本発明は、新規な透明酸化物半導体薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびその製造方法に関する。
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【課題】可視光域で高い反射率を有し、耐湿性や耐塩水性等の耐久性に優れ、かつ入射角依存性が小さい（光の入射角によって反射率が変動しにくい）高反射鏡の提供。
【解決手段】基板上に、銀膜、低屈折率膜、高屈折率膜がこの順で積層された高反射鏡であって、入射角が１５度、４５度、７５度の各々の場合における、膜面反射率の可視光域全域の最低値の偏差が７％以内であることを特徴とする高反射鏡。前記銀膜の基板と反対側に密着改善膜を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】高湿度環境下であっても抵抗値の経時的変化を十分に防止できる透明導電材料、透明導電ペースト、透明導電膜及び透明電極を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを含有する透明導電材料であって、（１）この透明導電材料を１ｗｔ％含む混合液のｐＨを３以上、好ましくはｐＨを４〜９とするものであるか、（２）この透明導電材料を１ｗｔ％含む混合液のｐＨを３未満とするものであり且つハロゲン元素濃度が０．２質量％以下であるか、（３）この透明導電材料を１ｗｔ％含む混合液のｐＨを１以上とするものであり且つハロゲン元素濃度が１．５質量％以下である透明導電材料である。 （もっと読む）

ＩＴＯスパッタリングターゲット中に、王水でエッチングしたとき又はスパッタエッチングしたときに表出する、粒径１００ｎｍ以上の粒子の個数が１個／μｍ^２以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット及び密度が７．１２ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。スパッタ特性、特にアーキングの発生を抑制し、このアーキングに起因するＩＴＯ膜の欠陥の発生を抑え、ＩＴＯ膜の品質低下を効果的に抑制する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板、に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層が結晶化することを特徴とする。
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【課題】 高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗５００〜２０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする焼結体であって、さらに酸化ケイ素又は酸化チタンの少なくとも一方を含有することを特徴とする高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】平滑度のよいグラニュラ構造の磁性膜を備え、磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に下地膜２を形成し、その下地膜２上に、強磁性材料と電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いたスパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるターゲットと電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料からなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グラニュラ構造の磁性膜３を成膜し、その上に保護膜４を成膜して磁気記録媒体とする。 （もっと読む）