【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すれば良い。具体的には、酸化物半導体層にハロゲン元素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すれば良い。ハロゲン元素としては、フッ素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも酸化インジウムおよび酸化亜鉛を含有してなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比を０．７５〜０．９７の範囲内の値とするとともに、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_ｍ（ただし、ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径を５μｍ以下の値とし、酸化インジウムを６７〜９３重量％の範囲、酸化錫を５〜２５重量％の範囲、および酸化亜鉛を２〜８重量％の範囲で含むとともに、錫／亜鉛の原子比を１以上の値とすることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】膜形成の条件が限定されない成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、シート３に膜を形成するroll to roll方式の成膜装置であり、成膜室２内にシート３を搬送する搬送路２７が設定され、この搬送路２７の側の上方に位置した成膜室２の上部２４に、４０個のフランジ孔２６が形成されている。フランジ孔２６には、搬送路２７を搬送されるシート３に膜を形成するターゲット部５が装脱可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】膜厚の低下を図りつつ、エッチング工程を不要として低コスト化を図り、凹凸構造を有する薄膜層が被成膜基板表面に成膜された成膜基板、その製造方法、および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜基板１は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板であって、凹凸構造は、酸化インジウムを含んだ薄膜層３が成膜されることで形成されたものとする。また、成膜基板１の製造方法は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板１を製造する方法であって、被成膜基板２表面に、酸化インジウムを含む薄膜層３を成膜し、この成膜を行うことで凹凸構造を形成する薄膜工程を有するものとする。これにより、凹凸構造を形成するためのエッチィング工程を不要とし、低コスト化を図り、酸化インジウムを含んだ透明導電膜３とすることで、膜厚を低下させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、形成された膜の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いて被処理物に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記被処理物とターゲットとが平面視において重ならない第１の位置において、前記ターゲットの主面と交差する方向に向かう第１のスパッタ粒子により、前記被処理物に第１の膜を形成する工程と、前記被処理物と前記ターゲットとの少なくとも一部が平面視において重なる第２の位置において、前記ターゲットの主面と略直交する方向に向かう第２のスパッタ粒子により、前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、を備え、前記第１の膜が形成されていない前記被処理物が前記第２の位置にある場合には、前記第２のスパッタ粒子が遮蔽されることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、異常放電などを引き起こすことなく、１枚のガラス基板から複数枚のパネルを安定に調製することを可能にする、基板へのスパッタ薄膜の形成方法および当該方法を実施するための搬送キャリアを提供する。
【解決手段】 搬送キャリアを、四角形状の枠体と、枠体の対向する枠辺間に弾性部材を介して連結されたテンションが負荷された薄体状部材とから構成し、薄体状部材の厚みを０．１〜０．８ｍｍとし、その熱膨張率を基板となるガラス基板の熱膨張率の±２０％とし、枠体と基板とが接することがないように薄体状部材のみで基板の載置面を構成して、個々の薄体状部材に、基板が搬送キャリアに載置されている状態を形成するための保持部材としての機能、および、基板における２つ以上のスパッタ薄膜形成領域を画定するためのマスク部材としての機能を担わせる。 （もっと読む）

【課題】工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が０．９〜１．８×１０^-3Ω・ｃｍの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、プラセオジムを含む酸化物焼結体であり、プラセオジムの含有量が、Ｐｒ／Ｉｎ原子比で０．００２５以上０．０４３以下、好ましくは０．００８以上０．０３５以下であり、酸化プラセオジム結晶相が存在しない酸化物焼結体を、スパッタリングターゲットまたはイオンプレーティング用蒸着材として用いる。 （もっと読む）

【課題】構成層の剥離や透明導電膜の劣化を防止することにより、長期にわたり優れた性能を発揮することが期待できる透明導電膜付ガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】環状ポリオレフィン系材料からなる基材１０の両主面に対し、それぞれガスバリア層２０Ａ、２０Ｂ、保護層３０Ａ、３０Ｂを順次積層してフィルム積層体２を構成する。保護層３０Ａ、３０Ｂはシロキサン系熱硬化性樹脂で構成する。ＡＰＣ層４０の両面にＩＴＯ膜５０Ａ、５０Ｂを積層して透明導電膜積層体３を構成する。このフィルム積層体２と透明導電膜積層体３とを積層して、透明導電膜付ガスバリアフィルム１を構成する。 （もっと読む）

本願は、第１基材上の収容溝に補助体を挿入して、前記補助体の第１表面は、前記収容溝に収容され、前記補助体の第２表面は、外部に露出させるステップ、前記第２表面に第１コーティング層を形成するステップ、前記第１コーティング層が形成された補助体と第２基材とを付着するステップ、前記第２基材に付着した前記第１コーティング層が形成された補助体を前記第１基材から分離して、前記第１コーティング層が形成された補助体の第１表面を外部に露出させるステップ、前記第１表面上に第２コーティング層を形成するステップ、及び前記第１コーティング層と前記第２コーティング層とが形成された補助体を前記第２基材から分離するステップを含む粒子の製造方法及びこれによって製造される粒子を提供する。 （もっと読む）

