【課題】 平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 接地した複数の導電性棒を、各々、前記ターゲットおよび前記処理基板の、天側から地側方向に対して、斜めに、且つ、前記ターゲットの天側から地側方向幅よりも短かくして、その両端部を固定して、配している。
【選択図】 図３
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【課題】低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主原料とし、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で５．２〜９．２質量％含有し、酸化チタン／酸化タンタルの質量比が０．０２２〜０．１６０である酸化物からなる成形体を、酸素含有雰囲気下、１５３０〜１６３０℃で焼結することにより、相対密度が９７％以上で、比抵抗が５×１０^-4Ω・ｃｍ以下であり、成膜により比抵抗が５×１０^-4Ω・ｃｍ以下、可視光領域における光の屈折率が２．０以上、透過率が９６％以上の透明導電酸化物膜を得られる、スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐薬品性を具備して、フレキシブルディスプレイ装置に好適な透明導電膜を提案する。
【解決手段】可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた非結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。前記第１透明導電層はＳｎＯ_２含有割合が１質量％以上１０質量％未満のＩＴＯ層であり、前記第２透明導電層はＳｎＯ_２含有割合が１０質量％以上のＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物の透明膜）またはＩＺＯ層（インジウム亜鉛酸化物の透明膜）とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】大規模なターゲットを製造するため、相対密度が大きい圧粉体を生じるスリップキャスト成形のための型を提供する。
【解決手段】スリップキャスト成形のための型は、底面板１０、不透水性の側壁２０、および、成型スペース３０を有する。底面板１０は、水を吸収する多孔性材料でできている。不透水性の側壁２０は、底面板１０に取り付けられる。成型スペースは、底面板１０および不透水性の側壁２０によって定められる。型は、底面板１０によって水を吸収するのみである。すべてのスラリーは、乾燥の間型に連続的に注入されるよりはむしろ型に注入される大きさである。したがって、型において形成される圧粉体は均一であり、高い相対密度を有する。圧粉体は、亀裂または変形を引き起こさずに焼結されることができるので、大きいサイズのスパッタリングターゲットの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を結晶化させることにより透明電極の耐薬品性を高めることができると共に、透明導電膜の結晶化時に高分子材料基板を変形・劣化させることがない透明電極の製造方法を提供する。
【解決手段】高分子材料基板上に、Ｓｎを含有する非晶質透明導電膜を形成する工程と、非晶質透明導電膜を１１０℃以上１３０℃未満の温度で熱処理して結晶質透明電極とする工程とを含むことを特徴とする、透明電極の製造方法である。ここで、非晶質透明導電膜のＳｎ濃度は、ＳｎＯ_２換算で１〜５質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐薬品性を具備して、フレキシブルディスプレイ装置に好適な透明導電膜を提案する。
【解決手段】可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた非結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。第１透明導電層３−１はＳｎＯ_２含有割合が１０質量％以上のＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物の透明膜）またはＩＺＯ層（インジウム亜鉛酸化物の透明膜）であり、第２透明導電層３−２はＳｎＯ_２含有割合が１質量％以上１０質量％未満のＩＴＯ層とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性に優れる透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径が３０〜１０００ｎｍであり、かつ結晶粒径の変動係数が０．００〜０．３０である透明導電性フィルム。透明導電膜は、酸化スズを０．５〜８質量％含む酸化インジウムが好ましい。また、透明導電膜の厚みが、１０〜２００ｎｍであることが望ましい。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の酸化物をベースとする少なくとも１層の透明でかつ導電性の薄膜層により第一面が被覆された基材を得る方法であって、下記工程：
前記少なくとも１層の薄膜層を前記基材上に堆積させること、
少なくとも１つの寸法が１０ｃｍを超えない前記少なくとも１層の薄膜層の領域に焦点が合わされた、波長が５００〜２０００ｎｍである放射線を用いて前記少なくとも１層の薄膜層を照射する熱処理工程に前記少なくとも１層の薄膜層を付し、ここで、前記放射線を前記少なくとも１層の薄膜層に対面して配置されている少なくとも１つの放射線デバイスにより送達させ、所望の表面を処理するように前記放射線デバイスと前記基材とを相対的に移動させ、前記少なくとも１層の薄膜層の抵抗率が前記熱処理の間に低減される、熱処理工程に付すこと、
を含む方法に関する。
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【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、バリヤーメタル等を堆積するための工程が不要な簡略化されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１金属群Ｍ１から選ばれた１種又は２種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第２金属群Ｍ２から選ばれた１種又は２種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。この透明導電膜を画素電極として利用することによって、ソース電極７等との接触抵抗を小さく抑えることができる。更に、バリヤーメタル等を用いる必要がなくなったため、バリヤーメタル等を堆積する工程をなくすことができ、ＴＦＴ基板の製造工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ良好なアモルファス性を有する上、更に高い移動度を有する半導体膜を開発し、より高性能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の３電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素を具備してなる薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層がタングステンと亜鉛及び／又は錫とをドープした酸化インジウム膜で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】水分または有機成分を含有した大型の成形体を電磁波加熱による透明導電膜用焼結体の製造方法において焼成割れを防止し、高密度な品質の安定した製品を容易に製造可能な方法を提供する。
【解決手段】水分と有機成分を総量で０．３〜２．０重量％含有した最小厚みが５ｍｍ以上でかつ、体積が５０ｃｍ^３以上である成形体と、この成形体に接触しないよう、上下及び／又は側面にＳｉＣ質材料を設置し、当該ＳｉＣ質材料の温度によりマイクロ波加熱炉内の温度制御を行う、電磁波加熱によって当該成形体を焼結する方法であって、室温から４００℃までの温度域を１００〜３００℃／時間の昇温速度で加熱することで、焼成割れが低減され、円筒形状であれば真円度が高い焼結体、平板形状であれば反りの少ない焼結体を歩留まり良く製造することができる。 （もっと読む）

