透明導電性積層体の製造方法
【課題】透明性が高く各層間で優れた密着性を持たすことができ、且つ、大気中でも短時間で透明導電層の結晶化を実現する。
【解決手段】透明基板層１１の片面に少なくとも透明導電層１３，１４，１５を形成する工程と、前記透明基板層に透明樹脂フィルムを貼り合わせた状態で加熱する工程とからなり、前記透明基板層は少なくとも金属酸化化合物層１３、酸化ケイ素層１４、及び酸化インジウム・スズ層１５が順に積層されてなり、前記加熱処理は大気中で行われる処理。
【解決手段】透明基板層１１の片面に少なくとも透明導電層１３，１４，１５を形成する工程と、前記透明基板層に透明樹脂フィルムを貼り合わせた状態で加熱する工程とからなり、前記透明基板層は少なくとも金属酸化化合物層１３、酸化ケイ素層１４、及び酸化インジウム・スズ層１５が順に積層されてなり、前記加熱処理は大気中で行われる処理。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電子機器に用いられる透明導電性積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器には、ディスプレイ上の入力デバイスとして、透明なタッチパネルが用いられている。このタッチパネルの形式としては、抵抗膜式や静電容量式などが挙げられる。このうち抵抗膜式タッチパネルは専用のペンを用いた入力が可能であり、家電などの入力機器に用いられている。また、静電容量式タッチパネルはマルチタッチが可能であり、モバイル機器などに多く用いられている。
【０００３】
タッチパネル用途での透明導電性フィルムでは、抵抗膜式においては、上下の電極が接触するため、機械的耐久性が求められる。そのため、機械的強度を持たせる為に、フィルムを加熱することでＩＴＯ（インジウムティンオキサイト）を結晶化させる手段が取られている。静電容量式においては、透明導電層のパターン形状が目立ちにくいことの他に、異なるパターンを有する複数の導電性フィルムを貼り合せるといった技術が必要となる。
【０００４】
また、タッチパネルは光学部品であるため、その中の部材として用いられる透明導電膜には低い電気抵抗、可視光に対する高い透過率と高い耐久性などが要求される。ＩＴＯ膜は、導電性が良好で、しかも可視光波長域での透光性が良好のため、各種のディスプレイ、タッチパネル及び太陽電池の透明電極、熱反射ガラス、防曇、防氷、帯電防止ガラス、電磁シールガラス等に利用されている。ＩＴＯ膜の成膜方法については、マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの方法が工業的に広く用いられている。具体的には、下記特許文献１〜５などが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３１４９９９号公報
【特許文献２】特開平６−３２０６６１号公報
【特許文献３】特開平７−２０７４３９号公報
【特許文献４】特開平８−１７４７４６号公報
【特許文献５】特開平８−１９２４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１によれば、真空中で加熱処理することで、透明導電層を短時間で結晶化する方法が提案されている。しかし、大気中で透明導電性積層体を加熱処理する場合、真空中で加熱処理するのに比べ、加熱処理時間が長くなってしまう問題がある。時間短縮には加熱温度を上げることが考えられるが、フィルム上に導電層が成膜されている場合、加熱できる温度に限りがある。
【０００７】
特許文献２及び３によれば、マグネトロンスパッタリング法を用いて積層体を作製することによって、可視光域での透過率が高い透明導電膜を作る方法を提案されている。しかし、得られた透明導電薄膜は一定の耐性を持っている一方、上記透明導電膜は基材自身の強度が不十分であり、且つ透明導電膜の密着性と耐久性も不十分であるという欠点がある。
【０００８】
特許文献４及び５では、透明基板の片面あるいは両面に透明硬質な有機物質層によるハードコート層が設けられ、その上に、酸化ケイ素とＩＴＯ透明導電膜を積層する方法が提案されている。この方法から、得られた透明導電膜は密着性と一定の耐性を持っているがタッチパネルへの応用において、上記透明導電膜の耐久性は不十分である。
【０００９】
本発明の透明導電性積層体の製造方法は前記従来技術の問題点を解決し、大気中で透明導電性積層体を短時間で結晶化させて、フィルムなどの基材に対して透明導電性積層体を作製し、ディスプレイあるいはタッチパネル向けとして提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本請求項１に記載の発明は、透明基板層の片面に少なくとも透明導電層を形成する工程と、前記透明導電層に透明樹脂フィルムを貼り合わせた状態で加熱する工程を備えて透明導電性積層体の製造方法を構成した。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１の透明導電性積層体の製造方法において、前記透明導電層を金属酸化化合物、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層を順に設けて作製したことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２の透明導電性積層体の製造方法において、前記透明樹脂フィルムの密着力は０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であり、耐久温度が３００℃以下に設定して作製したことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から３の透明導電性積層体の製造方法において、前記加熱処理により前記透明導電層を結晶化させて作製したことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１から４の透明導電性積層体の製造方法において、前記加熱処理が大気中で行われる処理であり、加熱温度が８０℃以上１５０℃以下であり、加熱時間が１分以上３０分以下に設定して作製したことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１から５の透明導電性積層体の製造方法において、前記透明樹脂フィルムが粘着層を有し、透明導電層と貼り合わせた状態で加熱処理して作製したことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１から６の透明導電性積層体の製造方法において、前記加熱処理をロールトゥロール方式で行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の透明導電性積層体の製造方法によれば、透明性が高く各層間で優れた密着性を持たすことができる。また、透明導電層に透明基板層の反対側に透明樹脂フィルムを張り合わせた状態で加熱処理することで、大気中でも短時間で透明導電層を結晶化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る透明導電性積層体の製造方法による透明導電性積層体の断面説明図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る透明導電性積層体の製造方法による透明導電性積層体の断面説明図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る透明導電性積層体の製造方法による透明導電性積層体の断面説明図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る透明導電性積層体の製造方法による透明導電性積層体の断面説明図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る透明導電性積層体の製造方法による透明導電性積層体の断面説明図である。
