【課題】分子内に環状カーボネート構造と、高い光重合性を示すウレタン結合との両方を有するウレタン結合含有グリセロールカーボネート(メタ)アクリレート化合物、その製造方法及び該化合物を用いた重合体を提供すること。
【解決手段】本発明のウレタン結合含有グリセロールカーボネート(メタ)アクリレート化合物は、式(１)で表され、本発明の重合体は、式(１)の化合物を含む重合性原料の重合物である。また、本発明の製造方法は、特定構造の、５員環グリセロールカーボネート及び(メタ)アクリロイルオキシアルキルイソシアナートとをウレタン化反応させる工程を含む。
【化１】


(Ｒ¹：H、−ＣＨ₃、Ｒ²：−(ＣＨ₂)n−、ｎ：１〜４) （もっと読む）

【課題】 レジストパターン形成におけるコントラストを向上させる。
【解決手段】酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、下記一般式（１）で表される化合物（Ｃ）を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】


（式中、Ｒ^１は炭素数１〜５の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表し；Ｒ^２は酸解離性溶解抑制基を表し；Ｒ^３は水素原子又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し；ｎは１〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】 アルカリ水溶液に対する溶解性が改善された高分子光重合開始剤、及び現像凝集物の少ない感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 少なくとも、分子内に１つのエチレン性不飽和二重結合を有するアリールビスイミダゾールと、分子内に１つのエチレン性不飽和二重結合および１つ以上の親水性基を含有する化合物、とが共重合した構造を有する高分子開始剤、及び該高分子開始剤を含む感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】従来のポジ型レジスト材料と同等か若しくはこれを上回るほど高感度、高解像度であるとともに、特に高反射基板上でのパターン形状が良好で、定在波の発生が軽減され、エッジラフネスが少ない特性を示すポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】少なくとも、ベース樹脂に含まれる高分子化合物が、波長２４８nmの光において吸収のある酸不安定基を有する繰り返し単位を含むものであり、且つ、該繰り返し単位が、前記ベース樹脂に含まれる全ての高分子化合物の繰り返し単位中、１％〜１０％の割合で含まれるものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程のパターンの際、使用することができる感光性樹脂、前記感光性樹脂を含むフォトレジスト組成物、及び前記フォトレジスト組成物を用いたフォトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】感光性樹脂、それを含むフォトレジスト組成物及びそれを用いたフォトレジストパターンの製造方法において、前記感光性樹脂は少なくとも５個の炭素を含む疎水性末端基と遮断基を含む。特に、前記感光性樹脂は６０００〜９５００の重量平均分子量を有する。前記感光性樹脂を含むフォトレジスト組成物を使用することで、洗浄工程の後パターンの線幅が均一なフォトレジストパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 低沸点成分の含有量の極めて少ないフォトレジスト用樹脂溶液を簡易に且つ安全に得ることのできるフォトレジスト用樹脂溶液を得る。
【解決手段】 本発明のフォトレジスト用樹脂溶液の製造方法は、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性となる基を含む繰り返し単位Ａと、極性基を有する脂環式骨格を含む繰り返し単位Ｂとを少なくとも含有するフォトレジスト用樹脂がレジスト用溶媒に溶解しているフォトレジスト用樹脂溶液の製造方法であって、重合後ポリマーを貧溶媒に沈殿させ、固液分離した後に湿結晶を水で洗浄し、レジスト用溶媒に溶解後、蒸留により低沸点成分を除去することを特徴とする。レジスト用溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合溶媒を使用できる。 （もっと読む）