【課題】無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ高い移動度とアモルファス性を兼備するという特徴を維持したまま、比較的容易な制御により安定的な特性を有する含インジウム金属酸化物膜を得ることができ、安定的な特性を有するＴＦＴ素子を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接着シート、かかる接着シートと被着体とを、低温下で効率よく接合し得る接合方法、および、接着シートと被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接着シートは、機能性基板２と、接合膜３とを有しており、被着体４に接着して用いられるものである。この接着シートが備える接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面３５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜３の表面３５に、被着体４との接着性が発現し得るものである。 （もっと読む）

【課題】
フィルムロール状に巻き取った際に、シワやクラックになりにくい金属蒸着ポリエステルフィルムを提供する。
【解決手段】
ポリエステルフィルム層（Ｆ層）の少なくとも片面に金属酸化物を含む層（Ｍ層）を設けた金属蒸着ポリエステルフィルムであって、Ｍ層の光学濃度ＯＤが０．７〜８．０であり、幅方向の蒸着厚みムラが２０％以下である金属蒸着ポリエステルフィルムとする。 （もっと読む）

【課題】導電性、透過率が高く、かつ実用上十分な優れた密着性および耐久性を有し、低温成膜が可能でアニール前後の抵抗率変化の少ない透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】透明基板３２の少なくとも一方の面上に、無機酸化物層２、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜層１をこの順に積層した透明導電薄膜において、無機酸化物層２が、高屈折率金属酸化物層２２、低屈折率無機酸化物層２１の順に積層され、前記ＩＴＯ薄膜層が２層１１，１２からなり、高屈折率金属酸化物層２２の屈折率が１．７〜２．８、膜厚が５〜５０ｎｍであり、低屈折率無機酸化物層２１の屈折率が１．２〜１．５、膜厚が１０〜１００ｎｍであり、ＩＴＯ薄膜層１の最表面の層１１の酸化スズの含有量が、ＩＴＯ薄膜層の他の層１２の酸化スズの含有量より大きいことを特徴とする、透明導電薄膜。 （もっと読む）

