付着チャンバをｉｎ−ｓｉｔｕプラズマ洗浄する方法および装置が提供される。一実施形態では、真空を中絶させることなく付着チャンバをプラズマ洗浄する方法が提供される。この方法は、付着チャンバ内に配置されたサセプタであり、電気的浮動状態にある付着リングによって周囲を取り囲まれたサセプタ上に基板を配置すること、付着チャンバ内の基板上および付着リング上に金属膜を付着させること、付着リング上に付着した金属膜を、真空を中絶させることなく接地すること、ならびに付着チャンバ内に形成されたプラズマによって、付着リング上の接地された金属膜を再スパッタすることなく、かつ真空を中絶させることなしに、付着チャンバから汚染物質を除去することを含む。 （もっと読む）

【課題】 均一な成膜が得られるようにしたプラズマスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 本発明はターゲットプレートの半径線に渡り均一のスパッタ速度を作り出すためにターゲットプレートの近傍で半径方向に均一なイオンとラジカルの密度を提供することを企図している。この処理装置は、上部電極１２と下部電極１３を含む反応容器１１と、上部電極に固定されたターゲットプレート１４とから構成される。基板１５は下部電極の上に搭載される。さらに上部電極に接続されかつＨＦまたはＶＨＦの領域で動作する高周波電源１６と、上部電極と下部電極の間で二次的プラズマがその内側表面の前で生成されるようにしたプラズマシールドリング２０とを備える。初期プラズマと二次的プラズマの合成プラズマに基づいてターゲットプレートの下側に半径方向に均一なイオン密度とラジカル密度が作り出され得る。 （もっと読む）

【課題】防着シールドを交換した場合でも安定した成膜結果を得ることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、所定電位に維持されるチャンバ１０３と、チャンバ内で基板を保持するための基板ステージ１０４と、交流電力の印加によりチャンバ内にプラズマを生成するための電極１０５と、プラズマ形成時に、基板ステージと電極との間のプラズマ空間を取り囲むように構成することで基板ステージとチャンバの側壁とを接続し、プラズマ非形成時に、少なくとも一部の部材が駆動機構により移動することにより分離されて、基板ステージへ基板を導入するための開口を形成することが可能な導電性部材３０２と、導電性部材のプラズマ空間側の面を覆う防着シールド２００と、を備える。 （もっと読む）

ケーシング（２６１）内部にあるコーティング材料のターゲット（２６２）と、ケーシング内に設けられた蒸気開口（２６３）と、蒸気開口に隣接して設けられ、浮遊電位にあるシールド装置（２６６、２６８；２６８０）と、を備える荷電粒子ビームＰＶＤ装置が提供される。
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【課題】所要の特性を有する精密な薄膜を低温および／または高速で形成可能であるとともに、小型かつ安価で、簡易かつ省エネ運転が可能で、保守が容易であるスパッタ装置の提供。
【解決手段】間隔をおいて対向配置された一対のターゲット２ａ，２ｂと、ターゲットのそれぞれを支持する一対の電極部材３ａ，３ｂと、ターゲットの間に磁界空間を形成するために電極部材の背面側に配置された一対の磁石６ａ，６ｂと、ターゲットの前面中央に向けて迫出した環状の一対の電極ワッシャ部８１ａ，８１ｂを有する一対のシールド部材８ａ，８ｂと、ターゲットの間の側方に、磁界空間を臨んで配置された基板と、を備え、各ターゲットと各電極ワッシャ部の間に印加される交流電圧Ｖ_１と交流電圧Ｖ_２とが、Ｖ_１＋Ｖ_２＝０［Ｖ］となるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜空間に生成するプラズマに起因した薄膜へのダメージを抑制する成膜装置及び成膜方法を提供することである。
【解決手段】スパッタガスが供給された真空槽で基板Ｓを該基板Ｓの周方向に回転させながらターゲット２０に高周波電力を供給することによりターゲット表面２０Ｓをスパッタして基板Ｓの表面に薄膜を形成する成膜装置であって、ターゲット表面２０Ｓにおけるエロージョン領域がターゲット表面２０Ｓの法線に投影された領域である基板表面の投影領域ＳＰを覆うかたちで基板Ｓとターゲット２０との間に配置されて投影領域ＳＰに対してプラズマの入射を抑制する遮蔽リング３０を備えた。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置の大型化に伴った磁石構成体の揺動幅調整の困難さ（揺動幅の設定値からのずれ）に起因する不具合を防止できるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】表面上に平板ターゲット４０を配置するバッキングプレート１０の裏面１０ｂ側に、揺動する磁石構成体２０を配設してマグネトロンカソード電極としたスパッタ装置において、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを低減するためのシールド３０を、平板ターゲット４０の側面周囲に配設し、シールド３０が平板ターゲット４０と同じ材質であるか、あるいはシールド３０がその最表層部に平板ターゲット４０と同じ材質をコーティングしたものである。 （もっと読む）

