【課題】結晶化時間を短縮化することができる透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体を有する透明導電性フィルムであって、前記透明導電性薄膜は、いずれも、酸化インジウムまたは４価金属元素の酸化物を含有するインジウム系複合酸化物の結晶質膜であり、前記透明導電性薄膜積層体の表面の側に、酸化インジウムまたは４価金属元素の酸化物の割合が０を超え６重量％以下の第一の透明導電性薄膜（２１）を有し、前記透明導電性薄膜積層体の表面の側から第一の透明導電性薄膜に次いで、前記第一の透明導電性薄膜（２１）よりも、４価金属元素の酸化物の割合が大きい第二の透明導電性薄膜（２２）を有する。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な薄膜を効率よく成膜可能なスパッタリング成膜装置及び太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】反応室２１内に、成膜対象となる基板１０と、基板１０に対向して配置されたカソード電極となるターゲット２３と、基板１０とターゲット２３との間に配置されたアノード電極２４とを備えたスパッタリング成膜装置において、アノード電極２４が、櫛歯状をなし、該櫛歯状の隙間部分が成膜面に対して投影されるように配置されているスパッタリング成膜装置を備えた太陽電池製造装置。 （もっと読む）

【課題】耐久性、光学特性に優れると共に、配線精度の高精度化を容易に図ることができる透明配線層を備えた透明導電フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明導電フィルム１は、透明な樹脂からなる基材フィルム１１と、基材フィルム１１の表面に形成され、基材フィルム１１よりも光屈折率の高い高屈折コート層１２と、高屈折コート層１２の表面に形成され、高屈折コート層１２よりも光屈折率の低い低屈折コート層１３と、低屈折コート層１３の表面に形成された酸化形素からなる防湿性の下地層１４と、下地層１４の表面においてパターン形成され、下地層１４よりも光屈折率の高い結晶質のＩＴＯからなる透明配線層１５とを有する。透明配線層１５は、ＩＴＯの結晶子サイズが９ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】耐還元性に優れた半導体薄膜及びその製造方法、チャネル層上に酸素透過性膜等のバッファー層を設けなくても安定したＴＦＴ特性が得られる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１種以上のアモルファス金属酸化物を含有し、前記金属酸化物の少なくとも一部の金属原子にＯＨ基が結合している半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜を良好に行うために適切な位置で静電気除去を行うことができるプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、該基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置１において、基材１００を巻き掛けて搬送する第１成膜ロール６１と、第１成膜ロール６１と対向して配置された第２成膜ロール６２と、第１成膜ロール６１に巻き掛けた基材１００の第２成膜ロール６２に面する面を基材の成膜面１００ａとして、成膜面１００ａに帯電する静電気を除去する静電気除去装置と、を備え、第１成膜ロール６１と第２成膜ロール６２との間隙は、成膜面１００ａ上にプラズマＣＶＤ成膜を行う成膜空間であり、静電気除去装置は、成膜空間に対し、基材１００の搬送方向の上流側に設けられた第１静電気除去装置８１を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、スパッタリングターゲットの寿命の間、スパッタリング材料の不変的に均質な層の製造を確実にするスパッタリングターゲットを提供することである。
【解決手段】この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも１つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも５０質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも２０質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置を実現する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことの出来る成膜装置を提供することを課題の一とする。また、上記成膜装置を用いて安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板の搬送機構と、搬送機構が送る基板の進行方向に沿って、酸化物半導体を成膜する第１の成膜室と、第１の熱処理を行う第１の加熱室とを有し、基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が１°以上３０°以内に収まるよう保持され、大気に曝すことなく、基板に第１の膜を成膜した後に第１の熱処理を施すことのできる成膜装置を用いて、酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな駆動方法を提供する。また、新たな駆動方法により、メモリ素子への書き込み電位のばらつきを低減し、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の駆動方法において、書き込み電位を段階的に上昇させて、同時に読み出し電流を確認し、読み出し電流の結果を書き込み電位に利用して書き込みを行う。つまり、正しい電位で書き込みが行われたか確認しながら書き込みを行うことで、信頼性の高い書き込みを行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く各層間で優れた密着性を持たすことができ、且つ、大気中でも短時間で透明導電層の結晶化を実現する。
【解決手段】透明基板層１１の片面に少なくとも透明導電層１３，１４，１５を形成する工程と、前記透明基板層に透明樹脂フィルムを貼り合わせた状態で加熱する工程とからなり、前記透明基板層は少なくとも金属酸化化合物層１３、酸化ケイ素層１４、及び酸化インジウム・スズ層１５が順に積層されてなり、前記加熱処理は大気中で行われる処理。 （もっと読む）

