基板処理チャンバのためのプロセスキット及びターゲット
【課題】チャンバ要素上や基板の張り出しエッジ上のプロセス堆積物の堆積を減少させるプロセスキットの提供。
【解決手段】基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが該支持体の周囲壁を囲む環状バンド２１６であって、該環状バンドから横に伸長し、該支持体の周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる内部リップ２１８と、隆起リッジ２２４と、内部リップと隆起リッジとの間に、基板の張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネル２３０と、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジ２３６と、を備えている前記環状バンドを備えている防着リングを配置する。
【解決手段】基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが該支持体の周囲壁を囲む環状バンド２１６であって、該環状バンドから横に伸長し、該支持体の周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる内部リップ２１８と、隆起リッジ２２４と、内部リップと隆起リッジとの間に、基板の張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネル２３０と、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジ２３６と、を備えている前記環状バンドを備えている防着リングを配置する。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の説明】
【０００１】
本出願は、２００５年１０月３１日出願の米国仮特許出願第６０/７３２,３２４号に対する優先権を主張し、この開示内容は本明細書に全体で援用されている。
【背景】
【０００２】
本発明の実施形態は、基板処理チャンバのためのプロセスキット及びターゲットに関する。
【０００３】
半導体やディスプレイのような基板の処理においては、基板がプロセスチャンバ内に配置され、チャンバ内の処理条件が設定されて基板上に物質が堆積又はエッチングされる。典型的なプロセスチャンバは、プロセスゾーンを囲む包囲壁、チャンバにガスを供給するガス供給源、プロセスガスを励起させて基板を処理するエナジャイザー、基板を固定する基板支持体、使用済みガスを除去するとともにチャンバ内のガス圧を維持するガス排気口を含むチャンバ要素を備えている。このようなチャンバには、例えば、ＣＶＤチャンバ、ＰＶＤチャンバ、エッチングチャンバが含まれる。ＰＶＤチャンバにおいては、ターゲットをスパッタしてターゲットに直面した基板上にスパッタされたターゲット材料を堆積させる。スパッタリングプロセスにおいては、不活性ガス又は活性ガスがチャンバに供給され、ターゲットに典型的には電気的にバイアスが掛けられ、基板が浮遊電位に維持され、ターゲットのスパッタリングを引き起こすチャンバ内にプラズマを生成させる。
【０００４】
ＰＶＤチャンバは、内部チャンバ壁又は他の領域上のＰＶＤ堆積物の形成を減少させるように基板支持体を配置させるチャンバ要素を備えるプロセスキットを含むことができる。典型的なＰＶＤチャンバプロセスキットは、例えば、堆積物、カバー及び/又はシャドーリングを含むことができ、その全ては基板の周辺に位置する。リングの種々の構成はスパッタする堆積物を受容するように配置され、さもなければ支持体の側面上又は露出された基板の裏面上に蓄積する。プロセスキットは、また、ＰＶＤスパッタする堆積物を受容する受容面として役立つことによってチャンバの側壁を保護するチャンバシールドとライナを含むことができ、さもなければチャンバの側壁上に堆積する。プロセスキット要素はこれらの表面上にスパッタされる堆積物の蓄積を減少させ、さもなければ、ついには剥離して、基板上に堆積する汚染粒子を形成する。キット要素は、また、励起されたプラズマによる内部チャンバ構造への侵食を減少させる。また、蓄積された堆積物を洗浄するために容易に取り外すことができるように設計できる。例えば、１０００枚の基板のバッチ処理後、プロセスキットは典型的には取り外され、例えば、ＨＦ及びＨＮＯ３のような酸性の溶液で洗浄されて、基板プロセスサイクル中にキット要素上に蓄積されるスパッタされた堆積物を除去する。
【０００５】
チャンバの内壁上に形成されるスパッタリング堆積物の量を減少させるように相互の関係に成形され配置された要素を備えたプロセスキットを有することが望ましい。蓄積される堆積物を減少させることにより、シャットダウンを必要とせずに又は洗浄のためにチャンバを解体せずに、チャンバ内でより多くの基板を連続処理することができる。チャンバが洗浄を必要とする毎に、結果として生じるチャンバの停止時間が基板を処理するコストを増加させる。従って、内部表面を洗浄するためにシャットダウンさせずに、チャンバが基板上で物質をスパッタするように作動させ得る時間を最大にすることが望ましい。
【０００６】
更に、例えば、アルミニウムＰＶＤプロセスのような特定のＰＶＤプロセスにおいて、スパッタされたアルミニウムは種々の堆積物、カバー、基板の周辺に位置の他のリング間の隙間に蓄積し、また、基板の裏面上にも形成する。蓄積したスパッタされた堆積物は、基板を堆積リングに付着させ、基板が支持体から取り出すように試みた場合に、基板損傷の原因となる。基板をリングに付着させるリングの部分上に堆積物を蓄積させずに、基板の裏面と支持の側面上への堆積物を減少させることができるリングを有することが望ましい。基板及び/又は堆積リングに対する損傷を減少させるために、基板が支持体から持ち上げられる場合に、部分的に付着した堆積リングが基板と共に上昇することを防止することが望ましい。
【０００７】
基板を囲むライナとシールドがチャンバ内のスパッタリングプラズマに晒されることにより加熱する場合に、他の問題が生じる。典型的には、シールド及びライナは、これらの要素の温度を許容レベルに下げるためにチャンバ内の低圧環境内で取り囲んているチャンバ要素と十分な量の熱を交換しない。プロセスサイクルが完了した後に要素の熱膨張がシールドとライナ上に形成されるスパッタされた堆積物のピーリング又はスポーリングを生じる熱応力を引き起こすことから、これら要素の過度の加熱は有害である。従って、シールドとライナを基板のプロセスの間、低下させた温度又は低温で維持することが望ましい。
【０００８】
本発明のこれらの特徴、態様、利点は、本発明の例を示す、以下の説明、添付の特許請求の範囲、次の図面に関してより理解される。しかしながら、特徴の各々が一般に、単に具体的な図面に関連してではなく本発明に使用し得ることが理解される、本発明はこれら特徴のあらゆる組み合わせを含んでいる。
【説明】
【０００９】
基板１０４を処理することができる適切なプロセスチャンバ１００の一例を、図１に示す。チャンバ１００は、プロセスゾーン１０６を囲む包囲壁１０８、側壁１１６を含む壁１０８、底面壁１２０及びシーリング１２４を備えている。チャンバ１００は、チャンバ１０６間に基板１０４を搬送するロボットアーム機構により接続された相互接続チャンバのクラスタを有するマルチチャンバプラットフォーム（図示せず）の一部でもよい。図示される変形例においては、プロセスチャンバ１００は物理気相堆積又はＰＶＤチャンバとも呼ばれるスパッタ堆積チャンバを含み、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、銅、タングステン、窒化タングステン、アルミニウムの１つ以上のような物質を基板１０４上にスパッタ堆積させることができる。
【００１０】
チャンバ１００は、ペデスタル１３４を備える基板１０４を支持するための基板支持体１３０を備えている。ペデスタル１３４は処理中に基板１０４を受容し支持する基板受容面１３８を有し、静電チャック又はヒータ、例えば、電気抵抗ヒータ又は熱交換器（図示せず）のようなヒータを含むことができる。動作中、基板１０４はチャンバ１００の側壁１１６における基板装填口（図示せず）を通ってチャンバ１００に導入され、基板支持体１３０上に配置される。支持体１３０は支持リフトベローズにより昇降させることができ及び/又は支持体１３０上に基板１０４が配置されている間、支持体１３０に基板を昇降させるためにリフトフィンガーアセンブリ（図示せず）を用いることができる。ペデスタル１３４は、プラズマ動作中に浮遊電位で維持又は接地させることができる。
【００１１】
チャンバ１００は、更に、基板１０４に直面したスパッタリング表面１４２を備えたスパッタリングターゲット１４０を備え、基板１０４にスパッタすべき物質を含んでいる。ターゲット１４０は、典型的には、誘電物質又は絶縁物質から作られた絶縁体１４４によりチャンバ１００から電気的に絶縁される。ターゲット１４０は、チャンバ要素の壁の前面にあるシールド１５０、及び/又は電気的に浮遊している支持体１３０に相対するターゲット１４０にバイアス電圧を印加するターゲット電源１４８に接続される。ターゲット１４０、シールド１５０、支持体１３０、ターゲット電源１４８に接続される他のチャンバ要素は、スパッタリングガスのプラズマを形成するためのエナジャイザー１５２として作動させる。エナジャイザー１５２は、コイルを通って電流を印加することによってチャンバ１００にプラズマを生成させるために用いられるソースコイル１５３も含むことができる。生成されたプラズマは、基板１０４の表面１４２に物質をスパッタするためにターゲット１４０のスパッタする表面１４２に活発に衝撃させ衝突させる。
【００１２】
ガス分配システム１６０によってチャンバ１００に導入されるスパッタリングガスは、マスフローコントローラのようなガスフロー制御バルブ１６６を有するコンジット１６４を経てガス源１６２からガスを供給して、ガスの設定流量を通過させる。ガスは、所望のプロセスガス組成を形成するように混合され、チャンバ１００内にガス出口を有するガス分配器１６８に送られる。プロセスガスは、アルゴン又はキセノンのような非反応性ガスを含むことができ、ターゲットに活発に衝撃させるとともにターゲットから物質をスパッタさせることができる。プロセスガスは、また、基板１０４上に層を形成するためにスパッタされた物質と反応することができる酸素含有ガス及び窒素含有ガスの１つ以上のような反応性ガスを含むことができる。使用済みプロセスガスと副生成物は、使用済みプロセスガスを受容する排気ポート１７２を含む排気口１７０を通ってチャンバ１００から排気され、チャンバ１００内のガスの圧力を制御するためにスロットルバルブ１７６を有する排気コンジット１７４に使用済みガスを送る。排気コンジット１７４は、１つ以上の排気ポンプ１７８に接続される。典型的には、チャンバ１００内のスパッタリングガスの圧力は、例えば、１ミリトール〜４００ミリトールのガス圧の真空環境のような大気圧未満のレベルに設定される。
【００１３】
チャンバ１００は、チャンバ１００の要素を作動させてチャンバ１００内で基板１０４を処理する命令セットを有するプログラムコードを含むコントローラ１８０によって制御される。例えば、コントローラ１８０は、基板支持体１８０を作動させ且つ基板を搬送する基板配置命令セットと、ガスフロー制御バルブを作動させてチャンバ１００へのスパッタリングガスフローを設定するガスフロー制御命令セットと、排気スロットルバルブを作動させてチャンバ内の圧力を維持するガス圧制御命令セットと、ガスエナジャイザーを作動させてガス励起電力レベルを設定するエナジャイザー制御命令セットと、温度制御システムを制御してチャンバ１００内の種々の要素の温度を設定する温度制御命令セットと、チャンバ１００内のプロセスをモニターするプロセスモニタリング命令セットと、を含むプログラムコードを含むことができる。
【００１４】
チャンバは、例えば、要素表面からスパッタリング堆積物を洗浄し、侵食された要素を交換するために、又は他のプロセスにチャンバを適応させるためにチャンバ１００から容易に取り外すことができる種々の要素を備えたプロセスキット２００を備えている。一変形例においては、プロセスキット２００は、基板の張り出しているエッジ２０６の前で終わる基板支持体１３０を周辺壁２０４付近に配置するためのリングアセンブリ２０２を備えている。リングアセンブリ２０２は、支持体１３０の周辺壁２０４上又は基板１０４の張り出しているエッジ２０６上のスパッタリング堆積物の形成を減少させるために相互に共同する堆積リング２０８とカバーリング２１２を備えている。
【００１５】
