【課題】本発明は、導電性フィルム上に導電性酸化物とカーボン薄膜層をこの順に形成することにより、導電性およびバリア性の両立が可能となり、さらには長期使用による性能の劣化を抑制するなどといった長期耐久性に優れた、導電性バリアフィルムを作製することが可能となる。
【解決手段】導電性フィルム上の少なくとも１面に、導電性酸化物層とカーボン薄膜層がこの順に形成されていることを特徴とする、導電性バリアフィルムを用いる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル等に使用される電極フィルムにおいて、ペン摺動耐久性に優れ、かつエッチングインキでのパターニング性に優れる透明導電性積層フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルムからなる基材上の少なくとも一方の面に、少なくとも１層の誘電体層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した積層フィルムの製造方法であって、誘電体層の膜厚が３〜１００ｎｍであり、透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電性薄膜層を成膜するに際し、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比が８．０×１０^−４〜３．０×１０^−３とし、かつ酸素分圧は８．０×１０^−３〜３０×１０^−３Ｐａとして、かつ成膜中はフィルム温度を８０℃以下に保持して透明プラスチックフィルム上に透明導電性薄膜層を成膜する透明導電性積層フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング装置を用いた透明導電膜の成膜において、膜厚分布および比抵抗分布の均一化を可能とし、かつ、均一な領域をターゲットの長尺方向の長さに対して従来よりも拡大することを可能とする透明導電膜を成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置および透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】平面形状が長方形の角型ターゲット７に形成されたエロージョン領域（部）の２本の直線状部１１のうち幅方向（Ｗ方向）の外側部分Ａを覆う外側遮蔽部Ａと、円弧状部１３の円弧方向中央部Ｂを覆う中央遮蔽部Ｂと、角型ターゲット７のうちエロージョン部ではない四隅部分Ｃを覆う四隅遮蔽部Ｃとを備えた補正板２８を使用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高アンチニュートンリング性を有するハードコート層を用いた場合でも、高入力耐久性に優れたタッチパネル用透明電極付き基板を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板上に少なくともハードコート層、酸化インジウムを主成分とする透明電極層、水素含有量が５〜３０ａｔｍ％であるＤＬＣ層がこの順に形成されており、前記ハードコート層に数平均粒子径が２．０〜８．０μｍである前記粒子が１．０ｍｍ×１．０ｍｍの範囲内に３００〜３０００個含まれ、前記ハードコート層の膜厚が前記粒子の平均粒子径以下であり、該透明電極付き基板の透明電極層面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５〜０．５０μｍであることを特徴とする、タッチパネル用透明電極付き基板。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、２００℃を超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を０．５個／ｎｍ^３以下とすることができる。酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動要因となる水素、水、水酸基または水素化物などの水素原子を含む物質が、酸化物半導体膜へ混入するのを防止することにより、酸化物半導体膜を高純度化および電気的にｉ型（真性）化することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体、例えば酸化インジウム粉末などと混合して圧縮成形した際に、従来よりも最密に充填することができる、新たな酸化ガリウム粉末を提供せんとする。
【解決手段】 レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布によるＤ１０、Ｄ５０及びＤ９０において、（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０の値が１．００〜１．５０であることを特徴とする酸化ガリウム粉末を提案する。 （もっと読む）

【解決手段】ＳｎをＳｎＯ₂換算で５質量％以下含有し、残留応力が−６５０〜−２００ＭＰａであることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットである。前記残留応力は、ＩＴＯスパッタリングターゲットがボンディングされるバッキングプレートの熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃以下である場合には−６００〜−２００ＭＰａ、熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃より大きい場合には−６５０〜−２５０ＭＰａであることが好ましい。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、ＳｎＯ₂の含有量が５質量％以下であっても割れにくく、銅製のバッキングプレート等にボンディングするときであっても割れを生じにくい。 （もっと読む）