【図６】本発明による透明導電性積層体をＸ線回析装置を用いて結晶化の評価を行った分析結果を示した特性図である。
【図７】比較例として作製した透明導電性積層体を同様のＸ線回析装置を用いて結晶化の評価を行った分析結果を示した特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態に係る透明導電性積層体の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施の形態による透明導電性積層体１０を示すもので、透明プラスチック基材１１として、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースおよびこれらの共重合樹脂、ゼラチン、カゼインなどの有機天然化合物などから、合成した透明な基板が例示できる。詳しい例として、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファンなどが、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣなどが挙げられるが、この限りではない。
【００２１】
本発明では、透明プラスチック基材１１として、特に上記のポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、トリアセテート（ＴＡＣ）などを利用できる。しかし、上記透明基板層の機械的な強度が不十分なため、その上に成膜した製品は機械的な強度が不十分である。この問題を解決するために、図２及び３に示す第２及び第３の実施の形態のように、透明プラスチック基材２１（３１）と金属酸化物層２３（３３ａ、３３ｂ）との間に第１のハードコート層２２ａ（３２ａ）を挿入することができる。ハードコート層は、透明プラスチック基材２１（２１）の表面に１層のみ設けてもよいが、さらに、透明プラスチック基材２１（３１）の強度を増加した時に発生するカールを抑制するために、透明プラスチック基材２１（３１）の裏面に第２のハードコート層２２ｂ（３２ｂ）を挿入することも可能である。
【００２２】
本発明の第１のハードコート層２２ａ（３２ａ）と第２のハードコート層２２ｂ（３２ｂ）の膜厚については、１μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。膜厚が薄いとハードコート層の性能が出にくい。膜厚が厚いとハードコート層の性能が出やすいが、クラック発生の可能性が高くなる。そして、第１のハードコート層２２ａ（３２ａ）の膜厚と第２のハードコート層２２ｂ（３２ｂ）の膜厚の調整することにより、得られた透明導電薄膜積層体２０（３０）の表裏の応力が対称となるべく調整することができる。
【００２３】
本発明のハードコート層に用いられる硬化性樹脂には、電離放射線や紫外線照射により硬化する硬化性樹脂や熱硬化性の樹脂が挙げられる。具体的には、紫外線硬化型であるアクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類等のアクリル系や、有機珪素系の樹脂、熱硬化型のポリシロキサン樹脂等が好適である。以上の樹脂が挙げられるが、この限りではない。
【００２４】
ハードコート層の形成方法は、主成分である樹脂と紫外線を吸収する材料を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。
【００２５】
本発明の金属酸化物層１３（２３，４３）は、高屈折率の金属酸化物層である。金属酸化物層１３（２３，４３）に用いられる材料としては、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＣｅＯ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５等が挙げられるが、この限りではない。
【００２６】
金属酸化物層１３（２３，３３ａ，３３ｂ）の屈折率は、透明プラスチック基材１１（２１，３１）とハードコート層の屈折率が１．５以上１．７以下であるため、１．７以上２．６以下であることが好ましい。この範囲にすることで、ハードコート層の屈折率より高いので、高屈折率材料として用いることができる。
【００２７】
また、金属酸化物層１３（２３，３３ａ，３３ｂ）の光学膜厚は、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることが好ましい。光学膜厚は、金属酸化物の屈折率をｎ、膜厚をｄとしたときに、ｎｄで表される。
【００２８】
本発明の酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）は、低屈折率の金属酸化物層であり、ＳｉＯｘで表される。ここで、ｘは酸素原子の数である。酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）の屈折率は、１．３以上１．５以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られた酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）の屈折率が低いので、低屈折率材料として用いることができる。ここで、酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）の屈折率は、酸素原子の数ｘで調整することができ、その値は１．５以上２．０以下であることが好ましい。また、酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）の光学膜厚は５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
本発明の金属酸化物層１３（２３，３３ａ，３３ｂ）及び酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）は、屈折率及び光学膜厚をそれぞれ上記範囲に調整することにより、所望の光学特性を有する透明導電性積層体１０（２０，３０）を得ることができる。具体的には、後述するように、透明性が高く、ヘーズの値が小さく、良好な透明導電性積層体１０（２０，３０）を得ることができる。そして、本発明の透明導電性積層体１０（２０，３０）は酸化インジウム・スズ層１５（２５，３５ａ，３５ｂ）自身の特有な黄色味を軽減することができる。
【００３０】
また、本発明の金属酸化物層１３（２３，３３ａ，３３ｂ）及び酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）の作用としては、単純な光学調整だけではなく、密着性改善作用もある。金属酸化物層１３（２３，３３ａ，３３ｂ）及び酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）を成膜することによって、酸化インジウム・スズ層１５（２５，３５ａ，３５ｂ）との親和性が良くなり、透明導電性積層体１０（２０，３０）の密着性を改善することができる。
