【課題】基板ホルダの基板以外の領域の表面に成膜材料が付着するのを防止することができ、基板上に成膜される膜の品質及び生産性を向上させることができるスパッタリング装置を提供する
【解決手段】真空排気可能な真空容器１と、真空容器１の内部に配設され、基板８をその処理面を下方へ臨ませて保持する保持機構３０、３１を備えた基板ホルダ４０と、基板ホルダ４０の直下に基板８に対向させて配置され、放電用電力が供給されるカソード電極１０と、カソード電極１０の基板側に支持されたターゲット１６と、を備え、基板ホルダ４０は、基板以外の領域の表面温度を基板８上に成膜する成膜材料の分解または蒸発温度以上に加熱する加熱機構６０、６１を有する。 （もっと読む）

【課題】多点クランプを用いた物理蒸着装置及び方法を提供する。
【解決手段】物理蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバと、真空チャンバの内側にあって、スパッタリングターゲットを含むように構成されたカソードと、カソードに電力を供給するように構成された高周波電力源と、真空チャンバの側壁の内側にあって、側壁と電気的に接続されたアノードと、真空チャンバの側壁の内側にあって、側壁から電気的に絶縁されていて、基板を支持するように構成されたチャックと、基板をチャックに保持するように構成されていて、導電性であるクランプと、クランプに取り付けられていて、それぞれが基板と接触したときに縮まるように構成された、複数の導電性電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】均一性及び再現性に優れた薄膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空槽からなるスパッタ室１と、スパッタ室１内で基板７を保持した状態で移動するトレー搬送機構と、基板７に薄膜を形成するためのターゲット８、９を固定するとともにプラズマを生成し、ターゲット８、９からスパッタ粒子を発生させるスパッタカソードと、基板７とターゲット８、９との間に配置された膜厚補正板１９と、を備えている。膜厚補正板１９は、その本体部１９ａがアノード電位であり、本体部１９ａを保持する枠部１９ｂを備えている。枠部１９ｂは、スパッタ粒子が発生した領域のトレー進行方向の略中央であって、スパッタ粒子が発生した領域を通過する基板７の近傍に本体部１９ａが配置されるように、本体部１９ａを保持する。 （もっと読む）

【課題】駆動機構の複雑化やフットプリントの増加を最小限に抑えつつ、防着板によって構成されたシールド空間の排気コンダクタンスを向上し、残留ガスを効果的に減少させた成膜装置を提供する。
【解決手段】シールド空間に開口部を設け、真空ポンプと真空チャンバとの間の排気口を封止可能な可動板を、成膜時に前記開口部を塞ぎ前記排気口を開く第１のポジションと、被処理基板搬送時に前記開口部と前記排気口の両方を開く第２のポジションと、前記排気口を封止する第３のポジションと、に移動可能なように構成された成膜装置。 （もっと読む）

【課題】安定して良好な磁気特性分布を持った磁性膜を作製可能なガス導入装置、スパッタリング装置、およびスパッタリング方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るガス導入装置は、ターゲット３を配置可能なカソード４の周囲を覆うように設けられたリングシールド５と、リングシールド５の内部に設けられ、ガス供給源からリングシールド５の内部に供給されたガスを該内部に拡散させるガスだまり部６と、リングシールド５の内部に設けられ、ガスだまり部６に接続されたガス経路７であって、供給されたガスをガスだまり部６からターゲット３の表面に沿って吹き出すように形成されたガス経路７とを備える。 （もっと読む）

【課題】工程効率の低下なしに、基板に極低濃度に蒸着される金属触媒の均一度を向上することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第１領域及び第２領域を含む工程チャンバと、前記工程チャンバの内側で金属ターゲットを移動させ、前記金属ターゲットから放出される金属触媒の進行方向を制御するための第１シールドを備えるターゲット移送部と、前記第２領域に前記金属ターゲットに対向するように位置する基板ホルダと、を含み、前記基板ホルダに支えられる基板と前記金属ターゲットとの間の直線距離と前記第１シールドの長さとの差は３ｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより処理される被処理基板外周部における電界の不均一性を改善し、長期的に安定した性能を得ることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】被処理基板載置用電極上であって被処理基板の外周を取り囲むように設けられたフォーカスリングを有するプラズマ処理装置において、フォーカスリングは、被処理基板載置用電極上面の静電吸着膜上に設けられ導体からなる第一のフォーカスリングと、第一のフォーカスリングの上に設けられ誘電体からなる第二のフォーカスリングと、第二のフォーカスリングの上に設けられ導体からなる第三のフォーカスリングからなり、第一のフォーカスリングは、上面高さを被処理基板の上面高さと略等しくし、かつ、プラズマに接するように設けた。 （もっと読む）