堆積リング２０８は、図２及び図３に示されるように支持体１３０の周囲壁２０４の周りに伸長し包囲する環状バンド２１６を備える。環状バンド２１６はバンドから横に伸長した内部リップ２１８を備え、支持体１３０の周囲壁２０４にほぼ平行である。内部リップ２１８は基板１０４の張り出しているエッジ２０６の直下で終わる。内部リップ２１８は、処理中に基板１０４によって覆われない支持体１３０の領域を保護するために基板１０４と支持体１３０の周囲を囲む堆積リング２０８の内周を画成する。例えば、内部リップ２１８は支持体１３０の周囲壁２０４を囲み、少なくとも部分的に覆い、さもなければ周囲壁２０４上へスパッタリング堆積物の堆積を減少させ又は完全に除外する処理環境に晒される。有利なことに、堆積リング２０８は、晒されたリング表面からスパッタリング堆積物を洗浄するために容易に取り除くことができるので、支持体１３０は洗浄されるように解体されない。堆積リング２０８は、励起されたプラズマ化学種による侵食を減少させるために支持体１３０の露出した側面を保護するように役立つことができる。堆積リング２０８は、典型的にはステンレス鋼又はアルミニウムのような金属から製造され、又は酸化アルミニウムのようなセラミック材料から製造することもできる。
【００１６】
図２及び図３に示される変形例においては、堆積リング２０８の環状バンド２１６はバンド２１６の中央部分に沿って伸長する隆起リッジ２２４を有する。隆起リッジ２２４は、渦巻き形の隙間にプラズマ化学種の透過を減少させるラブリンスとして働く渦巻き形の隙間２２９を形成するためにカバーリング２１２から隔置される平坦な上面２２８を有する。内部開放チャネル２３０は、内部リップ２１８と隆起リッジ２２４間にある。内部開放チャネル２３０は、基板１０４の張り出しているエッジ２０６の下で少なくとも部分的に終わり、内部に向かって放射状に伸長する。内部チャネル２３０は、内部リップ２１８に結合する第１の丸いかど部２３２と隆起リッジ２２４に結合する緩やかに傾斜した面２３４を有する。平滑なかど部２３２と傾斜した面２３４は、堆積リング２０８の洗浄中にこれらの部分からスパッタリング堆積物の除去を容易にする。堆積リング２０８は、また、隆起リッジ２２４の放射状に外向きのレッジ２３６を有し、カバーリング２１２を支持するために働く。更に、Ｕ型チャネル２３７が隆起リッジ２２４とレッジ２３６との間に設けられて、それらの間に渦巻き形の通路を形成し、通路を通るプラズマ化学種又はガス状化学種の流れを更に防止し、それにより通路の放射状に外向きの領域にプロセス堆積物の堆積を減少させる。従って、堆積リングの輪郭とプロファイルがこれらの領域を通ってプロセス堆積物の通過を減少させる形状となる。従来技術の設計と違い、チャンバへの搬送中にチャンバに基板を正確に配置することにより、基板１０４がすべるか又はチャンバ１００内に置き間違えられる場合に、基板１０４を保持するために堆積リング２０８にピンが必要とされない。
【００１７】
リングアセンブリ２０２のカバーリング２１２は、堆積リング２０８を取り囲み、受容するために少なくとも一部を覆っている。つまり大部分のスパッタリング堆積物から堆積リング２０８を保護している。カバーリング２１２はスパッタリングプラズマによる侵食に耐え得る材料、例えば、ステンレス鋼、チタン又はアルミニウムのような金属性材料、又は酸化アルミニウムのようなセラミック材料から製造される。一変形例においては、カバーリング２１２はチタンから製造される。カバーリング２１２は、カバーリング２１２を支持するために堆積リング２０８のレッジ２３６上に置かれるフーチング２４６を有する管状ウェッジ２４４を備える。フーチング２４６は、実質的にリング２０８を亀裂させずに又は破壊せずに堆積リング２０８を押圧するようにウェッジ２４４から下向きに伸長する。
【００１８】
カバーリング２１２の管状ウェッジ２４４は、スパッタリングプラズマをターゲットと支持体１３０との間のプロセスゾーン内に有するための境界として役立つ傾斜面２４８を有する。傾斜面２４８は、スパッタリング堆積物が堆積し容易に除去することができる平滑で連続的な表面を与える。一変形例においては、傾斜面２４８は、基板１０４の処理面によって形成された平坦な面に垂直である軸に相対する角度で傾斜する。一変形例においては、角度は少なくとも約６０°であり、約６５°〜約８５°、又は約８０°さえもあり得る。カバーリング２１２の傾斜面の角度は、基板１０４の張り出しているエッジ２０６に最も近い位置でのスパッタ堆積物の蓄積を最小限にするよう設計され、さもなければ基板１０４全体に得られる堆積均一性に負に影響する。
【００１９】
ウェッジ２４４は、堆積リング２０８の内部チャネル２３０の上に横たわる突出ブリム２５２に向かってテーパが付けられている。突出ブリム２５２は円形のエッジ２５６で終わり、平坦な底面２６０を有する。突出ブリム２５２は、堆積リング２０８の内部開放チャンネルへのスパッタリング堆積物の堆積を減少させる。有利なことに、突出ブリム２５２は、堆積リング２０８の内部開放チャネルの幅の少なくとも約半分に相当する距離が突出している。例えば、内部チャネル２３０の幅が少なくとも約１２ｍｍである場合には、突出ブリム２５２の幅は少なくとも約６ｍｍである。突出ブリム２５２は、堆積リング２０８の内部開放チャネル２３０の上に突出して、堆積リング２０８の内部開放チャネル２３０の一部を覆う基板の周囲エッジ２０６近くに達する。更に、突出ブリム２５２は、堆積リング２０８の下にある表面２３４の輪郭に適合しなぞったプロファイルを有する外部形状をもつ隆起リッジ２５３を有する。このように形成され且つ密接に適合する輪郭の特徴部は、基板の張り出し周囲エッジ２０６上のスパッタリング堆積物の堆積を阻止し、支持体１３０の包囲壁２０４上の堆積を減少させる。また、ガス状プラズマ化学種の流れと周辺エッジ２０４の上のスパッタした堆積物を阻止することにより、堆積物をチャネル２３０の表面に生じさせる。従って、突出ブリム２５２の輪郭は、堆積リング２０８の内部開放チャネル２３０と共同し相補するサイズ、形状、位置にあり、周辺エッジ２０４にプロセス堆積物の流れを阻止するためにカバーリング２１２と堆積リング２０８の間に渦巻き形の狭窄した流路を形成する。狭窄した流路も、堆積リング２０８とカバーリング２１２のかみ合っている表面上に低エネルギーのスパッタ堆積物の蓄積を制限し、さもなければ相互に又は基板１０４の張り出し周囲エッジ２０６に付着させる。基板張り出しエッジ２０６の下に伸長する堆積リング２０８の内部開放チャネル２３０は、二つのリング２０８、２１２の番になる面上のスパッタ堆積を減少又はほぼ除外しつつ、例えば、アルミニウムスパッタチャンバ１００に最小３９００μｍのアルミニウムスパッタ堆積物を集めるようにカバーリング２０８の突出ブリム２５２から保護するとともに設計される。
【００２０】
カバーリング２１２は、また、管状ウェッジ２４４から下向きに伸長する一対の円筒状壁２６０を有する。円筒状壁２６０は、ウェッジ２４４のフーチング２４６の放射状に外向きに位置する。円筒状壁２６０は、内壁２６０ａと外壁２６０ｂを備え、内壁２６０ａは外壁２６０ｂよりわずかに高い。内壁２６０ａの放射状の内面２６２は、堆積リング２０８の放射状の外面２６４の傾斜角度に適合してプラズマ化学種の移動と囲まれた領域へのグロー放電を妨害する他の渦巻き形の通路２６６を形成するように勾配がつけられる。典型的には、外壁２６０ａの高さは内壁２６０ｂの高さの少なくとも約１.２倍である。例えば、内径が約１５４ｍｍのカバーリング２１２の場合、外壁１６０ａの高さは約２５ｍｍからであり、内壁２６０ｂの高さは約１９ｍｍからである。
【００２１】
他の変形例においては、プロセスキット２００は、また、図３-図６に示されるように、チャンバ１００内の基板支持体１３０周囲で堆積リング２０８を保持するために用いられるアンチリフトブラケット２７０も含む。アンチリフトブラケット２７０は、堆積リング２０８と支持体１３０の追加の構造上の特徴部と共同する。例えば、堆積リング２０８は、２つの凹部の周囲ポケット２７４を備え、固定しているポスト２７８は、片側が図５に示されている両側上の一対のアンチリフトブラケット２７０を受容するポケット２７４から外に伸びている。対のポケットは、支持体１３０全体に相互に全く反対に位置している。この変形例においては、抑制梁２８０は、図４Ａと４Ｂに示されるようにアンチリフトブラケット２７０に固定するために支持体１３０の背面２７６上にも取り付けられる。抑制梁２８０は、支持体１３０の背面２７６において管状リング２８４の放射状に外向きに伸長する２つの対向する平坦なプロング２８２ａ、ｂを備えている。２つの対向するフラットプロング２８２ａ、ｂは、管状リング２８４と結合される垂直アーム２８６ａ、ｂ上に取り付けられる。管状リング２８４は、支持体１３０の裏側の凹部２８７に適合する形と大きさをしている。
【００２２】
アンチリフトブラケット２７０は、図５と図６に示されるように抑制梁２８０のプロング端２８２ａを受容するスルーチャネル２９４を備えるブロック２９０を備えている。スルーチャネル２９４は、抑制梁２８０のプロング２８２ａより大きい長円形に成形されたスロット２９６を備えている。ブロック２９０に取り付けられた保持フープ２９８は、堆積リング２０８の凹部のポケット２７４における固定ポスト２７８に上にすべる大きさをしている。組立ての間、アンチリフトブラケット２７０は堆積リング２０８の外周と並行になり、スルーチャネル２９４のスロット２９６は矢印２８３によって示される抑制梁２８０のプロング２８２上にすべるので、保持フープ２９８のアクセスホール２９９は図５に示されるように固定ポスト２７８の真上にある。その後、アンチリフトブラケット２７４が矢印２８５で示されるように下げられるので、保持フープ２９８が下がり、固定ポスト２７８を取り囲み、図６に示されるようにブラケット２７０のブロック２９０の質量を堆積リング２０８を安定に維持させることができる。アンチリフトブラケット２７０は、堆積リング２０８が上向きに引かれる場合、例えば、堆積リングが基板１０４に付着される場合にのみ抑制梁３８０に契合する。この設計は、通常の使用においてセラミック堆積リング２０８とカバーリング２１２についての熱的及び機械的なひずみを最小限にする。
【００２３】
チャンバ１００内の基板支持体１３０の周囲に堆積リング２０８を保持するために用いられるアンチリフトブラケット２７０を備えるアセンブリの他の変形例を図７及び図８に示す。この変形例においては、アンチリフトブラケット２７０は、セラミック絶縁体４００に取り付けられ、その後、抑制梁２８０の平坦なプロング２８２ａ、ｂに結合する。アンチリフトブラケット２７０はセラミック絶縁体４００のブロック４０４の外側に伸長するレッジ４０２に滑る。セラミック絶縁体４００は、支持体１３０と堆積リング２８０との間の電気的な通路に絶縁材を設けることによって他の要素から抑制梁２８０を電気的に絶縁させるように働く。堆積リング２０８が金属から製造される場合、電気的な通路を中断することにより、これら二つの構造間の電気的な干渉を減少させるように働く。セラミック絶縁体４００のブロック４０４は抑制梁２８０を置くための凹部面４０８を有する。ブロック４０４におけるスルーホール４１０は、抑制梁２８０のプロング２８２ａの直面し平行な伸長部４２０ａ、ｂにおいてセラミック絶縁体４００をマッチングホール４１８ａ、ｂに接続するピン４１４を設ける。ピン４１４は、プロング２８２ａの平行な伸長部４２０ａ、ｂの表面に対して置かれるスルーホールと平坦なエッジを通過する２つの直径の小さいポスト４１８ａ、ｂを有する。ピン４１４は、ステンレス鋼のような金属から製造可能である。セラミック絶縁体のレッジ４０２はブロック４０４から放射状に外向きに伸長し、アンチリフトブラケット２７０の受容する表面４３０に対する止め具として働く突出部４２４を有する。セラミック絶縁体４００は、典型的には、酸化アルミニウムのようなセラミックから機械加工される。１つのセラミック構造が記載されが、他のセラミック構造ブロックも抑制梁２８０とアンチリフトブラケット２７０間の通路にも配置されて、それら境界面において梁２８０と基板支持体１３０間に配置されるセラミックブロック（図示せず）のような構造と更に分離させることができることも留意すべきである。
【００２４】