【００３１】
本発明の金属酸化物層１３及び酸化ケイ素層１４は、図１のように、透明プラスチック基材１１の一方の面のみに設けてもよく、また、透明プラスチック基材１１の両方の面に設けてもよい。また、図２または４に示す第２または第４の実施の形態のように、透明プラスチック基材２１（４１）の一方の面にハードコート層を設ける場合は、ハードコート層表面に金属酸化物層２３（４３）及び酸化ケイ素層２４（４４）を順に設けることができる。また、図３または５に示す第３または第５の実施の形態のように、透明プラスチック基材３１（５１）の両方の面にハードコート層を設ける場合は、第１のハードコート層３２ａ（５２ａ）表面に第１の金属酸化物層３３ａ（５３ａ）及び第１の酸化ケイ素層３４ａ（５４ａ）を、第２のハードコート層３２ｂ（５２ｂ）表面に第２の金属酸化物層３３ｂ（６３ｂ）及び第２の酸化ケイ素層３４ｂ（５４ｂ）を、それぞれ順に設けることができる。
【００３２】
本発明の積層膜の成膜方法としては、膜の特性を得るために、気相成膜が好ましい。気相成膜方法には、マグネトロンスパッタリング法や、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）と化学気相成長法（ＣＶＤ）がある。この中で、マグネトロンスパッタリング法が特に好ましい。
【００３３】
本発明の酸化インジウム・スズ層１５（２５，４５）は、酸化スズの含量が２ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のターゲットを用いて成膜することが好ましい。酸化スズの含量が２ｗｔ％より少なくなるとキャリア密度が低すぎで、導電性能が著しく落ちる。酸化スズの含量が１５ｗｔ％より多くなると酸化インジウム・スズ層１５（２５，４５）の構造が変化し、導電性能も悪くなる。
【００３４】
酸化インジウム・スズ層１５（２５，４５）の光学膜厚が３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが好ましい。３０ｎｍより薄い場合、膜厚が薄く性能が得られない。また、８０ｎｍより厚いと得られた膜の透過率は低下し、光学特性が低下する。
【００３５】
透明導電層は、加熱処理することにより、透明導電層の抵抗を低下させ、光学特性及び機械的耐久性を向上させることができる。加熱処理する場合、透明導電層を短時間で結晶化させるために、透明導電層表面に、透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）を貼り合わせて加熱処理することが好ましい。透明導電層表面に透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）を貼り合わせて加熱処理することにより、透明導電層を大気を遮断した状態で加熱処理することができるため、大気中で加熱処理しても短時間で透明導電層を結晶化させることができる。
【００３６】
透明導電層に貼り合わせる透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）としてはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣなどが挙げられるが、この限りではない。厚いものになると透明導電層との密着性が損なわれるため、フィルムの厚さとしては１２ｕｍ以上２００ｕｍ以下であることが望ましい。
【００３７】
透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）は、透明導電層との密着性を考慮して、粘着層を有していてもよい。粘着層の成分としては、例えば、エチレンプロピレンブロツク共重合体（ＥＰＭ）、エチレンプロピレン共重合体に少量の共役二重結合を有するコモノマーを共重合させて成るエチレンプロピレンゴム（ＥＰＤＭ）、ポリイソブチレン、スチレン−イソプレンブロツク共重合樹脂（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエンブロツク共重合樹脂（ＳＢＳ）、エチレン−アクリル酸共重合樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）、ポリウレタン、及びポリエーテル、エステルブロツク共重合体より成るポリエステルエラストマー等の熱可塑性エラストマーより選ばれた少なくとも１種の熱可塑性エラストマーまたはその混合物などが挙げられる。
【００３８】
透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）を透明導電層へ貼り合わせる方法としては、透明導電層表面に透明樹脂フィルムを配置し、加圧により貼り合わせ、必要に応じて加熱する、いわゆる通常のラミネート方法により貼り合わせることができる。加圧条件や加熱条件については、後述する密着力が生じる程度まで、透明樹脂フィルムと透明導電層とが密着すれば特に特定されず、フィルムの種類や粘着層の有無によって適宜決定される。
【００３９】
透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）は、透明導電層と貼り合せたとき、加熱工程や後工程において十分な、密着性と耐久温度であるものが好ましい。具体的には、透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）と透明導電層との間の密着力が０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であり、かつ、熱変形温度が８０℃以上であることが好ましい。密着力が０．１Ｎ／２０ｍｍより大きい場合、後工程で透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）を剥離するときに、透明導電層から容易に剥離することができず、透明樹脂フィルムの成分あるいは粘着層の成分が付着してしまうため好ましくない。一方、密着力が０．０１Ｎ／２０ｍｍより小さい場合、加熱する工程で透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）と透明導電層とが剥離してしまい、透明導電層を短時間に結晶化させることができないため好ましくない。また、透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）の熱変形温度が８０℃より小さい場合、加熱する工程で透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）が熱収縮等で透明導電層との間に隙間が生じ、大気を遮断した状態で加熱処理することができないため、短時間で透明導電層を結晶化させることができない。
【００４０】
なお、透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）と透明導電層との間の密着力は、ＪＩＳ Ｚ １５２８に準ずる測定方法により測定することができる。また、ＪＩＳ Ｋ ７１９１に順ずる測定方法により測定することができる。
【００４１】
