含フッ素ポリマー
２５０ｎｍ以下のエキシマレーザーのレジスト材料用ベースポリマーに好適な含フッ素ポリマーを提供すること。下記式（３）で表される含フッ素ジエン化合物が環化重合したモノマー単位を有する含フッ素ポリマー。ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２−Ｃ（ＣＦ３）（Ｒ５）−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２ （３）ただし、Ｒ５は−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８によりブロック化された水酸基または該水酸基を有する有機基であり、Ｒ８は、置換基を有していてもよいシクロアルキル基などの環式飽和炭化水素、該環式飽和炭化水素を有する有機基を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
本発明は、新規な含フッ素ポリマーに関する。
【背景技術】
近年、半導体集積回路の製造工程において、回路パターンの細密化に伴い高解像度でしかも高感度の光レジスト材料が求められている。回路パターンが微細になればなるほど露光装置の光源の短波長化が必須である。２５０ｎｍ以下のエキシマレーザーを用いるリソグラフィーのレジスト材料用ベースポリマーにポリビニルフェノール系樹脂、脂環式アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂（例えば、国際公開第０１／６３３６２号パンフレットなど）、フッ素系樹脂（例えば、国際公開第００／１７７１２号パンフレットなど）等が提案されているが、十分なる解像度、感度を有し、同時に高いドライエッチング耐性を有するには至っていないのが現状である。
本発明が解決しようとする課題は、レジスト材料としての優れた性質、特に優れた耐ドライエッチング耐性を与える、レジスト材料用のベースポリマーを提供することである。
【発明の開示】
本発明は、下記式（１）で表される含フッ素ジエンが環化重合したモノマー単位を有することを特徴とする含フッ素ポリマーである。
ＣＦ２＝ＣＲ１−Ｒ３−Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）−Ｒ６−ＣＲ２＝ＣＨ２ （１）
（ただし、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基または炭素数３以下のフルオロアルキル基、Ｒ３、Ｒ６はそれぞれ独立に、単結合、酸素原子、エーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のアルキレン基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキレン基を表し、Ｒ４は水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキル基を表し、Ｒ５は式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基または式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基を有する有機基を表す。）
−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８ （２）
（ただし、Ｒ７は、水素原子または炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ８は置換基を有していてもよいシクロアルキル基、該シクロアルキル基を１つ以上有する有機基または置換基を有していてもよいビシクロアルキル基または該ビシクロアルキル基を１つ以上有する有機基を表す。）
【発明を実施するため最良の形態】
本発明は、下記式（１）で表される含フッ素ジエン（以下、含フッ素ジエン（１）と記す。）が環化重合したモノマー単位を有する含フッ素ポリマーである。
ＣＦ２＝ＣＲ１−Ｒ３−Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）−Ｒ６−ＣＲ２＝ＣＨ２ （１）
ここで、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基または炭素数３以下のフルオロアルキル基を表すが、Ｒ１はフッ素原子またはトリフルオロメチル基であることが好ましく、特にフッ素原子であることが好ましい。Ｒ２は水素原子またはメチル基であることが好ましく、特に水素原子であることが好ましい。さらに、Ｒ１がフッ素原子であり、かつＲ２が水素原子であることが最も好ましい。
Ｒ３、Ｒ６はそれぞれ独立に、単結合、酸素原子、エーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のアルキレン基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキレン基を表す。Ｒ３は特にジフルオロメチレン基であることが好ましい。Ｒ６は特にメチレン基であることが好ましい。Ｒ４は水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキル基を表す。Ｒ４は特にフッ素原子またはトリフルオロメチル基であることが好ましい。
式（１）におけるＲ５は式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基または式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基を有する有機基を表す。特に、式（２）で表されるブロック化基によりブロック化されている水酸基であることが好ましい。ブロック化されているとは、水酸基の水素がブロック化基により置換されていることをいう。本発明におけるブロック化基は酸により脱離しやすく、アルカリでは脱離しにくいことを特徴とするブロック化基である。
−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８ ・・・（２）
Ｒ７は水素原子もしくは炭素数３以下のアルキル基を表すが、特に水素原子もしくはメチル基であることが好ましい。また、Ｆ２エキシマレーザー等の真空紫外線を用いる微細加工に有用な化学増幅型レジストとして用いる場合には適度な透過性を有することおよびドライエッチング耐性が優れていることから、Ｒ８は置換基を有していてもよいシクロアルキル基、該シクロアルキル基を１つ以上有する有機基、置換基を有していてもよいビシクロアルキル基または該ビシクロアルキル基を１つ以上有する有機基である。
シクロアルキル基としては、炭素数５〜８のシクロアルキル基が好ましく、特にシクロヘキシル基であることが好ましい。ビシクロアルキル基としては、炭素数７〜１２のビシクロアルキル基が好ましく、例えばビシクロ［２，２，１］ヘプチル基（ノルボルニル基）などのビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロデシル基などが挙げられる。特に、ノルボルニル基であることが好ましい。前記有機基としては、炭素数１〜３のアルキル基が好ましい。
前記、ブロック化された水酸基を有する有機基とは、酸性水酸基を有する有機基であることが好ましい。酸性水酸基とは、酸性を示す水酸基であり、たとえばアリール基の環に直接結合した水酸基（フェノール性水酸基）、パーフルオロアルキル基が結合した炭素に結合した水酸基、第３級炭素原子に結合した水酸基などがある。特に１つまたは２つのパーフルオロアルキル基が結合した炭素原子に結合した水酸基が好ましい。パーフルオロアルキル基としては、炭素数１〜２のパーフルオロアルキル基が好ましい。パーフルオロアルキル基がトリフルオロメチル基の場合、たとえば、下記式（ｄ−１）で表される２価の基における水酸基（すなわち、ヒドロキシトリフルオロメチルメチレン基の水酸基）や下記式（ｄ−２）や下記式（ｄ−３）で表される１価の基における水酸基（すなわち、１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロエチル基や１−ヒドロキシ−１−メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基の水酸基）が好ましい。
含フッ素ジエン（１）の、Ｒ３−Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）−Ｒ６を、Ｑで表わすと、含フッ素ジエン（１）の環化重合により、以下の（ａ）〜（ｃ）のモノマー単位が生成すると考えられ、分光学的分析の結果等より含フッ素ジエン（１）の環化重合体は、モノマー単位（ａ）、モノマー単位（ｂ）およびモノマー単位（ｃ）から選ばれる１種以上のモノマー単位を含む構造を有する重合体と考えられる。
本発明の含フッ素ポリマーは、式（１）のＲ１がフッ素原子、Ｒ２が水素原子、Ｒ３がジフルオロメチレン基、Ｒ４がトリフルオロメチル基であり、かつＲ６がメチレン基であること、すなわち式（３）で表される構造を有する含フッ素ジエン（以下、含フッ素ジエン（３）と記す。）が環化重合したモノマー単位を有することが好ましい。
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２−Ｃ（ＣＦ３）（Ｒ５）−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２ （３）
さらに、式（２）で表されるブロック化基において、Ｒ８は式（４）、式（５）または式（６）で表される構造であることが好ましい。特に、含フッ素ジエン（３）が環化重合したモノマー単位を有する含フッ素ポリマーであり、Ｒ５が、−Ｏ−ＣＨ２−Ｒ８であり、Ｒ８が式（４）、式（５）または式（６）で表される構造であることがもっとも好ましい。
ここで、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立にフッ素原子、炭素数３以下のアルキル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基または炭素数３以下のフルオロアルキル基を表し、ｐ、ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０〜１１の整数を表し、ｔは０または１である。ｐが２以上の場合、Ｒ９はそれぞれ異なっていてもよい。ｑが２以上の場合、Ｒ１０はそれぞれ異なっていてもよい。ｒが２以上の場合、Ｒ１１はそれぞれ異なっていてもよい。ｓが２以上の場合、Ｒ１２はそれぞれ異なっていてもよい。