プロセスキット２００は、また、基板支持体１３０、基板支持体１３０の外周、チャンバ１００の側壁１１６のシャドーと直面するスパッタリングターゲットのスパッタリング表面を取り囲む円柱状のユニタリ（unitary）シールド１５０を含む。シールド１５０は、支持体１３０、チャンバ１００の側壁１１６と、底面壁１２０の表面上にスパッタリングターゲット１４０のスパッタリング表面に由来するスパッタリング堆積物の堆積を減少させるように働く。シールド１５０は、スパッタリングターゲット１４０と基板支持体１３０のスパッタリング表面１４２を取り囲む大きさの直径を有する円筒状の外部バンドを備える。外部バンド３１４は上端３１６と下端３１８を有する。上端３１６はスパッタリングターゲット１４０の傾斜した周辺面３２２に隣接した放射状に外向きにテーパがつけられた表面３２０を有する。シールド１５０は、更に、基板支持体１３０の周囲エッジ２０４を少なくとも部分的に囲む円柱状の内部バンド３２８を結合するために外部バンド３１４の下端３１８から放射状に内向きに伸長したベース面３２４を備えている。内部バンド３２８は、外部バンド３１４より小さい高さを有する。例えば、内部バンド３２８の高さは外部バンド３１４の高さより０.８倍だけ小さい。内部バンドと外部バンド３２８、３１４のそれぞれと、カバーリング２１２の外壁２６０ｂと内壁２６０ａとの間の隙間は、この領域へのプラズマ化学種の進入を阻止及び妨害するように働く。
【００２５】
ユニタリシールド１５０の外部バンド３１４、ベース面３２４、内部バンド３２８は、単一部分であるユニタリモノリス構造を含む。例えば、シールド１５０全体は３００シリーズのステンレス鋼から製造することができる。このことは、完全なシールドをつくるために複数の要素、しばしば２つ又は３つの分かれた部分品を含み、洗浄のためにシールドを取り除くより困難で骨の折れるものにする従来技術のシールドより有利である。また、単一部分シールド１５０は、洗浄するのがより困難である境界面又はかど部のない、スパッタリング堆積物に晒された連続した表面３３０を有する。また、単一部分シールド１５０は、定期的なメンテナンスの間の加熱とプラズマが１つ又は複数のシールドを加熱している場合のプロセス中の冷却の双方に対して、複数のシールドより熱的に均一である。単一部分シールド１５０は、熱交換器３３０に対して唯一の境界面を有する。単一部分シールド１５０は、また、プロセスサイクルの間、スパッタ堆積からチャンバ壁１０８を保護する。シールド１５０は、また、ターゲット１４０とチャンバ１００間のアーク放電を防止しつつ、プラズマ形成を援助する“ダークスペース”と呼ばれるターゲット１４０の領域の輪郭をした隙間を生じる。
【００２６】
シールド１５０を冷却して熱膨張応力を減少させるために熱交換器３３０を用いた。シールド１５０の部分は、基板プロセスチャンバ内に形成されるプラズマに晒すことによって過度に加熱することができる。シールド１５０の過度の加熱によって、シールドから剥がれて落ちるとともに基板１０４を汚染するシールド上に形成されるスパッタリング堆積物を引き起こす熱膨張が生じる。熱交換器３３０は、ステンレス鋼のような金属から作られたプレート３３２を備えている。プレート３３２は、図９に示されるように、円筒状シールド１５０の周りと適合する大きさの円形アパーチャ３３６を備えた内周３３４と、六角形の側面３４０を備えた外周３３８を有する。
【００２７】
熱交換器３３０は、それを通って流体源（図示せず）から熱交換流体を流してプレート３３０を冷却する多角形コンジット３３４を有する。多角形コンジット３３４は、円形アパーチャ３３６の周りに多角形のパターンで相互接続される複数の脚３４４を備えている。脚３４４ａ-ｈは、プレート３３２の外周の六角形の側面３４０から開始する鋭角で各々ドリルで穴があけられ、鋭角は約２０°〜約４５°である。コンジット３３４は、また、境界面をシールするためにプレート３４５ａ-ｃにおける溝３４９ａ-ｃの楕円形Ｏ-リング３４７ａ-ｃを有するカバープレート３４５ａ-ｃにより各々覆われるチャネル３４２ａ-ｃを備えている。多角形コンジット３３４は、熱交換流体を受容し且つ送り出す入口３４６と出口３４８を有する。入口と出口３４６、３４８は、マニホールド３５０に送り込むチャネル３５２ａ、ｂを備えている。
【００２８】
熱交換流体はシールド１５０との熱を交換し且つ温度を制御するために多角形コンジット３３０を通って流れる。適切な熱交換流体は、例えば、水であってもよい。シールド１５０の温度を制御することにより、プラズマ環境におけるシールドの膨張が減少し、シールドからスパッタリング堆積物の剥離が制限される。シールド１５０を熱交換器３３０に留めることにより、シールドと熱交換プレートとの間の熱伝導が良好になる。シールド１５０はファスナ３５８によって熱交換器に留められ、この変形例においては、シールドは実質的にそこを通って伸長するほぼ垂直な開口部３６２を有するレッジ３６０を備えている。ファスナ３５８は、シールド１５０を熱交換器３３０に留めるためにレッジ３６０の開口部３６２を通過する形と大きさである。有利なことに、シールド１５０も保持しつつ、熱交換器３３０はソースコイル１５３とターゲット１４０をチャンバ１００に組込ませる。水冷却もプロセス中の単一部分シールド１５０の熱的安定性を大きくする。
【００２９】
スパッタリングターゲット１４０は、高強度アルミニウム合金から製造され、スパッタリング表面１４２を備えるスパッタリングプレート２７４を支持する、バッキングプレート３７０を備える。ターゲット１４０のバッキングプレート３７０は、典型的には、酸化アルミニウムのようなセラミック材料から製造されたリングである絶縁体１４４によりチャンバ１００から分離され、電気的に絶縁される。スパッタリングプレート３７４は、基板１０４上にスパッタされる高純度のスパッタリング材料、例えば、アルミニウム、タンタル、チタン、典型的には９９.９９％又はそれ以上の純度の他のそのような金属から構成される。スパッタリングプレート３７４は、シールド１５０の傾斜面３２０に隣接した傾斜エッジ３２２を有する周囲を備え、他のプラズマを遅らせる渦巻き形の迷路として役立つその間の隙間３８０を画成する。
【００３０】
一変形例においては、ターゲット１４０のバックプレートは、スパッタリングプレート３７４の半径を超えて伸長する周囲レッジ３９０を備えている。周囲レッジ３９０は絶縁体１４４上に置くことによりターゲット４０を支持し、絶縁体１４４又はチャンバ側壁１１６に留めることができる。周囲レッジ３９０はスパッタリングプレート３７４の傾斜したエッジ３２２を超えて伸長し、チャンバ１００内の絶縁体３４４上に置く外部フーチング部分３９２を備えている。周囲レッジ３９０は、絶縁体１４４とシールド１５０上のスパッタリング堆積物の堆積を減少させる形と大きさである内部バンプ３９４を備えている。前の溝３９６と組み合わせたバンプ３９４は、プラズマ形成とチャンバ壁１０８、絶縁体１４４、熱交換器３３０の望ましくない領域上へのスパッタリングプロセス堆積物の堆積を減少させる。バンプ３９４は、ターゲット１４０と絶縁体１４４間の隙間を通るプラズマとスパッタ化学種のフロー又はマイグレーションを阻止する形であり、大きさがあり、配置されている。特に、バンプ３９４はターゲットと絶縁体間の隙間に低い角度でスパッタされた堆積物の透過を妨害する。バンプ３９４は、約１.５〜約２ｍｍの高さをもつ湾曲した断面を含む。
【００３１】
プロセスキット２００とターゲット１４０の種々の要素は、洗浄のためにプロセスキットを取り除かずにチャンバ内でプロセスキットを用いることができるプロセスサイクルの数とプロセスオンタイムをかなり増加させる。このことは、洗浄が困難である基板の周りの要素上に形成されるスパッタリング堆積物の量を減少させることにより達成される。プロセスキット２００とターゲット１４０の要素は、シールド１５０の上端３１６付近とターゲット１４０付近にあるダークスペース領域における温度を低下させることによって、スパッタリング領域１０６の電力と圧力の増大がより高い堆積スループットを生じることを可能にするように設計される。また、熱交換器３３０を用いてシールド１５０の熱均一性を改善する。更に、プロセスキット２００が交換されなければならない前、それ故、メンテナンスサイクルが行われる前に少なくとも８５％以上のアルミニウムをチャンバ１００に堆積させることが可能であるように設計される。このことは、チャンバの稼動の著しい改善であり、プロセススループットも高める。
【００３２】
図１０は、基板１０４と支持体１３０からの距離の関数として、堆積リング２０８とカバーリング２１２上に形成される堆積物の厚さを示したアルミニウムスパッタ堆積におけるプロセスキットの一定の比率で縮尺した形について得られたモデリング結果のグラフである。モデリングプログラムはＰＶＤＰｒｏＴＭプログラムであり、堆積される金属の種類と、ターゲットや他のチャンバ要素の形のパラメータを用いた。モデルによって、カバーリング２１２と堆積リング２０８の特徴部と位置の幾つかの異なる構成の比較が可能になった。これにより、堆積リング２０８における、また、カバーリング２１２のエッジ２５２が見えるラインにおける溝２３０の表面上のアルミニウム堆積物の蓄積が最小限に最適化させることができる。モデリングの精度は、本明細書に示された設計を得るために、プロトタイプハードウェアの試運転、また、既知の性能の形をモデリングすることにより求めた。チャンバ要素と、その間の空間と隙間の形状と設計構成を変えることにより、要素の表面上の堆積物質の厚さがかなり変化したことが分かる。更に、堆積リング上の堆積量の増加率は、ｘ軸の０.５〜１.５のグラフの直線部分の同じ角度によって示されるように、基板中心からの距離の増加に対してほぼ同じに維持される。異なる構成の賞味の堆積量の縦の変化があるが、曲線の形は実質的に同じままである。
【００３３】
本発明はその特定の好適変形例によって記載してきたが、他の変形例も可能である。例えば、プロセスキット２００及びリングアセンブリ２０２は、例えば、エッチング、ＣＶＤ、エッチングチャンバの、当業者に明らかであるように、例えば、他の種類の適用に使用し得る。堆積リング２０８、カバーリング２１２、シールド１５０、アンチリフトブラケット２７０の他の形状と構成も使用できる。それ故、添えられた特許請求の範囲は、本明細書に含まれる好適変形例の記載に限定すべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、プロセスキットの実施形態を有する基板処理チャンバの概略側断面図である。
【図２】図２は、図１に示されるプロセスキットの側断面図である。
【図３】図３は、図２のプロセスキットの斜視図である；
【図４Ａ】図４Ａは、アンチリフトブラケットの保持ブラケットの斜視図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、アンチリフトブラケットの配置された保持ブラケットを示した支持体の裏面の斜視図である。
【図５】図５は、基板支持体を囲む堆積リング上の凹部のポケットの固定ポストにすべらせるアンチリフトブラケットの斜視図である。
【図６】図６は、基板支持体の周りにある堆積リングの固定ポストに取り付けた後のアンチリフトブラケットの斜視図である。
【図７】図７は、アセンブリを固定するピンとともに抑制梁のプロングに結合するセラミック絶縁体にすべらせるアンチリフトブラケットの組立斜視図である。
【図８】図８は、基板支持体１３０に組み立てられたアンチブラケット、セラミック絶縁体、ピン、抑制梁の斜視図である；
【図９】図９は、その中の多角形コンジットを示した熱交換器の平面図である；
【図１０】図１０は、基板及び支持体からの距離の関数として要素上に形成される堆積物の厚さを示したプロセスキットの一定の比率で縮尺した形に対して得られたモデルリング結果のグラフである。
【符号の説明】
【００３５】
１００…チャンバ、１０４…基板、１０６…プロセスゾーン、１０８…包囲壁、１１６…側壁、１２４…シーリング、１３０…基板支持体、１３４…支持体、１３８…基板受容面、１４０…スパッタリングターゲット、１４２…スパッタリング表面、１４４…絶縁体、１４８…ターゲット電源、１５０…シールド、１５２…ガスエナジャイザー、１５３…ソースコイル、１６０…ガス分配システム、１６２…ガス源、１６４…コンジット、１６６…ガスフローバルブ、１６８…ガス分配器、１７０…排気口、１７２…排気ポート、１７４…排気コンジット、１７６…スロットルバルブ、１７８…排気ポンプ、１８０…コントローラ、２００…プロセスキット、２０２…リングアセンブリ、２０４…周囲壁、２０６…張り出しているエッジ、２０８…堆積リング、２１２…カバーリング、２１６…環状バンド、２１８…内部リップ、２２４…隆起リッジ、２２８…平坦な上面、２２９…渦巻き形隙間、２３０…内部チャネル、２３４…傾斜面、２３６…レッジ、２４４…環状ウェッジ、２４６…フーチング、２４８…傾斜面、２５２…突出ブリム、２５３…隆起リッジ、２６０…円筒状壁、２６２…内面、２６４…外面、２６６…渦巻き形経路、２７０…アンチリフトブラケット、２７４…凹部周囲ポケット、２７６…背面、２８０…抑制梁、２８２…プロング、２８４…環状リング、２８５…矢印、２８７…凹部、２９０…ブロック、２９８…保持フープ、２９９…アクセスホール、３１４…外部バンド、３１６…上端、３１８…下端、３２２…傾斜周囲壁、３２４…ベースプレート、３２８…内部バンド、３３０…熱交換器、３３２…プレート、３３４…コンジット、３３６…環状アパーチャ、３３８…外周、３４０…六角形の側面、３４５…プレート、３４６…入口、３４７…Ｏリング、３４８…出口、３４９…溝、３５０…マニホールド、３５２…チャネル、３５８…ファスナ、３６０…レッジ、３７０…バッキングプレート、３７４…スパッタリングプレート、３９０…周囲レッジ、３９４…内部バンプ、３９６…溝、４００…セラミック絶縁体、４０４…ブロック、４１０…スルーホール、４１４…ピン、４３０…受容面。