【課題】ITO等の透明導電膜と金属電極及びプラスチックシート又はフィルム基材と透明導電膜との密着力に優れたものであり、透明なプラスチック基材、透明導電膜、金属電極がこの順で形成された透明導電性基材を提供する。
【解決手段】透明なプラスチック基材１の一方又は両方の面に、透明導電膜３が形成され、更にその上に金属電極４が形成された透明導電性基材５であって、該基材と各層の層間剥離力が0.5 Kg/cm以上である透明導電性基材を用いる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム及びアルミニウムの酸化物を含有し、原子比Ａｌ／（Ａｌ＋Ｉｎ）が０．０１〜０．０８である酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】ガラス・タイプの透明基板をコートするのに用いることができる新しい薄膜材料、新しい堆積・プロセスおよび新しい装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板。誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。イオンビームに曝露された誘電体層が結晶化することもできる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜において、あらゆる膜特性を同時に満足させる手法を提供すること。
【解決手段】スパッタ現象を利用して基板上に導電性薄膜を形成する方法であって、薄膜形成中に、スパッタ電力、スパッタガス、および反応性ガスを含む成膜パラメータの少なくとも１つを２つの値に変動させ、その時間分割比を制御することを特徴とする導電性薄膜の形成方法である。また、p型またはn型の導電型を有する半導体上に導電性薄膜を形成する方法において、半導体上への成膜開始時点に、強度にプラズマ照射を行うことを特徴とする導電性薄膜の形成方法も採用できる。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、かつ表面抵抗値が低い透明導電性積層体および該透明導電性積層体を簡便に製造できる方法を提供する。
【解決手段】透明基材１０と、透明基材１０の上に形成された透明導電性材料からなる透明導電層２０とを有する透明導電性積層体１であって、透明基材１０が、隣り合う突起１２中心間の平均間隔が４００ｎｍ以下である複数の突起１２を表面に有し、透明導電層２０が、突起１２の上に選択的にかつ透明導電性積層体１の面方向に互いに離間して形成された複数の柱状部２２と、柱状部２２および柱状部２２の間の空隙２６を覆うように連続して形成された層状部２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】厚さの増加を図りながらも、アーキングの発生が抑制されうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲット材１０には、その側面１３の途中から裏面１２に向かって当該ターゲット材１０を徐々に小径または幅狭にするような傾斜面１４が形成されている。側面１３と傾斜面１４との境界線をなす稜線部１５の表面粗さＲａおよび裏面１２を基準とした高さｈの組み合わせを表わすＲａ−ｈ平面におけるプロットが、第１範囲Ｓ１又は第１範囲Ｓ１の一部である第２範囲Ｓ２に含まれるようにターゲット材１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧１×１０^−１〜１×１０^−３ｔｏｒｒという環境下にて予めプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程を実施した後に、その表面にガスバリア性を有するガスバリア層を積層してなるガスバリア層積層工程と、を備えてなる製造方法、及び該方法により得られるガスバリアフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】基板に対する成膜の生産性を向上させることが可能な成膜装置およびターゲット装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、成膜材料であるターゲット２５と当該ターゲット２５に接触して冷却する板状の冷却板２２とを備えており、ターゲット２５と冷却板２２とはクランプ２７によって固定され、冷却板２２は、ターゲット２５と対向する面である第１の面２２ａとは反対側の面である第２の面２２ｂが第１の面２２ａよりも高圧の雰囲気に曝されると共に、第１の面２２ｂにおける中央部２２ｃがターゲット２５側に変位してターゲット２５を押圧する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が大幅に改善した酸化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】系内の水分圧３×１０^−４〜５×１０^−２Ｐａで、スパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングして成膜体を成膜し、前記成膜体を結晶化する酸化物半導体の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウムの融点（１９００℃）よりも低温で酸化ガリウムの単結晶を成長させる方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｇａ原子とＯ原子と昇華しやすい原子または分子を含む化合物膜（以下酸化ガリウム化合物膜と呼ぶ）を加熱し、酸化ガリウム化合物膜中から昇華しやすい原子または分子を昇華させることで、酸化ガリウムの結合エネルギーよりも低い熱エネルギーにより酸化ガリウムの単結晶を成長させる。昇華による酸化ガリウム化合物膜の消失を防ぐために、間隔を設けて別の酸化ガリウム化合物膜を配置する。 （もっと読む）