透明導電層を結晶化するための加熱処理工程として、図４または図５に示す第４または第５の実施の形態のように透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）及び粘着剤４６（５６ａ，５６ｂ）を酸化インジウム・スズ層４５（５５ａ，５５ｂ）に張り合わせた状態で、加熱温度が８０℃以上１５０℃以下であり、加熱時間が１分以上３０分以下であることが望ましい。上記加熱温度および加熱時間により、透明導電層を十分に結晶化させることができる。
【００４２】
加熱処理の方法としては、大気中でフィルムを加熱することができる公知の方法を用いることができ、例えば、熱風ヒーター、ＩＲヒーター等の各種加熱機構が挙げられる。
【００４３】
加熱機構は、透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）と酸化インジウム・スズ層４５（５５ａ，５５ｂ）と貼り合せたとき、透明樹脂フィルム側から加熱できるように配置してもよく、逆側から加熱できるように配置してもよい。特に、図５に示す第５の実施の形態のように、両面で透明樹脂フィルム５７ａ，５７ｂと透明導電層と貼り合せたときは、両面から加熱できるように、加熱機構を配置してもよい。
【００４４】
本発明の透明導電層及び透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）は、１５０℃３０分間における熱収縮率が０．５％以下であることが好ましい。この範囲であることで、貼り合わせた状態で加熱する際に剥離することなく大気を遮断した状態で加熱することができる。
【実施例】
【００４５】
＜実施例１＞
紫外線硬化型アクリル系樹脂であるユニディックＶ−９５００（ＤＩＣ社製）を用いて、１２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）両面に、ハードコート層（ＨＣ（１）及びＨＣ（２））をマイクログラビアコーターにより塗工した。得られたハードコート層の膜厚は、ＨＣ（１）、ＨＣ（２）ともに３μｍである。マグネトロンスパッタリング法にて、この１３１μｍ厚のＨＣ（１）／ＰＥＴ／ＨＣ（２）フィルム（両面ハードコート付きＰＥＴフィルム）のＨＣ（１）の表面上に、金属酸化物層である高屈折率酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）と低屈折率酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を順次に積層した。このとき、Ｎｂ２Ｏ５層の光学膜厚を１９ｎｍ、ＳｉＯ２層の光学膜厚を１０２ｎｍとし、Ｎｂ２Ｏ５層の屈折率を２．３１、ＳｉＯ２層の屈折率を１．４６とした。次いで、酸化スズを３ｗｔ％含有する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層を、光学膜厚を４０ｎｍとして成膜した。加熱処理は透明樹脂フィルムを張り合わせた状態において１５０℃で１５分間加熱した。なお、Ｎｂ２Ｏ５層及びＳｉＯ２層は、成膜時の酸素流量（分圧）を変化させることにより、形成される薄膜の酸素欠損の量を変化させ、屈折率を調整した。また、ＩＴＯ層の成膜時のシート抵抗の制御は、印加電力、成膜時間、酸素流量により調整した。以上により、実施例１の透明導電性積層体を作製した。
【００４６】
＜比較例１＞
実施例１と同様の構成で透明導電性積層体１０（２０，３０，４０，５０）を作製し、大気中で１５０℃１５分間加熱処理を行った。以上より、比較例の透明導電性積層体を作製した。
【００４７】
［結晶性の測定］
リガク社製のＸ線回折装置を使用して実施例１及び比較例１について、その結晶化の評価をそれぞれ行った。
【００４８】
実施例１で得られた透明導電性積層体１０（２０，３０，４０，５０）はＸ線回折装置での分析結果より、図６に示されるように加熱処理後に酸化インジウムのピークが確認され、結晶化していることが確認された。しかし、比較例１で得られた透明導電性積層体はＸ線回折装置での分析結果より、図７に示されるように加熱処理後に酸化インジウムのピークが確認されておらず結晶化していないことが確認された。
【００４９】
ここで、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記各実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより種々の発明が抽出され得る。
【００５０】
例えば実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の製造方法ではフィルムなどのプラスチック基材に対して透明性が高く、優れた密着性を持ち、且パターン形状を目立たない透明導電性積層体を作製することができる。この作製したＩＴＯ透明導電性積層体は抵抗膜式タッチパネルや静電容量タイプタッチパネルに応用することが十分可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０、２０、３０、４０、５０・・・透明導電性積層体
１１、２１、３１、４１、５１・・・透明プラスチック基材
２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ・・・第１のハードコート層
２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂ・・・第２のハードコート層
１３、２３、４３・・・金属酸化物層
３３ａ、５３ａ・・・第１の金属酸化物層
３３ｂ、５３ｂ・・・第２の金属酸化物層
１４、２４、４４・・・酸化ケイ素層
３４ａ、５４ａ・・・第１の酸化ケイ素層
３４ｂ、５４ｂ・・・第２の酸化ケイ素層
１５、２５、４５・・・酸化インジウム・スズ層
３５ａ、５５ａ・・・第１の酸化インジウム・スズ層
３５ｂ、５５ｂ・・・第２の酸化インジウム・スズ層
４６、５６ａ、５６ｂ・・・粘着層
４７、５７ａ、５７ｂ・・・透明樹脂フィルム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電子機器に用いられる透明導電性積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器には、ディスプレイ上の入力デバイスとして、透明なタッチパネルが用いられている。このタッチパネルの形式としては、抵抗膜式や静電容量式などが挙げられる。このうち抵抗膜式タッチパネルは専用のペンを用いた入力が可能であり、家電などの入力機器に用いられている。また、静電容量式タッチパネルはマルチタッチが可能であり、モバイル機器などに多く用いられている。
【０００３】
タッチパネル用途での透明導電性フィルムでは、抵抗膜式においては、上下の電極が接触するため、機械的耐久性が求められる。そのため、機械的強度を持たせる為に、フィルムを加熱することでＩＴＯ（インジウムティンオキサイト）を結晶化させる手段が取られている。静電容量式においては、透明導電層のパターン形状が目立ちにくいことの他に、異なるパターンを有する複数の導電性フィルムを貼り合せるといった技術が必要となる。
【０００４】
また、タッチパネルは光学部品であるため、その中の部材として用いられる透明導電膜には低い電気抵抗、可視光に対する高い透過率と高い耐久性などが要求される。ＩＴＯ膜は、導電性が良好で、しかも可視光波長域での透光性が良好のため、各種のディスプレイ、タッチパネル及び太陽電池の透明電極、熱反射ガラス、防曇、防氷、帯電防止ガラス、電磁シールガラス等に利用されている。ＩＴＯ膜の成膜方法については、マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの方法が工業的に広く用いられている。具体的には、下記特許文献１〜５などが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３１４９９９号公報