さらに、式（４）においては、Ｒ９が炭素数１〜３のアルキル基、ｔｅｒｔ−ブチル基またはシクロヘキシル基であり、ｐが１〜３の整数であることが特に好ましい。式（５）においては、ｑおよびｒがともに０であること、またはｑが１〜３の整数、Ｒ１０が炭素数１〜３のアルキル基であり、かつｒが１〜３の整数、Ｒ１１が炭素数１〜３のアルキル基であることが特に好ましい。式（６）においては、ｓが０であること、またはｓが１〜３の整数で、Ｒ１２が炭素数１〜３のアルキル基であることが特に好ましい。
本発明の含フッ素ポリマーは、含フッ素ジエン（１）が環化重合したモノマー単位（以下モノマー単位（１）と記す。）以外のモノマー単位を有していることが好ましい。特に、他のモノマー単位としては、式（１）においてＲ５がブロック化さていない水酸基またはブロック化されていない水酸基を有する有機基である含フッ素ジエン（以下、水酸基含有含フッ素ジエンと記す。）が環化重合したモノマー単位（以下、水酸基含有モノマー単位と記す。）を有していることが好ましい。
本発明の含フッ素ポリマー中の、モノマー単位（１）と水酸基含有モノマー単位との割合でレジスト材料の溶解性を制御できる。この場合、該含フッ素ポリマー中のブロック化率（モノマー単位（１）と水酸基含有モノマー単位合計に対する、モノマー単位（１）の割合）は５〜９９モル％が好ましく、特に１０〜９０モル％が好ましい。
また、本発明の含フッ素ポリマーは、式（１）で表される含フッ素ジエンにおいて、Ｒ５が、式（２）で表されるブロック化基以外のブロック化基（以下、他のブロック化基と記す。）でブロック化された水酸基または他のブロック化基でブロック化された水酸基を有する有機基である含フッ素ジエン（以下、他の含フッ素ジエンと記す。）が環化重合したモノマー単位（以下、他ブロック含有モノマー単位とも記す。）を有していてもよい。この場合、モノマー単位（１）と他ブロック含有モノマー単位との合計に対するモノマー単位（１）の割合が、５〜９０モル％であることが好ましい。モノマー単位（１）、水酸基含有モノマー単位および他ブロック含有モノマー単位をすべて有していてもよい。
本発明の含フッ素ポリマーは、その特性を損なわない範囲で上記以外のラジカル重合性モノマーに由来するモノマー単位（以下、他のモノマー単位と記す。）を含んでもよい。他のモノマー単位の割合は３０モル％以下が好ましく、特に１５モル％以下が好ましい。
例示しうる他のモノマー単位として、エチレン、プロピレン、イソブチレン等のα−オレフィン類、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン等の含フッ素オレフィン、パーフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールなどの含フッ素環状モノマー、パーフルオロ（ブテニルビニルエーテル）などの環化重合しうるパーフルオロジエン、アクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のアクリルエステル類、酢酸ビニル、安息香酸ビニル、アダマンチル酸ビニル等のビニルエステル類、エチルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル等のビニルエーテル類、シクロヘキセン、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の環状オレフィン類等、無水マレイン酸、塩化ビニルなどに由来するモノマー単位が挙げられる。
本発明の含フッ素ポリマーの分子量は、有機溶媒に均一に溶解し、基材に均一に塗布できる限り特に限定されないが、通常そのポリスチレン換算数平均分子量は１０００〜１０万が適当であり、好ましくは２０００〜２万である。数平均分子量を１０００以上とすることで、より良好なレジストパターンが得られ、現像後の残膜率が充分であり、パターン熱処理時の形状安定性もより良好となる。また数平均分子量を１０万以下とすることで、組成物の塗布性がより良好であり、また充分な現像性を保つことができる。
本発明の含フッ素ポリマーは、含フッ素ジエン（１）を重合開始源の下で単独重合または共重合させることにより得られる。また、前期水酸基含有含フッ素ジエンを重合開始源の下で単独重合または共重合させることにより得られる、水酸基含有モノマー単位を有するポリマー（以下、含フッ素ポリマー前駆体と記す。）の水酸基を、式（７）で表されるブロック化剤によりブロック化することにより得ることができる。
Ｔ−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８ ・・・（７）
ここで、Ｔはハロゲン原子を表し、特に塩素原子であることが好ましい。
重合開始源としては、重合反応をラジカル的に進行させるものであればなんら限定されないが、例えばラジカル発生剤、光、電離放射線などが挙げられる。特にラジカル発生剤が好ましく、過酸化物、アゾ化合物、過硫酸塩などが例示される。
重合の方法もまた特に限定されるものではなく、モノマーをそのまま重合に供するいわゆるバルク重合、モノマーを溶解するフッ化炭化水素、塩化炭化水素、フッ化塩化炭化水素、アルコール、炭化水素、その他の有機溶剤中で行う溶液重合、水性媒体中で適当な有機溶剤存在下あるいは非存在下に行う懸濁重合、水性媒体に乳化剤を添加して行う乳化重合などが例示される。
重合を行う温度や圧力も特に限定されるものではないが、モノマーの沸点、所用加熱源、重合熱の除去などの諸因子を考慮して適宜設定することが望ましい。例えば、０℃〜２００℃の間で好適な温度の設定を行うことができ、室温〜１００℃程度ならば実用的にも好適な温度設定を行うことができる。また重合圧力としては減圧下でも加圧下でもよく、実用的には常圧〜１００気圧程度、さらには常圧〜１０気圧程度でも好適な重合を実施できる。
本発明で得られる含フッ素ポリマーは主鎖に環構造を有し、高い化学安定性や耐熱性を備えている。しかも環側鎖に特定のブロック化基によりブロック化された水酸基が導入されているため、従来の含フッ素ポリマーでは達成困難であった、エキシマレーザー用レジスト材料のベースポリマーとして利用可能である。また、本発明の含フッ素ポリマーはそのほかにも光ファイバー、電子用部材、透明フィルム材、農ビ用フィルム、接着剤、繊維材、耐候性塗料などに利用可能である。
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例にのみに限定されるものではない。なお、ＴＨＦはテトラヒドロフラン、Ｒ１１３はトリクロロトリフルオロエタン（有機溶媒）、ＴＦＥはテトラフルオロエチレンを表す。
（合成例１）［クロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの合成例］
Ａ．Ｗａｒｓｈａｗｓｋｙ，Ａ．Ｄｅｓｈｅ，Ｒ．Ｇｕｔｍａｎ，Ｂｒｉｔｉｓｈ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ，１６（１９８４）２３４．，およびＪ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ Ｅｄ．，２３（６）（１９８５）１８３９．に基づいて合成を行った。
５００ｍｌのガラス製反応容器を窒素置換し、ここに２−シクロヘキシルシクロヘキサノールの４６．６ｇと脱水クロロホルムの２００ｍｌとを仕込み、撹拌子により溶液を撹拌し、溶解したところでパラホルムアルデヒドの７．７０ｇを加えた。次に氷浴により０〜５℃に反応容器を冷却し、溶液内にバブラーにて塩化水素を導入した。パラホルムアルデヒドによる溶液の懸濁がなくなり、溶液が透明になった時点で、塩化水素の導入を止めた。下層を分取し、無水塩化カルシウム粉の２８．３ｇを加えて乾燥させた後、溶媒を留去して４８．０ｇのクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルを得た（１Ｈ ＮＭＲによる純度８７％）。
以下に、１Ｈ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：０．８４〜２．２３（ｍ，２０Ｈ），３．５４〜４．２０（ｍ，１Ｈ（ｅｘｏ，ｅｎｄｏ体混合）），５．５５〜５．６２（ｍ，２Ｈ）。
（合成例２）［クロロメチルフェンチルエーテルの合成例］
合成例１における２−シクロヘキシルシクロヘキサノールの４６．６ｇの替わりに、フェンチルアルコールの３９．５ｇを用いる以外は合成例１と同様の操作を行い、４５．９ｇのクロロメチルフェンチルエーテルを得た。収率は８８％であり、１Ｈ ＮＭＲによる純度は９０％であった。以下に、１Ｈ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：０．８７〜１．６８（ｍ，１６Ｈ），３．３２（ｓ，１Ｈ（ｅｘｏ，ｅｎｄｏ体混合）），５．４８〜５．５０（ｍ，２Ｈ）。
（合成例３）［クロロメチル（２−ノルボルナンメチル）エーテルの合成例］
合成例１における２−シクロヘキシルシクロヘキサノールの４６．６ｇの替わりに、２−ノルボルナンメタノールの３２．３ｇを用いる以外は合成例１と同様の操作を行い、４０．６ｇのクロロメチル（２−ノルボルナンメチル）エーテルを得た。収率は９０％であり、１Ｈ ＮＭＲによる純度は９０％であった。以下に、１Ｈ ＮＭＲのデータを示す。１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：０．６４〜２．２５（ｍ，１１Ｈ），３．３４〜３．６７（ｍ，２Ｈ），５．５０〜５．５２（ｍ，２Ｈ）。
（合成例４）［クロロメチル（４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）エーテルの合成例］
合成例１における２−シクロヘキシルシクロヘキサノールの４６、６ｇの替わりに、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノールの４０．０ｇを用いる以外は合成例１と同様の操作を行い、３７．９ｇのクロロメチル（４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）エーテルを得た。収率は６８％であり、１Ｈ ＮＭＲによる純度は９０％であった。以下に、１Ｈ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：０．８５（ｓ，９Ｈ），０．９８〜２．１１（ｍ，９Ｈ），３．６０〜４．０２（ｍ，１Ｈ（ｅｘｏ，ｅｎｄｏ体混合）），５．５６（ｓ，２Ｈ）。
（合成例５）［クロロメチル（ジシクロヘキシルメチル）エーテルの合成例］