【関連出願の説明】
【０００１】
本出願は、２００５年１０月３１日出願の米国仮特許出願第６０/７３２,３２４号に対する優先権を主張し、この開示内容は本明細書に全体で援用されている。
【背景】
【０００２】
本発明の実施形態は、基板処理チャンバのためのプロセスキット及びターゲットに関する。
【０００３】
半導体やディスプレイのような基板の処理においては、基板がプロセスチャンバ内に配置され、チャンバ内の処理条件が設定されて基板上に物質が堆積又はエッチングされる。典型的なプロセスチャンバは、プロセスゾーンを囲む包囲壁、チャンバにガスを供給するガス供給源、プロセスガスを励起させて基板を処理するエナジャイザー、基板を固定する基板支持体、使用済みガスを除去するとともにチャンバ内のガス圧を維持するガス排気口を含むチャンバ要素を備えている。このようなチャンバには、例えば、ＣＶＤチャンバ、ＰＶＤチャンバ、エッチングチャンバが含まれる。ＰＶＤチャンバにおいては、ターゲットをスパッタしてターゲットに直面した基板上にスパッタされたターゲット材料を堆積させる。スパッタリングプロセスにおいては、不活性ガス又は活性ガスがチャンバに供給され、ターゲットに典型的には電気的にバイアスが掛けられ、基板が浮遊電位に維持され、ターゲットのスパッタリングを引き起こすチャンバ内にプラズマを生成させる。
【０００４】
ＰＶＤチャンバは、内部チャンバ壁又は他の領域上のＰＶＤ堆積物の形成を減少させるように基板支持体を配置させるチャンバ要素を備えるプロセスキットを含むことができる。典型的なＰＶＤチャンバプロセスキットは、例えば、堆積物、カバー及び/又はシャドーリングを含むことができ、その全ては基板の周辺に位置する。リングの種々の構成はスパッタする堆積物を受容するように配置され、さもなければ支持体の側面上又は露出された基板の裏面上に蓄積する。プロセスキットは、また、ＰＶＤスパッタする堆積物を受容する受容面として役立つことによってチャンバの側壁を保護するチャンバシールドとライナを含むことができ、さもなければチャンバの側壁上に堆積する。プロセスキット要素はこれらの表面上にスパッタされる堆積物の蓄積を減少させ、さもなければ、ついには剥離して、基板上に堆積する汚染粒子を形成する。キット要素は、また、励起されたプラズマによる内部チャンバ構造への侵食を減少させる。また、蓄積された堆積物を洗浄するために容易に取り外すことができるように設計できる。例えば、１０００枚の基板のバッチ処理後、プロセスキットは典型的には取り外され、例えば、ＨＦ及びＨＮＯ３のような酸性の溶液で洗浄されて、基板プロセスサイクル中にキット要素上に蓄積されるスパッタされた堆積物を除去する。
【０００５】
チャンバの内壁上に形成されるスパッタリング堆積物の量を減少させるように相互の関係に成形され配置された要素を備えたプロセスキットを有することが望ましい。蓄積される堆積物を減少させることにより、シャットダウンを必要とせずに又は洗浄のためにチャンバを解体せずに、チャンバ内でより多くの基板を連続処理することができる。チャンバが洗浄を必要とする毎に、結果として生じるチャンバの停止時間が基板を処理するコストを増加させる。従って、内部表面を洗浄するためにシャットダウンさせずに、チャンバが基板上で物質をスパッタするように作動させ得る時間を最大にすることが望ましい。
【０００６】
更に、例えば、アルミニウムＰＶＤプロセスのような特定のＰＶＤプロセスにおいて、スパッタされたアルミニウムは種々の堆積物、カバー、基板の周辺に位置の他のリング間の隙間に蓄積し、また、基板の裏面上にも形成する。蓄積したスパッタされた堆積物は、基板を堆積リングに付着させ、基板が支持体から取り出すように試みた場合に、基板損傷の原因となる。基板をリングに付着させるリングの部分上に堆積物を蓄積させずに、基板の裏面と支持の側面上への堆積物を減少させることができるリングを有することが望ましい。基板及び/又は堆積リングに対する損傷を減少させるために、基板が支持体から持ち上げられる場合に、部分的に付着した堆積リングが基板と共に上昇することを防止することが望ましい。
【０００７】
基板を囲むライナとシールドがチャンバ内のスパッタリングプラズマに晒されることにより加熱する場合に、他の問題が生じる。典型的には、シールド及びライナは、これらの要素の温度を許容レベルに下げるためにチャンバ内の低圧環境内で取り囲んているチャンバ要素と十分な量の熱を交換しない。プロセスサイクルが完了した後に要素の熱膨張がシールドとライナ上に形成されるスパッタされた堆積物のピーリング又はスポーリングを生じる熱応力を引き起こすことから、これら要素の過度の加熱は有害である。従って、シールドとライナを基板のプロセスの間、低下させた温度又は低温で維持することが望ましい。
【０００８】
本発明のこれらの特徴、態様、利点は、本発明の例を示す、以下の説明、添付の特許請求の範囲、次の図面に関してより理解される。しかしながら、特徴の各々が一般に、単に具体的な図面に関連してではなく本発明に使用し得ることが理解される、本発明はこれら特徴のあらゆる組み合わせを含んでいる。
【説明】
【０００９】
基板１０４を処理することができる適切なプロセスチャンバ１００の一例を、図１に示す。チャンバ１００は、プロセスゾーン１０６を囲む包囲壁１０８、側壁１１６を含む壁１０８、底面壁１２０及びシーリング１２４を備えている。チャンバ１００は、チャンバ１０６間に基板１０４を搬送するロボットアーム機構により接続された相互接続チャンバのクラスタを有するマルチチャンバプラットフォーム（図示せず）の一部でもよい。図示される変形例においては、プロセスチャンバ１００は物理気相堆積又はＰＶＤチャンバとも呼ばれるスパッタ堆積チャンバを含み、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、銅、タングステン、窒化タングステン、アルミニウムの１つ以上のような物質を基板１０４上にスパッタ堆積させることができる。
【００１０】
チャンバ１００は、ペデスタル１３４を備える基板１０４を支持するための基板支持体１３０を備えている。ペデスタル１３４は処理中に基板１０４を受容し支持する基板受容面１３８を有し、静電チャック又はヒータ、例えば、電気抵抗ヒータ又は熱交換器（図示せず）のようなヒータを含むことができる。動作中、基板１０４はチャンバ１００の側壁１１６における基板装填口（図示せず）を通ってチャンバ１００に導入され、基板支持体１３０上に配置される。支持体１３０は支持リフトベローズにより昇降させることができ及び/又は支持体１３０上に基板１０４が配置されている間、支持体１３０に基板を昇降させるためにリフトフィンガーアセンブリ（図示せず）を用いることができる。ペデスタル１３４は、プラズマ動作中に浮遊電位で維持又は接地させることができる。
【００１１】
チャンバ１００は、更に、基板１０４に直面したスパッタリング表面１４２を備えたスパッタリングターゲット１４０を備え、基板１０４にスパッタすべき物質を含んでいる。ターゲット１４０は、典型的には、誘電物質又は絶縁物質から作られた絶縁体１４４によりチャンバ１００から電気的に絶縁される。ターゲット１４０は、チャンバ要素の壁の前面にあるシールド１５０、及び/又は電気的に浮遊している支持体１３０に相対するターゲット１４０にバイアス電圧を印加するターゲット電源１４８に接続される。ターゲット１４０、シールド１５０、支持体１３０、ターゲット電源１４８に接続される他のチャンバ要素は、スパッタリングガスのプラズマを形成するためのエナジャイザー１５２として作動させる。エナジャイザー１５２は、コイルを通って電流を印加することによってチャンバ１００にプラズマを生成させるために用いられるソースコイル１５３も含むことができる。生成されたプラズマは、基板１０４の表面１４２に物質をスパッタするためにターゲット１４０のスパッタする表面１４２に活発に衝撃させ衝突させる。
【００１２】
ガス分配システム１６０によってチャンバ１００に導入されるスパッタリングガスは、マスフローコントローラのようなガスフロー制御バルブ１６６を有するコンジット１６４を経てガス源１６２からガスを供給して、ガスの設定流量を通過させる。ガスは、所望のプロセスガス組成を形成するように混合され、チャンバ１００内にガス出口を有するガス分配器１６８に送られる。プロセスガスは、アルゴン又はキセノンのような非反応性ガスを含むことができ、ターゲットに活発に衝撃させるとともにターゲットから物質をスパッタさせることができる。プロセスガスは、また、基板１０４上に層を形成するためにスパッタされた物質と反応することができる酸素含有ガス及び窒素含有ガスの１つ以上のような反応性ガスを含むことができる。使用済みプロセスガスと副生成物は、使用済みプロセスガスを受容する排気ポート１７２を含む排気口１７０を通ってチャンバ１００から排気され、チャンバ１００内のガスの圧力を制御するためにスロットルバルブ１７６を有する排気コンジット１７４に使用済みガスを送る。排気コンジット１７４は、１つ以上の排気ポンプ１７８に接続される。典型的には、チャンバ１００内のスパッタリングガスの圧力は、例えば、１ミリトール〜４００ミリトールのガス圧の真空環境のような大気圧未満のレベルに設定される。
【００１３】
チャンバ１００は、チャンバ１００の要素を作動させてチャンバ１００内で基板１０４を処理する命令セットを有するプログラムコードを含むコントローラ１８０によって制御される。例えば、コントローラ１８０は、基板支持体１８０を作動させ且つ基板を搬送する基板配置命令セットと、ガスフロー制御バルブを作動させてチャンバ１００へのスパッタリングガスフローを設定するガスフロー制御命令セットと、排気スロットルバルブを作動させてチャンバ内の圧力を維持するガス圧制御命令セットと、ガスエナジャイザーを作動させてガス励起電力レベルを設定するエナジャイザー制御命令セットと、温度制御システムを制御してチャンバ１００内の種々の要素の温度を設定する温度制御命令セットと、チャンバ１００内のプロセスをモニターするプロセスモニタリング命令セットと、を含むプログラムコードを含むことができる。
【００１４】
チャンバは、例えば、要素表面からスパッタリング堆積物を洗浄し、侵食された要素を交換するために、又は他のプロセスにチャンバを適応させるためにチャンバ１００から容易に取り外すことができる種々の要素を備えたプロセスキット２００を備えている。一変形例においては、プロセスキット２００は、基板の張り出しているエッジ２０６の前で終わる基板支持体１３０を周辺壁２０４付近に配置するためのリングアセンブリ２０２を備えている。リングアセンブリ２０２は、支持体１３０の周辺壁２０４上又は基板１０４の張り出しているエッジ２０６上のスパッタリング堆積物の形成を減少させるために相互に共同する堆積リング２０８とカバーリング２１２を備えている。
【００１５】
堆積リング２０８は、図２及び図３に示されるように支持体１３０の周囲壁２０４の周りに伸長し包囲する環状バンド２１６を備える。環状バンド２１６はバンドから横に伸長した内部リップ２１８を備え、支持体１３０の周囲壁２０４にほぼ平行である。内部リップ２１８は基板１０４の張り出しているエッジ２０６の直下で終わる。内部リップ２１８は、処理中に基板１０４によって覆われない支持体１３０の領域を保護するために基板１０４と支持体１３０の周囲を囲む堆積リング２０８の内周を画成する。例えば、内部リップ２１８は支持体１３０の周囲壁２０４を囲み、少なくとも部分的に覆い、さもなければ周囲壁２０４上へスパッタリング堆積物の堆積を減少させ又は完全に除外する処理環境に晒される。有利なことに、堆積リング２０８は、晒されたリング表面からスパッタリング堆積物を洗浄するために容易に取り除くことができるので、支持体１３０は洗浄されるように解体されない。堆積リング２０８は、励起されたプラズマ化学種による侵食を減少させるために支持体１３０の露出した側面を保護するように役立つことができる。堆積リング２０８は、典型的にはステンレス鋼又はアルミニウムのような金属から製造され、又は酸化アルミニウムのようなセラミック材料から製造することもできる。
【００１６】