【課題】シャドーリングのような、基板の周縁に接近させて配置された部材がある場合に発生する異常放電であるアーキングを効果的に防止する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内で、基板ホルダー３に保持された基板９に対しスパッタリングによるタングステン膜９２の作成が行われる。吸着電源３３が吸着電極３２に印加する電圧により基板９が誘電体プレート３１に静電吸着され、基板９の周縁から所定の距離の領域への薄膜堆積をシャドーシールド６２が防止する。誘電体プレート３１の表面の一部を覆う導電膜７１は、基板９の裏面に接触し、アースから絶縁されているとともに短絡用配線７６によりシャドーシールド６２に短絡されている。導電膜７１の電位が電圧計７２により計測され、アーキングの発生を、電圧計７２の測定値の急激な変動から判断手段７４が判断する。 （もっと読む）

【課題】第１部材と第２部材とを締結部材を用いて締結する際にこれらの間に介在された部材（すなわち絶縁フランジ）が破壊されるのを防止する。
【解決手段】真空成膜装置１０の一部を構成する絶縁フランジ構造Ｆ１は、「第１部材」としての中間電極４８と「第２部材」としての第１筒状部２６とを絶縁性を確保しつつ接合するものであり、絶縁性を有し、中間電極４８と第１筒状部２６との間に配設された環状の絶縁フランジ５６と、絶縁フランジ５６よりも弾性が高く、かつ、靭性が高い材料によって形成され、中間電極４８および第１筒状部２６のそれぞれと絶縁フランジ５６との間に隙間Ｇを確保するようにしてこれらの間に配設された環状の弾性フランジ５８ａ，５８ｂと、中間電極４８と第１筒状部２６とを絶縁フランジ５６を介して締結するボルト６２とを備えている。 （もっと読む）

物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバと、陰極と、無線周波数電源と、基板支持体と、陽極と、シールドと、を含む。陰極は、真空チャンバ内にあり、ターゲットを含むように構成される。無線周波数電源は、陰極に電力を印加するように構成される。基板支持体は、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁から電気的に絶縁される。陽極は、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁と電気的に接続される。シールドは、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁と電気的に接続され、環状体と環状体から延びる複数の同心環状突起とを含む。
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【解決手段】物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバ、カソード、高周波電源、基板支持体、シールド及びアノードを含む。カソードは真空チャンバ内にあり、スパッタリングターゲットを含むように構成される。高周波電源はカソードに電力を印加するように構成される。基板支持体は真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁から電気的に絶縁される。シールドは真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁に電気的に接続される。アノードは真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁に電気的に接続される。アノードは環状体と当該環状体から内向きに突出する環状フランジとを含み、プラズマ生成用のターゲットの下の体積を画定するように環状フランジは配置される。 （もっと読む）

【課題】基板に対して正確にマスクの位置合わせを行え、基板ホルダや周辺部への膜の付着を確実に防止することが可能なマスク位置合わせ装置を提供する。
【解決手段】支柱軸方向の各回転軸を中心に回転する複数の支柱１０３と、複数の支柱１０３を同一方向、同一角度、同期して回転させる手段と、マスク７０１と基板Ｗの位置ずれ量を検出する手段とを具備する。また、複数の支柱１０３の上面部にそれぞれの支柱の回転軸から所定距離だけずらしてマスク７０１を支持する支持ピン１０１を配置する。そして、マスク７０１と基板Ｗとの位置ずれ量に基づき複数の支柱１０３を同一方向、同一角度、同期して回転させることによりマスク７０１を基板Ｗに対して位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】シャドーリングのような、基板の周縁に接近させて配置された部材がある場合に発生する異常放電であるアーキングを効果的に防止する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内で、基板ホルダー３に保持された基板９に対しスパッタリングによるタングステン膜９２の作成が行われる。吸着電源３３が吸着電極３２に印加する電圧により基板９が誘電体プレート３１に静電吸着され、基板９の周縁から所定の距離の領域への薄膜堆積をシャドーシールド６２が防止する。誘電体プレート３１の表面の一部を覆う導電膜７１は、基板９の裏面に接触し、アースから絶縁されているとともに短絡用配線７６によりシャドーシールド６２に短絡されている。導電膜７１の電位が電圧計７２により計測され、アーキングの発生を、電圧計７２の測定値の急激な変動から判断手段７４が判断する。 （もっと読む）

