【課題】化合物薄膜を高い効率で形成する。
【解決手段】真空槽３内の成膜ステージには、ＰＥＴフィルム４上に金属薄膜を形成するスパッタリング装置１０と、酸素イオンを放出するイオン銃１１とが配されている。スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。ＰＥＴフィルム４が連続的に搬送されている間に、スパッタリング装置１０で金属薄膜の形成が行われ、その直後にイオン源１１にからの酸素イオンで金属薄膜が酸化される。 （もっと読む）

【課題】管状カソードを有するスパッタ装置において、基板に対する連続的かつ均一な被覆のために、管状カソードの供給を可撓性を有する案内線要素を介して行う。
【解決手段】電力、冷却液、および他の媒体の管状カソードへの供給は、受容器に巻かれる可撓性を有する線および／またはチューブを介して行われる。管状カソードが振り子運動を終了すると、その線および／またはチューブは受容器上に巻かれるか、または、そこから解される。管状カソードの振り子運動は、管状カソードが第１の方向における第１の角度と、および第１の角度とは異なる後続する第２の方向における第２の角度とに回転されるようにすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】チャンバ要素上や基板の張り出しエッジ上のプロセス堆積物の堆積を減少させるプロセスキットの提供。
【解決手段】基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが該支持体の周囲壁を囲む環状バンド２１６であって、該環状バンドから横に伸長し、該支持体の周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる内部リップ２１８と、隆起リッジ２２４と、内部リップと隆起リッジとの間に、基板の張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネル２３０と、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジ２３６と、を備えている前記環状バンドを備えている防着リングを配置する。 （もっと読む）

【課題】安価で且つ効率良く製作し得る、回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体、それを用いたスパッタリングカソード組立体、及び回転円筒型マグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体Ａは、６面以上の多面筒状支持体１の各外側面１aにバルク状の短冊形ターゲット材料片２をそれぞれ接合して、このターゲット材料片２の外周面を円筒状に加工して構成される。 （もっと読む）

【課題】 回転している回転体に支持された状態でスパッタ処理を受ける被処理物の冷却を、回転体に冷却機構を設けずに実現する真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 真空室と、被処理物の支持部を有し、前記真空室内に回転可能に設けられた回転体と、前記回転体の回転に伴って前記支持部が移動する経路に対向して設けられた少なくとも１つの真空処理源と、前記回転体から離間し対向して設けられた冷却体と、を備えたことを特徴とする真空処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材の冷却効率を向上させることができるとともに、ターゲット材の交換作業をし易くすることができるバッキングプレートを提供する。
【解決手段】 バッキングプレート１６は、ターゲット材１４を固定するとともに、ターゲット材１４を冷却するための底部３１を有する。底部３１は、第１底部３３と、第２底部３４とを有する。第１底部３３の下面３３ａ側には、金属製ハンダを介してターゲット材１４が固定される。第２底部３４は、多孔質状の金属であるポーラス金属によって構成されている。ポーラス金属には、冷却孔３５が形成されており、冷却水２７が入り込むことが可能となっている。詳しくは、冷却水２７は、冷却孔３５の口元である第１冷却孔３５ａにかけて入り込み、これにより、第１冷却孔３５ａにある冷却水２７ａと新しい冷却水２７とを置換することが可能となり、バッキングプレート１６の冷却効率が高められる。 （もっと読む）

【課題】 冷却液体の流路への冷却液体の供給の有無に応じて、シール部材の液体シール状態を変更可能な真空処理装置用の回転シール機構およびこれを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】回転シール機構１０１は、筒状の中空回転軸２５と、筒状のケーシング部材２３と、中空回転軸２５を回転可能な駆動装置３１と、ケーシング部材２３の外部から中空回転軸２５の中空部に亘るように形成された冷却液体の流路と、中空回転軸２５とケーシング部材２３との間に設けられた、冷却液体貯留部Ｓ１と、中空回転軸２５とケーシング部材２３との間に存在する隙間に、冷却液体貯留部Ｓ１を挟むように配設され、冷却液体貯留部Ｓ１をシールする一対の環状のシール部材５０、５１と、流路への冷却液体の供給の有無に応じて、中空回転軸２５の回転の際の、シール部材５０、５１の液体シール状態を変更可能な調整手段と、備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲット及びそのバッキングプレートにシールされた真空排気マグネトロンチャンバを有するスパッタリアクタの真空ポンプシステム及び方法を提供する。
【解決手段】主スパッタチャンバはターゲットの前面に真空シールされており、クライオポンプで排気される。バイパス導管とバルブがマグネトロンチャンバと主チャンバを連結する。マグネトロンチャンバに連結された機械式粗引ポンプは、バイパスバルブを閉鎖し、クライオポンプを開口するに前に、バイパス導管を介して主チャンバを１Ｔｏｒｒより低く減圧し、続いてマグネトロンチャンバを継続して減圧することでターゲットを介した圧力差を低減する。バイパスバルブにわたって連結された圧力差スイッチは、漏れ又は電気的不全により圧力差が許容限度、例えば２０Ｔｏｒｒを超えたら速やかにバイパスバルブを開口する。バイパス導管は通気工程でも使用される。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内の基板の温度を制御するための基板支持アセンブリ及び方法が提供される。
【解決手段】基板支持アセンブリは、ステンレス鋼材料を含む熱伝導体と、熱伝導体の表面上にあり、大きい面積の基板を支持する基板支持表面と、熱伝導体内に埋設された１つ以上の加熱エレメントと、熱伝導体の下に位置する冷却プレートと、冷却プレートの下に位置し、熱伝導体を構造的に支持する、ステンレス鋼材料を含むベース支持構造と、ベース支持構造により支持され、冷却プレートとベース支持構造との間に位置する１つ以上の冷却チャネルとを含む。また本発明の基板支持アセンブリを含むプロセスチャンバが提供される。 （もっと読む）