図２及び図３に示される変形例においては、堆積リング２０８の環状バンド２１６はバンド２１６の中央部分に沿って伸長する隆起リッジ２２４を有する。隆起リッジ２２４は、渦巻き形の隙間にプラズマ化学種の透過を減少させるラブリンスとして働く渦巻き形の隙間２２９を形成するためにカバーリング２１２から隔置される平坦な上面２２８を有する。内部開放チャネル２３０は、内部リップ２１８と隆起リッジ２２４間にある。内部開放チャネル２３０は、基板１０４の張り出しているエッジ２０６の下で少なくとも部分的に終わり、内部に向かって放射状に伸長する。内部チャネル２３０は、内部リップ２１８に結合する第１の丸いかど部２３２と隆起リッジ２２４に結合する緩やかに傾斜した面２３４を有する。平滑なかど部２３２と傾斜した面２３４は、堆積リング２０８の洗浄中にこれらの部分からスパッタリング堆積物の除去を容易にする。堆積リング２０８は、また、隆起リッジ２２４の放射状に外向きのレッジ２３６を有し、カバーリング２１２を支持するために働く。更に、Ｕ型チャネル２３７が隆起リッジ２２４とレッジ２３６との間に設けられて、それらの間に渦巻き形の通路を形成し、通路を通るプラズマ化学種又はガス状化学種の流れを更に防止し、それにより通路の放射状に外向きの領域にプロセス堆積物の堆積を減少させる。従って、堆積リングの輪郭とプロファイルがこれらの領域を通ってプロセス堆積物の通過を減少させる形状となる。従来技術の設計と違い、チャンバへの搬送中にチャンバに基板を正確に配置することにより、基板１０４がすべるか又はチャンバ１００内に置き間違えられる場合に、基板１０４を保持するために堆積リング２０８にピンが必要とされない。
【００１７】
リングアセンブリ２０２のカバーリング２１２は、堆積リング２０８を取り囲み、受容するために少なくとも一部を覆っている。つまり大部分のスパッタリング堆積物から堆積リング２０８を保護している。カバーリング２１２はスパッタリングプラズマによる侵食に耐え得る材料、例えば、ステンレス鋼、チタン又はアルミニウムのような金属性材料、又は酸化アルミニウムのようなセラミック材料から製造される。一変形例においては、カバーリング２１２はチタンから製造される。カバーリング２１２は、カバーリング２１２を支持するために堆積リング２０８のレッジ２３６上に置かれるフーチング２４６を有する管状ウェッジ２４４を備える。フーチング２４６は、実質的にリング２０８を亀裂させずに又は破壊せずに堆積リング２０８を押圧するようにウェッジ２４４から下向きに伸長する。
【００１８】
カバーリング２１２の管状ウェッジ２４４は、スパッタリングプラズマをターゲットと支持体１３０との間のプロセスゾーン内に有するための境界として役立つ傾斜面２４８を有する。傾斜面２４８は、スパッタリング堆積物が堆積し容易に除去することができる平滑で連続的な表面を与える。一変形例においては、傾斜面２４８は、基板１０４の処理面によって形成された平坦な面に垂直である軸に相対する角度で傾斜する。一変形例においては、角度は少なくとも約６０°であり、約６５°〜約８５°、又は約８０°さえもあり得る。カバーリング２１２の傾斜面の角度は、基板１０４の張り出しているエッジ２０６に最も近い位置でのスパッタ堆積物の蓄積を最小限にするよう設計され、さもなければ基板１０４全体に得られる堆積均一性に負に影響する。
【００１９】
ウェッジ２４４は、堆積リング２０８の内部チャネル２３０の上に横たわる突出ブリム２５２に向かってテーパが付けられている。突出ブリム２５２は円形のエッジ２５６で終わり、平坦な底面２６０を有する。突出ブリム２５２は、堆積リング２０８の内部開放チャンネルへのスパッタリング堆積物の堆積を減少させる。有利なことに、突出ブリム２５２は、堆積リング２０８の内部開放チャネルの幅の少なくとも約半分に相当する距離が突出している。例えば、内部チャネル２３０の幅が少なくとも約１２ｍｍである場合には、突出ブリム２５２の幅は少なくとも約６ｍｍである。突出ブリム２５２は、堆積リング２０８の内部開放チャネル２３０の上に突出して、堆積リング２０８の内部開放チャネル２３０の一部を覆う基板の周囲エッジ２０６近くに達する。更に、突出ブリム２５２は、堆積リング２０８の下にある表面２３４の輪郭に適合しなぞったプロファイルを有する外部形状をもつ隆起リッジ２５３を有する。このように形成され且つ密接に適合する輪郭の特徴部は、基板の張り出し周囲エッジ２０６上のスパッタリング堆積物の堆積を阻止し、支持体１３０の包囲壁２０４上の堆積を減少させる。また、ガス状プラズマ化学種の流れと周辺エッジ２０４の上のスパッタした堆積物を阻止することにより、堆積物をチャネル２３０の表面に生じさせる。従って、突出ブリム２５２の輪郭は、堆積リング２０８の内部開放チャネル２３０と共同し相補するサイズ、形状、位置にあり、周辺エッジ２０４にプロセス堆積物の流れを阻止するためにカバーリング２１２と堆積リング２０８の間に渦巻き形の狭窄した流路を形成する。狭窄した流路も、堆積リング２０８とカバーリング２１２のかみ合っている表面上に低エネルギーのスパッタ堆積物の蓄積を制限し、さもなければ相互に又は基板１０４の張り出し周囲エッジ２０６に付着させる。基板張り出しエッジ２０６の下に伸長する堆積リング２０８の内部開放チャネル２３０は、二つのリング２０８、２１２の番になる面上のスパッタ堆積を減少又はほぼ除外しつつ、例えば、アルミニウムスパッタチャンバ１００に最小３９００μｍのアルミニウムスパッタ堆積物を集めるようにカバーリング２０８の突出ブリム２５２から保護するとともに設計される。
【００２０】
カバーリング２１２は、また、管状ウェッジ２４４から下向きに伸長する一対の円筒状壁２６０を有する。円筒状壁２６０は、ウェッジ２４４のフーチング２４６の放射状に外向きに位置する。円筒状壁２６０は、内壁２６０ａと外壁２６０ｂを備え、内壁２６０ａは外壁２６０ｂよりわずかに高い。内壁２６０ａの放射状の内面２６２は、堆積リング２０８の放射状の外面２６４の傾斜角度に適合してプラズマ化学種の移動と囲まれた領域へのグロー放電を妨害する他の渦巻き形の通路２６６を形成するように勾配がつけられる。典型的には、外壁２６０ａの高さは内壁２６０ｂの高さの少なくとも約１.２倍である。例えば、内径が約１５４ｍｍのカバーリング２１２の場合、外壁１６０ａの高さは約２５ｍｍからであり、内壁２６０ｂの高さは約１９ｍｍからである。
【００２１】
他の変形例においては、プロセスキット２００は、また、図３-図６に示されるように、チャンバ１００内の基板支持体１３０周囲で堆積リング２０８を保持するために用いられるアンチリフトブラケット２７０も含む。アンチリフトブラケット２７０は、堆積リング２０８と支持体１３０の追加の構造上の特徴部と共同する。例えば、堆積リング２０８は、２つの凹部の周囲ポケット２７４を備え、固定しているポスト２７８は、片側が図５に示されている両側上の一対のアンチリフトブラケット２７０を受容するポケット２７４から外に伸びている。対のポケットは、支持体１３０全体に相互に全く反対に位置している。この変形例においては、抑制梁２８０は、図４Ａと４Ｂに示されるようにアンチリフトブラケット２７０に固定するために支持体１３０の背面２７６上にも取り付けられる。抑制梁２８０は、支持体１３０の背面２７６において管状リング２８４の放射状に外向きに伸長する２つの対向する平坦なプロング２８２ａ、ｂを備えている。２つの対向するフラットプロング２８２ａ、ｂは、管状リング２８４と結合される垂直アーム２８６ａ、ｂ上に取り付けられる。管状リング２８４は、支持体１３０の裏側の凹部２８７に適合する形と大きさをしている。
【００２２】
アンチリフトブラケット２７０は、図５と図６に示されるように抑制梁２８０のプロング端２８２ａを受容するスルーチャネル２９４を備えるブロック２９０を備えている。スルーチャネル２９４は、抑制梁２８０のプロング２８２ａより大きい長円形に成形されたスロット２９６を備えている。ブロック２９０に取り付けられた保持フープ２９８は、堆積リング２０８の凹部のポケット２７４における固定ポスト２７８に上にすべる大きさをしている。組立ての間、アンチリフトブラケット２７０は堆積リング２０８の外周と並行になり、スルーチャネル２９４のスロット２９６は矢印２８３によって示される抑制梁２８０のプロング２８２上にすべるので、保持フープ２９８のアクセスホール２９９は図５に示されるように固定ポスト２７８の真上にある。その後、アンチリフトブラケット２７４が矢印２８５で示されるように下げられるので、保持フープ２９８が下がり、固定ポスト２７８を取り囲み、図６に示されるようにブラケット２７０のブロック２９０の質量を堆積リング２０８を安定に維持させることができる。アンチリフトブラケット２７０は、堆積リング２０８が上向きに引かれる場合、例えば、堆積リングが基板１０４に付着される場合にのみ抑制梁３８０に契合する。この設計は、通常の使用においてセラミック堆積リング２０８とカバーリング２１２についての熱的及び機械的なひずみを最小限にする。
【００２３】
チャンバ１００内の基板支持体１３０の周囲に堆積リング２０８を保持するために用いられるアンチリフトブラケット２７０を備えるアセンブリの他の変形例を図７及び図８に示す。この変形例においては、アンチリフトブラケット２７０は、セラミック絶縁体４００に取り付けられ、その後、抑制梁２８０の平坦なプロング２８２ａ、ｂに結合する。アンチリフトブラケット２７０はセラミック絶縁体４００のブロック４０４の外側に伸長するレッジ４０２に滑る。セラミック絶縁体４００は、支持体１３０と堆積リング２８０との間の電気的な通路に絶縁材を設けることによって他の要素から抑制梁２８０を電気的に絶縁させるように働く。堆積リング２０８が金属から製造される場合、電気的な通路を中断することにより、これら二つの構造間の電気的な干渉を減少させるように働く。セラミック絶縁体４００のブロック４０４は抑制梁２８０を置くための凹部面４０８を有する。ブロック４０４におけるスルーホール４１０は、抑制梁２８０のプロング２８２ａの直面し平行な伸長部４２０ａ、ｂにおいてセラミック絶縁体４００をマッチングホール４１８ａ、ｂに接続するピン４１４を設ける。ピン４１４は、プロング２８２ａの平行な伸長部４２０ａ、ｂの表面に対して置かれるスルーホールと平坦なエッジを通過する２つの直径の小さいポスト４１８ａ、ｂを有する。ピン４１４は、ステンレス鋼のような金属から製造可能である。セラミック絶縁体のレッジ４０２はブロック４０４から放射状に外向きに伸長し、アンチリフトブラケット２７０の受容する表面４３０に対する止め具として働く突出部４２４を有する。セラミック絶縁体４００は、典型的には、酸化アルミニウムのようなセラミックから機械加工される。１つのセラミック構造が記載されが、他のセラミック構造ブロックも抑制梁２８０とアンチリフトブラケット２７０間の通路にも配置されて、それら境界面において梁２８０と基板支持体１３０間に配置されるセラミックブロック（図示せず）のような構造と更に分離させることができることも留意すべきである。
【００２４】
プロセスキット２００は、また、基板支持体１３０、基板支持体１３０の外周、チャンバ１００の側壁１１６のシャドーと直面するスパッタリングターゲットのスパッタリング表面を取り囲む円柱状のユニタリ（unitary）シールド１５０を含む。シールド１５０は、支持体１３０、チャンバ１００の側壁１１６と、底面壁１２０の表面上にスパッタリングターゲット１４０のスパッタリング表面に由来するスパッタリング堆積物の堆積を減少させるように働く。シールド１５０は、スパッタリングターゲット１４０と基板支持体１３０のスパッタリング表面１４２を取り囲む大きさの直径を有する円筒状の外部バンドを備える。外部バンド３１４は上端３１６と下端３１８を有する。上端３１６はスパッタリングターゲット１４０の傾斜した周辺面３２２に隣接した放射状に外向きにテーパがつけられた表面３２０を有する。シールド１５０は、更に、基板支持体１３０の周囲エッジ２０４を少なくとも部分的に囲む円柱状の内部バンド３２８を結合するために外部バンド３１４の下端３１８から放射状に内向きに伸長したベース面３２４を備えている。内部バンド３２８は、外部バンド３１４より小さい高さを有する。例えば、内部バンド３２８の高さは外部バンド３１４の高さより０.８倍だけ小さい。内部バンドと外部バンド３２８、３１４のそれぞれと、カバーリング２１２の外壁２６０ｂと内壁２６０ａとの間の隙間は、この領域へのプラズマ化学種の進入を阻止及び妨害するように働く。
【００２５】