合成例１における２−シクロヘキシルシクロヘキサノールの４６．６ｇの替わりに、ジシクロヘキシルメタノールの５０．３ｇを用いる以外は合成例１と同様の操作を行い、４９．９ｇのクロロメチル（ジシクロヘキシルメチル）エーテルを得た。収率は７９％であり、１Ｈ ＮＭＲによる純度は８６％であった。以下に、１Ｈ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：１．４０〜１４．４（ｍ，２０Ｈ），１．４５〜２．０６（ｍ，２Ｈ），２．８１（ｄ，１Ｈ），５．４６（ｓ，２Ｈ）。
（合成例６）［１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンの合成例］
２Ｌのガラス製反応器にＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ３の１０８ｇと脱水ＴＨＦの５００ｍｌとを仕込み、０℃に冷却した。ここにＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＭｇＣｌの２ＭのＴＨＦ溶液２００ｍｌをさらに２００ｍｌの脱水ＴＨＦで希釈した溶液を、窒素雰囲気下で約５．５時間かけて滴下した。滴下終了後０℃で３０分、室温で１７時間撹拌した後、２Ｎ塩酸２００ｍｌを滴下した。水２００ｍｌとジエチルエーテル３００ｍｌを加え分液し、ジエチルエーテル層を有機層として得た。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、ろ過し粗液を得た。この粗液をエバポレーターで濃縮し、次いで減圧蒸留して、８５ｇのＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２（６０〜６６℃／０．７ｋＰａ）を得た。
次いで５００ｍｌのガラス製反応器に亜鉛の８１ｇとジオキサンの１７０ｍｌとを仕込み、ヨウ素で亜鉛の活性化を行った。その後１００℃に加熱し、上記で合成したＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２の８４ｇをジオキサン５０ｍｌに希釈した溶液を１．５時間かけて滴下した。滴下終了後、１００℃で４０時間撹拌した。反応液をろ過し、少量のジオキサンで洗浄した。ろ液を減圧蒸留し、３０ｇのＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２（３６〜３７℃／１ｋＰａ）を得た。以下に、１Ｈ ＮＭＲおよび１９Ｆ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：２．７４（ｄ，Ｊ＝７．３，２Ｈ），３．５４（ｂｏａｄ ｓ，１Ｈ），５．３４（ｍ，２Ｈ），５．８６（ｍ，１Ｈ）。
１９Ｆ ＮＭＲ（３７６．２ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−７５．７（ｍ，３Ｆ），−９２．２（ｍ，１Ｆ），−１０６．５７（ｍ，１Ｆ），−１１２．６（ｍ，２Ｆ），−１８３．５（ｍ，１Ｆ）。
（合成例７）［１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメトキシ−１，６−ヘプタジエンの合成例］
１０Ｌのガラス製反応器にＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ３の７５８ｇと脱水ＴＨＦの４．５Ｌを仕込み、０℃に冷却した。ここに窒素雰囲気下でＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＭｇＣｌの２ＭのＴＨＦ溶液１．４Ｌを約１０．５時間かけて滴下した。滴下終了後０℃で３０分、室温で１２時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテルの３５０ｇを滴下し、さらに室温で９２時間撹拌した。水１．５Ｌを添加、分液し、有機層をエバポレーターで濃縮し得られた粗液を１．５Ｌの水で２回水洗した。次いで減圧蒸留して、６７７ｇのＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２（５３〜５５℃／０．１７ｋＰａ）を得た。
次いで３Ｌのガラス製反応器に亜鉛の５７７ｇとジオキサンの１．３Ｌを仕込み、ヨウ素で亜鉛の活性化を行った。その後１００℃に加熱し、上記で合成したＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２の６７７ｇを２時間かけて滴下した。滴下終了後、１００℃で４７時間撹拌した。反応液をろ過し、少量のジオキサンで洗浄した。ろ液に水２．５Ｌとエーテル１．５Ｌを加えて分液した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、ろ過して粗液を得た。粗液をエバポレーターで濃縮し、次いで減圧蒸留し、１７７ｇのＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２（４３〜４５℃／０．６ｋＰａ）を得た。以下に、１Ｈ ＮＭＲおよび１９Ｆ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：３．１６（ｂｒｏａｄ，２Ｈ），３．４４（ｓ，３Ｈ），４．９５（ｍ，２Ｈ），５．２２（ｍ，２Ｈ），５．９２（ｍ，１Ｈ）。
１９Ｆ ＮＭＲ（３７６．２ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−７２．５（ｍ，３Ｆ），−９２．９（ｍ，１Ｆ），−１０６．８（ｍ，１Ｆ），−１０９．７（ｍ，２Ｆ），−１８３．０（ｍ，１Ｆ）。
（合成例８）［含フッ素ポリマー前駆体の合成例］
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の７．５０ｇ、１，４−ジオキサンの３．６６ｇおよび酢酸メチルの１６．６ｇを、内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．２２ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状モノマー単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、前駆体ポリマーＡと記す。）の５．４０ｇを得た。前駆体ポリマーＡの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は７，６００、重量平均分子量（Ｍｗ）は１５，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．９９であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移温度は１５２℃であった。
（合成例９）［含フッ素ポリマー前駆体の合成例］
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の４．８２ｇ、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の１．００ｇ、１，４−ジオキサンの０．７８ｇおよび酢酸メチルの１５．４ｇを、内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．０８８ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状モノマー単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、前駆体ポリマーＢと記す。）の５．１６ｇを得た。前駆体ポリマーＢの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は１２，８００、重量平均分子量（Ｍｗ）は３１，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．４２であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１４０℃であった。
１９Ｆ ＮＭＲおよび１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなるモノマー単位／１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエンからなるモノマー単位＝８５．０／１５．０モル％であった。
（合成例１０）［含フッ素ポリマー前駆体の合成例］
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の６．４３ｇおよびｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートの０．１８ｇ、１，４−ジオキサンの０．９３ｇおよび酢酸メチルの２０．４ｇを内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．１１２ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状モノマー単位およびｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなるモノマー単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、前駆体ポリマーＣと記す。）の５．２８ｇを得た。前駆体ポリマーＣの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は８，３００、重量平均分子量（Ｍｗ）は１６，８００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．０１であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１６２℃であった。
１９Ｆ ＮＭＲおよび１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなるモノマー単位／ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなるモノマー単位＝９５／５モル％であった。
【実施例１】
