【課題】電子ビーム蒸着法にて蒸着しても、スプラッシュ程度と成膜（蒸発）速度との最適化を図ることができ、同時に、材料コストの低減と生産性向上とを図る。
【解決手段】ＭｇＯ純度が９９．０％以上かつ相対密度が９０．０％以上で、外形体積が３５ｍｍ^３ 〜１５００ｍｍ^３ である。 （もっと読む）

【課題】特にペレット状の蒸着材料をその収容部に落下させて供給する蒸着装置及び蒸着材料の供給方法において、供給される蒸着材料が供給管内に詰まることなく効率的に供給可能にする。
【解決手段】蒸着材料２３が収容される収容部７ａとこの収容部に蒸着材料を供給する供給手段９とを有する蒸着装置１において、供給手段は、収容部よりも上方に設けられ所定形状を有する蒸着材料を複数収容するホッパー部３１と、ホッパー部から蒸着材料を落下させる送り出し手段３２と、落下された蒸着材料を側方に開口された開口部４１ａを通じて収容部側に案内する案内部３３，４１と、案内部における開口部を閉開成可能にその上部が開口部の上方位置に軸支される蓋部４２と、を有し、蓋部は常態時には自重により開口部を閉成し落下された蒸着材料が蓋部に当接した際には蒸着材料の落下エネルギーによって開成される構成である。 （もっと読む）

【課題】可視光の光学吸収が少なく密着性の良好なフッ化マグネシウム等のフッ化物薄膜をプラスチック基材上に真空蒸着法により高速で、且つ極めて安定した成膜速度で連続的に形成する。
【解決手段】
プラスチックフィルム（４）を連続的に巻出す巻出し部（２）と、
巻出し部（２）から巻き出されたプラスチックフィルム（４）を巻き取る巻取り部（３）と、
巻出し部（２）と巻取り部（３）との間に配置されたメインロール（５）と、
高い材料密度と微細な空孔を有する固体材料、または、充填密度の高い顆粒材料、または、前記固体材料と前記顆粒材料との混合材料であり、かつ、フッ化マグネシウムを主体とするフッ化物を含み、かつ、メインロール（５）に対向配置された蒸着材料（６）と、
蒸着材料（６）に電子ビームを照射する電子銃（７）と、
蒸着材料（６）を連続的に供給する供給手段と、
を備える真空槽（１）を有する真空蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜する前に、成膜装置の真空容器内の汚損状態を把握する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】
成膜装置の真空容器内の汚損物質を検知する方法は、真空容器内に、検知用基材を配置する工程（ステップＳ１００）と、真空容器内を所定の真空状態にする工程（ステップＳ１２０、Ｓ１６０）と、真空容器内を所定の真空状態に維持して、検知用基材を、所定の時間前記真空容器内に放置する工程（ステップＳ１８０）と、ステップＳ１８０の後の検知用基材の表面に付着している物質を分析する工程（ステップＳ２２０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 水素分離膜と電解質膜との界面における酸素不足を抑制することができる成膜装置、成膜方法、および、燃料電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置（１００）は、水素透過性を有する水素分離膜（２１）の一面にプロトン伝導性を有する電解質膜（２４）を気相成膜法により成膜する成膜手段（２０）と、水素分離膜の他面がさらされる雰囲気の酸素分圧が水素分離膜の一面がさらされる雰囲気の酸素分圧よりも大きくなるような酸素分圧差を生じさせる分圧差発生手段（２２，３０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＧａの双方の元素を含み、ＣｅがＧａよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｇａの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＢの双方の元素を含み、ＣｅがＢよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止する。
【解決手段】多孔質焼結体からなる円板状の蒸着材１０は、外周から中央に向かって熱膨張緩和用凹部１１が形成される。熱膨張緩和用凹部１１は頂角θが中央に臨むくさび形状をなすものである場合には、その頂角θは１〜９０度である。熱膨張緩和用凹部が外周から中央に向かうスリットである場合には、スリットが厚さ方向に形成され、スリットの外周から中央に向かう長さＬが外径Ｄの１０〜５０％である。また、中央に貫通孔を形成し、熱膨張緩和用凹部１１の先端を貫通孔に連通して設けても良い。その貫通孔の直径は蒸着材１０の外径Ｄの５〜２０％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＹとＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含み、ＹがＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素よりも含有割合が高く、Ｙの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ａｌの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＳｃの双方の元素を含み、ＣｅがＳｃよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｓｃの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止する。
【解決手段】蒸着材は、金属酸化物の多孔質焼結体からなり、その焼結体が０．２以上３．０％未満の気孔率を有する。その多孔質焼結体は０．１〜３００μｍの範囲の平均気孔径を有する。その製造方法は、純度が９９．０％以上あって平均粒径が０．１〜１０μｍである金属酸化物粉末とバインダと有機溶媒とを減圧下において混合して金属酸化物粉末の濃度が４５〜７５質量％のスラリーを調製する工程と、そのスラリーを減圧下において噴霧乾燥して平均粒径が５０〜３００μｍの多孔質造粒粉末を得る工程と、その多孔質造粒粉末を減圧下において成形して多孔質成形体を得る工程と、その多孔質成形体を所定の温度で焼結して金属酸化物の多孔質焼結体を得る工程とを有する。減圧下とは５００ｈＰａ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＬａとＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含み、ＬａがＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素よりも含有割合が高く、Ｌａの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＰｒ、Ｎｄ、Ｐｍ及びＳｍからなる群より選ばれた１種又は２種以上の第１元素と、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の第２元素の双方を含み、第１元素が第２元素よりも含有割合が高く、第１元素の含有割合が０．１〜１４．９質量％、第２元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