【課題】仕事関数が、汎用のＡｇ基合金膜と酸化物導電膜との積層構造の仕事関数と同程度に高い、新規なＡｌ基合金反射膜を備えた有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を提供する。
【解決手段】基板上に形成された有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極であって、反射アノード電極は、純Ａｌ膜またはＡｌ合金膜６と、Ａｌ合金膜上に直接接触する酸化物導電膜７との積層構造であり、酸化物導電膜がＡｇを０．１〜５原子％含有する。 （もっと読む）

【課題】薄板ガラスの一方の表面に保護フィルムを貼付け他方の面に透明導電膜を形成した透明導電性ガスバリヤフィルムにおいて、保護フィルムとしてＰＰフィルムのように耐熱性のないものを用いても、透明導電膜を低抵抗に形成できるようにする。
【解決手段】透明導電性ガスバリヤフィルム１は、ガスバリヤ層となる基材フィルム１０の裏面に保護フィルム（ＰＰフィルム）２０が貼付けられ、表面に透明導電膜３０が形成されている。透明導電膜３０は、ＩＴＯ層３１、Ａｇ合金からなるＡｇ層３２、ＩＴＯ層３３の３層を順次積層してなる積層膜であって、ＩＴＯ層，Ａｇ層は、スパッタリング法で形成できる。 （もっと読む）

【課題】
スパッタリング法で薄膜を形成する際に、ターゲットを指示するバッキングプレート上の付着物によるダストの発生を簡便に低減できる方法を提供する。
【解決手段】
ターゲット部材とバッキングプレートから成るスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットのバッキングプレート表面にメッキ法によって銅薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 得られる結晶性透明導電性膜の抵抗値のばらつきを低減し、安定生産を可能とする透明導電性膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 酸化インジウム・酸化スズを主成分とするターゲットを用いて、気相法により透明導電性薄膜を透明フィルム基材上に形成する透明導電性薄膜の製造方法であって、アルゴンガスと窒素ガスと水蒸気ガスとを含み、窒素ガスの含有量がアルゴンガスに対して２５００ｐｐｍ〜８５００ｐｐｍの範囲内であり、かつ、水蒸気ガスの含有量がアルゴンガスに対して１４５０ｐｐｍ〜１３５００ｐｐｍの範囲内であるアルゴン雰囲気中で成膜が行われる透明導電性薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特に保護膜形成後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｚｎ、ＳｎおよびＳｉを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】例えばより抵抗が低く透過率の高いＩＴＯ薄膜のような透明導電膜を、樹脂フィルムの軟化点以下の温度で比較的低コストに均一かつ高速度で成膜する。
【解決手段】真空容器１内の上部に、成膜ローラ１０に巻回された樹脂フィルムＦがその被成膜面Ｓを下向きにして配設するとともに、真空容器１内の下部には、蒸着材料を電子ビームガン４によって蒸発させる蒸発源５と、この蒸発源５において蒸発させられた蒸着材料の材料蒸気Ａに向けてプラズマＢを照射するプラズマ放出源７とを、被成膜面Ｓに対向するように配置し、このうちプラズマ放出源７を、成膜ローラ１０の軸線Ｏを含んで鉛直方向に延びる仮想平面Ｒから間隔をあけて配設する。 （もっと読む）

【課題】透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。
【解決手段】本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記インジウム系複合酸化物は、インジウムと４価金属との合計１００重量部に対して０重量部を超え１５重量部以下の４価金属を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材と、この酸化物蒸着材を用いて製造される透明導電膜とこの透明導電膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Gd／In原子数比で0.001〜0.070のガドリニウムを含む焼結体により構成され、かつ、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が60〜94であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が60〜94である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い反射率と良好な耐久性とを同時に実現せしめることが可能な反射積層膜を提供することを課題とした。
【解決手段】基材上に成膜される反射積層膜であり、該反射積層膜は基材上に下地層、該下地層上にＡｇを主成分とする反射層、該反射層上に保護層、該保護層上に透明増反射層を有し、前記反射層がＮを含むものであり、前記透明増反射層がＳｉの酸窒化物層を含む積層体であり、該積層体はＳｉの酸窒化物層を含む低屈折率層と高屈折率層とを含むものであることを特徴とする反射積層膜。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Ｐｒ／Ｉｎ原子数比で０．０２０〜０．０５０のプラセオジウムを含む焼結体により構成され、ＣＩＥ１９７６表色系におけるＬ^＊値が６０〜９５であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が６０〜９５である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）