合成例８にて合成した前駆体ポリマーＡの５．００ｇおよびメタノールの２５ｍＬを２００ｍＬの丸底フラスコに入れ、マグネチックスターラーにて撹拌した。ポリマーが溶解した後水酸化ナトリウムのメタノール溶液（水酸化ナトリウム０．３１ｇにメタノール７．６５ｇを加え予め溶解させておく。）を加えて一晩室温にて撹拌した。溶媒を留去した後、脱水ＴＨＦ２００ｍＬおよび合成例１にて調製したクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇを加えて激しく撹拌した。３日間室温にて撹拌を続けた後、溶媒を留去した。残渣をジエチルエーテル１００ｍＬにて溶かし、純水２００ｍＬにて分液し水溶性成分を除去した。有機層から溶媒を留去した後、アセトン２０ｍＬに溶かし、ヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた。得られたポリマーを１３０℃で１５時間真空乾燥し、白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体３Ａという。）を４．２０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたブロック化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は２９％であった。
【実施例２】
実施例１におけるクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇの替わりに、合成例２にて調製したクロロメチルフェンチルエーテルの１．５８ｇを用いる以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．２０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたブロック化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は３２％であった。
【実施例３】
実施例１におけるクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇの替わりに、合成例３にて調製したクロロメチル（２−ノルボルナンメチル）エーテルの２．１７ｇを用いる以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．３０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたブロック化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は３３％であった。
【実施例４】
実施例１におけるクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇの替わりに、合成例４にて調製したクロロメチル（４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）エーテルの１．６９ｇを用いる以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．００ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたブロック化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は３２％であった。
【実施例５】
実施例１におけるクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇの替わりに、クロロメンチルエーテルの１．６０ｇを用いる以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．１０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算された保護化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は３４％であった。
【実施例６】
実施例１におけるクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇの替わりに、合成例５にて調製したクロロメチル（ジシクロヘキシルメチル）エーテルの１．９１ｇを用いる以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．４０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算された保護化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は２７％であった。
【実施例７】
実施例１において、合成例８にて合成したポリマー前駆体Ａの替わりに合成例９にて合成したポリマー前駆体Ｂを用いたこと、水酸化ナトリウム溶液の量を水酸化ナトリウム０．１６ｇにメタノール３．８３ｇを加えて溶解させたものに変えたこと、およびクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの量を０．９８ｇに変えたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．３０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算された保護化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は２９％（内訳：１４％（合成例１の保護基）、１５％（メトキシメチル基））であった。
【実施例８】
実施例１において、合成例８にて合成したポリマー前駆体Ａの替わりに合成例１０にて合成したポリマー前駆体Ｃを用いたこと、および実施例１における水酸化ナトリウム溶液の量を水酸化ナトリウム０．２１ｇにメタノール５．１０ｇを加えて溶解させたものに変えたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．００ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算された保護化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合全酸性基に対するブロック化された酸性基の割合（％））は２５％（内訳：２０％（合成例１の保護基）、５％（ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートのｔｅｒｔ−ブチル基））であった。
【産業上の利用可能性】
本発明によれば、特定のブロック化基を有する含フッ素ポリマーが得られる。該含フッ素ポリマーは、主鎖に環構造を有し、高い化学的安定性や耐熱性を備えているとともに、２５０ｎｍ以下のエキシマレーザーに対して透明性を有しているため、２５０ｎｍ以下のエキシマレーザーを用いるリソグラフィーのレジスト材料用ベースポリマーに適している。また、該含フッ素ポリマーは、光ファイバー、電子用部材、透明フィルム材、農ビ用フィルム、接着剤、繊維材、耐候性塗料などに利用可能である。
【技術分野】
本発明は、新規な含フッ素ポリマーに関する。
【背景技術】
近年、半導体集積回路の製造工程において、回路パターンの細密化に伴い高解像度でしかも高感度の光レジスト材料が求められている。回路パターンが微細になればなるほど露光装置の光源の短波長化が必須である。２５０ｎｍ以下のエキシマレーザーを用いるリソグラフィーのレジスト材料用ベースポリマーにポリビニルフェノール系樹脂、脂環式アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂（例えば、国際公開第０１／６３３６２号パンフレットなど）、フッ素系樹脂（例えば、国際公開第００／１７７１２号パンフレットなど）等が提案されているが、十分なる解像度、感度を有し、同時に高いドライエッチング耐性を有するには至っていないのが現状である。
本発明が解決しようとする課題は、レジスト材料としての優れた性質、特に優れた耐ドライエッチング耐性を与える、レジスト材料用のベースポリマーを提供することである。
【発明の開示】
本発明は、下記式（１）で表される含フッ素ジエンが環化重合したモノマー単位を有することを特徴とする含フッ素ポリマーである。
ＣＦ２＝ＣＲ１−Ｒ３−Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）−Ｒ６−ＣＲ２＝ＣＨ２ （１）
（ただし、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基または炭素数３以下のフルオロアルキル基、Ｒ３、Ｒ６はそれぞれ独立に、単結合、酸素原子、エーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のアルキレン基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキレン基を表し、Ｒ４は水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキル基を表し、Ｒ５は式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基または式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基を有する有機基を表す。）
−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８ （２）
（ただし、Ｒ７は、水素原子または炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ８は置換基を有していてもよいシクロアルキル基、該シクロアルキル基を１つ以上有する有機基または置換基を有していてもよいビシクロアルキル基または該ビシクロアルキル基を１つ以上有する有機基を表す。）
【発明を実施するため最良の形態】
本発明は、下記式（１）で表される含フッ素ジエン（以下、含フッ素ジエン（１）と記す。）が環化重合したモノマー単位を有する含フッ素ポリマーである。
ＣＦ２＝ＣＲ１−Ｒ３−Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）−Ｒ６−ＣＲ２＝ＣＨ２ （１）
ここで、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基または炭素数３以下のフルオロアルキル基を表すが、Ｒ１はフッ素原子またはトリフルオロメチル基であることが好ましく、特にフッ素原子であることが好ましい。Ｒ２は水素原子またはメチル基であることが好ましく、特に水素原子であることが好ましい。さらに、Ｒ１がフッ素原子であり、かつＲ２が水素原子であることが最も好ましい。