【特許文献２】特開平６−３２０６６１号公報
【特許文献３】特開平７−２０７４３９号公報
【特許文献４】特開平８−１７４７４６号公報
【特許文献５】特開平８−１９２４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１によれば、真空中で加熱処理することで、透明導電層を短時間で結晶化する方法が提案されている。しかし、大気中で透明導電性積層体を加熱処理する場合、真空中で加熱処理するのに比べ、加熱処理時間が長くなってしまう問題がある。時間短縮には加熱温度を上げることが考えられるが、フィルム上に導電層が成膜されている場合、加熱できる温度に限りがある。
【０００７】
特許文献２及び３によれば、マグネトロンスパッタリング法を用いて積層体を作製することによって、可視光域での透過率が高い透明導電膜を作る方法を提案されている。しかし、得られた透明導電薄膜は一定の耐性を持っている一方、上記透明導電膜は基材自身の強度が不十分であり、且つ透明導電膜の密着性と耐久性も不十分であるという欠点がある。
【０００８】
特許文献４及び５では、透明基板の片面あるいは両面に透明硬質な有機物質層によるハードコート層が設けられ、その上に、酸化ケイ素とＩＴＯ透明導電膜を積層する方法が提案されている。この方法から、得られた透明導電膜は密着性と一定の耐性を持っているがタッチパネルへの応用において、上記透明導電膜の耐久性は不十分である。
【０００９】
本発明の透明導電性積層体の製造方法は前記従来技術の問題点を解決し、大気中で透明導電性積層体を短時間で結晶化させて、フィルムなどの基材に対して透明導電性積層体を作製し、ディスプレイあるいはタッチパネル向けとして提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本請求項１に記載の発明は、透明基板層の片面に少なくとも透明導電層を形成する工程と、前記透明導電層に透明樹脂フィルムを貼り合わせた状態で加熱する工程を備えて透明導電性積層体の製造方法を構成した。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１の透明導電性積層体の製造方法において、前記透明導電層を金属酸化化合物、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層を順に設けて作製したことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２の透明導電性積層体の製造方法において、前記透明樹脂フィルムの密着力は０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であり、耐久温度が３００℃以下に設定して作製したことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から３の透明導電性積層体の製造方法において、前記加熱処理により前記透明導電層を結晶化させて作製したことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１から４の透明導電性積層体の製造方法において、前記加熱処理が大気中で行われる処理であり、加熱温度が８０℃以上１５０℃以下であり、加熱時間が１分以上３０分以下に設定して作製したことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１から５の透明導電性積層体の製造方法において、前記透明樹脂フィルムが粘着層を有し、透明導電層と貼り合わせた状態で加熱処理して作製したことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１から６の透明導電性積層体の製造方法において、前記加熱処理をロールトゥロール方式で行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の透明導電性積層体の製造方法によれば、透明性が高く各層間で優れた密着性を持たすことができる。また、透明導電層に透明基板層の反対側に透明樹脂フィルムを張り合わせた状態で加熱処理することで、大気中でも短時間で透明導電層を結晶化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る透明導電性積層体の製造方法による透明導電性積層体の断面説明図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る透明導電性積層体の製造方法による透明導電性積層体の断面説明図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る透明導電性積層体の製造方法による透明導電性積層体の断面説明図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る透明導電性積層体の製造方法による透明導電性積層体の断面説明図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る透明導電性積層体の製造方法による透明導電性積層体の断面説明図である。
【図６】本発明による透明導電性積層体をＸ線回析装置を用いて結晶化の評価を行った分析結果を示した特性図である。
【図７】比較例として作製した透明導電性積層体を同様のＸ線回析装置を用いて結晶化の評価を行った分析結果を示した特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態に係る透明導電性積層体の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施の形態による透明導電性積層体１０を示すもので、透明プラスチック基材１１として、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースおよびこれらの共重合樹脂、ゼラチン、カゼインなどの有機天然化合物などから、合成した透明な基板が例示できる。詳しい例として、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファンなどが、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣなどが挙げられるが、この限りではない。
【００２１】
本発明では、透明プラスチック基材１１として、特に上記のポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、トリアセテート（ＴＡＣ）などを利用できる。しかし、上記透明基板層の機械的な強度が不十分なため、その上に成膜した製品は機械的な強度が不十分である。この問題を解決するために、図２及び３に示す第２及び第３の実施の形態のように、透明プラスチック基材２１（３１）と金属酸化物層２３（３３ａ、３３ｂ）との間に第１のハードコート層２２ａ（３２ａ）を挿入することができる。ハードコート層は、透明プラスチック基材２１（２１）の表面に１層のみ設けてもよいが、さらに、透明プラスチック基材２１（３１）の強度を増加した時に発生するカールを抑制するために、透明プラスチック基材２１（３１）の裏面に第２のハードコート層２２ｂ（３２ｂ）を挿入することも可能である。
【００２２】
