【課題】基板処理の間に発生するパーティクルを低減するプロセスキット及びプロセスキットの設計を実現するための方法が提供される。
【解決手段】プロセスキットの内部表面は、より小さいＲＭＳ表面粗さを有する第１の材料層によりその表面をコーティングされ、より大きいＲＭＳ値を有する第２の材料層若しくは追加の材料層によりアークスプレーすることによってテクスチャード加工される。第１の材料層はビーズブラスティング、プレイティング、アークスプレー、熱溶射、若しくは他のプロセスによりコートされうる。更に、本発明は保護層により、プロセスキットの内部表面を選択的にコーティングすること、及びプロセスキットの内部表面の物質と同じ物質であるかもしれない他の材料層により保護層の表面をアークスプレーすることを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。
【解決手段】一般に、本発明の様々な側面はフラットパネルディスプレイ処理、半導体処理、太陽電池処理、又はその他あらゆる基板処理に使用できる。１の態様において、処理チャンバは、陽極の表面積を増やして、それを処理チャンバの処理領域全体により均一に分布させるために使う１又は複数の陽極アセンブリを含む。１の態様において、陽極アセンブリは、導電部材と導電部材支持部とを含む。１の態様において、処理チャンバは、処理チャンバから大型の要素を取り外さなくても、導電部材を処理チャンバから取り出せるようになされている。 （もっと読む）

【課題】 基板に形成される膜厚を均一化することが容易である、プラネタリー方式のスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 プラネタリー治具３０は、ターゲット５０の上方に配置され、ターゲット５０の略中心５４を通る中心軸２２ｂのまわりを公転しながら自転し、ターゲット５０に対向する略半球状の基板保持面３４ａに基板６０を保持する。ターゲット５０が露出するアースシールド板４２の開口４３の周囲に沿って、遮蔽部材１０を配置する。遮蔽部材１０は、プラネタリー治具３０が公転する中心軸２２ａの周りに延在する略筒状の形状を有し、アースシールド板４２側に少なくとも一つの開口部１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】粉体状のターゲット材料を用いたスパッタ法において、長時間の連続稼動によっても、常に一定で安定した膜厚および成膜レートを得ることが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空を維持することが可能な真空槽と、真空槽内にあり基板を載置する基板保持台と、基板保持台と対向して設置され、粉状のターゲット材料を保持する容器を載置し、かつ、基板保持台に対向する面の中心軸を中心に回転するカソードと、カソードに電圧を印加する電源と、真空槽内にガスを供給しつつ排気するガス供排気手段からなる成膜装置において、基板保持台とカソードとの間には開口部を有してアースシールドが配置され、アースシールドのカソード側の表面の一部には、粉状のターゲット材料を攪拌する攪拌手段が設けられたこと。 （もっと読む）

【課題】建築用ガラス基板へコーティングを行うスパッタ装置の保守、清掃、及びターゲット交換を簡単に短時間で行え、装置稼動率を向上することが可能なシステムの提供。
【解決手段】コーティングシステム１において、一貫した保守と清掃を必要とするすべての部品は、ユニット化してインサート８上に纏められ、インサート８は引き出しのようにチャンバ壁２ａ内の側面開口部１０を通って、チャンバの内部へ摺動して取り付け、また容易に取り外すことができる。取り外されたインサート８は、点検が完了したインサートと直接交換することが出来るため稼働率が向上する。 （もっと読む）

材料４は、容器２内に材料を配置し、材料を蒸発させそれが基板上に移るように材料４の表面に電子ビームを接触させることによって基板８上に堆積される。電子を通さないシールド７は、電子ビームによって接触される表面の一部を覆うように配置される。以前には電子ビームによって接触されていた表面の一部が、もはやシールドによって覆われず、基板８に露出するように、一方の容器２と他方のシールド７及び電子ビームの間に相対運動が生じる。
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【課題】高周波あるいは高周波と直流が重畳された電源を用いたスパッタリングにおいて成膜レートを低下させることなく、ターゲット外周端部の侵食を促進しターゲット材料利用効率を向上させる。
【解決手段】ターゲット２の外周端部とアースシールド１１Ｂの間にシールド１１Ａを設置し、このシールド１１Ａとアースの間にインピーダンスを調整するためのインピーダンス調整回路１３を設ける。この構成により、プラズマ中よりシールド１１Ａに流れる電流を制御して、放電を維持しつつ、プラズマの電位差を過剰に大きくすることなく成膜することが可能になり、ターゲット２の外周端部まで効果的に侵食させることができる。 （もっと読む）

