【課題】スプラッシュを低減させ、連続運転を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、成膜材料１０を気化させ、成膜材料１０を被成膜物の表面に堆
積させることにより成膜を行う成膜装置であって、真空容器１４と、真空容器１４内に設
けられ、成膜材料１０を収容する絶縁性の坩堝１８と、坩堝１８に収容された成膜材料１
０の表面に生成される副生成物１２を除去する副生成物除去部材２６と、所定の待機位置
と坩堝１８の近傍との間で副生成物除去部材２６を移動させるための、先端部２４ａに副
生成物除去部材２６が固定された腕部材２４と、を備える。 （もっと読む）

空洞（６）を有し、カソードとして機能するように構築される中空エレメント（５）を備える装置（１）と、前記中空エレメント（５）の空洞（６）内に少なくとも部分的に配置される前記主電極（７）と、前記主電極（７）を電気的に接地する抵抗（１２）と、カソードの壁を通じて延伸する実質的に誘電体からなるチューブ状素子（２１）と、 接地され、チューブ状素子（２１）の周囲に配置されたリング形状アノード（２５）と、カソード（５）に電気的に接続され、約１０nsで少なくとも８ＫＶのカソードの電位を減少可能な前記活性化グループ（１１）とを備え、プラズマを生成しターゲット（３）に向かって電子流を導くための装置である。 （もっと読む）

【課題】電気化学セルを構成する固体電解質の低抵抗化（高イオン導電性）を図ることにより、低抵抗化された前記電気化学セルを提供する。
【解決手段】電子ビーム物理蒸着法あるいは放電プラズマ焼結法などを用いて作製された、酸化物イオン導電性あるいはプロトン導電性を有し、結晶配向を制御された柱状結晶を含む固体電解質１１と、固体電解質１１の相対向する一対の主面上に形成された一対の電極１２，１３と、を具えるようにして形成された電気化学セル１０。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを照射された時の熱衝撃により破壊を生じないターゲットを提供する。
【解決手段】セラミック粉末で作成された棒の形態を有し、電子ビームを受けて気化するように設計された複合ターゲットで、このターゲットは、ジルコニアと少なくとも１種のジルコニア安定剤を含む。特徴として、前記ジルコニア安定剤が２％〜３０％の範囲にあるモル含有率で存在し、前記ジルコニアが９０％超で単斜晶相から形成される点に特徴がある。電子ビームを受けて気化することにより形成され、熱伝導率が低く熱機械強度が高いセラミック遮熱材を作成するのに応用できる。 （もっと読む）

【課題】高温用伝導性の接着剤を使用せずに、大面積金属・絶縁体転移（ＭＩＴ）物質であるＶＯ₂薄膜をインシチュ（in-situ）で蒸着できる成長装置及び大面積酸化物薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】高温でＰＬＤ（pulsed laser deposition）、スパッタ（sputter）などによって、金属・絶縁体転移物質であるＶＯ₂を成長させるとき、熱伝導を良好にするために、固定装置１２０ｂにより基板１１０とヒータ１００ｂ表面との接着を改善することによって、特性が優秀な大面積ＶＯ₂薄膜を、既存方式より簡単に成長させることができる大面積バナジウム酸化物薄膜の成長装置、及びその成長装置での大面積酸化物薄膜の成長方法。 （もっと読む）

【課題】低コストでかつ安定に成膜をすることができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】薄膜の原料の固体を溶融して融液５１ａとし、融液５１ａを凝固させて棒状体を形成し、棒状体５１ｂを引き出す。棒状体５１ｂを溶融させずに保温又は加温しつつ搬送する。棒状体５１ｂの一部を溶融させて、蒸発源５１ｄに供給する。蒸発源５１ｄを加熱して蒸発させた蒸発粒子を基板に堆積させることで基板上に薄膜を形成する。以上の工程を、真空槽内で行う。 （もっと読む）

