【課題】イオンクラスタービームで基板表面に蒸着膜を形成する際、誘導加熱の際の磁力線の影響を減らすことで良質な蒸着膜を形成するイオンクラスタービーム蒸着装置を提供することを課題とする。
【解決手段】イオンクラスタービーム蒸着装置１であって、対象物８と離間する位置に配置され、蒸着物質１３を収容する収容部２と、収容部２内に、対象物８が位置する方向に対して交差する方向の磁界を発生することにより、収容部２内に収容された蒸着物質を加熱して蒸気を生成する高周波誘導加熱手段３と、収容部２内からクラスター１２を噴射する噴射手段９と、対象物８に向けて移動するクラスター１２をイオン化するイオン化手段５と、イオン化されたクラスターを、加速電圧を印加して加速する加速手段６と、イオン化されたクラスター１２を磁力線から遮蔽する磁力線遮蔽手段４と、を備え、磁力線遮蔽手段４は、対象物８に向けて移動するクラスター１２と交差する磁力線を遮蔽する。 （もっと読む）

【課題】通常の真空成膜法によりプラスチック基材上にＩＴＯ膜の成膜を行うと、非晶質の中に結晶質が混在した膜になってしまう問題が発生する。また、成膜時に水や水素等の還元性ガスを導入し非晶質膜を得る方法は、各々のガスを使用するための装置が別途必要となる。
【解決手段】本発明は、基材の少なくとも一方の面に有機層とＩＴＯ薄膜層とを順次積層した透明導電性積層体であって、有機層の含水率が０．５％以上であり、ＩＴＯ薄膜層が、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定において３０°〜３１°の範囲に酸化インジウムの結晶のピークをもたない、非晶質な膜であることを特徴とし、更に、有機層が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロースのいずれかを主成分とすることを特徴とする透明導電性積層体である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、有機電界発光素子作製において、電極、水分吸着膜、環境遮断膜からなる複数の膜を、環境雰囲気に素子特性が影響されずに、容易に連続成膜することが可能なスパッタリング装置及び成膜方法を提供することを課題とした。
【解決手段】
チャンバー内に、筒状のバッキングプレートと、バッキングプレートの高さ方向を回転軸方向とするバッキングプレート回転手段と、バッキングプレートの外面に配置された複数のターゲット設置部と、各ターゲット設置部の背面位置に設置された極性の異なる対のカソードマグネットと、基板と、基板と対向する位置に具備されたターゲットに接続する機構を有するスパッタリング用電源とを有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

本発明は、プレート（２）の一方に、互いに空間が空けられた接着剤のスタッド（３）を堆積する段階と、前記スタッド（３）を有する前記プレート（２）上に前記スタッド（３）よりも低い所定の厚さを有するグリッド（５）を適用する段階と、前記スタッド（３）が広がり、及び二つのプレート（１）及び（２）の対抗側に接触するように、前記プレートの少なくとも一方に均一な及び所定の圧力を印加する段階と、を備えており、前記スタッドの間の空間（４）は、圧力の印加の下での広がりの後で、空気が前記スタッドの間に捕獲されないように画定されている方法に関連している。
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【課題】抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ、太陽電池などの電子デバイス用のフレキシブル基板材として有用な、熱安定性が高く、しかも、柔軟性及びガスバリア性に優れた透明導電膜つき粘土薄膜基板、その製造方法及び有機ＥＬ素子などを提供する。
【解決手段】透明導電膜が粘土膜上に形成されたフレキシブルな導電性フィルムであって、３５０℃までの耐熱性、導電性、５００ｎｍにおける光透過度が８０％以上の透明性及び柔軟性を有する導電性フィルム、該導電性フィルムからなる電子デバイス用材料及び該材料を含む有機ＥＬ素子。
【効果】優れた耐熱性、ガスバリア性、透明性、フレキシブル性を有する粘土薄膜上に、高温、例えば、２５０℃以上で透明導電膜を形成することを可能とする透明導電膜つき粘土膜及びその製品を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための方法および制御システムを提供する。
【解決手段】層の堆積に先だって、陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される動作パラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係が提供される。層を堆積させている間、同じく陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される異なる動作パラメータが実質的に一定に保持された状態で、時間に対する動作パラメータの第２の依存関係が測定される。層を堆積させている間、第１および第２の依存関係に基づいて、層の堆積時間が動的に決定される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、可視域の透過率が高く、導電性や近赤外域の遮断性が良好であり、耐湿性や耐薬品性にも優れた、酸化物膜と金属膜とから構成される透明導電膜を提供することを課題とする。
【解決手段】透明導電膜が、主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる非晶質酸化物膜（ａ−ＧＩＯ膜）と、銀若しくは銀を主成分とする合金からなる金属膜（Ｍｅ膜）で構成され、金属膜を非晶質酸化物膜にて挟持する３層構造を有している。そして、この透明導電膜を含む多層膜を透明基板上に設けて透明導電性基板、透明導電性フィルムや近赤外遮断フィルターを作製する。 （もっと読む）

