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Fターム[4K029BA45]の内容

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Fターム[4K029BA45]に分類される特許

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【課題】軽量で、薄肉化可能な、透明性に優れ、且つ加工性良好で、加工時或いは加工後の剥離、変形のない透明性電極層含有シートを提供することを目的とした。
【解決手段】ポリカーボネート素材或いは架橋型アクリル樹脂素材と透明電極層だけで積層シートを構成することにより、熱膨張率を同一或いは類似したレベルに設定でき、異種材料間で問題となる熱膨張率が原因の加工時或いは加工後の剥離、変形のない積層シートを得た。 (もっと読む)


【課題】スプラッシュの低減化を図り、製品歩留まりを向上させることができ、かつ、電子ビーム溶解に要する時間の短縮も可能にした蒸着材料を用いた光学薄膜並びに光学部品を提供する。
【解決手段】蒸着材料を溶解蒸発せしめ蒸発した蒸着材成分を基板表面に蒸着させて蒸着膜として形成された光学薄膜において、上記蒸着材料は、形状が球体または楕円体である多数の蒸着材粒子からなり、この蒸着材粒子の赤道部に、外方向に突出する突起部が形成されており、上記蒸着材粒子を平面に投影したときに形成される投影像に外接する正円の面積をAとし、上記投影像に内接する正円の面積をBとした場合に、A/Bで表される形状係数が1以上5以下である蒸着材粒子の割合が90質量%以上であり、上記蒸着材粒子の粒径が0.5mm〜30mmの範囲にある一方、上記基板1枚当りの蒸着膜中に混入した直径5μm以上のスプラッシュ個数が、基板1枚あたり平均3.8個以下であることを特徴とする光学薄膜である。 (もっと読む)


本発明は、酸化物スパッタターゲットの製造方法に関する。その方法は、ターゲットホルダーを供給するステップと;少なくとも1種の酸化物と少なくとも1種の金属とを同時に噴霧することによってスパッタ可能材料の外層をそのターゲットホルダー上に形成するステップとを含む。スパッタ可能材料の外層は第1の相と第2の相とを含む。第1の相は少なくとも第1の金属および第2の金属の酸化物を含み;第2の相はその金属相中に金属を含む。その金属相中の金属は第1の相の酸化物中または酸化物間に配置された不連続ボリュームを形成する。スパッタ可能材料の外層はその金属相中に0.1〜20重量%の金属を含む。本発明はさらに、酸化物スパッタターゲットに関する。
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【課題】酸化インジウムを含有する透明導電膜上に透明カーボン層を形成する場合、水素または分子内に水素を含むガスを使用すると、水素原子によりインジウムが還元されてしまい、透明導電膜として機能しなかった。
【解決手段】 カーボン層の製膜をアルゴンと二酸化炭素を任意の割合で混合したガスを使用したマグネトロンスパッタ法で実施することで、透明・低屈折率であり且つ導電性の透明カーボン層を形成することが可能となる。この結果、透明導電膜の光線透過率が向上する。 (もっと読む)


本発明は、基板上に透明導電性金属酸化物層を製造するための方法に関する。該方法では金属酸化物層の少なくともひとつの成分が高イオン化されたパルス状マグネトロンスパッタリングにより噴霧されて基板上に堆積され、その際にマグネトロンのパルスは1.5kW/cmよりも大きいピーク出力密度を有し、マグネトロンのパルスは200μs以下の持続時間を有しており、さらにプラズマ点火時の平均電流密度上昇は0.025ms以下の時間間隔内で少なくとも106A/(ms cm)である。 (もっと読む)


Zn、In、及びHfを含み、Zn、In、及びHf原子の全体含有量対比Hf原子含有量の組成比が2〜16at%である酸化物半導体及びこれを備える薄膜トランジスタを提供する。 (もっと読む)


【課題】 複数枚のターゲットを並設し、この並設したターゲットに、複数台のバイポーラパルス電源を介してバイポーラパルス状に電力投入してスパッタリング法を実施する際に、簡単な制御でスイッチングノイズの影響を受け難くしてターゲットに精度よく投入電力できるようにする。
【解決手段】 対をなすターゲット毎に、直流電力供給源からの正負の直流出力端に接続したブリッジ回路52の各スイッチング素子SW1乃至SW4のオン、オフを切換えてバイポーラパルス状に電力供給し、各ターゲットをスパッタリングするスパッタリング方法において、前記直流電力供給源からの正負の直流出力間に設けた出力短絡用スイッチング素子SW0の短絡状態で前記スイッチング素子のオン、オフの切換えを行うと共に、出力短絡用スイッチング素子の切換えのタイミングをブリッジ回路毎に相互にずらす。 (もっと読む)