【課題】成膜の生産性が高く、低い体積抵抗率を有しかつ高湿環境下において体積抵抗率の上昇が抑制されるＺｎＯ蒸着膜、及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】希土類元素を０．１〜１５質量％含むＺｎＯ焼結体を蒸着材に用い、反応性プラズマ蒸着法により酸素ガス流量０〜５００ｓｃｃｍ、成膜速度０．５〜５．０ｎｍ／秒で成膜を行い、高耐湿性のＺｎＯ膜を成膜する。希土類元素は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ又はＳｍの少なくとも１種であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】平均粒径が０．１〜１０μｍのＺｎＯ原料粉末１５を移動状態にし、このＺｎＯ粉末に平均粒径が０．０５〜５μｍで希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末１１を含むコーティング液１４を噴霧又は噴射し、その表面に厚さが０．０５〜５μｍの被覆層を形成して粒状体１９とする。粒状体１９又はこの粒状体を仮焼後に解砕して得られた仮焼粉末２４を用いて、第１造粒粉末２０又は第２造粒粉末２９を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体２２又は３２からなるＺｎＯ蒸着材を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末１１と、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物粉末１２との混合粉末を用い、メカニカルアロイング処理することにより得られた平均粒径０．０５〜２μｍの複合粉末１３から第１造粒粉末１４を作製し、或いはこの複合粉末１３を仮焼、解砕して固溶体化を促進した複合仮焼粉末１８から第２造粒粉末１９を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１６又は２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末１１と、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物粉末１２との混合粉末を用い、メカニカルアロイング処理することにより得られた平均粒径０．０５〜２μｍの複合粉末１３から第１造粒粉末１４を作製し、或いはこの複合粉末１３を仮焼、解砕して固溶体化を促進した複合仮焼粉末１８から第２造粒粉末１９を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１６又は２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】チップやドリル、エンドミルなどの切削工具や鍛造金型や打ち抜きパンチなどの冶工具などに形成する硬度と潤滑性に優れた硬質皮膜およびその関連技術を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_1-a-d-ｅＶ_aＭｏ_dＷ_ｅ）（Ｃ_1-XＮ_X）からなる硬質皮膜であって、０．２≦ａ≦０．７５、０＜ｄ＋ｅ≦０．３、０．３≦Ｘ≦１（式中、ａ、ｄ、ｅおよびＸは互いに独立して原子比を示す：なおｄおよびｅは、一方が０であってもよいが、両方が０になることはない）である組成を特徴とする硬質皮膜を、例えば、チャンバー１、アーク式蒸発源２、支持台３、バイアス電源４、ターゲット６、アーク電源７、磁界形成手段８、排気口１１、ガス供給口１２、被処理体ＷからなるＡＩＰ装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

本発明は、面上に像を投影するための装置であって、光線を生成するための光源と、上記光線の進路に配置されたマスクと、上記マスクの上記像の焦点を面上に合わせるために、上記マスクの後に配置され、上記面に平行ではないレンズとを備え、上記マスクのエッジに沿ったほぼ全ての位置の各々における上記レンズに対する距離ｖ、および、上記マスクの上記像の上記エッジにおける上記レンズに対する対応する位置の距離ｂは、式１／ｖ＋１／ｂ＝１／ｆに略対応し、ｆが上記レンズの焦点の長さであることを特徴とする装置に関する。また、本発明は、面上の像を移動するための装置に関する。
（もっと読む）

【課題】成膜材の物性との違いに関わらずドーピング材を自由に選択可能なイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、プラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、プラズマビームＰが照射されるハース５と、ハース５に電気的に接続され、ハース５に近接配置されたタブレット２１を支持する導電性のタブレット支持棒２５とを備え、ハース５の真空チャンバ３内における露出面にはタブレット２１と共に気化されてドーピングされるドーピング材２２が支持され、ハース５およびタブレット２１に対する通電量を調整可能な構成とした。 （もっと読む）

【課題】酸化マグネシウム焼結体を蒸着材として用いて成膜する際に成膜速度が高く、かつ成膜時のスプラッシュ発生の抑止が可能であるとともに、得られた蒸着膜をＰＤＰ用の保護膜として使用した時に放電開始電圧を低くすることができる酸化マグネシウム焼結体を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウム、マグネシウム以外の周期表第２Ａ族元素の酸化物９〜５０質量％、及び、周期表第３Ｂ族、第３Ａ族又は第４Ａ族元素の酸化物１〜１００００ｐｐｍを含むことを特徴とする酸化マグネシウム焼結体。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ原料粉末１２と希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末１３との原料混合粉末１４を用い、ドクターブレード法により得られたグリーンシートから、グリーン単層体１９或いはグリーン積層体２０又は２９を作製し、これを焼成後に粉砕して混成粉末２５又は３１を作製する。この混成粉末を用いて造粒粉末を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材３４を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を１種含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ原料粉末１２と希土類元素を１種含む希土類元素酸化物粉末１３との原料混合粉末１４を用い、ドクターブレード法により得られたグリーンシートから、グリーン単層体１９或いはグリーン積層体２０又は２９を作製し、これを焼成後に粉砕して混成粉末２５又は３１を作製する。この混成粉末を用いて造粒粉末を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材３４を作製する。 （もっと読む）