本発明の第１のハードコート層２２ａ（３２ａ）と第２のハードコート層２２ｂ（３２ｂ）の膜厚については、１μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。膜厚が薄いとハードコート層の性能が出にくい。膜厚が厚いとハードコート層の性能が出やすいが、クラック発生の可能性が高くなる。そして、第１のハードコート層２２ａ（３２ａ）の膜厚と第２のハードコート層２２ｂ（３２ｂ）の膜厚の調整することにより、得られた透明導電薄膜積層体２０（３０）の表裏の応力が対称となるべく調整することができる。
【００２３】
本発明のハードコート層に用いられる硬化性樹脂には、電離放射線や紫外線照射により硬化する硬化性樹脂や熱硬化性の樹脂が挙げられる。具体的には、紫外線硬化型であるアクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類等のアクリル系や、有機珪素系の樹脂、熱硬化型のポリシロキサン樹脂等が好適である。以上の樹脂が挙げられるが、この限りではない。
【００２４】
ハードコート層の形成方法は、主成分である樹脂と紫外線を吸収する材料を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。
【００２５】
本発明の金属酸化物層１３（２３，４３）は、高屈折率の金属酸化物層である。金属酸化物層１３（２３，４３）に用いられる材料としては、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＣｅＯ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５等が挙げられるが、この限りではない。
【００２６】
金属酸化物層１３（２３，３３ａ，３３ｂ）の屈折率は、透明プラスチック基材１１（２１，３１）とハードコート層の屈折率が１．５以上１．７以下であるため、１．７以上２．６以下であることが好ましい。この範囲にすることで、ハードコート層の屈折率より高いので、高屈折率材料として用いることができる。
【００２７】
また、金属酸化物層１３（２３，３３ａ，３３ｂ）の光学膜厚は、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることが好ましい。光学膜厚は、金属酸化物の屈折率をｎ、膜厚をｄとしたときに、ｎｄで表される。
【００２８】
本発明の酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）は、低屈折率の金属酸化物層であり、ＳｉＯｘで表される。ここで、ｘは酸素原子の数である。酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）の屈折率は、１．３以上１．５以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られた酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）の屈折率が低いので、低屈折率材料として用いることができる。ここで、酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）の屈折率は、酸素原子の数ｘで調整することができ、その値は１．５以上２．０以下であることが好ましい。また、酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）の光学膜厚は５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
本発明の金属酸化物層１３（２３，３３ａ，３３ｂ）及び酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）は、屈折率及び光学膜厚をそれぞれ上記範囲に調整することにより、所望の光学特性を有する透明導電性積層体１０（２０，３０）を得ることができる。具体的には、後述するように、透明性が高く、ヘーズの値が小さく、良好な透明導電性積層体１０（２０，３０）を得ることができる。そして、本発明の透明導電性積層体１０（２０，３０）は酸化インジウム・スズ層１５（２５，３５ａ，３５ｂ）自身の特有な黄色味を軽減することができる。
【００３０】
また、本発明の金属酸化物層１３（２３，３３ａ，３３ｂ）及び酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）の作用としては、単純な光学調整だけではなく、密着性改善作用もある。金属酸化物層１３（２３，３３ａ，３３ｂ）及び酸化ケイ素層１４（２４，３４ａ，３４ｂ）を成膜することによって、酸化インジウム・スズ層１５（２５，３５ａ，３５ｂ）との親和性が良くなり、透明導電性積層体１０（２０，３０）の密着性を改善することができる。
【００３１】
本発明の金属酸化物層１３及び酸化ケイ素層１４は、図１のように、透明プラスチック基材１１の一方の面のみに設けてもよく、また、透明プラスチック基材１１の両方の面に設けてもよい。また、図２または４に示す第２または第４の実施の形態のように、透明プラスチック基材２１（４１）の一方の面にハードコート層を設ける場合は、ハードコート層表面に金属酸化物層２３（４３）及び酸化ケイ素層２４（４４）を順に設けることができる。また、図３または５に示す第３または第５の実施の形態のように、透明プラスチック基材３１（５１）の両方の面にハードコート層を設ける場合は、第１のハードコート層３２ａ（５２ａ）表面に第１の金属酸化物層３３ａ（５３ａ）及び第１の酸化ケイ素層３４ａ（５４ａ）を、第２のハードコート層３２ｂ（５２ｂ）表面に第２の金属酸化物層３３ｂ（６３ｂ）及び第２の酸化ケイ素層３４ｂ（５４ｂ）を、それぞれ順に設けることができる。
【００３２】
本発明の積層膜の成膜方法としては、膜の特性を得るために、気相成膜が好ましい。気相成膜方法には、マグネトロンスパッタリング法や、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）と化学気相成長法（ＣＶＤ）がある。この中で、マグネトロンスパッタリング法が特に好ましい。
【００３３】
本発明の酸化インジウム・スズ層１５（２５，４５）は、酸化スズの含量が２ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のターゲットを用いて成膜することが好ましい。酸化スズの含量が２ｗｔ％より少なくなるとキャリア密度が低すぎで、導電性能が著しく落ちる。酸化スズの含量が１５ｗｔ％より多くなると酸化インジウム・スズ層１５（２５，４５）の構造が変化し、導電性能も悪くなる。
【００３４】
酸化インジウム・スズ層１５（２５，４５）の光学膜厚が３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが好ましい。３０ｎｍより薄い場合、膜厚が薄く性能が得られない。また、８０ｎｍより厚いと得られた膜の透過率は低下し、光学特性が低下する。
【００３５】
透明導電層は、加熱処理することにより、透明導電層の抵抗を低下させ、光学特性及び機械的耐久性を向上させることができる。加熱処理する場合、透明導電層を短時間で結晶化させるために、透明導電層表面に、透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）を貼り合わせて加熱処理することが好ましい。透明導電層表面に透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）を貼り合わせて加熱処理することにより、透明導電層を大気を遮断した状態で加熱処理することができるため、大気中で加熱処理しても短時間で透明導電層を結晶化させることができる。