本発明は、回転可能な基板ペデスタル及び少なくとも１つの移動可能な傾斜ターゲットを有する物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに関する。本発明の実施形態によれば、均一性の高い薄膜を堆積させることができる。 （もっと読む）

【課題】 円筒部材（正確には複数の扇型に湾曲された湾曲部材からなる略円筒の部材）の一部をターゲットとして使用した上で、この円筒部材を用いてプラズマ重合の機能を付加することを意図した真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置１００は、内部空間を有する導電性の真空槽１３と、前記内部空間１０に複数の扇型に湾曲された湾曲部材３１、３２を並べて配置することにより、略円筒形をなすように構成された枠体１５と、前記枠体１５に囲まれた内部に配置され、前記枠体１５の周方向に沿うように磁界を形成する磁界形成手段３３と、を備え、前記湾曲部材１５、１６のうちの少なくとも一つはスパッタリングに使用するターゲットであり、かつ前記ターゲットを除いた前記枠体の領域が、プラズマ重合に使用される装置である。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング処理を繰り返し行っても、バッキングプレートとグランドシールドとの間で、スパッタリング粒子の堆積による短絡が生じないようにする。
【解決手段】 ターゲット５を取り付けるバッキングプレート４と、平面視においてターゲット５から所定距離隔ててターゲット５を囲うように設けられるグランドシールド６との間に絶縁性のスペーサ１を介装する。このスペーサ１のグランドシールド６と接触する面及びバッキングプレートと接触する面のターゲット側の側部に段１２ａ，１２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ成膜時の高エネルギー粒子による被成膜部材の損傷を低減することができる対向ターゲット式スパッタ装置、並びに、この装置を利用した有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス素子を提供する。
【解決手段】 ターゲット面が空間を隔てて略平行に対向するように設けられた一対のターゲットと、ターゲット面に対して略垂直方向に磁界を発生させる磁界発生手段とを有し、ターゲット間の空間の側方に該空間と対面するように配置された被成膜部材上に膜形成を行う対向ターゲット式スパッタ装置であって、上記対向ターゲット式スパッタ装置は、ターゲット間の空間と被成膜部材との間に、ターゲット面よりも対向するターゲットの方向に突出した部分を有するプラズマ抑制板が設けられたものである対向ターゲット式スパッタ装置である。 （もっと読む）

【課題】コリメータを備えるスパッタリング装置の生産効率を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】上部シールド１３の上部折曲部１３ａと下部折曲部１３ｂとの上下垂直位置の距離を相対的に短く、上部シールド１３の下縁部の内径を相対的に広くして、ターゲット３と上部シールド１３との間の隙間量を相対的に広くし、さらに台座リング１５の内径を相対的に広く、台座リング１５の高さを相対的に低くして、パッキングプレート１１（ターゲット３）と台座リング１５との間の隙間量を相対的に広くすることにより、ターゲット３と上部シールド１３との接触またはパッキングプレート１１（ターゲット３）と台座リング１５との接触を回避する。 （もっと読む）

本発明においては、処理システム内において使用し得るよう、様々な構成を有した適応可能な処理部材（５０，１５０〜１５６）を提供する。処理部材は、主要部材（１８２，２００，２０２，２３０）と、少なくとも１つの着脱可能部材（１８４，２０８，２３２）と、を備えている。着脱可能部材は、ある構成においては、取り付けたままで保持することができ、他の構成においては、取り外すことができる。着脱可能部材は、右側に配置されたあるいは左側に配置されたパンチアウト（２１０，２１４，２１６）を有することができる。これにより、処理チャンバのガス供給ラインが右側に配置されていてもまた左側に配置されていても、適応することができる。加えて、着脱可能部材を保持したままとしたりまたは取り外したりすることにより、様々なサイズの処理チャンバに対して適応することができる。このような処理部材の製造方法も、また、提供される。
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