【課題】被堆積面がダメージを受け難くかつ膜組成の変更が容易なマグネトロンスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、各々が方向５１に延びた形状を有するターゲット部２１および２２を方向５２に並べてなりかつターゲット部２１および２２は組成が異なるスパッタリングターゲット２と、カソードマグネット１１と、基板３と、枠体１４１とこれに支持されたトラップマグネット１４３ａおよび１４３ｂとを備えたスパッタリングトラップ１４とを、ターゲット２と基板３とが枠体１４１の開口部１４２を挟んで向き合いかつターゲット２がカソードマグネット１１と基板３との間に介在するように配置し、カソードマグネット１１がターゲット部２１および２２と順次向き合うようにカソードマグネット１１をターゲット２に対して方向５２に相対的に移動させながらマグネトロンスパッタリング法により基板３上に膜を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＲＴパネルガラス表面に貼り付けて用いる反射防止膜は、付着強度、反射率特性、電気抵抗、全光線透過率に関する全ての条件を満たすことは困難であり、それらを満たそうとすると、生産性が低下して高価格となっていた。
【解決手段】ベースフィルム１１上に順に形成されたＳｉＯ_x膜２１、インジウムスズ酸化膜２２、ＳｉＯ₂膜２３、インジウムスズ酸化膜２４、ＳｉＯ₂膜２５を有し、最上層の酸化シリコン膜２５の膜厚は、その直下のインジウムスズ酸化膜２４の膜厚よりも厚く形成されていてＳｉＯ_x膜２１のｘの範囲は０．５〜１．９とする。 （もっと読む）

【課題】透湿及び透酸素防止特性が優秀な保護層を具備した有機電界発光表示装置及び
その製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に備えられた第１電極と、第１電極に絶縁されるように形
成された第２電極と、第１電極と前記第２電極との間に介在され、少なくとも発光層を含
む一つ以上の有機層と、第２電極を覆うように形成された保護層とを含み、保護層はネットワークフォーマ含有絶縁物質よりなる有機電界発光表示装置及びその製造方法。これにより、本発明の有機電界発光表示装置は優秀な寿命特性を持つ。 （もっと読む）

【課題】セラミックス焼結体をターゲット材とする円筒形スパッタリングターゲットであって、スパッタ中にターゲット材に割れが発生することのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】円筒形基材の外周面に円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材を接合してなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、円筒形基材の外周面と円筒形ターゲット材の内周面との間に、スパッタ中に円筒形基材と円筒形ターゲット材の熱膨張率の相違に起因して発生し円筒形ターゲット材に作用する内圧を吸収するための空隙を有し、かつ、十分な熱伝導性と接合強度を有する接合層を設ける。 （もっと読む）

【課題】大電力によるスパッタ時においても、ターゲット材の割れや剥離が発生せず、溶射法やＨＩＰ法によるものと異なり、あらゆる材質のターゲットに適用可能で、かつ、低コストの円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】円筒形基材の外側面に円筒形状のセラミックス焼結体からなる円筒形ターゲット材を複数接合してなる円筒形スパッタリングターゲットとするとともに、前記円筒形ターゲット材同士の接続部に所定量の間隙を有する円筒形スパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

