解離性基を有する重合体と、架橋剤又は架橋開始剤を含有している。酸解離性基を有する重合体は、分子内に含酸素単環系誘導体又は含硫黄環系誘導体を含む化合物である。 （もっと読む）

【課題】幅広い波長領域において高い透明性と不感性とが得られ、ＰＥＤ効果抑制に優れ、高い撥水性を有し、かつアルカリ現像液に可溶なレジスト保護膜の提供。
【解決手段】橋頭原子に水酸基が結合した含フッ素脂肪族環を有するモノマー単位を有する含フッ素重合体（Ａ）を含むレジスト保護膜。特に、前記水酸基が結合した炭素原子（α）に隣接した炭素原子（β）に、フッ素原子が結合していることが好ましく、前記含フッ素脂肪族環が含フッ素アダマンタン環であることが好ましい。 （もっと読む）