【課題】インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、及び亜鉛元素(Zn)を含み、新規酸化物結晶相を含む、外観が良好なスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、及び亜鉛元素(Zn)を含み、(Ga,In)で表される酸化物結晶相を含む酸化物を提供する。この酸化物をスパッタリングターゲットとして利用する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、インジウムスズ酸化物(ITO)スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 インジウムとスズの水酸化物を共沈殿させ、塩化物イオンの存在下でか焼し、得られた酸化物粉末を、分散剤、バインダー、特別の密度増加剤とともに水性の泥漿を調製し、その泥漿を特別に表面コートされた多孔質鋳型に鋳込み成形により注入し、その後得られたターゲット体をか焼して高密度ITOターゲットとする。 (もっと読む)


【課題】装置を大型かつ複雑にすることなく、経済的課題を解消し、被成膜体表面に効率よく同時に均一な膜を成膜することができるスパッタリングカソード及びそれを用いたスパッタ装置を提供する。
【解決手段】スパッタリングカソード11は、互いに極性が異なる一対のリング状磁石12A、12B、リング状スパッタリングターゲット15、磁気ヨーク16、冷却ジャケット14、グラファイトシート17から構成される。スパッタリングカソード11はスパッタ装置に設置され、内側にリング状のスパッタリングターゲット15を収容した状態で、被成膜体をスパッタリングターゲット15の内側に固定配置して、又は一定速度でリング軸方向に移動させながら、被成膜体に成膜を行う。 (もっと読む)


【課題】真空下、可撓性支持体にロール方式で多層薄膜形成を行う生産工程において支持体や成膜面にキズの発生しないガイドロール機構を組み込んだ真空成膜装置、及びこれを用い発光寿命の改善された生産性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】可撓性支持体(ウェブ)を支持し、真空中でウェブの搬送方向を30度以上、240度以下、変更するためのガイドロール機構であって、搬送中、前記可撓性支持体は、ガイドロールの両端部においてのみガイドロールに接触し、かつ、少なくとも接触部分の一部において、可撓性支持体をガイドロール上に押さえる機構を設けたことを特徴とするガイドロール機構。 (もっと読む)


【課題】長尺の基材フィルムを一度に投入でき、かつ連続成膜した導電性薄膜の抵抗値分布を保証し制御することができるとともに均一な膜質の導電性薄膜を連続して形成できる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】ロール・トゥ・ロール方式真空成膜装置50において、導電性フィルム58の表面抵抗値を測定する非接触式の抵抗測定手段56に加えて、成膜手段55bと巻取り手段54との間に導電性フィルム58の光線透過率及び/または光線反射率を連続して計測する光線測定手段60と、抵抗測定手段56で測定された表面抵抗値及び光線測定手段60で計測された光線透過率及び/または光線反射率に基づいて導電性薄膜の膜特性が均一になるように成膜手段55a,55bの成膜条件を調整する制御手段65を備える構成にした。 (もっと読む)


【課題】耐候性、耐食性に優れたフレキシブル透明膜を簡易に形成することができる多層膜の形成方法及び多層膜を提供すること。
【解決手段】一つのスパッタリング用電極上に、異種成分からなる複数の素材を張り合わせて取り付け、前記複数の素材同士の境界の上方に分離板を設けておき、放電行いながら基板を前記ターゲット上を移動させて該基板上に多層膜を形成すること特徴とする多層膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で、被成膜物における未成膜部分を低減させることができる成膜装置の支持機構を提供する。
【解決手段】成膜面W1aが下方に向けられた状態にガラス基板W1を支持して成膜面W1aに成膜物質を付着堆積させる成膜装置1におけるガラス基板W1の搬送トレイ40であって、成膜面W1aと同等以上の広さを有する開口部42を内部に備えると共に開口部42を囲む外枠43から構成される枠体44と、外枠43から内に突出してガラス基板W1を複数の箇所で支持すると共に、複数の箇所を結んで形成される領域R1内にガラス基板W1の重心Gが位置するように配置された複数のワイヤー状の線状支持部材45,・・・とを備える。このようなワイヤー状の線状支持部材45でガラス基板W1を支持することにより、ガラス基板W1の未成膜部分が低減される。 (もっと読む)


