【課題】 耐熱性等に優れる皮膜を形成できるとともに、該樹脂を含む樹脂組成物の保存安定性が極めて高く合成も容易なポリマーを提供する。
【解決手段】 （Ａ）アルカリ可溶性基を含むモノマー単位及び（Ｂ）エポキシ基含有重合性不飽和化合物に対応するモノマー単位からなる共重合体、又は前記モノマー単位（Ａ）及び（Ｂ）に加えて（Ｃ）Ｎ−置換マレイミド等のエポキシ基非含有重合性不飽和化合物に対応するモノマー単位からなる共重合体であって、前記モノマー単位（Ｂ）の割合が全モノマー単位に対して４０〜９０重量％であり、且つ前記モノマー単位（Ｂ）のうち３０重量％以上が特定の３，４−エポキシトリシクロ［５．２．１．０^2,6］デカン環含有化合物に対応するモノマー単位であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト用樹脂組成物の樹脂成分として用いた場合、半導体製造工程の製膜に良好な品質を備えたフォトレジスト用高分子化合物の操作性簡易な製造法の提供。
【解決手段】酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーＡと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーＢとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶をグリコール系溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してレジスト樹脂溶液を製造する方法において、湿結晶をグリコール系溶媒に溶解する時、ポリマーを主体にした固形分を１３重量％以下となるように希釈溶解してから蒸留濃縮する。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの膨潤を抑制できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂成分、（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分および（Ｃ）架橋剤成分を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂成分が、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を主鎖に有する構成単位（ａ１）と、水酸基含有鎖状または環状アルキル基を有し、かつα位にフッ素化アルキル基またはフッ素原子が結合しているアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）と、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を有し、かつα位にフッ素化アルキル基またはフッ素原子が結合しているアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）とを含む共重合体（Ａ１）であることを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

ボトル経時安定性が良好な化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。ノボラック樹脂またはヒドロキシスチレン系樹脂に架橋剤を反応させて酸の存在下でアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する性質を有するアルカリ難溶性あるいは不溶性の樹脂として、これを（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物とともに有機溶剤に溶解して、酸成分の含有量が１０ｐｐｍ以下の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物とする。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト層と反応してその表面に沿ってコーティング膜を形成することができる水溶性重合体を含む組成物、及びこれを用いたフォトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）の化合物と水を含むフォトレジストパターンコーティング用組成物を既に形成されたフォトレジストパターン上にコーティングさせることにより、フォトレジストコンタクトホールや余白の大きさを効果的に縮小させる。
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【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種液浸露光用液体を用いた液浸露光中のレジスト膜のブリッジなどに代表される変質および液浸露光用液体の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、さらにはレジスト膜の引き置き耐性を向上させることができ、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。
【解決手段】レジスト保護膜形成用材料として、レジスト膜の上層保護膜を形成するための、アルカリに可溶なポリマー成分を含有し、前記ポリマー成分と水との接触角が９０°以上であることを特徴とするレジスト保護膜形成用材料を用いる。このようなポリマーとしては、（メタ）アクリル酸構成単位と特定のアクリル酸エステル構成単位を少なくとも含むアクリル系ポリマーが好ましい。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種液浸露光用液体を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液浸露光用液体自体の変質を同時に防止し、かつ処理工程数を増加させることなく、レジスト膜の引き置き耐性を向上させることができるレジスト保護膜形成用材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ₁は炭素数１〜５の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基であり、Ｒ₂は、炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基または脂環構造を有する炭化水素基である。）で表される構成単位を少なくとも有するアクリル系ポリマーと、溶剤と、を少なくとも含有してレジスト保護膜形成用材料を構成する。 （もっと読む）

