スパッタリングのターゲットをスパッタリング装置内において回転可能に支持する単一の直角エンドブロックが開示される。前記エンドブロックは、外部から壁部またはドアの単一の開口部を通して前記スパッタリング装置内のターゲットを駆動し、通電し、回転可能に支持し、および（冷媒および空気に対して）密封するために必要な全ての手段を備えている。前記直角エンドブロックは前記ターゲットが取り付けられる前記壁部と平行の回転軸を中心として前記ターゲットを回転させるように構成されている。好ましくは、前記エンドブロックは容易に前記冷媒を排出できるように、前記ターゲットの下方に配置されている。
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【課題】 成膜室内においてターゲットの位置を容易に変更でき、かつターゲットの支持構造物からの不純物のスパッタアウトを抑制することができる、成膜装置用ターゲットの支持構造を提供する。
【解決手段】 ターゲット固定部材２と、少なくとも表面が絶縁体からなるターゲット固定部材カバー７と、少なくとも表面が絶縁体からなる支持体９と、を備え、ターゲット１がターゲット固定部材２に接合され、ターゲット固定部材２はターゲット１及びターゲット固定部材カバー７によって被覆され、支持体９は、その一端がターゲット固定部材２あるいはターゲット固定部材カバー７に固定されており、他端が成膜装置に固定されている。 （もっと読む）

【課題】 基板全体に広範にバイアス電圧を印加することができるとともに、不純物の発生及び成膜装置用基板台の減耗を防止することができる、成膜装置用基板台、成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 絶縁体で構成され、基板が保持される保持面を有する保持台１と、保持台１の保持面に露出して配置された電極片２と、保持台１内を貫通して、電極片２に接続された導体９と、を備えている。 （もっと読む）

本発明は、円筒形ターゲットと、円筒形ターゲットを揺動させるよう適合されたモータアセンブリと、シールドと、マグネットアセンブリとを含む円筒形揺動シールドターゲットアセンブリに関する。本発明の実施形態はまた、外面が複数の分割された区分を含む円筒形ターゲットを含み、該区分は、ターゲットの周囲に長手方向に配置されて、ターゲットの長手方向にわたって延びる帯状部を形成する。各区分は、ガラスのような基材上に別のコーティングとして施されるよう意図された、銀、チタンまたはニオブのような単一のスパッタリング材料を含む。
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【課題】本発明の目的は、冷却効率が高く、又、薄型で、大面積形状の冷却板とその製造方法及びスパッタリングターゲットとその製造方法を提供するにある。
【解決手段】本発明は、本体内部に冷媒の通路となる溝を有し、該溝が該溝より幅の大きい蓋で覆われており、前記蓋が前記本体に摩擦攪拌接合により接合されており、該接合によって形成された接合ビードが前記通路の外側にあることを特徴とする冷却板にある。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材とのボンディングやＡｌ−Ｎｄ合金薄膜の成膜（スパッタリング成膜）で生じる反りを抑制して、該反りの矯正を省略でき、また反りの発生と矯正の繰り返しに起因するターゲット材−支持体間のロウ材の亀裂・剥離を抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるスパッタリングターゲット材用の支持体を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット材用の支持体であって、該支持体はＡｌ合金からなり、該Ａｌ合金は２５〜１００℃における平均線膨張係数が２３．０×１０^−６／℃以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット材用支持体。 （もっと読む）

【課題】できるだけ薄く構成されている一方で、十分な剛性を有している、冷却されたバックプレートを提供する。
【解決手段】当該バックプレート２，３，４において、当該バックプレートの裏側に向かって開放している少なくとも１つの溝５が、冷却媒体流入部と冷却媒体流出部との間に延びており、溝５が、当該バックプレート２，３，４の外側のフレーム６によって取り囲まれており、フレーム６の内側で、該フレームから離れた少なくとも１つのウェブ７が延びており、該ウェブ７が、２つの溝区分同士を互いに分離しており、溝５の開放している側が、横断面で見て閉じた冷却通路を形成するために、閉鎖シート・バー９によって閉鎖されており、該閉鎖シート・バー９が、フレーム６およびウェブ７に溶接されているようにした。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用の回転ターゲットの冷却システムにおいて、回転軸、マグネットの冷却を効果的に行い、また同時にターゲットの不均一冷却に起因する熱膨張破損を防止する。
【解決手段】ターゲットバッキングチューブ205と、ターゲットバッキングチューブの外面と接触しておりかつ電気伝導性であり非熱伝導性であるバッキング層210と、バッキング層と接触している複数の非接着式ターゲット円筒体215と、を含むターゲットアセンブリ200。 （もっと読む）