スパッタリング装置は，少なくとも１つの側壁と，基板と，覆部とによって形成された真空チャンバーと，真空チャンバー内に配置された面を有する少なくとも１つの第１の電極と，真空チャンバー内に配置された面を有する対向電極と，高周波発生器とを備える。高周波発生器は，少なくとも第１の電極と対向電極間でプラズマを点火するように第１の電極と対向電極へ高周波電場を印加するよう構成されている。対向電極は，真空チャンバーの側壁及び／または基板の一部及び付加的な導電部材を備える。この付加的な導電部材は互いに一般的に平行に配置されると共に互いにある距離離隔した少なくとも２つの面を有している。 （もっと読む）

【課題】基板にバイアス電圧を印加しながら導電膜を作成するスパッタリングにおいて、スパッタリングを数多く繰り返した場合でも、バイアス電圧が正常に基板９に印加されるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内にガス導入系２によってアルゴン等のガスを導入し、基板ホルダー５で基板９を保持しながら、導電材料より成るターゲット３にスパッタ電源４が電圧を印加してスパッタ放電を生じさせる。基板９にはバイアス電源５２によってバイアス電圧が与えられる。基板ホルダー５は、接地電位の部材として基板保持面の斜め後方にホルダーシールド５３を有し、ホルダーシールド５３の表面の堆積膜５０１と基板保持面の堆積膜５０４とが連続しないようにする膜連続防止用凹部５４を有しており、基板保持面の周縁は面取りされている。 （もっと読む）

【課題】ゲッター作用を有する材料からなる薄膜が基板上に成膜されにくく、反応チャンバ内の雰囲気に存在する不純物ガスを効果的に除去して反応チャンバ内の真空度を高めることができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット１１８が、磁性材料領域１８ａと、ゲッター作用を有するゲッター材料からなるゲッター材料領域１８ｃとを含むものであり、基板２００とターゲット１１８との間にシールド部材２１が設けられ、シールド部材２１が、磁性材料領域１８ａ側に向かって基板２００全面を露出させるものであって、磁性材料領域１８ａから発生したスパッタ粒子を通過させる開口部２１ａと、ゲッター材料領域１８ｃから発生したスパッタ粒子を遮るものであって、表面にゲッター材料からなるゲッター膜が形成される遮断部２１ｂとを有している成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、第１の組成を有する金属酸化物焼結体からなる、被スパッタ面を有する複数の板状のターゲット片を準備することを含む。これらの複数のターゲット片は、各々の被スパッタ面が面一となるように並べられる。これらの複数のターゲット片は、その境界部分に、第１の組成と構成原子種が同一である第２の組成を有する合金材料を充填されることで連結される。境界部分は、被スパッタ面に合わせて平滑化される。
これにより、成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲットを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】平滑かつ緻密な無機膜を生産性を維持しつつ、しかも膜質を長時間安定して形成することができる成膜装置および成膜方法、ならびにバリアフィルムを提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、真空の成膜室内で、有機膜を含む長尺の基板を搬送方向に搬送しつつ、スパッタリングを行い、その表面に無機膜を形成するものであって、基板に対向して配置された第１のターゲット、第１のターゲットの周囲近傍に設けられたアノード部および第１のターゲットに一定周期で電圧を印加する第１の電源部を備える第１の成膜ユニットと、第１の成膜ユニットよりも搬送方向の下流側に設けられ、基板に対向して配置された２つ以上のターゲットおよび各ターゲットに交互に電圧を印加する第２の電源部を備える第２の成膜ユニットと、基板と第１のターゲットとの間および基板と各ターゲットとの間にスパッタガスを供給するスパッタガス供給部とを有する。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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【課題】同一バッチ内において基体表面に形成する化合物膜の膜厚分布を均一にする作業を簡素化でき、かつ長期間にわたり安定した化合物膜の形成ができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】所定の真空度に保たれたチャンバと、前記チャンバ内に配置された基体と、前記チャンバ内に反応性ガスまたは不活性ガスのどちらかもしくは両方からなるガスを供給するガス供給管と、前記チャンバ内に配置されたターゲットとを備え、前記基体表面に前記ターゲットの化合物膜を形成するスパッタリング装置であって、前記ガス供給管に前記チャンバ内へ前記ガスを吹き出すための複数のガス供給孔をその孔径を調整可能に設け、前記ガス供給孔の吹き出し部の前方には前記ガス供給孔から吹き出される前記ガスを拡散する拡散板が配設される。 （もっと読む）