【００３６】
透明導電層に貼り合わせる透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）としてはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣなどが挙げられるが、この限りではない。厚いものになると透明導電層との密着性が損なわれるため、フィルムの厚さとしては１２ｕｍ以上２００ｕｍ以下であることが望ましい。
【００３７】
透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）は、透明導電層との密着性を考慮して、粘着層を有していてもよい。粘着層の成分としては、例えば、エチレンプロピレンブロツク共重合体（ＥＰＭ）、エチレンプロピレン共重合体に少量の共役二重結合を有するコモノマーを共重合させて成るエチレンプロピレンゴム（ＥＰＤＭ）、ポリイソブチレン、スチレン−イソプレンブロツク共重合樹脂（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエンブロツク共重合樹脂（ＳＢＳ）、エチレン−アクリル酸共重合樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）、ポリウレタン、及びポリエーテル、エステルブロツク共重合体より成るポリエステルエラストマー等の熱可塑性エラストマーより選ばれた少なくとも１種の熱可塑性エラストマーまたはその混合物などが挙げられる。
【００３８】
透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）を透明導電層へ貼り合わせる方法としては、透明導電層表面に透明樹脂フィルムを配置し、加圧により貼り合わせ、必要に応じて加熱する、いわゆる通常のラミネート方法により貼り合わせることができる。加圧条件や加熱条件については、後述する密着力が生じる程度まで、透明樹脂フィルムと透明導電層とが密着すれば特に特定されず、フィルムの種類や粘着層の有無によって適宜決定される。
【００３９】
透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）は、透明導電層と貼り合せたとき、加熱工程や後工程において十分な、密着性と耐久温度であるものが好ましい。具体的には、透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）と透明導電層との間の密着力が０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であり、かつ、熱変形温度が８０℃以上であることが好ましい。密着力が０．１Ｎ／２０ｍｍより大きい場合、後工程で透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）を剥離するときに、透明導電層から容易に剥離することができず、透明樹脂フィルムの成分あるいは粘着層の成分が付着してしまうため好ましくない。一方、密着力が０．０１Ｎ／２０ｍｍより小さい場合、加熱する工程で透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）と透明導電層とが剥離してしまい、透明導電層を短時間に結晶化させることができないため好ましくない。また、透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）の熱変形温度が８０℃より小さい場合、加熱する工程で透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）が熱収縮等で透明導電層との間に隙間が生じ、大気を遮断した状態で加熱処理することができないため、短時間で透明導電層を結晶化させることができない。
【００４０】
なお、透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）と透明導電層との間の密着力は、ＪＩＳ Ｚ １５２８に準ずる測定方法により測定することができる。また、ＪＩＳ Ｋ ７１９１に順ずる測定方法により測定することができる。
【００４１】
透明導電層を結晶化するための加熱処理工程として、図４または図５に示す第４または第５の実施の形態のように透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）及び粘着剤４６（５６ａ，５６ｂ）を酸化インジウム・スズ層４５（５５ａ，５５ｂ）に張り合わせた状態で、加熱温度が８０℃以上１５０℃以下であり、加熱時間が１分以上３０分以下であることが望ましい。上記加熱温度および加熱時間により、透明導電層を十分に結晶化させることができる。
【００４２】
加熱処理の方法としては、大気中でフィルムを加熱することができる公知の方法を用いることができ、例えば、熱風ヒーター、ＩＲヒーター等の各種加熱機構が挙げられる。
【００４３】
加熱機構は、透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）と酸化インジウム・スズ層４５（５５ａ，５５ｂ）と貼り合せたとき、透明樹脂フィルム側から加熱できるように配置してもよく、逆側から加熱できるように配置してもよい。特に、図５に示す第５の実施の形態のように、両面で透明樹脂フィルム５７ａ，５７ｂと透明導電層と貼り合せたときは、両面から加熱できるように、加熱機構を配置してもよい。
【００４４】
本発明の透明導電層及び透明樹脂フィルム４７（５７ａ，５７ｂ）は、１５０℃３０分間における熱収縮率が０．５％以下であることが好ましい。この範囲であることで、貼り合わせた状態で加熱する際に剥離することなく大気を遮断した状態で加熱することができる。
【実施例】
【００４５】
＜実施例１＞
紫外線硬化型アクリル系樹脂であるユニディックＶ−９５００（ＤＩＣ社製）を用いて、１２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）両面に、ハードコート層（ＨＣ（１）及びＨＣ（２））をマイクログラビアコーターにより塗工した。得られたハードコート層の膜厚は、ＨＣ（１）、ＨＣ（２）ともに３μｍである。マグネトロンスパッタリング法にて、この１３１μｍ厚のＨＣ（１）／ＰＥＴ／ＨＣ（２）フィルム（両面ハードコート付きＰＥＴフィルム）のＨＣ（１）の表面上に、金属酸化物層である高屈折率酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）と低屈折率酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を順次に積層した。このとき、Ｎｂ２Ｏ５層の光学膜厚を１９ｎｍ、ＳｉＯ２層の光学膜厚を１０２ｎｍとし、Ｎｂ２Ｏ５層の屈折率を２．３１、ＳｉＯ２層の屈折率を１．４６とした。次いで、酸化スズを３ｗｔ％含有する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層を、光学膜厚を４０ｎｍとして成膜した。加熱処理は透明樹脂フィルムを張り合わせた状態において１５０℃で１５分間加熱した。なお、Ｎｂ２Ｏ５層及びＳｉＯ２層は、成膜時の酸素流量（分圧）を変化させることにより、形成される薄膜の酸素欠損の量を変化させ、屈折率を調整した。また、ＩＴＯ層の成膜時のシート抵抗の制御は、印加電力、成膜時間、酸素流量により調整した。以上により、実施例１の透明導電性積層体を作製した。
