【課題】 可視光領域だけでなく赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する酸化物透明電極膜を提供する。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、チタンを含有し、１５０℃以上３５０℃以下に加熱された基板上に成膜されており、酸化インジウムのインジウムがチタンに、チタン／インジウムの原子数比で０．００３〜０．１２０の割合で、置換され、酸化インジウムは結晶質であり、酸化物透明電極膜の比抵抗が５．７×１０^-4Ωｃｍ以下であり、ホール測定効果によるキャリア電子濃度が５．５×１０^-3以下であり、かつホール効果測定によるキャリア電子の移動度が４０ｃｍ²／Ｖｓｅｃ以上である酸化物透明電極膜が提供される。 （もっと読む）

【課題】使用率を向上させ、Ｉｎ等の半田材の注入を容易にし、半田等の割れやクラック、剥離を著しく低減できる円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ＩＴＯまたはＡＺＯ等のセラミックス焼結体からなる複数個の円筒形ターゲットの、少なくとも一方の端部に、内周に向かってテーパ状及び／又は段状の形状を形状とし、円筒形ターゲットと円筒形基材との間隙にＩｎ等の接合材（半田材）を容易にかつ円滑に注入して接合し、スパッタリングターゲットと成した後、使用効率が高く、割れやクラック、剥離のないことを特徴とする、円筒形スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】静電容量式タッチパネル等に使用される電極フィルムにおいて、透明導電性薄膜がパターニングされた際に、透明導電性薄膜の有る部分と無い部分での光学特性の差が小さいため、視認性に優れ、かつパターニングが強調されにくい透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルム１１からなる基材の少なくとも片面上に、組成傾斜薄膜層１３及び透明導電性薄膜層１４をこの順に積層した構成を有することを特徴とする透明導電性積層フィルム１０。 （もっと読む）

この発明のある種の実施具体例は、熱処理されたガラス基板によって支持される透明導電性インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜を有する被覆品の製造技術に関する。実質的に亜酸化のＩＴＯまたは金属インジウムスズ（ＩｎＳｎ）膜をガラス基板上に室温でスパッタリング蒸着する。上に蒸着された状態の膜を有するガラス基板を昇温する。熱による焼き戻し、または熱強化は、蒸着された状態の膜を結晶透明導電性ＩＴＯ膜に変換する。有利なことに、このことは、例えば、金属モードにおけるＩＴＯ蒸着の一層高い速度のため、タッチパネル組立品のコストが減少する可能性がある。フロートガラスの使用によってタッチパネル組立品のコストが一層減少する可能性がある。
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【課題】低抵抗で、かつ耐湿性・耐薬品性に優れた、酸化亜鉛系導電膜及び酸化インジウム系透明導電膜を積層してなる積層型透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜層（Ａ）と酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層（Ｂ）とをこの順に積層してなる積層型透明導電膜において、前記透明導電膜層（Ｂ）がアモルファス構造であり、このような積層型透明導電膜は透明導電膜層（Ａ）の成膜を、１×１０^−４Ｐａ〜１．０１３×１０^５Ｐａの到達真空度にてスパッタリング法にて行うことにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】より高い平坦性を有する平坦化物が得られる平坦化物の製造方法、平坦化物、及び被処理面の平坦化方法を提供する。
【解決手段】少なくとも基材１を有する平坦化物の製造方法であって、近接場光４ａ，４ｂ，４ｃを用いて被処理面をエッチングする近接場エッチング処理工程を有する平坦化物の製造方法とする。また、平坦化物は、この平坦化物の製造方法で製造される。さらに、被処理面の平坦化方法は、近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、この被処理面２の最大突起５ａ，５ｂ，５ｃ長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】明確なｐ型伝導を示す酸化物半導体を提供する。
【解決手段】アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類、遷移金属、及び窒素から選択される一種以上の元素、又はこれら元素を一種以上含有する化合物を固溶置換させた酸化インジウムを、１００℃〜２５０℃の範囲を０．０００１℃／秒以上、０．１℃／秒以下の昇温速度で加熱し結晶化させることを特徴とする酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、反転して増大する有機感光性光電子デバイスに関する。本発明の反転型有機感光性光電子デバイスは、反射電極、前記反射電極の上の有機ドナー−アクセプターヘテロ接合、および前記ドナー−アクセプターヘテロ接合上の透明電極を含む。 （もっと読む）