【課題】フィルムなどの基材に対して透明性が高く、優れた密着性を持ち、且つパターン形状が目立たないディスプレイあるいはタッチパネルに用いられる透明導電性積層体を提供する。
【解決手段】透明プラスチック基材１１の一方の面に、金属酸化物層１３、酸化ケイ素層１４及び酸化インジウム・スズ層１５を透明プラスチック基材１１側から順に設けてなる透明導電性積層体１０であって、金属酸化物層１３の屈折率が１．７以上２．６以下であり、光学膜厚が１２ｎｍ以上３５ｎｍ以下であり、酸化ケイ素層１４の屈折率が１．３以上１．５以下であり、光学膜厚が７０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、酸化インジウム・スズ層１５の光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】導電フィルムにおけるクラックの発生が抑制された合わせガラスを提供すること。
【解決手段】第１のガラス基板、第１の接着層、導電フィルム、第２の接着層、および第２のガラス基板がこの順に積層され、前記導電フィルムが、樹脂フィルム上に酸化物層と金属層とが交互に（２ｎ＋１）層（但し、ｎは１以上４以下の整数）積層された合わせガラスであって、前記酸化物層は、前記酸化物層を主として構成する酸化物に対する前記酸化物層に含有されるＨ原子のモル比に、前記酸化物層における全酸化物に対する前記酸化物層を主として構成する酸化物のモル比を乗じて算出されるＨ量が０．０３以下であるもの。 （もっと読む）

【課題】透明で環境負荷耐性のある薄膜材料であり、スパッタ膜の４００ｎｍ近辺の青色レーザーの波長領域の消衰係数を改善することができる光記録媒体用薄膜を提供し、かつこの光記録媒体用薄膜のスパッタリング成膜時に、ダスト（発塵）の少ない焼結体スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）で構成される酸化物であり、各金属元素の原子比が、０．０４≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．５７、０．２９≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ）≦０．７３、０．０４≦Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．３３、の範囲にある焼結体スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】大型の成形体を電磁波加熱による透明導電膜用焼結体の製造方法において焼成割れを防止し、高密度な品質の安定した製品を容易に製造可能な電磁波加熱用の原料粉末を提供する。
【解決手段】電磁波加熱によって焼結する透明導電膜用焼結体の製造において、比表面積が５ｍ^２／ｇ以上、１５ｍ^２／ｇ未満であり、かつ、周波数２．４５ＧＨｚでの誘電損率が０．５以上である原料粉末を使用することにより、焼成割れが低減され、歩留まり良く高密度な透明導電膜用焼結体を製造することができる。この透明導電膜用焼結体の原料粉末を用いることで、焼成割れの発生を抑制し、歩留り良く、透明導電膜用焼結体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体ＴＦＴの電気的特性及び安定性を向上することが可能な、薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体ＴＦＴ１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び露出された基板１１上に設けられたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上のゲート電極１３に対向する位置に設けられ、Ｚｎの濃度勾配を持つＨｆＩｎＺｎＯ系酸化物半導体からなる酸化物半導体層１７と、酸化物半導体層１７の両側からゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光素子の製造方法において、孔や溝などの欠陥がない封止膜形成に要する時間を短くして、製造コスト上昇を抑えることが可能な封止膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いた際のペン入力耐久性に優れ、特に後述の摺動耐久試験に記載のポリアセタール製のペンを使用し、５．０Ｎの荷重で１０万回の摺動試験後でも透明導電性薄膜の劣化がない、透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材上に、紫外線硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層、及び透明導電性薄膜をこの順に積層した透明導電性フィルムの製造方法であって、前記透明導電性フィルムに含有する揮発成分量が３０ｐｐｍ以下であり、紫外線照射による架橋反応の後に加熱処理を施す透明導電性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にテクスチャが形成される場合でも、透明導電膜など、当該表面に形成される膜厚をより均一にすることができる成膜方法、及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】幾何学的な凹凸が形成された基板２００に蒸着源２０から供給される蒸着材料２５を蒸着させ、基板２００の表面に透明導導電膜を形成する。蒸着源２０の直上寄りに位置する基板２００の端部２００ａと蒸着材料供給部２１との距離ｄ１、及び基板２００の端部２００ｂと蒸着材料供給部２１との距離ｄ２が略同一となるように、基板２００を傾斜させた状態に位置させる。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制することができるＩＴＯ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るＩＴＯ焼結体の製造方法は、第１の比表面積を有する第１の酸化インジウム粉末に、第１の酸化スズ粉末を混合することで得られる第１の混合粉末を焼結する工程と、上記第１の混合粉末の焼結体を破砕することで、上記第１の比表面積と同等以上の第２の比表面積を有する破砕粉を作製する工程と、上記破砕粉に、上記第１の比表面積と同等以上の第３の比表面積を有する第２の酸化インジウム粉末と、第２の酸化スズ粉末とを混合することで得られる第２の混合粉末を焼結する工程とを有する。これにより、酸化スズを微細かつ均一に分散させたＩＴＯ焼結体を得ることができ、当該ＩＴＯ焼結体をスパッタリングターゲットに用いた場合に、従来よりもノジュールの発生を大幅に抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率の太陽電池、光センサーや撮像素子等の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）ターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜を成膜し、該Ｃｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に、高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＩｎターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＩｎ膜をＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に積層成膜する工程を有する光電変換装置の製法。 （もっと読む）