【解決手段】 下記一般式（１）で表されるエステル化合物。
【化１３】


（式中、Ｒ¹はフッ素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のフッ素化アルキル基を示す。Ｒ²は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基を示す。Ｒ³は酸不安定基を示す。）
【効果】 本発明の重合性エステル化合物から得られる高分子化合物を用いたレジスト材料は、ＡｒＦ露光において優れた解像性と透明性、小さいラインエッジラフネス、優れたエッチング耐性、特にエッチング後の表面ラフネスが小さい特性を有している。また、投影レンズとウエハー間に液体を挿入して露光を行うＡｒＦ液浸リソグラフィーでも同様の高い性能を発揮できる。 （もっと読む）

【課題】 現像欠陥が少ない感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 アルカリ難溶性あるいは不溶性であり、酸の作用によりアルカリ易溶性となる酸解離性基含有樹脂と、酸発生剤とを含有し、上記酸解離性基含有樹脂は、酸の作用により生成する酸性基が−ＳＨ基であり、特に、下記式（１）で表される繰返し単位を含有する。
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【課題】 良好な形状のレジストパターンが得られるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）が、アセタール型保護基を有する構成単位（ａ１）と、一般式（ａ２−１）で表されるラクトン含有多環式基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）と、極性基含有脂肪族炭化水素基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）とを含む共重合体（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】


［式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、低級アルキル基またはフッ素化低級アルキル基；Ｒ’は水素原子、低級アルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基；ｍは０または１の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】高い化学安定性や耐熱性、高い透明性を有し、さらに水に不溶で、かつ、現像液に溶解し、また高い撥水性を有する含フッ素ポリマーおよび該含フッ素ポリマーからなるレジスト保護膜組成物の提供。
【解決手段】下記式（１）または式（２）で表される含フッ素ジエンが環化重合してなるモノマー単位に由来する単位と、下記式（３）で表される含フッ素アクリル系単量体が重合してなるモノマー単位に由来する単位とを有する含フッ素ポリマー（Ａ）。 ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ₂Ｃ（ＣＦ₃）（ＯＨ）−（ＣＨ₂）_nＣＲ¹＝ＣＨＲ²・・（１） ＣＦ₂＝ＣＦＣＨ₂ＣＨ（Ｃ（ＣＦ₃）₂（ＯＨ））（ＣＨ₂）_nＣＲ¹＝ＣＨＲ²・・（２）（Ｒ¹とＲ²は水素原子または炭素数１２以下のアルキル基、ｎは０から２の整数である。） ＣＨ₂＝Ｃ（Ｒ³）Ｃ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ₂）_mＲ⁴・・（３）（Ｒ³は水素またはメチル基、Ｒ⁴は、炭素数８以下のフルオロアルキル基、ｍは１または２である。） （もっと読む）

【課題】 レジスト材料の保管時のような比較的マイルドな条件下では、プロトンと反応して、暗反応を効率的に防止でき、かつ露光時には、プロトンとフォトレジスト用重合体との反応を阻害しない、適度な反応性を有するプロトン中和剤として用いることができる、新規化合物、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係るアミノ化合物は、特定の１，１−ジメチルプロピルオキシカルボニル基含有化合物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光量が変化した際のパターンサイズの変動を小さく抑えることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】樹脂成分（Ａ）は、アセタール型保護基を有する構成単位（ａ１）と、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）と、極性基含有脂肪族炭化水素基を含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）とを含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、かつ酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（ｂ−１）


［式中、Ｒ^１１はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、または水酸基；Ｒ^１２〜Ｒ^１３はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基；ｎ’は０または１〜３の整数を表す。］で表されるカチオン部を有するオニウム塩系酸発生剤（Ｂ１）を含むポジ型レジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ現像液に対する溶解性を向上できるネガ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂成分、（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分、および（Ｃ）架橋剤成分を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂成分が、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を１つ有する脂肪族環式基を含有する構成単位（ａ１）と、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を２つ以上有する脂肪族環式基を含有する構成単位（ａ２）とを含む高分子化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

本発明は、アルカリ可溶性感光性樹脂組成物及びこれを利用したドライフィルムレジストに係り、より詳しくは、接着向上効果のあるアクリレート樹脂を含んで耐熱性、耐薬品性、経時安定性が優れており、CuあるいはITO（indium tin oxide）基板に対する密着性に優れた感光性樹脂組成物及びこれを利用した感光性ドライフィルムレジストに関するものである。 （もっと読む）

放射線硬化性組成物であって、式（Ｉ）または式（ＩＩ）に対応する分子上に不飽和（メト）アクリル基を有する（メト）アクリル化ポリエステルを含み、





式中、
各Ｄが、それぞれ、エチレンまたはプロピレンを表し、
ｘ、ｙが、１〜５０の整数であり、
各Ａが、それぞれ、水素、アルキル、アルケニルで、隣接するＡが互いに結合して環を形成できるという条件付きであり、
各Ｂが、それぞれ、アルキレンまたはアルケニレン鎖を表し、場合により、１個以上のエーテル架橋を含み、
各Ｒが、それぞれ、水素またはメチルを表す放射線硬化性組成物。
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【課題】微細パターン形成用樹脂組成物の樹脂成分として用いることができる重合体を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される単位と、式（２）および式（３）で表される単位から選ばれる少なくとも１つの繰返し単位とを含み、ポリスチレン換算質量平均分子量が１，０００〜５００，０００である重合体。
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【解決手段】 下記一般式（１）で示される部分構造を有する高分子化合物を含む。