Ｒ３、Ｒ６はそれぞれ独立に、単結合、酸素原子、エーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のアルキレン基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキレン基を表す。Ｒ３は特にジフルオロメチレン基であることが好ましい。Ｒ６は特にメチレン基であることが好ましい。Ｒ４は水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキル基を表す。Ｒ４は特にフッ素原子またはトリフルオロメチル基であることが好ましい。
式（１）におけるＲ５は式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基または式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基を有する有機基を表す。特に、式（２）で表されるブロック化基によりブロック化されている水酸基であることが好ましい。ブロック化されているとは、水酸基の水素がブロック化基により置換されていることをいう。本発明におけるブロック化基は酸により脱離しやすく、アルカリでは脱離しにくいことを特徴とするブロック化基である。
−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８ ・・・（２）
Ｒ７は水素原子もしくは炭素数３以下のアルキル基を表すが、特に水素原子もしくはメチル基であることが好ましい。また、Ｆ２エキシマレーザー等の真空紫外線を用いる微細加工に有用な化学増幅型レジストとして用いる場合には適度な透過性を有することおよびドライエッチング耐性が優れていることから、Ｒ８は置換基を有していてもよいシクロアルキル基、該シクロアルキル基を１つ以上有する有機基、置換基を有していてもよいビシクロアルキル基または該ビシクロアルキル基を１つ以上有する有機基である。
シクロアルキル基としては、炭素数５〜８のシクロアルキル基が好ましく、特にシクロヘキシル基であることが好ましい。ビシクロアルキル基としては、炭素数７〜１２のビシクロアルキル基が好ましく、例えばビシクロ［２，２，１］ヘプチル基（ノルボルニル基）などのビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロデシル基などが挙げられる。特に、ノルボルニル基であることが好ましい。前記有機基としては、炭素数１〜３のアルキル基が好ましい。
前記、ブロック化された水酸基を有する有機基とは、酸性水酸基を有する有機基であることが好ましい。酸性水酸基とは、酸性を示す水酸基であり、たとえばアリール基の環に直接結合した水酸基（フェノール性水酸基）、パーフルオロアルキル基が結合した炭素に結合した水酸基、第３級炭素原子に結合した水酸基などがある。特に１つまたは２つのパーフルオロアルキル基が結合した炭素原子に結合した水酸基が好ましい。パーフルオロアルキル基としては、炭素数１〜２のパーフルオロアルキル基が好ましい。パーフルオロアルキル基がトリフルオロメチル基の場合、たとえば、下記式（ｄ−１）で表される２価の基における水酸基（すなわち、ヒドロキシトリフルオロメチルメチレン基の水酸基）や下記式（ｄ−２）や下記式（ｄ−３）で表される１価の基における水酸基（すなわち、１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロエチル基や１−ヒドロキシ−１−メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基の水酸基）が好ましい。
含フッ素ジエン（１）の、Ｒ３−Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）−Ｒ６を、Ｑで表わすと、含フッ素ジエン（１）の環化重合により、以下の（ａ）〜（ｃ）のモノマー単位が生成すると考えられ、分光学的分析の結果等より含フッ素ジエン（１）の環化重合体は、モノマー単位（ａ）、モノマー単位（ｂ）およびモノマー単位（ｃ）から選ばれる１種以上のモノマー単位を含む構造を有する重合体と考えられる。
本発明の含フッ素ポリマーは、式（１）のＲ１がフッ素原子、Ｒ２が水素原子、Ｒ３がジフルオロメチレン基、Ｒ４がトリフルオロメチル基であり、かつＲ６がメチレン基であること、すなわち式（３）で表される構造を有する含フッ素ジエン（以下、含フッ素ジエン（３）と記す。）が環化重合したモノマー単位を有することが好ましい。
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２−Ｃ（ＣＦ３）（Ｒ５）−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２ （３）
さらに、式（２）で表されるブロック化基において、Ｒ８は式（４）、式（５）または式（６）で表される構造であることが好ましい。特に、含フッ素ジエン（３）が環化重合したモノマー単位を有する含フッ素ポリマーであり、Ｒ５が、−Ｏ−ＣＨ２−Ｒ８であり、Ｒ８が式（４）、式（５）または式（６）で表される構造であることがもっとも好ましい。
ここで、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立にフッ素原子、炭素数３以下のアルキル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基または炭素数３以下のフルオロアルキル基を表し、ｐ、ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０〜１１の整数を表し、ｔは０または１である。ｐが２以上の場合、Ｒ９はそれぞれ異なっていてもよい。ｑが２以上の場合、Ｒ１０はそれぞれ異なっていてもよい。ｒが２以上の場合、Ｒ１１はそれぞれ異なっていてもよい。ｓが２以上の場合、Ｒ１２はそれぞれ異なっていてもよい。
さらに、式（４）においては、Ｒ９が炭素数１〜３のアルキル基、ｔｅｒｔ−ブチル基またはシクロヘキシル基であり、ｐが１〜３の整数であることが特に好ましい。式（５）においては、ｑおよびｒがともに０であること、またはｑが１〜３の整数、Ｒ１０が炭素数１〜３のアルキル基であり、かつｒが１〜３の整数、Ｒ１１が炭素数１〜３のアルキル基であることが特に好ましい。式（６）においては、ｓが０であること、またはｓが１〜３の整数で、Ｒ１２が炭素数１〜３のアルキル基であることが特に好ましい。
本発明の含フッ素ポリマーは、含フッ素ジエン（１）が環化重合したモノマー単位（以下モノマー単位（１）と記す。）以外のモノマー単位を有していることが好ましい。特に、他のモノマー単位としては、式（１）においてＲ５がブロック化さていない水酸基またはブロック化されていない水酸基を有する有機基である含フッ素ジエン（以下、水酸基含有含フッ素ジエンと記す。）が環化重合したモノマー単位（以下、水酸基含有モノマー単位と記す。）を有していることが好ましい。
本発明の含フッ素ポリマー中の、モノマー単位（１）と水酸基含有モノマー単位との割合でレジスト材料の溶解性を制御できる。この場合、該含フッ素ポリマー中のブロック化率（モノマー単位（１）と水酸基含有モノマー単位合計に対する、モノマー単位（１）の割合）は５〜９９モル％が好ましく、特に１０〜９０モル％が好ましい。
また、本発明の含フッ素ポリマーは、式（１）で表される含フッ素ジエンにおいて、Ｒ５が、式（２）で表されるブロック化基以外のブロック化基（以下、他のブロック化基と記す。）でブロック化された水酸基または他のブロック化基でブロック化された水酸基を有する有機基である含フッ素ジエン（以下、他の含フッ素ジエンと記す。）が環化重合したモノマー単位（以下、他ブロック含有モノマー単位とも記す。）を有していてもよい。この場合、モノマー単位（１）と他ブロック含有モノマー単位との合計に対するモノマー単位（１）の割合が、５〜９０モル％であることが好ましい。モノマー単位（１）、水酸基含有モノマー単位および他ブロック含有モノマー単位をすべて有していてもよい。
本発明の含フッ素ポリマーは、その特性を損なわない範囲で上記以外のラジカル重合性モノマーに由来するモノマー単位（以下、他のモノマー単位と記す。）を含んでもよい。他のモノマー単位の割合は３０モル％以下が好ましく、特に１５モル％以下が好ましい。
例示しうる他のモノマー単位として、エチレン、プロピレン、イソブチレン等のα−オレフィン類、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン等の含フッ素オレフィン、パーフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールなどの含フッ素環状モノマー、パーフルオロ（ブテニルビニルエーテル）などの環化重合しうるパーフルオロジエン、アクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のアクリルエステル類、酢酸ビニル、安息香酸ビニル、アダマンチル酸ビニル等のビニルエステル類、エチルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル等のビニルエーテル類、シクロヘキセン、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の環状オレフィン類等、無水マレイン酸、塩化ビニルなどに由来するモノマー単位が挙げられる。
本発明の含フッ素ポリマーの分子量は、有機溶媒に均一に溶解し、基材に均一に塗布できる限り特に限定されないが、通常そのポリスチレン換算数平均分子量は１０００〜１０万が適当であり、好ましくは２０００〜２万である。数平均分子量を１０００以上とすることで、より良好なレジストパターンが得られ、現像後の残膜率が充分であり、パターン熱処理時の形状安定性もより良好となる。また数平均分子量を１０万以下とすることで、組成物の塗布性がより良好であり、また充分な現像性を保つことができる。
本発明の含フッ素ポリマーは、含フッ素ジエン（１）を重合開始源の下で単独重合または共重合させることにより得られる。また、前期水酸基含有含フッ素ジエンを重合開始源の下で単独重合または共重合させることにより得られる、水酸基含有モノマー単位を有するポリマー（以下、含フッ素ポリマー前駆体と記す。）の水酸基を、式（７）で表されるブロック化剤によりブロック化することにより得ることができる。
Ｔ−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８ ・・・（７）
ここで、Ｔはハロゲン原子を表し、特に塩素原子であることが好ましい。
重合開始源としては、重合反応をラジカル的に進行させるものであればなんら限定されないが、例えばラジカル発生剤、光、電離放射線などが挙げられる。特にラジカル発生剤が好ましく、過酸化物、アゾ化合物、過硫酸塩などが例示される。