【課題】 焼成が必要な透明導電膜前駆体について、膜強度や導電性への影響が無く、簡便に焼成処理を行い得る透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 基材上に形成され焼結によって透明導電膜を形成する透明導電膜前駆体の表面に、レーザー光に対して吸収のある吸収剤を含む吸収剤含有液を塗布し乾燥させることにより吸収剤層を形成し、該吸収剤層に吸収のある波長を有するレーザー光を該吸収剤層に照射することにより、前記透明導電膜前駆体を焼結させて透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によりウエブ状の合成樹脂フィルム表面に薄膜を形成する真空成膜装置において、合成樹脂フィルム内部及び表面の残留ガス量を合成樹脂フィルムの幅方向で均一にすることができる真空成膜装置を提供することにある。
【解決手段】乾燥手段が、合成樹脂フィルム加熱用の赤外線ランプヒーターと非接触式温度計と真空中の残留ガス量を測定する真空分圧計とを備え、赤外線ランプヒーターと非接触式温度計と真空分圧計は、合成樹脂フィルムの幅方向に２００ｍｍ〜５００ｍｍの間隔で、かつ、合成樹脂フィルム走行方向に平行に、各一個ずつ設置され、真空分圧計により測定された残留ガス量が一定となるように、赤外線ランプヒーターと非接触式温度計とを制御する制御手段を備えることで、合成樹脂フィルムの幅方向における膜質の均一化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な耐薬品性に優れた非晶質酸化錫系透明導電膜を提供する。
【解決手段】（ａ）原料化合物粉末を混合して混合物を調製する工程；（ｂ）前記混合物を成形して成形体を調製する工程；及び（ｃ）前記成形体を１１００℃以上１３８０℃以下で２時間以上焼成する工程を含む、酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性、反射防止性および耐久性に優れ、むくみの発生しない光学物品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】眼鏡レンズは、レンズ基材１１０と、このレンズ基材１１０の表面に設けられたハードコート層１２０と、このハードコート層１２０の上に設けられた反射防止層１３０とを備えて構成されている。反射防止層１３０は、屈折率が１．３〜１．５である低屈折率層と、屈折率が１．８〜２．４５である高屈折率層とを順に積層したものである。この反射防止層１３０は、レンズ基材１１０側から外側に向けて順に配置された第１層１３１、第２層１３２、第３層１３３、第４層１３４、第５層１３５、第６層１３６、第７層である透明導電層１３７及び第８層１３８から構成される。 （もっと読む）

【課題】光学機能および導電機能に優れた機能性フィルムを、機械強度を低下させることなく、作製し、提供する。
【解決手段】樹脂基板１１の少なくとも一方の面上に、樹脂基板１１とは屈折率の異なる光学膜を有し、光学膜は、樹脂基板１１と接する側から、屈折率ｎ１が１．５０〜２．００、膜厚ｄ１が１〜１０ｎｍの第１の薄膜層１３、屈折率ｎ２が１．９０〜２．５０、膜厚ｄ２が１０〜３５ｎｍの第２の薄膜層１４、屈折率ｎ３が１．３５〜１．５０、膜厚ｄ３が３５〜８０ｎｍの第３の薄膜層１５、屈折率ｎ４が１．９０〜２．２０、膜厚ｄ４が１０〜３０ｎｍ、表面抵抗値が１５０Ω／□〜８００Ω／□の第４の薄膜層１６を積層し、ｎ２＞ｎ４＞ｎ１＞ｎ３であり、機能性フィルムのＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で表したときのｂ＊の値が−１．０以上２．０以下である機能性フィルム１０。 （もっと読む）

【課題】携帯電話やゲーム機などに組み込まれるタッチパネルの電極フィルムとして用いた際に、ペン入力耐久性に優れた透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルを提供することにある。さらに、有機エレクトロルミネッセンス、色素増感型太陽電池等の低抵抗な透明電極が必要とされる用途に最適な電気特性に優れた透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製されたことを特徴とする透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】基板と、前記基板上に形成された透明電極膜とを備える透明電極膜付基板における透明電極膜の改質方法において、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明電極膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能な透明電極膜の改質方法を提供すること。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された透明電極膜とを備える透明電極膜付基板における透明電極膜の改質方法であって、前記透明電極膜にフラッシュランプを用いて光パルス持続時間が０．１〜１０ｍｓｅｃのフラッシュ光を照射して前記透明電極膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする透明電極膜の改質方法。 （もっと読む）

【課題】希少資源であるインジウムの使用量を削減と、透明導電膜の抵抗値（導電性）・耐薬品性・耐久性を併せ持つ透明導電性基材を提供すること。
【解決手段】
基材４の少なくとも一方の面上に、基材に近い層から順に第１の透明導電膜１、第２の透明導電膜２、第３の透明導電膜３の少なくとも３層が形成されており、第１の透明導電膜及び第３の透明導電膜が錫ドープ酸化インジウムからなり、第２の透明導電膜が酸化亜鉛を主成分とすることを特徴とする透明導電性基材とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高い金属酸化物層をバッファ層として意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング時に、ノジュールを発生しないターゲットを提供する。また、エッチング性に優れ、且つ、特に４００〜４５０ｎｍ域の透明性に優れた非晶質透明導電膜を提供する。
【解決手段】 酸化インジウムと、酸化亜鉛と、酸化マグネシウムと、を含むスパッタリングターゲットであり、このスパッタリングターゲットは、スパッタリング時に、ノジュールを発生しない。また、酸化インジウムと、酸化亜鉛と、酸化マグネシウムと、を含む非晶質透明導電膜であり、この非晶質透明導電膜は、エッチング性に優れ、且つ４００〜４５０ｎｍ域の光線透過率が高い。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体、ターゲット組成の再現性が高いスパッタリングターゲット、大面積均一性、再現性の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｉｎ（インジウム）元素と、Ｓｎ（錫）元素と、６周期までの、３Ａ族元素、４Ａ族元素、５Ａ族元素、６Ａ族元素、７Ａ族元素、８族元素及びＳｎより原子番号の小さい４Ｂ族から選択される１種以上の元素Ｘを含む酸化物半導体。 （もっと読む）

【課題】勾配型屈折率を備えた多孔質を含む単層構造をした透明導電性のナノ構造薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】電子ビームシステム１００を用いて、ターゲットソースが斜め堆積法により蒸着される。複数の調整可能な試料ステージ１０４上に蒸着基板１１４が配置される。プロセスチャンバー１０１内でガスの流量および温度を制御するため、熱源と複数のガス制御弁１０７および１０８が備えられる。蒸着後、薄膜構造と光電子特性を向上させるため、アニール工程が行われる。 （もっと読む）