【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】内部チャンバ構成材と基板の張り出し縁部上への処理堆積物の堆積を軽減させる処理キットを提供する。
【解決手段】処理キット２００は処理チャンバ内において基板支持体の周囲に位置されるシールド２０１とリングアセンブリ２０２を備え、シールド２０１はスパッタリングターゲットを取り囲む上壁部と、基板支持体、支持出っ張り部、傾斜段差部、ガスコンダクタンス穴部を有するＵ型チャネルを取り囲む底壁部とを有する円筒状バンド２１４を備える。リングアセンブリ１２０は堆積リング２０８とカバーリング２１２を備え、カバーリングはバルブ型突起部をリングの周縁に有する。 （もっと読む）

【課題】量産対応のスパッタリング装置において、基板を入れ替えることによりプラズマ放電が不安定になることを抑制し、膜中への不純物混入による品質低下などが発生しないスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】回転テーブル６４、チムニ型防着板６７などのプラズマ放電空間近傍の構成物や電位関係の変化に同期させて、ターゲット６３に対して高周波電源６９から供給している高周波電力を制御し、プラズマの不安定要因を除去して不純物混入のない高品質な成膜を行なうスパッタリング方法である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって基板上に透明導電膜を成膜するとき、二次電子が基板に入射することによるダメージを抑制し、且つ成膜時間を短くすることが可能な製造方法及び製造装置を提供すること。プラズマによるダメージを低減した有機ＥＬ素子及び液晶法事装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】開口部を有する磁気シールドをターゲットと基板との間に挿入し、前記ターゲットをスパッタリングすることにより第１の透明導電膜を前記基板上に形成し、前記磁気シールドを前記ターゲットと基板との間から除去し、前記ターゲットをスパッタリングすることにより前記第１の透明導電膜上に第２の透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ−エンハンスドコーティングプロセスをサポートする装置（８）に関する。
【解決手段】該装置は、プラズマ及び／又はコートされる基板及び／又はプラズマ生成のために設けられた電極の近傍に配置可能であり、プラズマ領域の側部又は面、又は基板又は基板を運搬する運搬要素を配置できる面、又は電極の１つ又はその一部を少なくとも部分的に囲む、又は制限するフレームが設けられていて、ガス状媒体を吸引可能な１つ又はいくつかの吸引開口部１０のあるキャビティ又は吸引チャネル１３が含まれている。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いる成膜装置および成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜できるようにする。
【解決手段】成膜ガスＧの導入と排気が可能な真空容器３１０と、真空容器３１０内に配置される、ターゲットＴを保持するターゲットホルダ１２と、ターゲットホルダ１２に対向して配置され、膜が形成される成膜用基板Ｂを保持する基板ホルダ１１と、ターゲットホルダ１２と成膜基板側との間にプラズマ空間Ｐを生成するプラズマ生成部１２、１３とを備えた成膜装置３００において、ターゲットホルダ１２の成膜基板側の外周を取囲み、成膜ガスＧが通過する間隙２０４を有するシールド層２５０aを、上下方向に複数間隔をおいて重なるようにターゲットＴと非接触状態で配置してなるシールド２５０を有する。 （もっと読む）