重合の方法もまた特に限定されるものではなく、モノマーをそのまま重合に供するいわゆるバルク重合、モノマーを溶解するフッ化炭化水素、塩化炭化水素、フッ化塩化炭化水素、アルコール、炭化水素、その他の有機溶剤中で行う溶液重合、水性媒体中で適当な有機溶剤存在下あるいは非存在下に行う懸濁重合、水性媒体に乳化剤を添加して行う乳化重合などが例示される。
重合を行う温度や圧力も特に限定されるものではないが、モノマーの沸点、所用加熱源、重合熱の除去などの諸因子を考慮して適宜設定することが望ましい。例えば、０℃〜２００℃の間で好適な温度の設定を行うことができ、室温〜１００℃程度ならば実用的にも好適な温度設定を行うことができる。また重合圧力としては減圧下でも加圧下でもよく、実用的には常圧〜１００気圧程度、さらには常圧〜１０気圧程度でも好適な重合を実施できる。
本発明で得られる含フッ素ポリマーは主鎖に環構造を有し、高い化学安定性や耐熱性を備えている。しかも環側鎖に特定のブロック化基によりブロック化された水酸基が導入されているため、従来の含フッ素ポリマーでは達成困難であった、エキシマレーザー用レジスト材料のベースポリマーとして利用可能である。また、本発明の含フッ素ポリマーはそのほかにも光ファイバー、電子用部材、透明フィルム材、農ビ用フィルム、接着剤、繊維材、耐候性塗料などに利用可能である。
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例にのみに限定されるものではない。なお、ＴＨＦはテトラヒドロフラン、Ｒ１１３はトリクロロトリフルオロエタン（有機溶媒）、ＴＦＥはテトラフルオロエチレンを表す。
（合成例１）［クロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの合成例］
Ａ．Ｗａｒｓｈａｗｓｋｙ，Ａ．Ｄｅｓｈｅ，Ｒ．Ｇｕｔｍａｎ，Ｂｒｉｔｉｓｈ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ，１６（１９８４）２３４．，およびＪ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ Ｅｄ．，２３（６）（１９８５）１８３９．に基づいて合成を行った。
５００ｍｌのガラス製反応容器を窒素置換し、ここに２−シクロヘキシルシクロヘキサノールの４６．６ｇと脱水クロロホルムの２００ｍｌとを仕込み、撹拌子により溶液を撹拌し、溶解したところでパラホルムアルデヒドの７．７０ｇを加えた。次に氷浴により０〜５℃に反応容器を冷却し、溶液内にバブラーにて塩化水素を導入した。パラホルムアルデヒドによる溶液の懸濁がなくなり、溶液が透明になった時点で、塩化水素の導入を止めた。下層を分取し、無水塩化カルシウム粉の２８．３ｇを加えて乾燥させた後、溶媒を留去して４８．０ｇのクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルを得た（１Ｈ ＮＭＲによる純度８７％）。
以下に、１Ｈ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：０．８４〜２．２３（ｍ，２０Ｈ），３．５４〜４．２０（ｍ，１Ｈ（ｅｘｏ，ｅｎｄｏ体混合）），５．５５〜５．６２（ｍ，２Ｈ）。
（合成例２）［クロロメチルフェンチルエーテルの合成例］
合成例１における２−シクロヘキシルシクロヘキサノールの４６．６ｇの替わりに、フェンチルアルコールの３９．５ｇを用いる以外は合成例１と同様の操作を行い、４５．９ｇのクロロメチルフェンチルエーテルを得た。収率は８８％であり、１Ｈ ＮＭＲによる純度は９０％であった。以下に、１Ｈ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：０．８７〜１．６８（ｍ，１６Ｈ），３．３２（ｓ，１Ｈ（ｅｘｏ，ｅｎｄｏ体混合）），５．４８〜５．５０（ｍ，２Ｈ）。
（合成例３）［クロロメチル（２−ノルボルナンメチル）エーテルの合成例］
合成例１における２−シクロヘキシルシクロヘキサノールの４６．６ｇの替わりに、２−ノルボルナンメタノールの３２．３ｇを用いる以外は合成例１と同様の操作を行い、４０．６ｇのクロロメチル（２−ノルボルナンメチル）エーテルを得た。収率は９０％であり、１Ｈ ＮＭＲによる純度は９０％であった。以下に、１Ｈ ＮＭＲのデータを示す。１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：０．６４〜２．２５（ｍ，１１Ｈ），３．３４〜３．６７（ｍ，２Ｈ），５．５０〜５．５２（ｍ，２Ｈ）。
（合成例４）［クロロメチル（４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）エーテルの合成例］
合成例１における２−シクロヘキシルシクロヘキサノールの４６、６ｇの替わりに、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノールの４０．０ｇを用いる以外は合成例１と同様の操作を行い、３７．９ｇのクロロメチル（４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）エーテルを得た。収率は６８％であり、１Ｈ ＮＭＲによる純度は９０％であった。以下に、１Ｈ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：０．８５（ｓ，９Ｈ），０．９８〜２．１１（ｍ，９Ｈ），３．６０〜４．０２（ｍ，１Ｈ（ｅｘｏ，ｅｎｄｏ体混合）），５．５６（ｓ，２Ｈ）。
（合成例５）［クロロメチル（ジシクロヘキシルメチル）エーテルの合成例］
合成例１における２−シクロヘキシルシクロヘキサノールの４６．６ｇの替わりに、ジシクロヘキシルメタノールの５０．３ｇを用いる以外は合成例１と同様の操作を行い、４９．９ｇのクロロメチル（ジシクロヘキシルメチル）エーテルを得た。収率は７９％であり、１Ｈ ＮＭＲによる純度は８６％であった。以下に、１Ｈ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：１．４０〜１４．４（ｍ，２０Ｈ），１．４５〜２．０６（ｍ，２Ｈ），２．８１（ｄ，１Ｈ），５．４６（ｓ，２Ｈ）。
（合成例６）［１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンの合成例］
２Ｌのガラス製反応器にＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ３の１０８ｇと脱水ＴＨＦの５００ｍｌとを仕込み、０℃に冷却した。ここにＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＭｇＣｌの２ＭのＴＨＦ溶液２００ｍｌをさらに２００ｍｌの脱水ＴＨＦで希釈した溶液を、窒素雰囲気下で約５．５時間かけて滴下した。滴下終了後０℃で３０分、室温で１７時間撹拌した後、２Ｎ塩酸２００ｍｌを滴下した。水２００ｍｌとジエチルエーテル３００ｍｌを加え分液し、ジエチルエーテル層を有機層として得た。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、ろ過し粗液を得た。この粗液をエバポレーターで濃縮し、次いで減圧蒸留して、８５ｇのＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２（６０〜６６℃／０．７ｋＰａ）を得た。
次いで５００ｍｌのガラス製反応器に亜鉛の８１ｇとジオキサンの１７０ｍｌとを仕込み、ヨウ素で亜鉛の活性化を行った。その後１００℃に加熱し、上記で合成したＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２の８４ｇをジオキサン５０ｍｌに希釈した溶液を１．５時間かけて滴下した。滴下終了後、１００℃で４０時間撹拌した。反応液をろ過し、少量のジオキサンで洗浄した。ろ液を減圧蒸留し、３０ｇのＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２（３６〜３７℃／１ｋＰａ）を得た。以下に、１Ｈ ＮＭＲおよび１９Ｆ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：２．７４（ｄ，Ｊ＝７．３，２Ｈ），３．５４（ｂｏａｄ ｓ，１Ｈ），５．３４（ｍ，２Ｈ），５．８６（ｍ，１Ｈ）。
１９Ｆ ＮＭＲ（３７６．２ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−７５．７（ｍ，３Ｆ），−９２．２（ｍ，１Ｆ），−１０６．５７（ｍ，１Ｆ），−１１２．６（ｍ，２Ｆ），−１８３．５（ｍ，１Ｆ）。
（合成例７）［１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメトキシ−１，６−ヘプタジエンの合成例］
１０Ｌのガラス製反応器にＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ３の７５８ｇと脱水ＴＨＦの４．５Ｌを仕込み、０℃に冷却した。ここに窒素雰囲気下でＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＭｇＣｌの２ＭのＴＨＦ溶液１．４Ｌを約１０．５時間かけて滴下した。滴下終了後０℃で３０分、室温で１２時間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテルの３５０ｇを滴下し、さらに室温で９２時間撹拌した。水１．５Ｌを添加、分液し、有機層をエバポレーターで濃縮し得られた粗液を１．５Ｌの水で２回水洗した。次いで減圧蒸留して、６７７ｇのＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２（５３〜５５℃／０．１７ｋＰａ）を得た。
次いで３Ｌのガラス製反応器に亜鉛の５７７ｇとジオキサンの１．３Ｌを仕込み、ヨウ素で亜鉛の活性化を行った。その後１００℃に加熱し、上記で合成したＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２の６７７ｇを２時間かけて滴下した。滴下終了後、１００℃で４７時間撹拌した。反応液をろ過し、少量のジオキサンで洗浄した。ろ液に水２．５Ｌとエーテル１．５Ｌを加えて分液した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、ろ過して粗液を得た。粗液をエバポレーターで濃縮し、次いで減圧蒸留し、１７７ｇのＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２（４３〜４５℃／０．６ｋＰａ）を得た。以下に、１Ｈ ＮＭＲおよび１９Ｆ ＮＭＲのデータを示す。
