【課題】赤外線レーザー露光時のアブレーションが抑制され、非画像部の良好な現像性と画像部の耐刷性が両立された平版印刷版を作製し得る平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】親水性支持体上に、（Ａ）赤外線吸収剤、及び、（Ｂ）側鎖に双性イオン構造を有する繰り返し単位と、主鎖にヘテロ脂肪族環構造を有する繰り返し単位又は主鎖にヘテロ原子及び脂肪族環構造を有する繰り返し単位と、を含む共重合体、を含有する画像記録層を有する感光性平版印刷版原版。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、保存安定性及び硬化膜の透明性に優れ、現像寛容度が広い感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】式（１）で表されるオキシムスルホネート化合物、酸により分解しカルボキシル基又はフェノール性水酸基を生成する酸分解性基を有する構成単位を有する樹脂、及び、溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。Ｒ¹はアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表し、Ａｒ¹はｏ−アリーレン基又はｏ−ヘテロアリーレン基を表し、ＸはＯ又はＳを表し、ｎは１又は２を表す。２以上存在するＲ²のうち、少なくとも１つはアルキル基、アリール基又はハロゲン原子である。
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【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、レジストパターンを製造できるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｘ^１は、単結合又は−ＮＲ^１−を表す。Ｘ^２は、脂肪族炭化水素基を表す。Ｗは、脂環式炭化水素基を表し、脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、カルボニル基等で置き換わっていてもよく、脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基等に置き換わっていてもよい。Ｒ^１は、水素原子又はアルキル基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として有用な塩、及び当該塩を含有する、優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^２は、塩基解離性基を表す。Ｒ^３は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、式（ａ−ｇ１）


（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ独立に脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ｍ１は１又は２を表し、ｍ２は０又は１を表す。但し、ｍ１＋ｍ２＝２の関係を満たす。Ａ⁻は、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオンから選ばれる有機アニオンを表す。］ （もっと読む）

【解決手段】本発明は、化学増幅型レジスト材料のベース樹脂が酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物及びベンゾトリアゾール系化合物を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法に関する。
【効果】本発明によれば、基板上に塗布した膜厚が５〜１００μｍと厚い場合のパターン形成において、基板付近、パターン底部の抜け性（溶解性）に優れ、感度を向上させることができ、更には、５〜１００μｍと厚い場合、現像時間の短縮が可能になるといった特徴を有した化学増幅ポジ型レジスト材料を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜べりを抑制する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。
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【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子等を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよい。Ｘ^１は、単結合又は−ＮＲ^１−を表す。Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環を表し、該脂肪族環を構成するメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよく、該脂肪族環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等に置き換わっていてもよい。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ディフェクトの発生を低減することができ、且つ保存安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、末端にフッ素化アルキルエステル基を有するフッ素含有有機基を側鎖に有する化合物成分（Ｆ）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び露光ラチチュードに優れ、パターンサイズの現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ａ１）を樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上有する樹脂（Ｐ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）膜を露光する工程、及び（ウ）露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。
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【課題】高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、優れたパターン形状、及び、高感度を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、ポジ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、ポジ型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターンの形成方法において、前記ポジ型レジスト組成物が下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有し、前記工程で形成された膜の膜厚が１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、かつ、前記アルカリ現像液中のアルカリ成分の濃度が０．５質量％〜１．１質量％である、レジストパターン形成方法。


一般式（Ｉ）中、Ｙの少なくとも１つは、酸の作用により脱離する基を表す。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なネガティブパターン形成用レジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】スルホンアミド基が酸不安定基で置換された式（１）の繰り返し単位ａ１及び／又はａ２を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、露光し、有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
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【課題】高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、優れたパターン形状、及び、高感度を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、架橋性ネガ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、架橋反応によりネガ化するネガ型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターンの形成方法において、前記ネガ型レジスト組成物が下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有し、前記工程で形成された膜の膜厚が１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、かつ、前記アルカリ現像液中のアルカリ成分の濃度が０．５質量％〜１．１質量％である、レジストパターン形成方法。
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【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に好適に使用され、特にネガ型現像技術において、ラインエッジラフネス、スカムやマイクロブリッジ等の欠陥の発生の無い微細なレジスパターン形成方法を提供することを課題としている。

【解決手段】露光により発生した酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する感放射線性組成物を、下記条件（１）を満足するフィルターを通過させた組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光し、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法である。
条件（１）：フィルターの臨界表面張力が７０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上であり、かつ荷電修飾されていない。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、欠陥の発生数も少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される化合物に由来する構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹はアルカンジイル基；Ｒ²は、フッ素原子を有する炭化水素基；Ｒ^ｂ１及びＲ^ｂ２は、独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^ｂ１は、２価の飽和炭化水素基；環Ｗ^ｂ１は複素環；Ｒ^ｂ３は、水素原子又は炭化水素基；Ｒ^ｂ４は炭化水素基；ｍは、０〜６の整数；Ｚ^１＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターを有し、かつ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】高感度、良好なパターン形状、良好なラフネス特性、及び残渣欠陥の低減を達成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を生成する基を含有する繰り返し単位（Ａ）と、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を含有する繰り返し単位（Ｂ）とを含んだ樹脂（Ｐ）と、下記一般式（１−１）又は（１−２）により表される化合物（Ｑ）とを含有している。


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【課題】ＣＤ均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたマスクエラーファクターで、欠陥数の少ないのレジストパターンを製造することができるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位と、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位の１種以上とを有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となり、式（ａａ）で表される構造単位を有しない樹脂並びに酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたＣＤ均一性でレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥発生数が少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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