【課題】 表面抵抗値が高く、かつ、信頼性の高い透明導電積層体を製造することが可能な透明導電積層体の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明の透明導電積層体の製造方法は、透明基材フィルム１１上に透明導電層１２が形成された透明導電積層体の製造方法であって、スパッタリング用ガスおよび酸素ガスを含む混合ガス中において、Ｉｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２を含むターゲットを用いたスパッタリング法により、前記透明基材フィルム１１上に前記透明導電層１２を形成する透明導電層形成工程を含み、前記ターゲットが、さらに、第３の成分を含み、前記ターゲットにおける前記Ｉｎ_２Ｏ_３と前記ＳｎＯ_２との合計含有割合に対する前記ＳｎＯ_２の含有割合が、２０〜４５重量％の範囲であり、前記混合ガスに対する前記酸素ガスの混合比率が、１〜５体積％の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明タッチパネルを構成する２枚の透明電極基板間で発生するニュートンリングを防止できる透明導電性積層体、およびこのような透明導電性積層体を用いた透明タッチパネルを提供する。
【解決手段】透明有機高分子基板（１６）の少なくとも一方の面上に、凹凸表面を有する硬化樹脂層（１５）と透明導電層（１４）とが順次積層された透明導電性積層体（１４、１５、１６）であって、硬化樹脂層が、硬化樹脂成分、および硬化樹脂成分中に分散している少なくとも１種の平均一次粒子径１００ｎｍ以下の金属酸化物超微粒子Ａおよび金属フッ化物超微粒子Ｂを有し、硬化樹脂層におけるこれらの超微粒子ＡおよびＢの含有量はそれぞれ、硬化樹脂成分１００質量部あたり１質量部以上２０質量部未満であり、かつこれらの超微粒子ＡおよびＢの質量比（Ａ／Ｂ）が、０．３よりも大きいことを特徴とする、透明導電性積層体とする。またこのような透明導電性積層体（１４、１５、１６）を有する透明タッチパネル（２０）とする。 （もっと読む）

【課題】取り扱い性に関して好ましい易滑性を有しつつ、必要な透明性又はヘーズ特性を達成する透明導電性積層体を提供する。また、このような透明導電性積層体を有する透明タッチパネルを提供する。
【解決手段】透明有機高分子基板１、透明有機高分子基板の一方の面上の透明導電層２、及び透明有機高分子基板の他方の面上の、凹凸表面を有する硬化樹脂層３を有する透明導電性積層体１０、並びにこのような透明導電性積層体を有する透明タッチパネルとする。ここで、硬化樹脂層３が、物性の差に基づいて互いに相分離する２種の重合性成分を含有するコーティング組成物から形成されることによって凹凸表面を有しており、硬化樹脂層３が、平均一次粒子径２００ｎｍ以上の無機及び／又は有機微粒子を含有しておらず、硬化樹脂層３が、平均一次粒子径２００ｎｍ未満の金属酸化物及び／又は金属フッ化物超微粒子を含有している。 （もっと読む）

【課題】アニールなしで実用上問題ない抵抗値を実現するとともに、対エッチング性および光の透過性も良好な、透明導電膜付き基板、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】透明な基板１０と、基板１０上に形成された透明導電膜とを有する透明導電膜付き基板であって、前記透明導電膜は、前記基板１０面上に、第１の金属酸化物膜２０と、銀（Ａｇ）合金膜３０と、第２の金属酸化物膜４０と、が順に積層された３層を少なくとも有する。銀合金膜３０は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）及び白金（Ｐｔ）のうち少なくとも１種と、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジウム（Ｎｄ）及びガドリニウム（Ｇｄ）のうち少なくとも１種と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アーキング発生頻度を低減するスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、インジウム、スズ及び酸素を含んでなり、少なくともＩｎ_２Ｏ_３相と中間化合物相を有する焼結体であって、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１０重量％以上１５重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比をそれぞれ３．０％以下とし、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１５重量％より大きく２０重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比がそれぞれ９．０％以下とすることで、放電中のアーキングの発生率が低減する。 （もっと読む）