ユニタリシールド１５０の外部バンド３１４、ベース面３２４、内部バンド３２８は、単一部分であるユニタリモノリス構造を含む。例えば、シールド１５０全体は３００シリーズのステンレス鋼から製造することができる。このことは、完全なシールドをつくるために複数の要素、しばしば２つ又は３つの分かれた部分品を含み、洗浄のためにシールドを取り除くより困難で骨の折れるものにする従来技術のシールドより有利である。また、単一部分シールド１５０は、洗浄するのがより困難である境界面又はかど部のない、スパッタリング堆積物に晒された連続した表面３３０を有する。また、単一部分シールド１５０は、定期的なメンテナンスの間の加熱とプラズマが１つ又は複数のシールドを加熱している場合のプロセス中の冷却の双方に対して、複数のシールドより熱的に均一である。単一部分シールド１５０は、熱交換器３３０に対して唯一の境界面を有する。単一部分シールド１５０は、また、プロセスサイクルの間、スパッタ堆積からチャンバ壁１０８を保護する。シールド１５０は、また、ターゲット１４０とチャンバ１００間のアーク放電を防止しつつ、プラズマ形成を援助する“ダークスペース”と呼ばれるターゲット１４０の領域の輪郭をした隙間を生じる。
【００２６】
シールド１５０を冷却して熱膨張応力を減少させるために熱交換器３３０を用いた。シールド１５０の部分は、基板プロセスチャンバ内に形成されるプラズマに晒すことによって過度に加熱することができる。シールド１５０の過度の加熱によって、シールドから剥がれて落ちるとともに基板１０４を汚染するシールド上に形成されるスパッタリング堆積物を引き起こす熱膨張が生じる。熱交換器３３０は、ステンレス鋼のような金属から作られたプレート３３２を備えている。プレート３３２は、図９に示されるように、円筒状シールド１５０の周りと適合する大きさの円形アパーチャ３３６を備えた内周３３４と、六角形の側面３４０を備えた外周３３８を有する。
【００２７】
熱交換器３３０は、それを通って流体源（図示せず）から熱交換流体を流してプレート３３０を冷却する多角形コンジット３３４を有する。多角形コンジット３３４は、円形アパーチャ３３６の周りに多角形のパターンで相互接続される複数の脚３４４を備えている。脚３４４ａ-ｈは、プレート３３２の外周の六角形の側面３４０から開始する鋭角で各々ドリルで穴があけられ、鋭角は約２０°〜約４５°である。コンジット３３４は、また、境界面をシールするためにプレート３４５ａ-ｃにおける溝３４９ａ-ｃの楕円形Ｏ-リング３４７ａ-ｃを有するカバープレート３４５ａ-ｃにより各々覆われるチャネル３４２ａ-ｃを備えている。多角形コンジット３３４は、熱交換流体を受容し且つ送り出す入口３４６と出口３４８を有する。入口と出口３４６、３４８は、マニホールド３５０に送り込むチャネル３５２ａ、ｂを備えている。
【００２８】
熱交換流体はシールド１５０との熱を交換し且つ温度を制御するために多角形コンジット３３０を通って流れる。適切な熱交換流体は、例えば、水であってもよい。シールド１５０の温度を制御することにより、プラズマ環境におけるシールドの膨張が減少し、シールドからスパッタリング堆積物の剥離が制限される。シールド１５０を熱交換器３３０に留めることにより、シールドと熱交換プレートとの間の熱伝導が良好になる。シールド１５０はファスナ３５８によって熱交換器に留められ、この変形例においては、シールドは実質的にそこを通って伸長するほぼ垂直な開口部３６２を有するレッジ３６０を備えている。ファスナ３５８は、シールド１５０を熱交換器３３０に留めるためにレッジ３６０の開口部３６２を通過する形と大きさである。有利なことに、シールド１５０も保持しつつ、熱交換器３３０はソースコイル１５３とターゲット１４０をチャンバ１００に組込ませる。水冷却もプロセス中の単一部分シールド１５０の熱的安定性を大きくする。
【００２９】
スパッタリングターゲット１４０は、高強度アルミニウム合金から製造され、スパッタリング表面１４２を備えるスパッタリングプレート２７４を支持する、バッキングプレート３７０を備える。ターゲット１４０のバッキングプレート３７０は、典型的には、酸化アルミニウムのようなセラミック材料から製造されたリングである絶縁体１４４によりチャンバ１００から分離され、電気的に絶縁される。スパッタリングプレート３７４は、基板１０４上にスパッタされる高純度のスパッタリング材料、例えば、アルミニウム、タンタル、チタン、典型的には９９.９９％又はそれ以上の純度の他のそのような金属から構成される。スパッタリングプレート３７４は、シールド１５０の傾斜面３２０に隣接した傾斜エッジ３２２を有する周囲を備え、他のプラズマを遅らせる渦巻き形の迷路として役立つその間の隙間３８０を画成する。
【００３０】
一変形例においては、ターゲット１４０のバックプレートは、スパッタリングプレート３７４の半径を超えて伸長する周囲レッジ３９０を備えている。周囲レッジ３９０は絶縁体１４４上に置くことによりターゲット４０を支持し、絶縁体１４４又はチャンバ側壁１１６に留めることができる。周囲レッジ３９０はスパッタリングプレート３７４の傾斜したエッジ３２２を超えて伸長し、チャンバ１００内の絶縁体３４４上に置く外部フーチング部分３９２を備えている。周囲レッジ３９０は、絶縁体１４４とシールド１５０上のスパッタリング堆積物の堆積を減少させる形と大きさである内部バンプ３９４を備えている。前の溝３９６と組み合わせたバンプ３９４は、プラズマ形成とチャンバ壁１０８、絶縁体１４４、熱交換器３３０の望ましくない領域上へのスパッタリングプロセス堆積物の堆積を減少させる。バンプ３９４は、ターゲット１４０と絶縁体１４４間の隙間を通るプラズマとスパッタ化学種のフロー又はマイグレーションを阻止する形であり、大きさがあり、配置されている。特に、バンプ３９４はターゲットと絶縁体間の隙間に低い角度でスパッタされた堆積物の透過を妨害する。バンプ３９４は、約１.５〜約２ｍｍの高さをもつ湾曲した断面を含む。
【００３１】
プロセスキット２００とターゲット１４０の種々の要素は、洗浄のためにプロセスキットを取り除かずにチャンバ内でプロセスキットを用いることができるプロセスサイクルの数とプロセスオンタイムをかなり増加させる。このことは、洗浄が困難である基板の周りの要素上に形成されるスパッタリング堆積物の量を減少させることにより達成される。プロセスキット２００とターゲット１４０の要素は、シールド１５０の上端３１６付近とターゲット１４０付近にあるダークスペース領域における温度を低下させることによって、スパッタリング領域１０６の電力と圧力の増大がより高い堆積スループットを生じることを可能にするように設計される。また、熱交換器３３０を用いてシールド１５０の熱均一性を改善する。更に、プロセスキット２００が交換されなければならない前、それ故、メンテナンスサイクルが行われる前に少なくとも８５％以上のアルミニウムをチャンバ１００に堆積させることが可能であるように設計される。このことは、チャンバの稼動の著しい改善であり、プロセススループットも高める。
【００３２】
図１０は、基板１０４と支持体１３０からの距離の関数として、堆積リング２０８とカバーリング２１２上に形成される堆積物の厚さを示したアルミニウムスパッタ堆積におけるプロセスキットの一定の比率で縮尺した形について得られたモデリング結果のグラフである。モデリングプログラムはＰＶＤＰｒｏＴＭプログラムであり、堆積される金属の種類と、ターゲットや他のチャンバ要素の形のパラメータを用いた。モデルによって、カバーリング２１２と堆積リング２０８の特徴部と位置の幾つかの異なる構成の比較が可能になった。これにより、堆積リング２０８における、また、カバーリング２１２のエッジ２５２が見えるラインにおける溝２３０の表面上のアルミニウム堆積物の蓄積が最小限に最適化させることができる。モデリングの精度は、本明細書に示された設計を得るために、プロトタイプハードウェアの試運転、また、既知の性能の形をモデリングすることにより求めた。チャンバ要素と、その間の空間と隙間の形状と設計構成を変えることにより、要素の表面上の堆積物質の厚さがかなり変化したことが分かる。更に、堆積リング上の堆積量の増加率は、ｘ軸の０.５〜１.５のグラフの直線部分の同じ角度によって示されるように、基板中心からの距離の増加に対してほぼ同じに維持される。異なる構成の賞味の堆積量の縦の変化があるが、曲線の形は実質的に同じままである。
【００３３】
本発明はその特定の好適変形例によって記載してきたが、他の変形例も可能である。例えば、プロセスキット２００及びリングアセンブリ２０２は、例えば、エッチング、ＣＶＤ、エッチングチャンバの、当業者に明らかであるように、例えば、他の種類の適用に使用し得る。堆積リング２０８、カバーリング２１２、シールド１５０、アンチリフトブラケット２７０の他の形状と構成も使用できる。それ故、添えられた特許請求の範囲は、本明細書に含まれる好適変形例の記載に限定すべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、プロセスキットの実施形態を有する基板処理チャンバの概略側断面図である。
【図２】図２は、図１に示されるプロセスキットの側断面図である。
【図３】図３は、図２のプロセスキットの斜視図である；
【図４Ａ】図４Ａは、アンチリフトブラケットの保持ブラケットの斜視図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、アンチリフトブラケットの配置された保持ブラケットを示した支持体の裏面の斜視図である。
【図５】図５は、基板支持体を囲む堆積リング上の凹部のポケットの固定ポストにすべらせるアンチリフトブラケットの斜視図である。
【図６】図６は、基板支持体の周りにある堆積リングの固定ポストに取り付けた後のアンチリフトブラケットの斜視図である。
【図７】図７は、アセンブリを固定するピンとともに抑制梁のプロングに結合するセラミック絶縁体にすべらせるアンチリフトブラケットの組立斜視図である。
【図８】図８は、基板支持体１３０に組み立てられたアンチブラケット、セラミック絶縁体、ピン、抑制梁の斜視図である；
【図９】図９は、その中の多角形コンジットを示した熱交換器の平面図である；
【図１０】図１０は、基板及び支持体からの距離の関数として要素上に形成される堆積物の厚さを示したプロセスキットの一定の比率で縮尺した形に対して得られたモデルリング結果のグラフである。
【符号の説明】
【００３５】
１００…チャンバ、１０４…基板、１０６…プロセスゾーン、１０８…包囲壁、１１６…側壁、１２４…シーリング、１３０…基板支持体、１３４…支持体、１３８…基板受容面、１４０…スパッタリングターゲット、１４２…スパッタリング表面、１４４…絶縁体、１４８…ターゲット電源、１５０…シールド、１５２…ガスエナジャイザー、１５３…ソースコイル、１６０…ガス分配システム、１６２…ガス源、１６４…コンジット、１６６…ガスフローバルブ、１６８…ガス分配器、１７０…排気口、１７２…排気ポート、１７４…排気コンジット、１７６…スロットルバルブ、１７８…排気ポンプ、１８０…コントローラ、２００…プロセスキット、２０２…リングアセンブリ、２０４…周囲壁、２０６…張り出しているエッジ、２０８…堆積リング、２１２…カバーリング、２１６…環状バンド、２１８…内部リップ、２２４…隆起リッジ、２２８…平坦な上面、２２９…渦巻き形隙間、２３０…内部チャネル、２３４…傾斜面、２３６…レッジ、２４４…環状ウェッジ、２４６…フーチング、２４８…傾斜面、２５２…突出ブリム、２５３…隆起リッジ、２６０…円筒状壁、２６２…内面、２６４…外面、２６６…渦巻き形経路、２７０…アンチリフトブラケット、２７４…凹部周囲ポケット、２７６…背面、２８０…抑制梁、２８２…プロング、２８４…環状リング、２８５…矢印、２８７…凹部、２９０…ブロック、２９８…保持フープ、２９９…アクセスホール、３１４…外部バンド、３１６…上端、３１８…下端、３２２…傾斜周囲壁、３２４…ベースプレート、３２８…内部バンド、３３０…熱交換器、３３２…プレート、３３４…コンジット、３３６…環状アパーチャ、３３８…外周、３４０…六角形の側面、３４５…プレート、３４６…入口、３４７…Ｏリング、３４８…出口、３４９…溝、３５０…マニホールド、３５２…チャネル、３５８…ファスナ、３６０…レッジ、３７０…バッキングプレート、３７４…スパッタリングプレート、３９０…周囲レッジ、３９４…内部バンプ、３９６…溝、４００…セラミック絶縁体、４０４…ブロック、４１０…スルーホール、４１４…ピン、４３０…受容面。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが、
（ａ）該支持体の該周囲壁を囲む環状バンドであって、
（ｉ）該環状バンドから横に伸長し、該支持体の該周囲壁にほぼ並行であり、該基板の該張り出しているエッジの下で終わる内部リップと、
（ｉｉ）隆起リッジと、
（ｉｉｉ）該内部リップと該隆起リッジとの間に、該基板の該張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネルと、
（ｉｖ）該隆起リッジの放射状に外向きのレッジと、
を備えている前記環状バンドを備えている、前記堆積リング。
【請求項２】