【課題】環境汚染が少なく、かつエネルギー線感度が高く、短時間で実用的な塗膜強度を得る水性の活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供する。
【解決手段】ベンジルオニウム基および又はナフチルメチレンオニウム基などの、結合基を介して発色団に結合した光反応性オニウム基およびスルホネート基を内部塩として有するポリマーを含有することを特徴とする活性エネルギー線硬化型水性樹脂組成物に関する。 本発明の活性エネルギー線硬化性樹脂組成物は、親水性基であるオニウム基カチオンとスルホネートアニオンを含有するために、水溶性又は自己乳化性を有し、安定な水溶液又は水分散体となる。そして、光反応性オニウム基カチオンとスルホネート基アニオンは活性エネルギー線照射により架橋構造形成と同時に疎水性基に変換するために、得られた硬化塗膜には親水性基がないか、又は少なく、又架橋構造を形成するために、優れた塗膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 レジスト用溶剤に極めて溶解しやすいフォトレジスト用樹脂をスケールアップした工業的規模において効率よく製造する。
【解決手段】 フォトレジスト用樹脂の製造方法は、単量体及び重合開始剤の溶液を重合系内に滴下することにより、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性となる基を含む繰り返し単位Ａと極性基を有する脂環式骨格を含む繰り返し単位Ｂとを少なくとも含有するフォトレジスト用樹脂を、１バッチ当たり１０ｋｇ以上製造する方法であって、予め重合容器内に、実質伝熱面積が１時間に滴下する溶液量に対して２００ｃｍ²／ｋｇ以上となるように重合溶媒を仕込んでおき、昇温後、単量体及び重合開始剤の溶液を滴下開始することを特徴とする。単量体及び重合開始剤の溶液を滴下開始する前に、重合系内の温度を重合時の制御温度より１〜５℃高くしておき、滴下開始後に重合時の制御温度に設定してもよい。 （もっと読む）

本発明は保護コーティング剤、フォトレジスト膜、エッチング時のマスキング剤、燃料電池用セパレーター、燃料電池用触媒固定用皮膜、およびペリクル材料等として有用な新規な重合体、該重合体の原料として有用な化合物および該化合物の製造に有用な新規な中間体を提供する。また本発明は、新規な材料を用いたペリクル膜およびペリクル膜用接着剤を提供する。
すなわち本発明は、式（Ａ１）で表される単位等の式（Ａ）で表される単位を含む重合体からなるペリクル、および新規な式（ａ１）で表される化合物。ただし、Ｘ^１およびＸ^２は独立に、フッ素原子、塩素原子または水素原子であり、ｎは１または２の整数であり、Ｒ^ｆ１はフッ素原子またはトリフルオロメチル基であり、Ｒ^ｆ２はフッ素原子または炭素数１〜５のペルフルオロアルキル基である。

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【課題】レジスト材料であって、高エネルギー線、特にはＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ₂エキシマレーザー、ＥＵＶ、Ｘ線、ＥＢ等に対して高感度、高解像でラインエッジラフネスが小さく水への溶解がなく、十分な熱安定性、保存安定性を有するポリマー型の酸発生剤を含有する高解像性レジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも、重合性不飽和結合を有するスルホン酸のオニウム塩を重合した重合体を含むことを特徴とするレジスト材料。 （もっと読む）

【課題】 不溶解物の生成が無くしかも簡素化された工程でフォトレジスト用樹脂溶液を得ることのできるフォトレジスト用樹脂溶液を得る。
【解決手段】 本発明のフォトレジスト用樹脂溶液の製造方法は、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性となる基を含む繰り返し単位Ａと、極性基を有する脂環式骨格を含む繰り返し単位Ｂとを少なくとも含有するフォトレジスト用樹脂のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合溶媒による溶液を製造する方法であって、重合後ポリマーを貧溶媒に沈殿させ、分離した湿結晶をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解し、蒸留により低沸点成分を除去した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて前記フォトレジスト用樹脂の溶液を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の変性シクロオレフィンコポリマーは、エチレン鎖を有するシクロオレフィンコポリマーのベースポリマーに、官能基と水素供給基又は官能基とハロゲン化アルキル基とを有する変性剤化合物を付加させて化学的に改質されてなる変性シクロオレフィンコポリマーにおいて、前記ベースポリマー中のエチレン鎖部位及び主鎖の環状オレフィン鎖部位に係わる置換可能性水素総数を化学量論的１００分率で表して、前記官能基が２０〜９０％の範囲で付加され、且つ前記ベースポリマー中における官能基が付加されてなる前記変性シクロオレフィンコポリマーの分布度を、下記関係式（１）に定義する分布相関係数（ＤＲ）が０．０１〜０．１の範囲にある。さらに、本発明は、上記変性シクロオレフィンコポリマーの製造方法およびこの変性シクロオレフィンコポリマーの用途を提供する。（ＤＲ）＝［（ＲＩ）−（ＵＶ）］^２・・・・（１） ただし、式（１）中、（ＲＩ）及び（ＵＶ）は、分子量分布の分散指数（＝重量平均分子量／数平均分子量）を表し、屈折率（ＲＩ）変化による検出と、付加官能基に係わるＵＶ特性吸収スペクトルによる検出とを同時に実施した場合のそれぞれによる分子量分布の分散指数（ＤＲ）を示す。 （もっと読む）