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：３．１６（ｂｒｏａｄ，２Ｈ），３．４４（ｓ，３Ｈ），４．９５（ｍ，２Ｈ），５．２２（ｍ，２Ｈ），５．９２（ｍ，１Ｈ）。
１９Ｆ ＮＭＲ（３７６．２ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−７２．５（ｍ，３Ｆ），−９２．９（ｍ，１Ｆ），−１０６．８（ｍ，１Ｆ），−１０９．７（ｍ，２Ｆ），−１８３．０（ｍ，１Ｆ）。
（合成例８）［含フッ素ポリマー前駆体の合成例］
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の７．５０ｇ、１，４−ジオキサンの３．６６ｇおよび酢酸メチルの１６．６ｇを、内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．２２ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状モノマー単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、前駆体ポリマーＡと記す。）の５．４０ｇを得た。前駆体ポリマーＡの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は７，６００、重量平均分子量（Ｍｗ）は１５，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．９９であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移温度は１５２℃であった。
（合成例９）［含フッ素ポリマー前駆体の合成例］
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の４．８２ｇ、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の１．００ｇ、１，４−ジオキサンの０．７８ｇおよび酢酸メチルの１５．４ｇを、内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．０８８ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状モノマー単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、前駆体ポリマーＢと記す。）の５．１６ｇを得た。前駆体ポリマーＢの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は１２，８００、重量平均分子量（Ｍｗ）は３１，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．４２であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１４０℃であった。
１９Ｆ ＮＭＲおよび１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなるモノマー単位／１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエンからなるモノマー単位＝８５．０／１５．０モル％であった。
（合成例１０）［含フッ素ポリマー前駆体の合成例］
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の６．４３ｇおよびｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートの０．１８ｇ、１，４−ジオキサンの０．９３ｇおよび酢酸メチルの２０．４ｇを内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．１１２ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状モノマー単位およびｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなるモノマー単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、前駆体ポリマーＣと記す。）の５．２８ｇを得た。前駆体ポリマーＣの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は８，３００、重量平均分子量（Ｍｗ）は１６，８００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．０１であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１６２℃であった。
１９Ｆ ＮＭＲおよび１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなるモノマー単位／ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなるモノマー単位＝９５／５モル％であった。
【実施例１】
合成例８にて合成した前駆体ポリマーＡの５．００ｇおよびメタノールの２５ｍＬを２００ｍＬの丸底フラスコに入れ、マグネチックスターラーにて撹拌した。ポリマーが溶解した後水酸化ナトリウムのメタノール溶液（水酸化ナトリウム０．３１ｇにメタノール７．６５ｇを加え予め溶解させておく。）を加えて一晩室温にて撹拌した。溶媒を留去した後、脱水ＴＨＦ２００ｍＬおよび合成例１にて調製したクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇを加えて激しく撹拌した。３日間室温にて撹拌を続けた後、溶媒を留去した。残渣をジエチルエーテル１００ｍＬにて溶かし、純水２００ｍＬにて分液し水溶性成分を除去した。有機層から溶媒を留去した後、アセトン２０ｍＬに溶かし、ヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた。得られたポリマーを１３０℃で１５時間真空乾燥し、白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体３Ａという。）を４．２０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたブロック化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は２９％であった。
【実施例２】
実施例１におけるクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇの替わりに、合成例２にて調製したクロロメチルフェンチルエーテルの１．５８ｇを用いる以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．２０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたブロック化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は３２％であった。
【実施例３】
実施例１におけるクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇの替わりに、合成例３にて調製したクロロメチル（２−ノルボルナンメチル）エーテルの２．１７ｇを用いる以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．３０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたブロック化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は３３％であった。
【実施例４】
実施例１におけるクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇの替わりに、合成例４にて調製したクロロメチル（４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）エーテルの１．６９ｇを用いる以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．００ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたブロック化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は３２％であった。
【実施例５】
実施例１におけるクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇの替わりに、クロロメンチルエーテルの１．６０ｇを用いる以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．１０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算された保護化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は３４％であった。
【実施例６】
実施例１におけるクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの１．９５ｇの替わりに、合成例５にて調製したクロロメチル（ジシクロヘキシルメチル）エーテルの１．９１ｇを用いる以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．４０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算された保護化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は２７％であった。
【実施例７】
実施例１において、合成例８にて合成したポリマー前駆体Ａの替わりに合成例９にて合成したポリマー前駆体Ｂを用いたこと、水酸化ナトリウム溶液の量を水酸化ナトリウム０．１６ｇにメタノール３．８３ｇを加えて溶解させたものに変えたこと、およびクロロメチル（２−シクロヘキシルシクロヘキシル）エーテルの量を０．９８ｇに変えたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．３０ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算された保護化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合（％））は２９％（内訳：１４％（合成例１の保護基）、１５％（メトキシメチル基））であった。