ナノ構造は、1つの縁が基板上に配置された複数の金属ナノブレードを含む。複数の金属ナノブレードの各々は、大きい表面積対質量比および長さより小さい幅を有する。水素を貯蔵する方法は、複数のマグネシウムナノブレードを水素貯蔵触媒でコーティングする工程、および複数のマグネシウムナノブレードを用いて水素化マグネシウムを化学的に生成することにより水素を貯蔵する工程を含む。

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【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が均一に制御されたムラのない高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】下地材料をＴｉＮとし、シリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＴｉＮ微粒子１２を、直径３ｎｍ程度に設定して堆積した後、ＴｉＮ微粒子１２が堆積されたシリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＣｏ微粒子１３を、ＴｉＮ微粒子１２と同等或いは小さい大きさ、ここでは直径１ｎｍ程度に設定して堆積する。 （もっと読む）

チタニアまたは金属チタンターゲットの超高速パルスレーザーアブレーションを使用して結晶二酸化チタン（ＴｉＯ_２）のような酸化金属のナノ粒子またはナノコンポジット（ナノ粒子集合）膜を基板表面に堆積させるワンステップ室温プロセスである。システムには、数フェムト秒から数十ピコ秒の範囲のパルス幅を備えるパルスレーザと、レーザービームを、所定の平均エネルギー密度および所定のエネルギー密度分布でビームがターゲット表面上に焦点を結ぶように処理する光学構成と、ターゲットおよび基板が設置されてバックグラウンドガスおよびその圧力が適切に調整される真空チャンバとが含まれる。
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【課題】蒸着材料をハース内に載置するに際し、外周方向に散乱してビーム照射領域から外れてしまうことを防止して、蒸着材料をハースの中心領域へ確実に載置をすることが可能であって、それにより、効率的に蒸着材料へのビーム照射を行うことが可能となる真空蒸着装置ならびに該装置に着脱可能な蒸着材料の散乱防止治具およびその使用方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空蒸着装置は、ハースに固形状の蒸着材料を載置する際に、該蒸着材料の該ハース内での散乱を防止する治具が着脱可能に設けられ、該治具は、前記ハース内に収容可能な外形を備え、且つ、中央に前記蒸着材料の載置領域を規制する開口部を備える。 （もっと読む）

【課題】高いパワーの電子ビームを照射しても、破損の起こらない真空蒸着用ＩＴｉＯ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化Ｉｎ粉末と酸化Ｔｉ粉末とを混合し、１３００℃以上１５００℃以下の温度で熱処理し、仮焼粉末を得て、該仮焼粉末に、酸化Ｉｎ粉末、酸化Ｔｉ粉末、または、酸化Ｉｎと酸化Ｔｉとの混合粉末の未仮焼粉末を、前記仮焼粉末の割合が、６５質量％以上９５質量％以下となるように添加し、混合し、粉砕し、造粒粉末を得て、該造粒粉末を成形し、１３００℃以上１５００℃以下の温度で焼結させることにより、焼結密度が４．２ｇ／ｃｍ³以上５．６ｇ／ｃｍ³以下である真空蒸着用ＩＴｉＯ焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】これまで多くの超伝導化合物が見いだされているが、これらはいずれも可視光域
で不透明で、透明な超伝導体は実現していない。
【解決手段】化学式[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ＋２{１−（ｘ＋２ｙ
）}ｅ⁻] （Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上、０≦ｘ＋２ｙ≦０．５)で示
され、超伝導電気伝導を示し、かつ膜厚４０ナノメートルを基準として、ＪＩＳ Ｒ１６
３５で規定される方法により測定した可視光透過率が８０％以上であるマイエナイト型結
晶構造を有する化合物からなることを特徴とする超伝導化合物薄膜。化学式が[Ｃａ₂₄Ａ
ｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ] (２番目の大括弧は、ケージ中のアニオンを示す
。また、Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上：０≦ｘ≦１、ｙ＝１−ｘ）で示
される薄膜中のアニオンの１／２以上を還元処理により電子に置換することにより作成で
きる。 （もっと読む）