【課題】ニッケルめっき被膜に、はんだによりパワー素子などの素子を接合した場合であっても、熱伝導性の低下が抑制されるニッケルめっき被膜を得ることができる無電解ニッケルめっき処理方法を提供する。
【解決手段】基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法である。無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものである。前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】安価で、印刷性に優れた、カルコパイライト膜の前駆体であるプリカーサ膜を形成するための厚膜組成物を提供する。
【解決手段】
無機成分として、銅、酸化銅、銀および酸化銀から選択される少なくとも１種のＩｂ族元素粉末と、酸化インジウムおよび酸化ガリウムから選択される少なくとも１種のＩＩＩｂ族元素粉末とからなり、平均粒径が０．１μｍ以上、１０μｍ以下である無機粉末を含み、有機成分として、有機樹脂と、１８０℃以上、３５０℃以下の沸点を有する有機溶剤とからなる有機ビヒクルを含み、粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１９０Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは、前記Ｉｂ族元素粉末とＩＩＩｂ族元素粉末との含有量は、モル比で１．０：１．０以上、１．５：１．０未満である。 （もっと読む）

試薬溶液から固体膜を基材上に堆積するための装置は、試薬溶液内における均一反応を阻害するのに十分低い温度に保った試薬溶液の貯槽を備える。冷却した溶液は、シャワーヘッドにより、一度に、基材上に分注される。シャワーヘッドの１つが試薬溶液を微細ミストとして送達するようにネブライザーを含むのに対して、他のシャワーヘッドは試薬を流れるストリームとして送達する。基材の下に配置されたヒータは、試薬溶液からの所望の固体相の堆積が開始され得る温度に基材を昇温して保つ。各試薬溶液は、少なくとも１種の金属およびＳもしくはＳｅのいずれかまたは両方を含有する。試薬溶液の少なくとも１つは、Ｃｕを含有する。該装置およびそれに関連する使用方法は、Ｃｕ含有化合物半導体の膜を形成するために特に適する。
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【課題】触媒材料として有効な硫化ニッケルにおいて、触媒能を増強させるために３次元的な微細構造を備えた比表面積の大きい硫化ニッケル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に多孔質の銅メッキを形成するなどして作製した比表面積が１００ｍｍ²／ｍｍ³以上の大比表面積を有する銅基材に対し、チオ尿素とニッケル成分を含むめっき液を付与して置換反応を起こすことにより、大比表面積の基材上に均一な硫化ニッケル膜が形成された多孔質体を得る。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。第１下地層１３Ａに対向する領域と第２下地層１３Ｂに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜１０の端部にテーパ１４Ａ−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の第１領域Ｄ１および第２領域Ｄ２に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、この第１下地層１３Ａ上の第１領域Ｄ１に対応する領域に第２下地層１３Ｂを形成する。第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも、無電解めっき処理の触媒材料の濃度分布が高くなる。よって、これら第１下地層１３Ａおよび第２下地層１３Ｂを形成した基板１１に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも成膜レートが高くなる。 （もっと読む）

【課題】安価にかつ環境負荷が小さく、さらに簡便な設備で無電解で鉄系材料表面上に摺動性を付与する硫化鉄皮膜を大面積で製造する工業的に有利な方法を提供する。
【解決手段】亜硫酸イオンの濃度が０．００５〜１ｍｏｌ／Ｌ、チオ硫酸イオンの濃度が０．００５〜０．５ｍｏｌ／Ｌであり、ｐＨが２．０〜６．５である処理液と鉄系材料とを接触させ、前記鉄系材料表面上に膜厚が０．０１〜１０μｍである硫化鉄皮膜を無電解で製造する。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスによる電解質をベースにした電解デバイス。
【解決手段】本開示は、アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層と、第一および第二金属層とを含む固体電解質デバイスに関する。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、第一金属層と第二金属層との間に配置される。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、金属カルコゲニドのヒドラジン・ベースの前駆物質の溶液を得、該溶液を基材上に塗布し、しかる後、前駆物質をアニールして該前駆物質をアモルファス金属カルコゲニドに変換することによって調製される。また、本開示は、固体電解質デバイスを作製するプロセスにも関する。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ形成のない、または少ないプリント配線基板用の保護層を提供する。
【解決手段】 （ｉ）少なくとも１つの非導電性基層、（ii）少なくとも１つの銅および／または銅合金層、および（iii）スズ含有層を持つ被覆品において、層（ii）は層（ｉ）と層（iii）との間に位置する被覆品。この被覆品は、スズ含有層（iii）が、少なくとも１種の他の金属を含有する。 （もっと読む）

本発明は、鉄合金部材を硫化によって処理する方法に関する。その方法によれば、その部材は、電流を流すことなく所定濃度の苛性ソーダとチオ硫酸ナトリウムと硫化ナトリウムとを含む水溶液の収容槽に含浸され、前記水溶液は約５分から３０分間かけて約１００℃から１４０℃の間の温度にされる。 （もっと読む）