【実施例８】
実施例１において、合成例８にて合成したポリマー前駆体Ａの替わりに合成例１０にて合成したポリマー前駆体Ｃを用いたこと、および実施例１における水酸化ナトリウム溶液の量を水酸化ナトリウム０．２１ｇにメタノール５．１０ｇを加えて溶解させたものに変えたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、白色粉末状の非結晶性ポリマーを４．００ｇ得た。
１Ｈ ＮＭＲ測定により計算された保護化率（ブロック化されていない水酸基とブロック化された水酸基の合計に対するブロック化された水酸基の割合全酸性基に対するブロック化された酸性基の割合（％））は２５％（内訳：２０％（合成例１の保護基）、５％（ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートのｔｅｒｔ−ブチル基））であった。
【産業上の利用可能性】
本発明によれば、特定のブロック化基を有する含フッ素ポリマーが得られる。該含フッ素ポリマーは、主鎖に環構造を有し、高い化学的安定性や耐熱性を備えているとともに、２５０ｎｍ以下のエキシマレーザーに対して透明性を有しているため、２５０ｎｍ以下のエキシマレーザーを用いるリソグラフィーのレジスト材料用ベースポリマーに適している。また、該含フッ素ポリマーは、光ファイバー、電子用部材、透明フィルム材、農ビ用フィルム、接着剤、繊維材、耐候性塗料などに利用可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される含フッ素ジエンが環化重合したモノマー単位を有することを特徴とする含フッ素ポリマー。
ＣＦ２＝ＣＲ１−Ｒ３−Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）−Ｒ６−ＣＲ２＝ＣＨ２ （１）
（ただし、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基または炭素数３以下のフルオロアルキル基、Ｒ３、Ｒ６はそれぞれ独立に、単結合、酸素原子、エーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のアルキレン基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキレン基を表し、Ｒ４は水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキル基を表し、Ｒ５は式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基または式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基を有する有機基を表す。）
−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８ （２）
（ただし、Ｒ７は、水素原子または炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ８は置換基を有していてもよいシクロアルキル基、該シクロアルキル基を１つ以上有する有機基、置換基を有していてもよいビシクロアルキル基または該ビシクロアルキル基を１つ以上有する有機基を表す。）
【請求項２】
下記式（３）で表される含フッ素ジエンが環化重合したモノマー単位を有する含フッ素ポリマー。
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２−Ｃ（ＣＦ３）（Ｒ５）−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２ （３）
（ただし、Ｒ５は式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基または式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基を有する有機基を表す。）
−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８ （２）
（ただし、Ｒ７は、水素原子または炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ８は置換基を有していてもよいシクロアルキル基、該シクロアルキル基を１つ以上有する有機基または置換基を有していてもよいビシクロアルキル基を表す。）
【請求項３】
前記Ｒ８が下記式（４）、式（５）または式（６）で表される基である請求項１または２に記載の含フッ素ポリマー。
（ただし、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立にフッ素原子、炭素数３以下のアルキル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基または炭素数３以下のフルオロアルキル基を表し、ｐ、ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０〜１１の整数を表し、ｔは０または１である。ｐが２以上の場合、Ｒ９はそれぞれ異なっていてもよい。ｑが２以上の場合、Ｒ１０はそれぞれ異なっていてもよい。ｒが２以上の場合、Ｒ１１はそれぞれ異なっていてもよい。ｓが２以上の場合、Ｒ１２はそれぞれ異なっていてもよい。）
【請求項１】
下記式（１）で表される含フッ素ジエンが環化重合したモノマー単位を有することを特徴とする含フッ素ポリマー。
ＣＦ２＝ＣＲ１−Ｒ３−Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）−Ｒ６−ＣＲ２＝ＣＨ２ （１）
（ただし、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基または炭素数３以下のフルオロアルキル基、Ｒ３、Ｒ６はそれぞれ独立に、単結合、酸素原子、エーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のアルキレン基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキレン基を表し、Ｒ４は水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基またはエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキル基を表し、Ｒ５は式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基または式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基を有する有機基を表す。）
−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８ （２）
（ただし、Ｒ７は、水素原子または炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ８は置換基を有していてもよいシクロアルキル基、該シクロアルキル基を１つ以上有する有機基、置換基を有していてもよいビシクロアルキル基または該ビシクロアルキル基を１つ以上有する有機基を表す。）
【請求項２】
下記式（３）で表される含フッ素ジエンが環化重合したモノマー単位を有する含フッ素ポリマー。
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２−Ｃ（ＣＦ３）（Ｒ５）−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２ （３）
（ただし、Ｒ５は式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基または式（２）で表されるブロック化基によりブロック化された水酸基を有する有機基を表す。）
−ＣＨＲ７−Ｏ−Ｒ８ （２）
（ただし、Ｒ７は、水素原子または炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ８は置換基を有していてもよいシクロアルキル基、該シクロアルキル基を１つ以上有する有機基または置換基を有していてもよいビシクロアルキル基を表す。）
【請求項３】
前記Ｒ８が下記式（４）、式（５）または式（６）で表される基である請求項１または２に記載の含フッ素ポリマー。
（ただし、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立にフッ素原子、炭素数３以下のアルキル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基または炭素数３以下のフルオロアルキル基を表し、ｐ、ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０〜１１の整数を表し、ｔは０または１である。ｐが２以上の場合、Ｒ９はそれぞれ異なっていてもよい。ｑが２以上の場合、Ｒ１０はそれぞれ異なっていてもよい。ｒが２以上の場合、Ｒ１１はそれぞれ異なっていてもよい。ｓが２以上の場合、Ｒ１２はそれぞれ異なっていてもよい。）
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０４１８７７
【国際公開日】平成１６年５月２１日（２００４．５．２１）
【発行日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−５４９６２６（Ｐ２００４−５４９６２６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００３／０１４１５９
【国際出願日】平成１５年１１月６日（２００３．１１．６）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
【国際公開日】平成１６年５月２１日（２００４．５．２１）
【発行日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００３／０１４１５９
【国際出願日】平成１５年１１月６日（２００３．１１．６）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
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