物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバにおける使用のための処理キットを、非接触型処理キットを有するＰＶＤチャンバと共に提供する。一実施形態において、処理キットは、実質的に平坦な円筒形本体部と、本体部から下方向に延びる少なくとも１つの細長い円筒形リングと、本体部の上面から上方向に延びる取付部とを有する、概して円筒形であるシールドを含む。他の実施形態において、処理キットは、概して円筒形である堆積リングを含む。堆積リングは、実質的に平坦な円筒形本体部と、本体部の外方部に連結された少なくとも１つの下方向に延びるＵチャネルと、本体部の内方領域の上面から上方向に延びる内壁部と、内壁部から半径方向内側に向かって延びる基板支持棚部とを含む。
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【課題】基板上に均一な薄膜が得られると共にターゲットの使用効率の良いスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２内にターゲット３を固定するカソード電極４と、この真空チャンバ２の内部に固定され、カソード電極４の一部を露出させる第１開口部７Ａ、７Ａを有するシールド板７と、シールド板７と対向配置され、基板５を載置する基板電極６と、シールド板７と基板電極６との間に配置され、第２開口部８Ａを有する膜厚補正板８とを備えており、第１開口部７Ａ、７Ａは、シールド板７の中心軸に対して点対称で、同形状であり、第２開口部８は、膜厚補正板８の中央部から外周部に向って広がっており、シールド板７と膜厚補正板８とは、中心軸を共通にして配置されている。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】コンタクトホールやヴィアホールの導通抵抗を低下させる。
【解決手段】ターゲット２０と成膜対象物１７の間の空間をアノード電極４で取り囲み、アノード電極４に印加する正電圧と、成膜対象物１７に印加する負電圧とを制御し浅穴の底面の堆積速度がエッチング速度よりも大きい状態を維持しながら、深穴の底面では、エッチング速度を堆積速度以上の大きさにする。深穴底面にバリア膜を形成せずに、浅穴底面、及び深穴と浅穴の側面にバリア膜を形成することができるので、銅配線膜が深穴底面下の導電性物質と直接接触でき、導通抵抗が低下する。 （もっと読む）

【課題】マルチカソード大面積ＰＶＤ装置用の冷却暗部シールドが開示されている。
【解決手段】マルチカソードシステムについては、近接するカソード／ターゲット間に暗部シールドがあると有益である。シールドは接地してもよく、スパッタリングプラズマ内に存在する電子の接地経路を提供する。シールドは近接するターゲット間にあるため、接地されたシールドは、アノードとして作用することにより処理空間内で均一なプラズマの形成に寄与する。チャンバ内の温度は処理温度とダウンタイム温度の間で変動するため、シールドは膨張及び収縮する。シールドを冷却すると、膨張及び収縮の可能性が減じ、生じる恐れのあるフレーキングの量を減じる。シールドの表面をエンボス加工すると、シールドに蒸着する材料の量が減じ、シールドの膨張及び収縮が制御される。 （もっと読む）

【課題】物理気相蒸着（ＰＶＤ）装置とＰＶＤ法を開示する。
【解決手段】ターゲットと基板との間の処理空間にアノードを延ばすことで、基板への堆積の均一度が上昇する。アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく、処理空間全体にわたって均一に分散させる。プラズマ内で電子を均一に分散させることで、基板上に材料が均一に堆積される。アノードを冷却液で冷却してアノードの温度を制御し、剥離を軽減してもよい。アノードは処理空間全体にわたって、スパッタリングターゲットの背面全体を二次元方向に走査するマグネトロンの長辺に直角に配置してもよい。走査マグネトロンによりアノードの局所的な加熱が軽減される。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に絶縁膜が付着してもグロー放電の経時変化を小さくできるため成膜速度の変化が小さく安定放電ができ、メンテナンス周期の長期化を可能とするスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】ウェハホルダの外周に、複数の開口部を有する３枚以上の導電性板が重ねて配置され、かつ、前記導電性板のうち前記ターゲットから最も近い第１の導電性板とその次に近い第２の導電性板の間隔が、それ以降の導電性板との間隔よりも小さい間隔で配置されることで解決できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電空間付近に防着シールドを設けたスパッタリング装置において、安定放電の維持、および防着シールド等のチャンバ内構造物に対するプラズマ構成要素の衝突に起因する膜中への異物混入を抑制するスパッタリング装置を提供する事を目的とするものである。
【解決手段】基板近傍に第１の防着シールド１１をフローティング電位で配置し、ターゲット近傍に第２の防着シールド１２を接地電位で配置し、第１の防着シールド１１のターゲット４と基板６を結ぶ直線に垂直な開口部が、第２の防着シールド１２の同開口部よりも大きくすることにより、プラズマ放電空間近傍にある防着シールドへの、プラズマ構成要素の衝突を防ぎ、膜中への異物の混入を抑制した。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】スパッタリング空間内のスパッタリングに用いる固定装置が、スパッタリング源に電流を伝えるための電気および熱伝導性材料の送電手段２、１０、１３、１５、１６、１７、１８と、送電手段がスパッタリング空間から電気絶縁され得るように、スパッタリング空間から送電手段を遮蔽するための遮蔽手段１、４、５、６、１２とを含み、最高１１５０℃までの固定装置の耐熱性および電気放電に対する抵抗性を保証するために、耐熱手段１、５を設けて成る。 （もっと読む）