【課題】磁性ターゲットを交換する際に生じる、ターゲットとカソードマグネットの吸着力によるターゲットの変形及び真空容器内の汚染を防止するとともに、ターゲットの交換を安全に行うことができるターゲット交換装置及び磁性ターゲット交換方法を提供する。
【解決手段】磁性ターゲット２の交換に用いられるターゲット交換装置２０は、カソードボディ５側に固定可能なベース部材２２と、ターゲット２を固定可能な固定プレート２３と、固定プレート２３をベース部材２２に対して移動操作可能な移動機構２５とを備え、固定プレート２３の長手方向には補強部材としてのリブが取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】極低濃度の金属触媒を均一に蒸着するスパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】
本発明は、スパッタリング装置に関する。
本発明は、工程チャンバと、上記工程チャンバの内側に位置する金属ターゲットと、上記金属ターゲットに対向するように位置する基板ホルダと、上記工程チャンバの排気配管に接続される真空ポンプとを含み、上記金属ターゲットの面積は上記基板ホルダに載置される基板面積の１．３倍以上であることを特徴とするスパッタリング装置に関する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置に使用されるシールドが原因となる、異常放電や付着膜の剥がれを低減させたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】排気可能なスパッタリング室と、該スパッタリング室内に設けられた、ターゲット搭載用のそれぞれ回転可能な複数の支持体と、それぞれの該支持体の複数の面に、互いに離間するように設けられた、複数のカソードと、前記スパッタリング室内で位置決めされた基板の被成膜面の位置に応じて、前記複数の支持体毎に回転させることにより、前記カソードのターゲット搭載面に搭載された前記ターゲットの位置決めをして前記基板に成膜を行うスパッタリング装置のシールドが、前記支持体の前記ターゲットをプラズマクリーニングするために、該ターゲットの表面と平行関係にある構成を有している。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に半導体処理チャンバ用のプロセスキットおよびキットを有する半導体処理チャンバに関する。より詳しくは、本明細書において説明する実施形態は、物理堆積チャンバ内で使用されるカバーリング、シールド、およびアイソレータを含むプロセスキットに関する。プロセスキットの構成要素は、単独でまたは組み合わせて、粒子発生および迷走プラズマを著しく減少させるように働く。プロセスキャビティの外に迷走プラズマを生じさせるＲＦ高調波の一因となる長くなったＲＦリターン経路を与える既存の複数部品シールドと比較して、本プロセスキットの構成要素は、ＲＦリターン経路を短縮し、したがって、内部処理領域内のプラズマ汚染の改善を提供する。
（もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いホール内に、被覆性の良好な、コンタクト抵抗の低いバリア層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリング、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）再スパッタリング及びコイルスパッタリングを１つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ１５０を使う。ロングスローＳＩＰスパッタリングは、ホール被覆を促進する。ＩＣＰ再スパッタリングは、ホール底部のライナー膜の厚さを低減して、第１のメタル層との接触抵抗を低減する。ＩＣＰコイルスパッタリングは、ＩＣＰ再スパッタリングの間、再スパッタリングによる薄膜化は好ましくないホール開口部に隣接しているような領域上に、保護層を堆積する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの利用率を十分に向上させ、且つ、プラズマダメージを十分に抑制する。
【解決手段】複数の貫通孔が形成されているコリメート板を介してスパッタを行うことにより、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有する半導体素子上に金属膜を形成する金属膜形成工程（ステップＳ１）を備える。この金属膜形成工程では、貫通孔のアスペクト比（貫通孔の深さ／貫通孔の開口径）が１／６以上２／３以下であるコリメート板を用いる。金属膜形成工程を、半導体装置のシリサイド形成工程で行う。半導体素子のアンテナ比を４５０００以下とする。アスペクト比をコリメート板の中央部から外周部に向けて徐々に小さくし、コリメート板の最外周部ではアスペクト比を１／２以下とする。 （もっと読む）

