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【課題】本発明は、スピロ環状ケタール基を有するフォトレジスト用ポリマーおよびこれを含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】前記ポリマーおよびフォトレジスト組成物は、スピロ環状ケタール基が脱保護される反応の活性化エネルギーが低いため解像度および工程余裕度を改善でき、露光後べーク温度敏感度が低いため精密なパターンを具現できる。 (もっと読む)


【課題】 紫外線領域から近赤外線領域に至るまでの幅広い波長領域で高い透明性を有し、かつ基板への高い密着性及び成膜性、耐熱性、耐溶剤性、誘電特性、機械的安定性、さらには高いエッチング耐性を有したレジスト材料や感光性材料に有用な新規な含フッ素重合性単量体、含フッ素高分子化合物を提供する。
【解決手段】 一般式(1)
【化1】


で表される含フッ素重合性単量体(式中、Rは、水素、炭素数1〜4のフッ素を含有しても良い炭化水素基、フッ素、塩素、シアノ基であり、Rは水素、フッ素、ヒドロキシ基、メチル基、又は炭素数1〜10の分岐、環状構造を有しても良い炭化水素基、またはアルコキシ基であって、一部又は全部にフッ素を含有しても良い。Rは、水素又は保護基であって、エーテル構造、エステル構造、フッ素を含んでも良い。)およびこれを用いて得られる高分子化合物。 (もっと読む)


【課題】半導体製造の微細なパターン形成に用いられるレジスト膜として好適な、保存中のパーティクルの析出が僅かであるために現像欠陥が極めて少ない半導体レジスト用共重合体を得ることのできる半導体レジスト用共重合体におけるパーティクルの増加防止方法を提供する。
【解決手段】本発明は、極性基を有する繰り返し単位と脂環構造を有する繰り返し単位とを有する半導体レジスト用共重合体を含み、且つ、イオン性添加剤を含まない半導体レジスト用共重合体溶液を、アミノ基及び/又はアミド結合を有する樹脂を含むフィルターに通過させることを特徴とする半導体レジスト用共重合体におけるパーティクルの増加防止方法である。 (もっと読む)


【課題】 液浸露光に適用した場合に、ドライ露光時に比較して感度の劣化が小さく、液浸液への酸の溶出が極めて少ない液浸露光に好適なレジストを提供する。
【解決手段】 (A)フッ素原子を有する繰り返し単位を少なくとも1種含有しており、かつ酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】 耐水性に優れるレジスト膜を形成可能な液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物を提供する。
【解決手段】 液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物は、側鎖にケイ素原子含有基を有するモノマー単位を全モノマー単位の0.5〜10モル%含む。側鎖にケイ素原子含有基を有するモノマー単位として、例えば、下記式(I)
【化1】


(式中、Raは水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のハロアルキル基、又はケイ素原子含有基を有する炭化水素基を示す。A1は単結合又は連結基を示し、Rbは水素原子、炭化水素基、又はケイ素原子含有基を有する炭化水素基を示す。ただし、RaとRbのうち少なくとも一方はケイ素原子含有基を有する炭化水素基である)で表されるモノマー単位が挙げられる。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも1つのケイ素原子と、少なくとも1つのカルボニル群とを有する少なくとも1つの不飽和重合可能モノマー(I,II)を含む、レジスト製造用の重合可能な化合物に関する。本発明は、この化合物の重合により製造されたレジストと、リソグラフィ方法とに関する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、新規なラクトン化合物、ラクトン含有単量体、それを用いた高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】 一般式(1)で表されるラクトン含有単量体(式中、XはCH、CHCH、O、S、NRを示す。R〜Rは水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示す。そのアルキル基の水素の一部あるいは全部がフッ素原子に置換されてもよく、さらにアルキル基の一部に酸素原子、硫黄原子、窒素原子、炭素―炭素二重結合、カルボニル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基を含有する原子団を含んでもよい。Rは単結合、CH、カルボニル基を表す。)。
【化1】


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【課題】各種放射線を用いて微細加工に有用なレジストを調製するのに用いられる新規重合体、及びこれを含有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】以下の化学式(1)で表示される共重合体。
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【課題】 適度な親水性及び疎水性を有し、例えば、レジスト材料として用いた場合には、優れた透明性及び耐ドライエッチング性を発揮するとともに、アルカリ溶解性や基板密着性に優れ、高解像性を実現できるメチロール基及びラクトン環を有する重合体、並びに、該重合体を用いたポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】 α−(ヒドロキシメチル)アクリル酸エステルを含む単量体成分を重合、ラクトン環化してなるメチロール基及びラクトン環を有する重合体であって、上記重合体は、重合体を構成する繰り返し単位100モル%に対してメチロール基含有ユニットが20モル%以下、ラクトン環ユニットが3〜20モル%であるメチロール基及びラクトン環を有する重合体である。 (もっと読む)


方法は、A)パターン化表面を有するシリコーン型を、硬化性(メタ)アクリレート組成物で充填する工程と、B)硬化性(メタ)アクリレート組成物を硬化させて、パターン形状を形成する工程と、C)シリコーン型とパターン形状とを分離する工程と、任意選択で、D)パターン形状をエッチングする工程と、任意選択で、E)シリコーン型を再使用して、工程A)〜D)を繰り返す工程とを含む。硬化性(メタ)アクリレート組成物は、フルオロ官能性(メタ)アクリレート、(メタ)アクリレート、及び光開始剤を含む。 (もっと読む)