【課題】膜材の気化によりハースに付着した成膜堆積物の再気化を抑制、または成膜堆積物がハースに堆積するのを抑制して、ワークに安定した膜特性を有する被膜を成膜することができるイオンプレーティング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３の内部におけるハース５の露出面５ｂの表面温度を、タブレット２１の気化によりハース５の露出面５ｂに付着した成膜堆積物の再気化を抑制する第１の温度領域、または気化したタブレット２１のハース５の露出面５ｂに対する付着を抑制する第２の温度領域に制御する構成にした。 （もっと読む）

本発明は材料組成物、それらの材料の製造方法、およびｐ型透明導電膜の物理気相堆積技術におけるターゲットとして使用するためのセラミック体の製造方法に関する。ペレット化された酸化物材料Ｍ_xＳｒ_1-xＣｕ_2+aＯ_2+b［式中、−０．２≦ａ≦０．２、−０．２≦ｂ≦０．２、且つ、Ｍは、Ｂａ、Ｒａ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒからなる二価の元素の群の１つまたはそれより多くであり、０≦ｘ≦０．２］の製造方法であって、以下の工程 ・ 特定の粒径分布を有し、且つ化学量論組成量Ｃｕ₂Ｏ、Ｓｒ（ＯＨ）₂・８Ｈ₂Ｏを含み、の０＜ｘ≦０．２の場合、Ｍ−水酸化物を含む前駆体混合物を提供する工程、 ・ 前記の前駆体混合物を密接に混合して均質な混合物を得る工程、および ・ 前記の均質な混合物を８５０℃より高い温度で焼結する工程、を含む方法が開示される。酸化物材料ＳｒＣｕ_2+aＯ_2+bは、４００ｐｐｍ未満の残留炭素含有率を有し、且つ、それを用いて、少なくとも５．３０ｇ／ｍｌの密度を有するターゲットを製造できる。 （もっと読む）

【課題】蒸発源で形成した超微粒子を効率的にノズルへと搬送することができる構造物形成装置を提供する。
【解決手段】金属材料またはセラミックス材料を含む蒸発源となるターゲット１０７と、前記ターゲット表面から放出粒子を放出させるためのレーザー光線１１２と、前記放出粒子にガスを導入するためのガス噴射手段と、前記ターゲットの前記表面近傍において、前記放出粒子と前記ガスとを混合し冷却して混合相を形成するナノ粒子発生室１０３と、室内を大気圧未満に減圧するための減圧手段１１７と、構造物形成用の基板１１５が配置される成膜室１０５と、前記混合相を前記基板に向けて噴射するノズル１０と、を備え、前記ナノ粒子発生室１０３と前記成膜室１０５との圧力差により、前記ナノ粒子を前記ノズル１０より前記基板１１５に向けて高速で噴射して前記基板１１５上に構造物を形成する構造物形成装置。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型の酸素イオン伝導体から構成されて酸素イオン伝導性がより一層向上し得るセラミック膜材を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される酸素イオン伝導性セラミック膜材の製造方法は、所定の結晶面に配向した基板を用意する工程と、一般式：Ａ_１−ｘＡｅ_ｘＢＯ_３−δ（ただし、Ａは、Ｌｎ（ランタノイド）から選択される少なくとも１種の元素であり、Ａｅは、Ｓｒ、ＢａおよびＣａからなる群から選択される１種または２種以上の元素であり、Ｂは、ペロブスカイト型構造を構成し得る１種または２種以上の金属元素であり、０≦ｘ≦１であり、δは電荷中性条件を満たすように定まる値である。）で表わされるペロブスカイト型のセラミック膜を構成するための原料を用意する工程と、蒸着法により上記基板の結晶面上にセラミック膜を結晶配向させた状態で形成する工程とを包含する。 （もっと読む）