【課題】堆積させる薄膜の特性の制御が可能な物理的気相成長方法を提供する。
【解決手段】第１の位相を持つ第１の高周波信号を物理的気相成長装置内の、スパッタリングターゲットを含むカソードに印加するステップと、第２の位相を持つ第２の高周波信号を前記物理的気相成長装置内のチャックに印加するステップと、スパッタリングターゲットからの物質を基板上に堆積させるステップと、を備え、前記チャックは、基板を保持し、前記第１の位相と前記第２の位相の位相差は、前記基板上に正の自己バイアス直流電圧を引き起こす物理的気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することを可能にした真空成膜装置用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置の構成部品本体２の表面に、アーク溶射法でＡｌ溶射膜３を形成する。Ａｌ溶射膜３を真空中で加熱して脱ガス処理することによって、脱ガス処理後のＡｌ溶射膜を真空中で常温から７７３Ｋまで１時間で加熱した後、１時間保持して放出される総ガス量を加熱後の真空度の低下から測定した値で表されるガス残存量が１０Ｔｏｒｒ・ｃｃ／ｇ以下であるＡｌ溶射膜３を得る。 （もっと読む）

【課題】生産性低下やコストアップを生じることなく、スパッタリング成膜による基板面内分布を改善し、もって良好な磁気特性、電磁気特性が得られ垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置を用いた成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜時にチャンバー内のターゲット近傍、好ましくはターゲット位置から２０ｍｍ以内の範囲にほぼ均一な材料ガス分布が存在するように、材料ガスの噴出口を前記ターゲットの近傍に配置した。 （もっと読む）

【課題】カソードを独立して開閉するＲＦスパッタ装置において、ＲＦ経路の接続部のシールド及び接触を確保する。
【解決手段】ＲＦスパッタ装置において、スパッタ室、第１のシールドに覆われたＲＦ出力端を有しスパッタ室に固定されたＲＦ電力伝達手段、第２のシールドに覆われＲＦ出力端に着脱可能なＲＦ入力端を有しスパッタ室に着脱可能に取り付けられるカソード、第１のシールドの第２のシールドに対向する端面又は第２のシールドの第１のシールドに対向する端面に取り付けられた導電性弾性部材、及び導電性弾性部材を挟む方向の力を、第１のシールド若しくは第１のシールド及びＲＦ出力端又は第２のシールド若しくは第２のシールド及びＲＦ入力端に加える加圧手段を備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】 二重回転シャッタ機構を有するスパッタリング装置でクロスコンタミネーションの防止を図ることができるスパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 二重回転シャッタ機構を構成する２枚のシャッタ板，のうち、ターゲット側に配設された第１のシャッタ板に形成された第１の開口部の周囲かつ第２のシャッタ板との間に円筒状の第２の防着シールドを取り付け、スパッタリングカソードと第１のシャッタ板との間には、ターゲットの前面領域の周囲を囲むように円筒状の第１の防着シールドが配設されることで、スパッタ物質が第１のシャッタ板と第２のシャッタ板の間、及び、第１のシャッタ板とスパッタリングカソードの間の隙間を通ることができなくなり、クロスコンタミネーションの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 何らかの原因でアーク放電が発生したときでも放電切れを防止できるようにした低コストのセルフスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理すべき基板Ｗが配置される真空チャンバ１と、前記基板に対向配置されるターゲット２と、前記ターゲットに負の直流電位を印加するスパッタ電源Ｅ１と、前記ターゲットの前方空間を囲うように配置され、正の電位が印加されるアノードシールド４と、前記真空チャンバ内に所定のスパッタガスを導入するガス導入手段６、６ａとを備える。更に、直流電源からターゲットへの出力回路に並列にＬＣ共振回路８を有する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりよく高スループットで基板上にパターンを形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基板の成膜面に、成膜材料の粒子に対して高い親和性を示す高親和性領域と、前記親和性領域よりも低い親和性を示す低親和性領域とを形成する工程と、前記基板との間に電子捕捉部を備えたスパッタ装置を用いて、前記成膜面に前記成膜材料の粒子を飛来させ、前記高親和性領域に選択的に前記成膜材料を堆積させる工程と、を有する。 （もっと読む）