【課題】 金属の網目状構造により導電性を付与させた透明導電膜を、従来よりも高透過率で、かつ廃棄物の少ないプロセスで提供することを目的とする。
【解決手段】 透明基板(A)上に形成された透明導電膜であって、導電性を付与するために透明基板上に形成された金属細線(B)の網目状構造(C)が、少なくともリング状のパターンを含むことを特徴とする透明導電膜(D)、透明基板(A)の表面上に単分散度20%以下の微粒子(P)を配列固定した後、微粒子(P)と透明基板(A)の間隙に金属ナノ粒子(Q)の分散液を導入し、さらに金属ナノ粒子(Q)の分散液の分散媒を蒸発させることにより、金属ナノ粒子が凝集した網目状構造(C)を自己組織的に形成させ、次いで微粒子(P)を除去することで透明導電膜(D)を得る透明導電膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】膜厚が極めて薄く耐熱性に優れた透明電極、透明導電性基板および透明タッチパネルを提供する。
【解決手段】基板(C)上に、酸化インジウムを主成分とする結晶性透明導電膜(A)と酸化インジウムを主成分とする非晶質性透明導電膜(B)がスパッタリング法によって順次形成された積層構造の透明電極であって、結晶性透明導電膜(A)は膜厚が5〜40nmであり、非晶質透明導電膜(B)は膜厚が2〜10nmであり、表面抵抗が70〜3000Ω/□であることを特徴とする透明電極;前記透明電極が、透明基板の表面に形成されてなる透明導電性基板;前記透明導電性基板を用いて得られた透明タッチパネルなどによって提供する。 (もっと読む)


【課題】コモン電圧の変動を抑制して、表示品位を向上させる。
【解決手段】 第1及び第2の基板、第1及び第2の電極電極、第1の液晶による液晶装置の製造方法であって、第3の基板と第4の基板との間に第2の液晶が介在されたテストセルについて、第3又は第4の電極の各成膜条件と、第3及び第4の電極間に電圧を印加した場合におけるテストセルのコモン電圧の変動と、の関係を求める工程(S1)と、相互に同一の条件で第1及び第2の電極を成膜した場合における液晶装置のコモン電圧の変動を求める工程(S2)と、第3及び第4の電極の成膜条件とテストセルのコモン電圧の変動との関係と、液晶装置のコモン電圧の変動とに基づいて、第1及び第2の電極の成膜条件を決定する工程(S3)と、決定された第1及び第2の電極の成膜条件に基づいて、第1及び第2の基板上に第1及び第2の電極を成膜して、液晶装置を製造する工程(S4)とを具備する。 (もっと読む)


【課題】基板上にマイクロパターンを高精度にかつ容易に形成することを可能とするマイクロパターンの製造方法を得る。
【解決手段】 マイクロパターンが上面6aに形成される基板6と、前記マイクロパターンに対して反転されたパターン形状を有するフィルム状パターニング材1Aとを用意する工程と、前記フィルム状パターニング材1Aを前記基板6の上面に積層する工程と、前記フィルム状パターニング材1Aが積層された基板6の上面に被パターニング材料7を塗布する工程と、前記基板6の上面6aから前記フィルム状パターニング材1Aを除去して、前記フィルム状パターニング材1Aと反転されたマイクロパターンとなるように前記被パターニング材料7をパターニングし、それによって、被パターニング材料7からなるマイクロパターン7Aを形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】高い経時デバイス安定性及び動作安定性などが薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上10に、ゲート電極15、ゲート絶縁層12、チャネル層11、ソース電極13及びドレイン電極14が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層11はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層11におけるIn/(In+Ge)で表される組成比が0.5以上0.97以下である。 (もっと読む)


【課題】 処理基板の成膜する側の面とターゲットプレートとを、平行に対向させ、マグネトロンスパッタ方式でスパッタを行うスパッタ装置で、ノジュールの発生をできるだけ抑え、且つ、処理基板の大型化に対応できるスパッタ装置を提供する。そして、そのようなスパッタ装置用のターゲットプレートを提供する。
【解決手段】 バッキングプレートの一面に沿い配され、且つ、長手方向の中央と、長手方向の両端側において、それぞれ、長手方向に直交する方向に、0.2mm〜0.4mmの範囲で隙間をあけて分割されている。 (もっと読む)


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