【００４６】
＜比較例１＞
実施例１と同様の構成で透明導電性積層体１０（２０，３０，４０，５０）を作製し、大気中で１５０℃１５分間加熱処理を行った。以上より、比較例の透明導電性積層体を作製した。
【００４７】
［結晶性の測定］
リガク社製のＸ線回折装置を使用して実施例１及び比較例１について、その結晶化の評価をそれぞれ行った。
【００４８】
実施例１で得られた透明導電性積層体１０（２０，３０，４０，５０）はＸ線回折装置での分析結果より、図６に示されるように加熱処理後に酸化インジウムのピークが確認され、結晶化していることが確認された。しかし、比較例１で得られた透明導電性積層体はＸ線回折装置での分析結果より、図７に示されるように加熱処理後に酸化インジウムのピークが確認されておらず結晶化していないことが確認された。
【００４９】
ここで、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記各実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより種々の発明が抽出され得る。
【００５０】
例えば実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の製造方法ではフィルムなどのプラスチック基材に対して透明性が高く、優れた密着性を持ち、且パターン形状を目立たない透明導電性積層体を作製することができる。この作製したＩＴＯ透明導電性積層体は抵抗膜式タッチパネルや静電容量タイプタッチパネルに応用することが十分可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０、２０、３０、４０、５０・・・透明導電性積層体
１１、２１、３１、４１、５１・・・透明プラスチック基材
２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ・・・第１のハードコート層
２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂ・・・第２のハードコート層
１３、２３、４３・・・金属酸化物層
３３ａ、５３ａ・・・第１の金属酸化物層
３３ｂ、５３ｂ・・・第２の金属酸化物層
１４、２４、４４・・・酸化ケイ素層
３４ａ、５４ａ・・・第１の酸化ケイ素層
３４ｂ、５４ｂ・・・第２の酸化ケイ素層
１５、２５、４５・・・酸化インジウム・スズ層
３５ａ、５５ａ・・・第１の酸化インジウム・スズ層
３５ｂ、５５ｂ・・・第２の酸化インジウム・スズ層
４６、５６ａ、５６ｂ・・・粘着層
４７、５７ａ、５７ｂ・・・透明樹脂フィルム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板層の片面に少なくとも透明導電層を形成する工程と、
前記透明導電層に透明樹脂フィルムを貼り合わせた状態で加熱する工程と、
を備えることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
【請求項２】
前記透明基板層は少なくとも金属酸化化合物、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層が順に積層されてなることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項３】
前記透明樹脂フィルムの密着力は０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であり、熱変形温度が８０℃以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項４】
前記透明導電層は前記加熱処理により結晶化されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項５】
前記加熱処理は大気中で行われる処理であり、加熱温度が８０℃以上１５０℃以下であり、加熱時間が１分以上３０分以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項６】
前記透明樹脂フィルムは粘着層を有し、前記透明導電層と貼り合わせた状態で加熱処理されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項７】
前記加熱処理はロールトゥロール方式で行われることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項１】
透明基板層の片面に少なくとも透明導電層を形成する工程と、
前記透明導電層に透明樹脂フィルムを貼り合わせた状態で加熱する工程と、
を備えることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
【請求項２】
前記透明基板層は少なくとも金属酸化化合物、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層が順に積層されてなることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項３】
前記透明樹脂フィルムの密着力は０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であり、熱変形温度が８０℃以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項４】
前記透明導電層は前記加熱処理により結晶化されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項５】
前記加熱処理は大気中で行われる処理であり、加熱温度が８０℃以上１５０℃以下であり、加熱時間が１分以上３０分以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項６】
前記透明樹脂フィルムは粘着層を有し、前記透明導電層と貼り合わせた状態で加熱処理されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項７】
前記加熱処理はロールトゥロール方式で行われることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−６１６８３（Ｐ２０１２−６１６８３Ａ）
【公開日】平成２４年３月２９日（２０１２．３．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２０６９８５（Ｐ２０１０−２０６９８５）
【出願日】平成２２年９月１５日（２０１０．９．１５）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２９日（２０１２．３．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月１５日（２０１０．９．１５）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
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