（式中、Ｒ¹は水素、フッ素又はＣＦ₃である。）
【効果】非水溶性で、かつアルカリ水溶液に溶解可能であり、しかもレジスト層とミキシングすることがなく、アルカリ水による現像時に、現像と一括して剥離可能な保護膜（レジスト上層膜）が形成され、プロセス的な適用性がかなり広くなる。 （もっと読む）

【課題】工業的規模で効率よく製造することができ、しかも煩雑な副生物の後処理を要しない（メタ）アクリル酸エステルの製造法。
【解決手段】式（Ｉ）：


（式中、Ｒ^１は水素原子またはメチル基、Ａは２価のＣ５〜１２の架橋環式炭化水素基、Ｘは水素原子、アルカリ金属原子、Ｃ１〜４のアルキル基または四級アンモニウム基を示す）で表される化合物およびその製造法、式（Ｉ）で表される化合物と、式（II）：


（式中、Ｒ^２は、Ｃ１〜４のアルキル基もしくはＣ４〜２０の１価の脂環式炭化水素基を示すか、または２個のＲ^２は相互に結合してＣ４〜２０の脂環式炭化水素基を形成していてもよい）で表されるアルコールとを反応させて得られる（メタ）アクリル酸エステルの製造法。 （もっと読む）

【課題】 良好なパターン形状を得られる化学増幅型ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】樹脂成分（Ａ）成分が、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を含有する構成単位（ａ１）と、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、水酸基含有脂環式基を含む構成単位（ａ２）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（Ｂ１）
【化１】


（Ｂ１）
［式中、Ｒ^５１は、直鎖、分岐鎖若しくは環状のアルキル基、またはフッ素化アルキル基；Ｒ^５２は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、またはアルコキシ基；Ｒ^５３は置換基を有していてもよいアリール基；ｎは１〜３の整数を示す。］で表される酸発生剤（Ｂ１）を含有するネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用、３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料、を形成する方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、酸発生剤として、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
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【課題】 ＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、感度等の基本物性が優れると共に、ＬＥＲ特性及び焦点深度余裕に優れた感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 本感放射線性樹脂組成物は、下記一般式（３）で表される単量体及び酸解離性基を有する単量体を含む単量体混合物を、下記一般式（４）で表されるラジカル発生剤を用いて共重合させた後、一般式（３）で表される上記単量体由来の繰り返し単位を、塩基触媒を用いてフェノール性水酸基を有する繰り返し単位に変換した共重合体と、感放射線性酸発生剤と、を含有する。
【化３】


（式中、Ｒ"は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^４は炭素数１〜４の飽和炭化水素基を示す。）
【化４】


（式中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９及びＲ^１０は相互に独立に炭素数１〜４の飽和炭化水素基を示す。） （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、パターンエッジラフネス、ドライエッチング耐性が改善された液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】（Ａ）少なくとも２種類の特定な繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

本発明は、ヒドロキシル基を有する化合物を、一般式（Ｉ）


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、同一または異なって、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換のアラルキルを表すか、Ｒ^１とＲ^２が隣接する炭素原子と一緒になって脂環式炭化水素環を形成するか、Ｒ^２とＲ^３が隣接するＯ−Ｃ−Ｃと一緒になって置換基を有していてもよい脂環式複素環を形成し、Ｘは、ハロゲン原子を表す）で表されるハロゲン化アルキルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式（ＩＩ）


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ前記と同義である）で表される基を有する化合物の製造法等を提供する。
（もっと読む）

【課題】 高い規定度のアルカリ現像液を用いて、ミクロ橋かけを生ぜず、優れた解像力と感光速度を有するホトレジスト、およびそれに適する新規な重合体を提供する。
【解決手段】 フェノール単位および場合によってはシクロヘキサノール単位を含む（共）重合体において、上記の単位の環上のヒドルキシル基の一部を、不活性な閉塞基で置換した共重合体；およびそれを高分子結合剤として用いたネガ型ホトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 高分子量のアセチレン系重合体を高収率で製造できるアセチレン系重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のアセチレン系重合体の製造方法は、有機金属錯体触媒の存在下、置換基を有するアセチレン化合物を重合し、重合温度が−５０〜１０℃である。本発明のアセチレン系重合体の製造方法においては、有機金属錯体触媒が、下記一般式（Ｉ）で示される化合物であることが好ましい。［ＭＬ_ｍＬ’_ｎ］_ｐＸ_ｑ（Ｉ）（一般式（Ｉ）中、Ｍは７から１０族の元素、Ｌは多重結合を有する化合物に由来する配位子、Ｌ’は孤立電子対を有する化合物に由来する配位子、Ｘは陰イオン、ｍは０〜７整数、ｎは０〜６の整数、ｐは１〜２の整数、ｑは０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎは１以上の整数である。） （もっと読む）

【課題】レジストパターン形状が良好で、保存安定性も向上し、高い解像性、良好なパターン形状、保存安定性が得られる化学増幅型レジスト材料の提供。
【解決手段】酸分解性基をもつ、（メタ）アクリル酸、ビシクロヘプテンカルボン酸、又は、ビシクロヘプテンジカルボン酸のエステルを原料とし、分子量分布が狭く、低分子量成分を除去した重合体を化学増幅レジスト材料に用いる。 （もっと読む）