【課題】 超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて、好適に使用することができ、露光ラチチュードが広く、線幅の面内均一性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 脂環基を有する特定の繰り返し単位を含有する樹脂を２種、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 高解像度、露光余裕度、小さい疎密寸法差、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】 少なくとも、下記一般式（１）で示される共重合による繰り返し単位を含んでなる、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物、該高分子化合物をベース樹脂として含むポジ型レジスト材料、該高分子化合物を基板上に塗布する工程を含んでなるパターン形成方法を提供する。
【化１】
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【課題】 露光ラチチュードやラインエッジラフネス等の諸性能にすぐれ、さらに液浸露光に適用してもドライ露光時に比較して感度の劣化が小さく液浸液への酸の溶出が極めて少ないレジストを提供する。
【解決手段】 （Ａ）特定構造を側鎖に有する繰り返し単位を含有し、かつ酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトや、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、その製造方法、レジスト用重合体を含むレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン製造方法を提供する。
【解決手段】 ラクトン骨格を有する構成単位（Ａ）および酸脱離性基を有する構成単位（Ｂ）を含有するレジスト用重合体の製造方法であって、下記式（１）の化合物を含有する重合溶媒中で、前記構成単位（Ａ）および（Ｂ）を与える単量体を重合する工程を含むレジスト用重合体の製造方法。
【化１】


（式（１）中、Ｒ¹はヒドロキシ基を有している炭素数１〜２０の直鎖、分岐、もしくは環状アルキル基を表す。ｎは３〜２４の整数を表す。Ｊは置換基および／またはヘテロ原子を有していてもよいｎ価の炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】 高解像性であって、パターン倒れが抑制され、かつ形状が良好なレジストパターンを形成できる高分子化合物およびポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（ａ１−０１）で表される構成単位および下記一般式（ａ１−０２）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも２種の構成単位（ａ１）を有する高分子化合物を用いたポジ型レジスト組成物。
【化１】


［上記式中、Ｙは脂肪族環式基を表し；ｎは０または１〜３の整数を表し；ｍは０または１を表し；Ｒはそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基、フッ素原子または炭素数１〜５のフッ素化低級アルキル基を表し；Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】 適度な極性を有する酸脱離性ユニットを形成するのに有用な重合性不飽和カルボン酸エステルを提供する。
【解決手段】 下記式（1a）又は（1b）
【化１】


（式中、Ｒ^aは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のハロアルキル基を示す。Ｒ^b、Ｒ^c、Ｒ^dは、同一又は異なって、アルキル基、ハロアルキル基又はシクロアルキル基を示す。環Ｚ¹、環Ｚ²はそれぞれ、少なくとも脂環式炭素環とエーテル酸素原子を含む多環を示す。環Ｚ¹、環Ｚ²は置換基を有していてもよい）
で表される重合性不飽和カルボン酸エステル。 （もっと読む）

【課題】水に溶解されずにイマージョンリソグラフィに使用され、フォトレジストパターン形成におけるフォトレジスト膜内の光の多重干渉を防止し、フォトレジスト膜の厚さ変動によるフォトレジストパターン寸法幅の変動を抑制できる上部反射防止膜を提供する。
【解決手段】特定の範囲の重量平均分子量を有する重合体を上部反射防止膜に使用する。
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