【課題】露光ラチチュード、及びＬＷＲなどのパターンラフネス特性に優れ、経時による性能の変動が少ない感放射線性樹脂組成物、それを用いた感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】放射線の照射により分解して酸を発生させる下記一般式（１）で表される化合物、及び酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感放射性樹脂組成物。一般式（１）中、Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立に、アリールを表し、Ｒ_１とＲ_２が連結していてもよい。Ｒ_３及びＲ_４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又はアリール基を表す。また、Ｒ_３とＲ_４が連結していてもよい。Ｒ_５は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、又はアルキルカルボニル基を表す。Ｒ_５は、Ｒ_３もしくはＲ_４と連結していてもよい。
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【課題】良好な耐薬品性、機械強度及び柔軟性を有する感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体の提供。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性高分子：４０〜８０質量％、（Ｂ）光重合開始剤：０．１〜２０質量％、及び（Ｃ）エチレン性不飽和二重結合を有する化合物：０．１〜５０質量％を含有する感光性樹脂組成物であって、該（Ｃ）エチレン性不飽和二重結合を有する化合物として、分子内に少なくとも一つの炭素数が４以上のアルキレンオキサイド基と、少なくとも１つのウレタン結合を有する化合物：０．１〜３２質量％を含有することを特徴とする前記感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、レジスト膜に対する高い屈折率と高い吸光係数とを有し、耐パターン倒れ性に優れるレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される化合物に由来する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位及び環状カーボネート構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０〜２の整数である。
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【課題】優れたレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


［式（Ｉ）中、Ｑ^Ｉ１及びＱ^Ｉ２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、ｎが０のとき、Ｘ^１は単結合ではない。Ｗは、特定式（Ｉａ１−１）又は特定式（Ｉａ１−２）で表される構造を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）〜（３）から選ばれる酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン製造時のラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好なレジスト組成物を構成する酸発生剤の提供。
【解決手段】式（１）で表される基を有するヒドロキシ芳香族誘導体。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。＊は、ヒドロキシ芳香族環との結合手を表す。］ （もっと読む）

【課題】光感度に優れるとともに、光硬化後に得られるレジスト形状を良好に維持することが可能な感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）バインダーポリマー、（Ｂ）分子内にエチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤、及び（Ｄ）重合禁止剤を含有し、（Ｄ）重合禁止剤の含有量が組成物中の固形分全量を基準として２０〜１００質量ｐｐｍである、感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜５の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に硬化エネルギー放射線によりイメージ通りに硬化ポリマーを形成する方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上にコートされる光硬化可能なポリマー組成物における形体のフォトリソグラフィックパターニングのための方法であって、プラスチック基板は、金属製障壁のような反射膜でコートされる。また、プラスチック基板は、光硬化放射線を吸収する添加剤を含むポリマー障壁層でコートされるか又は同時押し出し成形される。さらに、プラスチック基板は、光硬化放射線を吸収する内在性添加剤を含む。これらの組み合わせもまた含まれる。プラスチック基板上に支持される光硬化可能なポリマーを含むいずれの素子又は目的物の製造にも適用できるが、プラスチック基板上に支持される光硬化可能なポリマーを含む光導波路の製造に有利に適用されてもよい。 （もっと読む）

【課題】良好なパターン形成性を維持しつつ、高温処理等を行った場合においても、優れた色相が長期間維持される着色膜を形成可能な着色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）染料と、（Ｂ）一般式（１）で表される構造単位及び一般式（２）で表される構造単位から選ばれる少なくとも１種の構造単位（ｂ−１）並びに酸性基を有する構造単位（ｂ−２）を含み、酸価が１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ〜３００ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲であるバインダー樹脂と、（Ｃ）有機溶剤と、を含有する着色硬化性組成物。一般式（１）中、Ｒ^１１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３は水素原子又は不飽和二重結合を部分構造として含む炭素数３〜２０のカルボニル基を表し、Ｒ^１２及びＲ^１３の双方が水素原子であることはない。一般式（２）中、Ｒ^２０は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^２１〜Ｒ^２５は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はアリール基を表す。
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【課題】形成したパターンをベークした後であっても矩形または矩形に近いプロファイルが形成可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供することが可能な樹脂を提供する。
【解決手段】主鎖末端にカルボキシル基を含有し、かつ、３員環および／または４員環の環状エーテル基を有する繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液に不溶または難溶性で酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となるポジ型感光性アクリル樹脂を用いる。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス、スカムの低減、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるネガ型化学増幅レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクの提供。
【解決手段】（Ａ）酸及びアルカリに安定な下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｐ）、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（Ｑ）を有する高分子化合物、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに、（Ｃ）架橋剤を含有する、ネガ型化学増幅レジスト組成物。


一般式（Ｉ）中、Ｒ_１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｌ_１は、酸素原子又は−ＮＨ−を表す。Ｌ_２は、単結合又はアルキレン基を表す。Ａは、多環炭化水素基を表す。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（高解像力など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有している。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物に有用な酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分（Ｂ）が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０４はそれぞれ独立にアルキル基またはアルコキシ基であり、ｎ１は１〜５の整数であり、ｎ３およびｎ４はそれぞれ独立に０〜３の整数である。Ｘ⁻はアニオンである。
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【課題】パターン形状に優れるレジストパターンを形成でき、パターン倒れ耐性を向上させ、ブロッブ欠陥及びブリッジ欠陥の発生を低減できる液浸用上層膜形成組成物の提供。
【解決手段】本発明は、［Ａ］同一又は異なる重合体中にカルボキシル基を含む構造単位（Ｉ）、スルホ基を含む構造単位（ＩＩ）、α−トリフルオロメチルアルコール基を含む構造単位（ＩＩＩ）、スルホンアミド基を含む構造単位（ＩＶ）及び下記式（ｉ）で表される基を含む構造単位（Ｖ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する重合体成分を含有する液浸用上層膜形成組成物であって、この液浸用上層膜形成組成物が［Ａ］重合体成分の同一又は異なる重合体中に、芳香族含窒素複素環を含む構造単位（Ａ）をさらに有するか又は［Ｂ］芳香族含窒素複素環を有する化合物をさらに含有するかの少なくともいずれか一方であることを特徴とする。
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【課題】レジストパターンの裾引き形状改善に効果が有り、ＬＥＲ性能が良好なパターンを形成することが可能である感活性光線又は感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を、感活性光線性または感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、１０〜３０質量％含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、優れたパターン形状、高解像性（高い限界解像性など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が６以上のアルキル基、炭素数が６以上のシクロアルキル基、炭素数が９以上のアリール基、炭素数が１０以上のアラルキル基、少なくとも１個の炭素数３以上のアルキル基で置換された芳香環基、及び、少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される１つ以上の基を有する樹脂と、（Ｄ）溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有するパターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する（メタ）アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 （もっと読む）