【課題】 耐水性に優れるレジスト膜を形成可能な液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物を提供する。
【解決手段】 液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物の製造法は、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性機能を発現する基を有するモノマー単位を含むポリマーを有機溶媒による沈殿に付した後、さらに水性溶媒による再沈殿、リンス又はリパルプ操作に付すことを特徴とする。沈殿に付すポリマーとして、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性機能を発現する基を有するモノマー単位と基板密着性機能を有するモノマー単位を含むポリマーを用いることができる。 (もっと読む)


【課題】良好な液浸リソグラフィーを行うことができ、またアルカリ現像時にレジスト膜の現像と保護膜の除去とを同時に一括して行うことができる方法、その為の保護膜およびその材料を提供する。
【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物およびそれを含む保護膜を用いる。


(式中、R1、R2は水素原子又はメチル基、R3は炭素数1〜12のアルキレン基又はアルキリジン基、R4、R5は炭素数1〜12のアルキレン基。a,b1,b2は0<a<1、0≦b1<1、0≦b2<1、0<b1+b2<1、0<a+b1+b2≦1の範囲である。nは1又は2。) (もっと読む)


【課題】 新規なアルコキシ基含有環状化合物、これを含む重合性組成物及びその硬化物を提供する。
【解決手段】 本発明のアルコキシ基含有環状化合物は、下記式(1)
【化1】


[式中、環Zは単環又は多環の非芳香族性環を示し、R1O−基及びR2O−(W)n−基は環Zを構成する原子に結合している置換基であって、R1は炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基を示し、R2は、水素原子又は下記式(2)
【化2】


(式中、R3、R4及びR5は、同一又は異なって、水素原子又は有機基を示す)
で表される基を示し、Wは2価の有機基を示す。nは0又は1を示し、mは1〜8の整数を示し、kは1〜5の整数等を示す]
で表される。 (もっと読む)


【課題】パーフルオロ-2,2-ジメチル-1,3-ジオキソルから誘導される繰返し単位を含むポリマーを含む化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】(a)(a−1)パーフルオロ-2,2-ジメチル-1,3-ジオキソルから誘導される下記式で表される繰返し単位と、


(a-2)ビニルから誘導される繰返し単位よりなる感光性ポリマーと、(b)光酸発生剤とを含むことを特徴とするレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】 液浸露光時に於ける、プロファイル形状、ラインエッジラフネス(LER)が改善された液浸プロセス用化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 側鎖に環構造を有する特定の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、溶剤を含有する液浸プロセス用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 (もっと読む)


エキシマレーザー等の真空紫外線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを容易に形成できるレジスト組成物を提供する。 シクロアルキル基、シクロアルキル基を1個以上有する有機基またはビシクロアルキル基等を有するブロック化基によりブロック化されている酸性基を有する含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)および有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種浸漬液を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用浸漬液の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。さらにより高屈折率な液浸媒体にも適用可能であり、そのような高屈折率液浸媒体との同時使用によりパターン精度のさらなる向上をもたらすことを可能とする。
【解決手段】レジスト膜を浸漬させる液体、特に水に対して実質的に相溶性を持たず、かつアルカリに可溶である特性を有するアクリル系樹脂成分を含有してなる組成物を用いて使用するレジスト膜の表面に保護膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 耐水性に優れるレジスト膜を形成可能なフォトレジスト用の高分子化合物を提供する。
【解決手段】 下記式(I)
【化1】


(式中、Raは水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のハロアルキル基を示す。Aは炭素数1〜20の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基を示す。式中のカルボキシル基は塩に変換されていてもよい)
で表されるモノマー単位と、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性となる基を有するモノマー単位とを含む高分子化合物。 (もっと読む)


【課題】 サンドブラスト耐性が高く、感度及び解像度に優れ、LDIに好適なサンドブラストレジスト用感光性組成物及びこれを用いたサンドブラストレジストフィルム、並びに、サンドブラストレジストパターンの効率的な形成方法の提供。
【解決手段】 スチレン/マレイン酸モノアミド共重合体と、多官能モノマーと、光重合開始剤と、を少なくとも含むサンドブラストレジスト用感光性組成物、これを用いたサンドブラストレジストフィルム、サンドブラストレジストパターン形成方法である。特に、前記共重合体が、無水マレイン酸と、芳香族ビニル単量体と、ホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であるビニル単量体と、からなる共重合体の無水物基に対して0.1〜1.0当量の1級アミン化合物を反応させて得られる態様、更に熱架橋剤を含み、該熱架橋剤がアルキル化メチロールメラミンである態様等が好ましい。 (もっと読む)


250nm以下のエキシマレーザーのレジスト材料用ベースポリマーに好適な含フッ素ポリマーを提供すること。下記式(3)で表される含フッ素ジエン化合物が環化重合したモノマー単位を有する含フッ素ポリマー。CF=CFCF−C(CF)(R)−CHCH=CH (3)ただし、Rは−CHR−O−Rによりブロック化された水酸基または該水酸基を有する有機基であり、Rは、置換基を有していてもよいシクロアルキル基などの環式飽和炭化水素、該環式飽和炭化水素を有する有機基を表す。 (もっと読む)


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