本発明は、真空スパッタリングのためのカソードであって、ターゲット（２）のための支持体が、冷却機構を備えている。本発明によるカソードは、支持体が、支持ベース（３）を備え、この支持ベース（３）の上には、フレーム（１１）が重ね合わされ、このフレーム（１１）が、冷却流体の循環のための少なくとも１つのギャップ（１１ａ）を形成することを特徴としている。本発明においては、フレーム（１１）の上には、メンブラン（４）が重ね合わされ、支持ベース（３）とフレーム（１１）とメンブラン（４）とが、それぞれの周縁部において互いに連結されている。
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本発明は、陰極としてのターゲットを有し、陽極をなすハウジングによってターゲットが取り囲まれたアーク蒸着装置に関する。ターゲット材料の均一な蒸着を得るために、ハウジングから複数の第２の導電性ジョイント（８４、８６）が張り出し、該第２の導電性ジョイントは第２の導体（７４）を介して連結され、該第２の導体は幾何学的にターゲット又は第１の導体（７２）の包絡面に相当する包絡面を張る。該第１の導体（７２）は、ターゲットの導電性ジョイント（７６，７８）を連結する。第１及び第２の導体（７２，７４）は電源（８２）の極（８０，８８）と連結されている。
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円筒状マグネトロンは、高電流レベルおよび高電圧レベルで動作することができ、中央部においてだけでなく端部においても自浄式のターゲット管を有している。ターゲット管の端部をスパッタすることによって、実質的に、端部での凝縮物およびこれにともなうアーク放電の集積が取り除かれ、修理の必要性が少なく信頼性が高いマグネトロンおよびより高い一貫性を備えた被覆物を生成するマグネトロンがもたらされる。低スパッタ率の鍔は、ターンアラウンド領域でターゲット管に取り付けられている。
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【課題】永久磁石を回転させる機構を備えても、カソードを冷却する冷却水漏れのないマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、真空チャンバ２内にあって、表面にはターゲット３及び側部にターゲット３をスパッタリングした際に発生する熱を冷やすための冷却水用の給排水口８、９を有し、更に中空内部には回転又は往復運動する支持台１１上に固定された永久磁石１２を有するカソード４と、カソード４の上方にあって、カソード４のターゲット３側と対向するようにした基板を保持するアノード６と、からなるマグネトロンスパッタリング装置１において、支持台１１の永久磁石１２が固定された以外の部分に給水口８から導入されて排水口９側に排水される冷却水の水圧によって支持台１１を永久磁石１２と共に回転又は往復運動させる冷却水受け部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】 真空槽の内部において冷却部材に対し冷媒を導く配管を接続する際に、両者間の接続状態を簡易かつ的確に検知可能な真空処理装置および真空処理装置の検査方法を提供する。
【解決手段】 真空処理装置１００は、真空槽１０の内部空間１０ａを所定圧力未満に減圧した後、制御装置１８によって、第１の開閉手段１５を開いて真空ゲージ１２により検知された圧力値に基づき通流ポート部４３ｉｎ、４３ｏｕｔにおける冷媒配管１３−１、１３−２と冷却部材４４との間の接続状態の正常又は異常を判定するものである。 （もっと読む）

いくつかの実施例においては、本発明は、略円筒形のターゲットと、スパッタリング工程において、ターゲットをその軸を中心として回転させる手段と、ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべくターゲット内に保持されている細長い磁石と、ターゲット内において回転に抗して磁石を支持するフレーム構造と、磁石を同期することなしにターゲット内においてその軸方向に振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進するパワートレインと、を有する基板上にターゲット材料をスパッタリングする際に使用される円筒形の陰極ターゲットアセンブリと、その使用法と、を含んでいる。いくつかの実施例においては、磁石は、ターゲットの回転に応答して振動している。
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【課題】ターゲットから冷却媒体への熱移行が、簡単で効果的なかつ安価な形式で改善され、真空チャンバ内への冷却媒体またはその蒸気の侵入の危険とコーティングプロセスへの不都合な影響とが回避される、コーティングプロセスのためのスパッタ陰極を提供する。
【解決手段】当該スタッパ陰極のための支持構造体が中空体を有しており、該中空体が、真空チャンバの内室に対してガス密に閉鎖されており、前記中空体が、さらに、磁石システムを取り囲んでいる中空室を、真空チャンバの外部に存在する雰囲気に接続しており、冷却媒体通路が、その横断面周囲にわたって閉じた導管として、少なくとも１つの平坦面を備えて形成されており、該平坦面がダイアフラムと熱伝導的に結合されており、かつダイアフラムと、導管の、ダイアフラムとは逆の側の表面とが、前記支持構造体を介して、真空チャンバの外部の雰囲気圧力に晒されているようにした。 （もっと読む）