該隆起リッジが該バンドの中央部分に沿って伸長し、使用中、カバーリングから隔置されてその間に渦巻き形の隙間を形成する平坦な上面を有する、請求項１記載の堆積リング。
【請求項３】
該内部チャネルが、該内部リップに結合している第１の丸いかど部と該隆起リッジに結合している傾斜面を有する、請求項１記載の堆積リング。
【請求項４】
該隆起リッジと該レッジの間にＵ型チャネルを更に備えている、請求項１記載の堆積リング。
【請求項５】
該環状バンドがステンレス鋼を備えている、請求項１記載の堆積リング。
【請求項６】
隆起リッジと開放内部チャネルを有する堆積リングを少なくとも部分的に覆うためのカバーリングにおいて、該カバーと堆積リングが、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成される基板処理チャンバ内の基板支持体の周りに配置され、該支持体が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該カバーリングが、
（ａ）該堆積リングの隆起リッジ上に置かれているフーチングと、該堆積リングの該開放内部チャネルの上に横たわる突出ブリムにテーパがつけられている傾斜面を備えた環状ウェッジと、
（ｂ）該環状ウェッジから下向きに伸長している１つ以上の円筒状壁と、
を備えている、前記カバーリング。
【請求項７】
該堆積リングの該隆起リッジと該カバーリングの該突出ブリムが、該隙間を通ってプラズマ化学種の進行を妨害する渦巻き形の隙間を画成する、請求項６記載のカバーリング。
【請求項８】
該カバーリングの該環状ウェッジの該傾斜面が、該基板の面に垂直である軸に相対する角度で傾斜し、該角度が少なくとも約６０°である、請求項６記載のカバーリング。
【請求項９】
該カバーリングが、該フーチングの放射状に外向きに位置する一対の円筒状壁を備えている、請求項６記載のカバーリング。
【請求項１０】
該円筒状壁が内壁と外壁を備え、該内壁が該外壁よりわずかに高い、請求項６記載のカバーリング。
【請求項１１】
該カバーリングの該突出ブリムの該傾斜上面が丸いエッジで終わる、請求項６記載のカバーリング。
【請求項１２】
該カバーリングの該突出ブリムが、平坦な底面壁を備えている、請求項１１記載のカバーリング。
【請求項１３】
該突出ブリムが、該丸いエッジの前に隆起リッジを備えている、請求項１１記載のカバーリング。
【請求項１４】
該隆起リッジが、下にある堆積リングの表面の輪郭に適合しなぞったプロファイルを有する外部形状をもつ、請求項１１記載のカバーリング。
【請求項１５】
該カバーリングがチタンを含む、請求項６記載のアセンブリ。
【請求項１６】
基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するためのリングアセンブリにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該支持体が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該リングアセンブリが、
（ａ）該支持体の該周囲壁を囲む環状バンドを備えた堆積リングであって、該環状バンドが、
（ｉ）該環状バンドから横に伸長し、該支持体の該周囲壁にほぼ並行であり、該基板の該張り出しているエッジの下で終わる、内部リップと、
（ｉｉ）隆起リッジと、
（ｉｉｉ）該内部リップと該隆起リッジとの間に、該基板の該張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネルと、
（ｉｖ）該隆起リッジの放射状に外向きのレッジと、
を備えている、前記堆積リングと、
（ｂ）該堆積リングを少なくとも部分的に覆うカバーリングであって、
（ｉ）該堆積リングの該隆起リッジ上に置かれているフーチングと、該堆積リングの該開放内部チャネルの上に横たわる突出ブリムにテーパがつけられている傾斜面を含む、環状ウェジと、
（ｉｉ）該環状ウェッジから下向きに伸長する１つ以上の円筒状壁と、
を備えているカバーリングと、
を備え、それにより、該隆起リッジと該カバーリングが該隙間を通ってプラズマ化学種の進行を妨害する渦巻き形の隙間を画成する、前記リングアセンブリ。
【請求項１７】
基板処理チャンバ内で基板支持体の周囲に堆積リングを保持するための固定アセンブリにおいて、該堆積リングが固定ポストを有する凹部の周囲ポケットを備え、該固定アセンブリが、
（ａ）２つの端を含む抑制梁であって、該基板支持体に取り付けることができる前記抑制梁と、
（ｂ）（ｉ）抑制梁の端を受容するスルーチャネルを備えたブロックと、
（ｉｉ）該ブロックに取り付けられた保持フープであって、該堆積リングの該凹部の周囲ポケットにおける該保持ポストの上をすべる大きさである前記保持フープと、
を備えているアンチリフトブラケットと、
を備え、それにより、使用中、該スルーホールが該抑制梁にすべるので、該保持フープが該固定ポストを取り囲み、該ブロックの質量が該堆積リングを該支持体に安定に固定させることを可能にする、前記固定アセンブリ。
【請求項１８】
該アンチリフトブラケットと該抑制梁間に配置されるセラミック絶縁体を更に備えている、請求項１７記載の固定アセンブリ。
【請求項１９】
該セラミック絶縁体が酸化アルミニウムを含む、請求項１８記載のアセンブリ。
【請求項２０】
基板処理チャンバ内の基板支持体に直面するスパッタリングターゲットのスパッタリング表面を取り囲んで該チャンバの該支持体と側壁上のスパッタリング堆積物の堆積を減少させることができるユニタリシールドにおいて、
（ａ）直径が該スパッタリングターゲットと該基板支持体の該スパッタリング表面を取り囲む大きさである円筒状外部バンドであって、該外部バンドが上端と下端を有し、該上端が該スパッタリングターゲットに隣接して放射状に外向きにテーパがつけられた表面を有する前記外部バンドと、
（ｂ）該外部バンドの該下端から放射状に内向きに伸長するベース面と、
（ｃ）該基板支持体のベースプレートに結合し且つ該周囲エッジを少なくとも部分的に囲んでいる円筒状内部バンドと、
を備えている前記シールド。
【請求項２１】
該外部バンド、ベースプレート、内部バンドが、ユニタリ構造を含む、請求項２１記載のシールド。
【請求項２２】
該内部バンドが、該外部バンドより小さい高さを有する、請求項２１記載のシールド。
【請求項２３】
基板処理チャンバ内で円筒状シールドを冷却するための熱交換器において、
該熱交換器が、
（ａ）円筒状シールドの周りに適合する大きさである円形アパーチャを備えた内周を含むプレートと、
（ｂ）それを通って熱交換流体を流すための該プレートにおける多角形コンジットであって、該円形アパーチャの周りの多角形パターンにおいて相互接続される複数の脚を備え、入口と出口を備えている、前記多角形コンジットと、
を備えている前記熱交換器。
【請求項２４】
該プレートが六角形の側面を含む外周を含み、該脚が該六角形の側面を通って鋭角にドリルで穴があけられている、請求項２３記載の熱交換器。
【請求項２５】
該鋭角が約２０〜約４５°である、請求項２４記載の熱交換器。
【請求項２６】
シールド内に適合し且つ基板処理チャンバ内の絶縁体上に置かれることができるスパッタリングターゲットにおいて、
（ａ）該基板にスパッタすべきスパッタリング材料から構成されるスパッタリングプレートであって、傾斜エッジを備えている前記スパッタリングプレートと、
（ｂ）該スパッタリングプレートを支持するためのバッキングプレートであって、該バッキングプレートが該スパッタリングプレートの該傾斜エッジを超えて伸長する周囲レッジを備え、該周囲レッジが該チャンバ内の該絶縁体上に置かれているフーチングと、該絶縁体とシールド上のスパッタリング堆積物の堆積を減少させる形と大きさである内部バンプを備えている、前記バッキングプレートと、
を備えている前記スパッタリングターゲット。
【請求項２７】
該バンプが、約１.５ｍｍ〜約２ｍｍの高さをもつ湾曲した断面を含む、請求項２６記載のターゲット。
【請求項２８】
該バッキングプレートが、高強度アルミニウム合金を含む、請求項２６記載のターゲット。
【請求項２９】
該スパッタリングプレートが、アルミニウムを含むスパッタリング表面を含む、請求項２６記載のターゲット。
【請求項３０】
基板処理チャンバ内の基板支持体に直面するスパッタリングターゲットのスパッタリング表面の周りに配置して、該チャンバの該支持体と側壁上のスパッタリング堆積物の堆積を減少させるプロセスキットにおいて、該支持体が該基板の張り出しているエッジと抑制梁の下で終わる周囲壁を備え、該プロセスキットが、
（ａ）該支持体を囲む環状バンドを備えている堆積リングであって、該堆積リングが該環状バンドから横に伸長する内部リップであって、該支持体の該周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる前記内部リップと、隆起リッジと、該内部リップと該隆起リッジ間の内部開放チャネルであって、該基板の該張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する前記内部開放チャネルと、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジと、固定ポストを有する凹部の周囲ポケットとを有する、前記堆積リングと、
（ｂ）該堆積リングを少なくとも部分的に覆うカバーリングであって、該堆積リングの該リッジに置かれているフーチングを備え且つ該堆積リングの該開放内部チャネルの上に横たわる突出ブリムにテーパがついている傾斜面を有する環状ウェッジと、該環状ウェッジから下向きに伸長する１つ以上の円筒状壁とを備えている、前記カバーリングと、
（ｃ）該支持体の抑制梁の端を受容するスルーチャネルを備えたブロックと、該堆積リングの該凹部ポケットにおいて該固定ポストの上にすべる大きさである保持フープとを備えるアンチリフトブラケットと、
を備えている、前記プロセスキット。
【請求項３１】
該堆積リングが、該隆起リッジの放射状に外向きにあり且つ該環状バンドから横に伸長している外部リップを更に備えている、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項３２】
該カバーリングの該環状ウェッジの該傾斜面が、垂直から少なくとも約６０°の該基板までの角度で傾斜している、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項３３】
該カバーリングが円筒状の内壁と外壁を備え、該内部壁が該外壁よりわずかに高い、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項３４】
該カバーリングの該突出ブリムの該傾斜上面が丸いエッジで終わり、平坦な底面を有する、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項３５】
該アンチリフトブラケットの該ブロックが、ファスナを受容して該ブロックを該支持体に留める垂直スルーホールを備えている、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項３６】
（ａ）直径が該スパッタリングターゲットの該スパッタリング表面と該基板支持体を取り囲む大きさである円筒状の外部バンドであって、該外部バンドが上端と下端を有し、該上端が該スパッタリングターゲットに隣接した放射状に外向きにテーパがつけられた表面を有する、前記円筒状外部バンドと、
（ｂ）該外部バンドの該下端から放射状に内向きに伸長しているベース面と、
（ｃ）該ベース面に結合し且つ該基板支持体の該周囲エッジを少なくとも部分的に囲んでいる円筒状の内部バンドと、
を備えたユニタリシールドを更に備えている、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項１】
基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが、
（ａ）該支持体の該周囲壁を囲む環状バンドであって、
（ｉ）該環状バンドから横に伸長し、該支持体の該周囲壁にほぼ並行であり、該基板の該張り出しているエッジの下で終わる内部リップと、
（ｉｉ）隆起リッジと、
（ｉｉｉ）該内部リップと該隆起リッジとの間に、該基板の該張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネルと、
（ｉｖ）該隆起リッジの放射状に外向きのレッジと、
を備えている前記環状バンドを備えている、前記堆積リング。
【請求項２】
該隆起リッジが該バンドの中央部分に沿って伸長し、使用中、カバーリングから隔置されてその間に渦巻き形の隙間を形成する平坦な上面を有する、請求項１記載の堆積リング。
【請求項３】