本発明の実施態様は、一般に、液浸リソグラフィプロセスに有用な非自己現像型及び現像型のノルボルネン系ポリマー、このようなポリマーの製造方法、このようなポリマーを使用する組成物、及びこのような組成物を使用する液浸リソグラフィプロセスに関する。より詳細には、本発明の実施態様は、液浸リソグラフィプロセスにおける現像層及びこのような現像層を被覆するためのトップコート層を形成するのに有用なノルボルネン系ポリマー及びそのプロセスに関する。
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【課題】 目的とする分子の設計とは全く異なる化合物が全く発生せず、目的とする分子の設計通りに、カルボジイミド化合物にポリアクリル側鎖が導入され、且つ顔料を高濃度かつ微細に分散した状態で、良好な流動性と分散安定性とを実現するカルボジイミド系化合物、該化合物を利用した、インクジェット用インク、感光性レジスト組成物等の広い範囲で好適に使用し得る顔料分散組成物、該顔料分散組成物を含有する顔料分散レジスト組成物を提供する。
【解決手段】 酸基非含有（メタ）アクリル系単量体の少なくとも１種を含む酸基非含有ラジカル重合性不飽和単量体を酸基含有連鎖移動剤の存在下で重合して分子の片末端に酸基を含有するポリアクリル化合物を得、
得られたポリアクリル化合物の分子の片末端にある酸基と、カルボジイミド当量１００〜５００００のカルボジイミド化合物のカルボジイミド基とを反応させることによりポリアクリル鎖を導入することからなるカルボジイミド系化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 現像液に良く解け、液浸流体に対する耐性を有し、フォトレジストと適合し、ＴＡＲＣとしても用いることのできる、フォトレジスト材料の上面に塗布するためのトップコート材料を提供すること。
【解決手段】 トップコート材料は、少なくとも１つの溶媒と、アルカリ性水溶液現像液に対して少なくとも３０００Å／秒の溶解速度を有するポリマーとを含む。このポリマーは、次の２つの構造、
【化１】


のうちの１つを含むヘキサフルオロアルコールのモノマー・ユニットを含み、ここで、ｎは整数である。トップコート材料は、それがフォトレジスト層上に塗布されるリソグラフィ・プロセスに用いることができる。トップコート材料は、好ましくは水に不溶性であり、そのため画像形成媒体として水を用いる液浸リソグラフィ法に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】 ＫｒＦエキシマレーザー用として適用し得る、従来とは異なる材料を用いた化学増幅型のポジ型レジスト組成物とレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）アーム部が、（１）一般式（Ｉ）で表されるものから誘導される単位；及び（２）一般式（ＩＩ）で表されるものから誘導される単位を含むポリマー鎖で；コア部が、１つ以上の一般式（ＩＩＩ）で表されるものから誘導される単位を含むスターポリマー、（Ｂ）酸発生剤成分を含有するポジ型レジスト組成物。
【化１】


（式中、Ｒ^１は水素原子またはメチル基；Ｒ^２は水素原子またはメチル基、Ｒ^３は３級炭素原子で結合する脂環式炭化水素基；Ｒ^４及びＲ^８は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それぞれ独立に、アルキル基、Ｒ^７は、アルキレン基を示す。） （もっと読む）

【課題】 残存モノマー含有量の極めて少ないフォトレジスト用高分子化合物溶液を簡易な手段で効率よく得る。
【解決手段】 本発明のフォトレジスト用高分子化合物溶液の製造方法は、酸によりアルカリ可溶となる基を有する単量体と、極性基含有脂環式骨格を含む基を有する単量体とを少なくとも含む単量体混合物を重合に付す重合工程と、重合により生成したポリマーを、水に対して分液可能な有機溶媒（Ａ）と水（Ｂ）と水溶性有機溶媒（Ｃ）とを用いた抽出操作に付し、生成したポリマーを有機溶媒層に、残存モノマーを水層に分配する抽出工程を含む。重合工程において、単量体混合物をグリコールエーテルアセテート系溶媒、グリコールエーテル系溶媒、及びカルボン酸アルキルエステル系溶媒からなる群より選択された少なくとも１種の有機溶媒中で滴下重合法により重合させてもよい。 （もっと読む）

【課題】金属表面等の極性の高い表面に対する密着性、疎水性および耐熱性に優れ、レジスト用の溶剤に対する溶解性が良好な共重合体および該共重合体を含むレジスト組成物を提供する。
【解決手段】脂環式骨格を有する単量体と、ラクトン骨格を有する単量体と、脂環式骨格を有する単量体よりも高い極性を持ち、かつラクトン骨格を有する単量体よりも低い極性を持つ他のビニル系単量体とを重合して得られる共重合体を用いる。 （もっと読む）

本発明はフルオロアルキルスルホニウム光酸発生基を備える新規化合物と、前記新規化合物とメタクリル酸塩単量体をラジカル重合して製造された有機溶媒に対する溶解性が優れた新規の共重合体に関する。
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【課題】 解像性に優れたパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物用として好適な高分子化合物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１）と、下記一般式（ａ２−１）または（ａ２−２）［式中、Ｚは脂肪族環式基を表し；ｎは０または１〜３の整数を表し；ｍは０または１を表し；Ｒはそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基、フッ素原子またはフッ素化低級アルキル基を表し；Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜５の低級アルキル基を表す。］で表される構成単位（ａ２）とを含むこと特徴とする高分子化合物。
【化１】
（もっと読む）