本発明の主題の一つは、基材の第１の側上に堆積された少なくとも１層の薄い連続的な膜の処理のための方法であって、薄膜を連続に保ちながら、そしてこの薄膜を溶融するステップ無しで該薄膜の結晶化度を高めるように、この少なくとも１つの薄膜が少なくとも３００℃に昇温され、該第１の側とは反対側上の温度が１５０℃以下ように保ちたれることを特徴とする、方法。
発明の別の主題は、この方法によって得ることができる材料である。 （もっと読む）

【課題】大型基板であっても基板面内の特性が均一なＩＴＯ導電性薄膜の製造方法と、そのための装置と、それを用いたカラーフィルターの製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板をキャリア上に載置して、ＩＴＯの透明導電性薄膜をこの大型基板上にスパッタリングにより形成する方法であって、Ｏ_２ガス流量を基板搬送方向に垂直な方向に独立に分割調整して透明導電性薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、基板に入射する粒子のエネルギーは６００ｅＶ程度と非常に高く、粒子が基板内に入り込んだり、基板を構成する原子が叩き出されたり、あるいは基板に欠陥を発生させるといった問題が発生する。
【解決手段】ターゲットと基板間に設置したグリッドから漏れ出たプラズマ荷電粒子を、真空スパッタチャンバーの側面から挿引したフィラメント（電子銃）先端から放出される電子と結合させることで、粒子極性を中和させることを特徴とする透明導電膜形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】特別な工程を追加することなしに、対向電極と同じ仕事関数を有するＩＴＯ膜を電極上に形成する反射型液晶表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反射型の画素電極１１３を有する画素電極基板と透明電極１１７を有する対向基板との間に液晶層１１６が設けられ、透明電極１１７に対する仕事関数の差が、画素電極１１３と透明電極１１７の仕事関数差よりも小さい導電性薄膜が、画素電極の表面に形成された反射型液晶表示パネルの製造方法において、画素電極となる層の表面にある、画素を分離する領域である画素分離領域上にレジストを形成する工程と、レジストが形成された後、導電性薄膜を形成する工程と、レジストリフトオフ法によって、画素分離領域上に形成された導電性薄膜を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造可能な高輝度の半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】半導体基板(1)上に、III−Ｖ族化合物半導体からなる、ｎ型クラッド層(4)、活性層(5)及びｐ型クラッド層(6)の発光部と、ｐ型コンタクト層(8)とを有し、ｐ型コンタクト層(8)上に金属酸化物の透明導電膜からなる電流分散層(9)が形成されると共に、電流分散層(9)上の一部に上面電極(10)が、半導体基板(1)裏側に下面電極(11)がそれぞれ形成された半導体発光素子において、ｐ型コンタクト層(8)と電流分散層(9)との間の、上面電極(10)下方にほぼ対応した部位に、前記発光部からの光を反射するIII−Ｖ族化合物半導体からなる光反射層(12)を備えた半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、異常放電やターゲットの表面黒化のない酸化物ターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）及びネオジウム（Ｎｄ）を含有する酸化物のターゲットであって、ＮｄＩｎＯ_３で表される酸化物を含有することを特徴とする酸化物ターゲット。 （もっと読む）

【課題】パターンエッチングによる加工性が良好で、信頼性が高く消費電力が低い有機ＥＬ表示装置を可能とする導電膜基板を提供する。
【解決手段】導電膜基板を、透明基材と、この透明基材上に順次積層された透明導電膜、中間層および金属層とを備えたものとし、透明導電膜は酸化インジウムスズ膜、中間層はＭｏ層、Ｍｏ合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれか、金属層はＡｇ合金層とし、これにより、透明導電膜と金属層との密着性が良好なものとなり、かつ、透明導電膜に対して中間層と金属層を一括で選択エッチングしてリード部のパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）