【課題】 イオン化スパッタによって高アスペクト比のホールに対してボトムカバレッジ率の良い成膜を行うとともに、スパッタチャンバー内外の構成を簡略化する。
【解決手段】 排気系１１を備えたスパッタチャンバー１内に設けられたターゲット２をスパッタ電源３によってスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板５０に到達させて成膜する。スパッタ電源３は５Ｗ／ｃｍ^２ 以上の電力をターゲット２に投入し、この電力のみで形成されたプラズマＰ中でスパッタ粒子がイオン化する。ターゲット２と基板ホルダー５との間には円筒状のシールド６が設けられてプラズマ形成空間を規制し、電界設定手段８がイオン化したスパッタ粒子をプラズマＰ中から引き出して基板５０に入射させるための電界を設定する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ要素上や基板の張り出しエッジ上のプロセス堆積物の堆積を減少させるプロセスキットの提供。
【解決手段】基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが該支持体の周囲壁を囲む環状バンド２１６であって、該環状バンドから横に伸長し、該支持体の周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる内部リップ２１８と、隆起リッジ２２４と、内部リップと隆起リッジとの間に、基板の張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネル２３０と、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジ２３６と、を備えている前記環状バンドを備えている防着リングを配置する。 （もっと読む）

【課題】 平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 複数の導電性棒は、ターゲットの天側から地側方向に互いに平行になるように配置され、各々は、その天側の端部を、支点として位置固定し、その地側の端部を、固定しないで、所定位置の該導電性棒より大きめの貫通穴に通し、該貫通穴内にその位置を制御されている。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置用部品、ターゲットおよびバッキングプレートにおいて、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止する。
【解決手段】真空成膜装置用部品１は、部品本体２の表面に形成された溶射膜３を具備する。溶射膜３は溶射形成後に還元雰囲気中にて1073〜1373Kの加熱温度で脱ガス処理が施されたＷ溶射膜またはＭｏ溶射膜からなり、かつガス残存量が10Torr・cc/g以下とされている。ターゲットおよびバッキングプレートは同様な溶射膜を具備する。 （もっと読む）

基板処理チャンバのためのコンポーネントを製造する方法には、内側及び外側表面を有するプリフォームを提供し、凸部と凹部とを含むテクスチャのあるフィーチャーのパターンでテクスチャを施した表面を有するマンドレルを提供することが含まれる。プリフォームコンポーネントの内側表面を、マンドレルのテクスチャを施した表面と接触させ、プリフォームの外側表面に圧力を印加する。圧力は、マンドレルのテクスチャを施した表面全体にプリフォームを可塑変形させる十分に高いものであり、テクスチャのあるフィーチャーのパターンを含むテクスチャを施した内側表面を有するコンポーネントを形成する。これらの形状及びサイズは、基板処理において生成されたプロセス残渣を付着するようなものである。

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【課題】基板処理の間に発生するパーティクルを低減するプロセスキット及びプロセスキットの設計を実現するための方法が提供される。
【解決手段】プロセスキットの内部表面は、より小さいＲＭＳ表面粗さを有する第１の材料層によりその表面をコーティングされ、より大きいＲＭＳ値を有する第２の材料層若しくは追加の材料層によりアークスプレーすることによってテクスチャード加工される。第１の材料層はビーズブラスティング、プレイティング、アークスプレー、熱溶射、若しくは他のプロセスによりコートされうる。更に、本発明は保護層により、プロセスキットの内部表面を選択的にコーティングすること、及びプロセスキットの内部表面の物質と同じ物質であるかもしれない他の材料層により保護層の表面をアークスプレーすることを提供する。 （もっと読む）