【解決手段】 下記一般式（１ａ）〜（１ｄ）で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量１，０００〜５００，０００の高分子化合物。
【化１】


（式中、Ｒ¹は酸不安定基である。Ｒ²は単結合又はメチレン基である。０＜ａ１＜１、０＜ａ２＜１、０＜ａ３＜１、０＜ａ４＜１であり、０＜ａ１＋ａ２＋ａ３＋ａ４≦１である。ｂは１又は２である。ｃは０又は１である。）
【効果】 本発明の高分子化合物を用いたレジスト材料は、ＡｒＦ露光において優れた解像性、小さいラインエッジラフネス、優れたエッチング耐性、特に、エッチング後の表面ラフネスが小さい特性を有している。また、投影レンズとウエハー間に液体を挿入して露光を行うＡｒＦ液浸リソグラフィーでも同様の高い性能を発揮できる。 （もっと読む）

（ａ）多環式オレフィンモノマーを含むモノマー配合物、非オレフィン系連鎖移動剤および活性剤化合物を合わせて混合物を形成すること；（ｂ）混合物を加熱すること；および（ｃ）Ｎｉおよび／またはＰｄを含有する重合触媒を加えることを含む、多環式オレフィンモノマーの重合方法。非オレフィン系連鎖移動剤には、Ｈ_２、アルキルシラン、アルキルアルコキシシラン、アルキルゲルマン、アルキルアルコキシゲルマン、アルキルスタナン、およびアルキルアルコキシスタナンからなる群より選択される１種以上の化合物が含まれる。活性剤は、ｐＫａが少なくとも５の活性水素を有することを特徴とする。得られる多環式オレフィンポリマーはフォトレジスト組成物に用いることができる。 （もっと読む）

本発明は、光酸発生剤と、次の構造式１で表される少なくとも一種の単位を含む少なくとも一種のポリマーとを含む、フォトレジスト組成物に関する。
【化１】


更に本発明は、本発明のフォトレジスト組成物に像を形成する方法、並びに有機塩基の存在下に前記ポリマーを製造する方法にも関する。
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【課題】フォトレジスト用樹脂組成物の樹脂成分として用いた場合、半導体製造工程の製膜に良好な品質を備えたフォトレジスト用高分子化合物の製造法を提供する。
【解決手段】酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有するモノマーＡと、極性基含有脂環式骨格を有するモノマーＢとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させ、重合溶液を貧溶媒（沈殿溶媒）に添加して、ポリマーを沈殿させ、沈殿を遠心分離機により遠心分離で、溶媒を除去後、湿結晶をグリコール系溶媒に溶解し、減圧蒸留にて濃縮してフォトレジスト高分子化合物の溶液を製造する方法において、遠心分離での遠心力が４００〜７００Ｇ（Ｇ；重力加速度）で脱液をすることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造法。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度、感度、パターン形状などの性能に加えて、特に、ラインエッジラフネスが良好である化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性のポリマーであるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるポリマーと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、下式（Ｉ）で示される化合物とを含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。



（ＺはＣ数２〜１４、ＡはＣ数３〜１４、ＷはＨ、Ｃ数１〜１２のアルキル、Ｃ数２〜１２のアルキルアルコキシ又は式(II)で示される基。


（Ｘは二価の連結基、ＲはＨ、Ｃ数１〜６のアルキル又はＣ数３〜６のシクロアルキル。ＹはＣ数３〜１２で脂環式炭化水素基を完成するのに必要な原子。ｌは０又は１。）） （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの膨潤を抑制できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂成分、（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分および（Ｃ）架橋剤成分を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記（Ａ）アルカリ可溶性樹脂成分が、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を主鎖に有する構成単位（ａ１）と、水酸基含有鎖状または環状アルキル基を有し、かつα位にフッ素化アルキル基またはフッ素原子が結合しているアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）と、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を有し、かつα位にフッ素化アルキル基またはフッ素原子が結合しているアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）とを含む共重合体（Ａ１）であることを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）