該内部チャネルが、該内部リップに結合している第１の丸いかど部と該隆起リッジに結合している傾斜面を有する、請求項１記載の堆積リング。
【請求項４】
該隆起リッジと該レッジの間にＵ型チャネルを更に備えている、請求項１記載の堆積リング。
【請求項５】
該環状バンドがステンレス鋼を備えている、請求項１記載の堆積リング。
【請求項６】
隆起リッジと開放内部チャネルを有する堆積リングを少なくとも部分的に覆うためのカバーリングにおいて、該カバーと堆積リングが、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成される基板処理チャンバ内の基板支持体の周りに配置され、該支持体が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該カバーリングが、
（ａ）該堆積リングの隆起リッジ上に置かれているフーチングと、該堆積リングの該開放内部チャネルの上に横たわる突出ブリムにテーパがつけられている傾斜面を備えた環状ウェッジと、
（ｂ）該環状ウェッジから下向きに伸長している１つ以上の円筒状壁と、
を備えている、前記カバーリング。
【請求項７】
該堆積リングの該隆起リッジと該カバーリングの該突出ブリムが、該隙間を通ってプラズマ化学種の進行を妨害する渦巻き形の隙間を画成する、請求項６記載のカバーリング。
【請求項８】
該カバーリングの該環状ウェッジの該傾斜面が、該基板の面に垂直である軸に相対する角度で傾斜し、該角度が少なくとも約６０°である、請求項６記載のカバーリング。
【請求項９】
該カバーリングが、該フーチングの放射状に外向きに位置する一対の円筒状壁を備えている、請求項６記載のカバーリング。
【請求項１０】
該円筒状壁が内壁と外壁を備え、該内壁が該外壁よりわずかに高い、請求項６記載のカバーリング。
【請求項１１】
該カバーリングの該突出ブリムの該傾斜上面が丸いエッジで終わる、請求項６記載のカバーリング。
【請求項１２】
該カバーリングの該突出ブリムが、平坦な底面壁を備えている、請求項１１記載のカバーリング。
【請求項１３】
該突出ブリムが、該丸いエッジの前に隆起リッジを備えている、請求項１１記載のカバーリング。
【請求項１４】
該隆起リッジが、下にある堆積リングの表面の輪郭に適合しなぞったプロファイルを有する外部形状をもつ、請求項１１記載のカバーリング。
【請求項１５】
該カバーリングがチタンを含む、請求項６記載のアセンブリ。
【請求項１６】
基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するためのリングアセンブリにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該支持体が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該リングアセンブリが、
（ａ）該支持体の該周囲壁を囲む環状バンドを備えた堆積リングであって、該環状バンドが、
（ｉ）該環状バンドから横に伸長し、該支持体の該周囲壁にほぼ並行であり、該基板の該張り出しているエッジの下で終わる、内部リップと、
（ｉｉ）隆起リッジと、
（ｉｉｉ）該内部リップと該隆起リッジとの間に、該基板の該張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネルと、
（ｉｖ）該隆起リッジの放射状に外向きのレッジと、
を備えている、前記堆積リングと、
（ｂ）該堆積リングを少なくとも部分的に覆うカバーリングであって、
（ｉ）該堆積リングの該隆起リッジ上に置かれているフーチングと、該堆積リングの該開放内部チャネルの上に横たわる突出ブリムにテーパがつけられている傾斜面を含む、環状ウェジと、
（ｉｉ）該環状ウェッジから下向きに伸長する１つ以上の円筒状壁と、
を備えているカバーリングと、
を備え、それにより、該隆起リッジと該カバーリングが該隙間を通ってプラズマ化学種の進行を妨害する渦巻き形の隙間を画成する、前記リングアセンブリ。
【請求項１７】
基板処理チャンバ内で基板支持体の周囲に堆積リングを保持するための固定アセンブリにおいて、該堆積リングが固定ポストを有する凹部の周囲ポケットを備え、該固定アセンブリが、
（ａ）２つの端を含む抑制梁であって、該基板支持体に取り付けることができる前記抑制梁と、
（ｂ）（ｉ）抑制梁の端を受容するスルーチャネルを備えたブロックと、
（ｉｉ）該ブロックに取り付けられた保持フープであって、該堆積リングの該凹部の周囲ポケットにおける該保持ポストの上をすべる大きさである前記保持フープと、
を備えているアンチリフトブラケットと、
を備え、それにより、使用中、該スルーホールが該抑制梁にすべるので、該保持フープが該固定ポストを取り囲み、該ブロックの質量が該堆積リングを該支持体に安定に固定させることを可能にする、前記固定アセンブリ。
【請求項１８】
該アンチリフトブラケットと該抑制梁間に配置されるセラミック絶縁体を更に備えている、請求項１７記載の固定アセンブリ。
【請求項１９】
該セラミック絶縁体が酸化アルミニウムを含む、請求項１８記載のアセンブリ。
【請求項２０】
基板処理チャンバ内の基板支持体に直面するスパッタリングターゲットのスパッタリング表面を取り囲んで該チャンバの該支持体と側壁上のスパッタリング堆積物の堆積を減少させることができるユニタリシールドにおいて、
（ａ）直径が該スパッタリングターゲットと該基板支持体の該スパッタリング表面を取り囲む大きさである円筒状外部バンドであって、該外部バンドが上端と下端を有し、該上端が該スパッタリングターゲットに隣接して放射状に外向きにテーパがつけられた表面を有する前記外部バンドと、
（ｂ）該外部バンドの該下端から放射状に内向きに伸長するベース面と、
（ｃ）該基板支持体のベースプレートに結合し且つ該周囲エッジを少なくとも部分的に囲んでいる円筒状内部バンドと、
を備えている前記シールド。
【請求項２１】
該外部バンド、ベースプレート、内部バンドが、ユニタリ構造を含む、請求項２１記載のシールド。
【請求項２２】
該内部バンドが、該外部バンドより小さい高さを有する、請求項２１記載のシールド。
【請求項２３】
基板処理チャンバ内で円筒状シールドを冷却するための熱交換器において、
該熱交換器が、
（ａ）円筒状シールドの周りに適合する大きさである円形アパーチャを備えた内周を含むプレートと、
（ｂ）それを通って熱交換流体を流すための該プレートにおける多角形コンジットであって、該円形アパーチャの周りの多角形パターンにおいて相互接続される複数の脚を備え、入口と出口を備えている、前記多角形コンジットと、
を備えている前記熱交換器。
【請求項２４】
該プレートが六角形の側面を含む外周を含み、該脚が該六角形の側面を通って鋭角にドリルで穴があけられている、請求項２３記載の熱交換器。
【請求項２５】
該鋭角が約２０〜約４５°である、請求項２４記載の熱交換器。
【請求項２６】
シールド内に適合し且つ基板処理チャンバ内の絶縁体上に置かれることができるスパッタリングターゲットにおいて、
（ａ）該基板にスパッタすべきスパッタリング材料から構成されるスパッタリングプレートであって、傾斜エッジを備えている前記スパッタリングプレートと、
（ｂ）該スパッタリングプレートを支持するためのバッキングプレートであって、該バッキングプレートが該スパッタリングプレートの該傾斜エッジを超えて伸長する周囲レッジを備え、該周囲レッジが該チャンバ内の該絶縁体上に置かれているフーチングと、該絶縁体とシールド上のスパッタリング堆積物の堆積を減少させる形と大きさである内部バンプを備えている、前記バッキングプレートと、
を備えている前記スパッタリングターゲット。
【請求項２７】
該バンプが、約１.５ｍｍ〜約２ｍｍの高さをもつ湾曲した断面を含む、請求項２６記載のターゲット。
【請求項２８】
該バッキングプレートが、高強度アルミニウム合金を含む、請求項２６記載のターゲット。
【請求項２９】
該スパッタリングプレートが、アルミニウムを含むスパッタリング表面を含む、請求項２６記載のターゲット。
【請求項３０】
基板処理チャンバ内の基板支持体に直面するスパッタリングターゲットのスパッタリング表面の周りに配置して、該チャンバの該支持体と側壁上のスパッタリング堆積物の堆積を減少させるプロセスキットにおいて、該支持体が該基板の張り出しているエッジと抑制梁の下で終わる周囲壁を備え、該プロセスキットが、
（ａ）該支持体を囲む環状バンドを備えている堆積リングであって、該堆積リングが該環状バンドから横に伸長する内部リップであって、該支持体の該周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる前記内部リップと、隆起リッジと、該内部リップと該隆起リッジ間の内部開放チャネルであって、該基板の該張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する前記内部開放チャネルと、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジと、固定ポストを有する凹部の周囲ポケットとを有する、前記堆積リングと、
（ｂ）該堆積リングを少なくとも部分的に覆うカバーリングであって、該堆積リングの該リッジに置かれているフーチングを備え且つ該堆積リングの該開放内部チャネルの上に横たわる突出ブリムにテーパがついている傾斜面を有する環状ウェッジと、該環状ウェッジから下向きに伸長する１つ以上の円筒状壁とを備えている、前記カバーリングと、
（ｃ）該支持体の抑制梁の端を受容するスルーチャネルを備えたブロックと、該堆積リングの該凹部ポケットにおいて該固定ポストの上にすべる大きさである保持フープとを備えるアンチリフトブラケットと、
を備えている、前記プロセスキット。
【請求項３１】
該堆積リングが、該隆起リッジの放射状に外向きにあり且つ該環状バンドから横に伸長している外部リップを更に備えている、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項３２】
該カバーリングの該環状ウェッジの該傾斜面が、垂直から少なくとも約６０°の該基板までの角度で傾斜している、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項３３】
該カバーリングが円筒状の内壁と外壁を備え、該内部壁が該外壁よりわずかに高い、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項３４】
該カバーリングの該突出ブリムの該傾斜上面が丸いエッジで終わり、平坦な底面を有する、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項３５】
該アンチリフトブラケットの該ブロックが、ファスナを受容して該ブロックを該支持体に留める垂直スルーホールを備えている、請求項３０記載のプロセスキット。
【請求項３６】
（ａ）直径が該スパッタリングターゲットの該スパッタリング表面と該基板支持体を取り囲む大きさである円筒状の外部バンドであって、該外部バンドが上端と下端を有し、該上端が該スパッタリングターゲットに隣接した放射状に外向きにテーパがつけられた表面を有する、前記円筒状外部バンドと、
（ｂ）該外部バンドの該下端から放射状に内向きに伸長しているベース面と、
（ｃ）該ベース面に結合し且つ該基板支持体の該周囲エッジを少なくとも部分的に囲んでいる円筒状の内部バンドと、
を備えたユニタリシールドを更に備えている、請求項３０記載のプロセスキット。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００７−１４６２９０（Ｐ２００７−１４６２９０Ａ）
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００６−２９６３７１（Ｐ２００６−２９６３７１）
【出願日】平成１８年１０月３１日（２００６．１０．３１）
【出願人】（３９００４０６６０）アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド (1,346)
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２９６３７１（Ｐ２００６−２９６３７１）
【出願日】平成１８年１０月３１日（２００６．１０．３１）
【出願人】（３９００４０６６０）アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド (1,346)
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【Ｆターム（参考）】
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