【課題】主処理チャンバ（１４）と移動するマグネトロン（３０）を収納する真空チャンバ（３２）の両方に封止されるターゲットアセンブリを有する大面積パネルプラズマスパッタリアクタに特に有用なスパッタターゲットアセンブリ（１８、２０）を提供する。
【解決手段】ターゲットタイルが接着されたターゲットアセンブリは、主面に平行にドリルで穴開けされた平行な冷却ホール（６４）を備えた一体型のプレート（６２）を含む。ホールの端部は封止（７４）され、垂直に伸びているスロット（６６、６８、７０、７２）は各々の端部で２つの千鳥状のグループで配列され、バッキングプレートの対向側部において対として冷却ホールの各々の対に機械加工される。４個のマニフォルドチューブ（１０４、１０６）はスロットの４つのグループに封止され、カウンタフローの冷媒経路を提供する。 （もっと読む）

【課題】特許文献１に記載の脈動軽減装置の場合には、メインチャンバーを補助チャンバーの高い位置に配置し、メインチャンバー内で空気が溶け込んで増量した液体を補助チャンバーへオーバーフローさせ、その液分を補助チャンバー内の空気で置換するため、例えば、半導体ウエハ等の被処理体の検査装置のように被処理体を載置体上で冷却する場合には、載置体内を循環させる冷媒がメインチャンバー内で気化し易く、液体の気化容量が液体への空気等の溶解容量を上回り、メインチャンバー内の気体の圧力が上昇し、脈動軽減機能を損なう。
【解決手段】本発明の脈動軽減装置１０は、空間部を残して冷媒を貯留する第１タンク１５Ａと、第１タンク１５Ａにこれより高い位置に配置された状態で接続され且つ第１タンク１５Ａ内に冷媒を補充する補充タンク１５Ｂと、第１タンク１５Ａと補充タンク１５Ｂの空間部とを接続する気体抜き配管１５Ｃとを備えている。 （もっと読む）

【課題】 真空容器の真空状態を解除して行う堆積物除去作業の頻度をより少なくできるハース機構及び成膜装置、並びに該ハース機構に好適に用いられるハンドリング機構を提供する。
【解決手段】 ハース機構２は、成膜材料Ｍａを保持する主ハース２１と、主ハース２１を取り囲む側壁２２ｂ〜２４ｂを有しており主ハース２１の周囲に多重に配置された複数のカバー２２〜２４を有する。カバー２２〜２４は、成膜材料Ｍａの堆積物Ｄによる主ハース２１と補助陽極６との短絡を防止する。また、堆積物Ｄが溜まったカバー２２、２３を順次移動することにより、カバー２２〜２４の全てに堆積物Ｄが溜まるまで真空容器１０の真空状態を維持したまま成膜作業を行えるので、真空容器１０の真空状態を解除して行う堆積物除去作業の頻度をより少なくできる。 （もっと読む）

【課題】局所的な変形が少なく、交換寿命が長いバッキングプレートとして使用できる冷却板を提供する。
【解決手段】本発明のバッキングプレート（冷却板）１は、本体２に形成された溝５を蓋３によって閉塞することにより、冷媒を通す流路６を形成し、蓋３は、溝５の幅より大なる幅を有し、少なくとも一面（図１では内側の面）に凸部４を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却水の温度を調節するチラの作動条件を容易に調節できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置の支持部材に接続されるチラは循環回路３０４と調節器３０２とを有し、循環回路３０４は圧縮器３１０、凝縮器３２０、膨脹器３３０、及び蒸発器３４０を有し、膨脹器３３０は互いに並列に連結された複数の膨脹バルブ３３２を有する。また、循環回路は圧縮された冷媒蒸気を蒸発器３４０に直接供給するように互いに並列に連結された複数の冷媒蒸気ライン３５２を有する。工程進行時に使用される膨脹バルブ３３２及び冷媒蒸気ライン３５２の数または種類は調節器３０２によって調節され、制御器はこれらに対する制御情報を調節器３０２に送る。制御器には複数の設定データが貯蔵され、作業者が処理室で実行される工程に関する情報である工程データを入力すれば、ここに該当する設定データが検索されて調節器３０２に送られる。 （もっと読む）

【課題】幅の広い長尺のフィルムに、複数層の膜を生産性よく、低コストで製造する。
【解決手段】真空槽20中でロール・ツ・ロールでフィルム10をスパッタユニット50と対面領域を通して搬送しつつその上に連続的に成膜するようにした連続スパッタ装置において、スパッタユニット50が、６側面を有しその内の一つを長方形の開口した開口側面とした直方体状の枠体と、該枠体の開口側面に隣接するその長辺側の２側面に対向するように気密に設けられた、ターゲットとこれを冷却するバッキング部とからなるターゲットモジュールを前記開口側面長辺方向に並置した複合ターゲットモジュールと該複合ターゲットモジュールの周囲に設けられたターゲット面に垂直方向の対向モードの磁界を形成する磁界発生手段とからなる一対のターゲット部とを備え、残りの３側面が密閉された箱型スパッタユニットである。 （もっと読む）

比較的幅の広いマグネトロンスパッタカソード電極を実現するために、支持体（２）の真空側に、背面プレート（３）を伴ったスパッタターゲット（４）が配置される。この背面プレートは支持体（２）に対して隙間（１４）を有している。背面プレート（３）は冷却プレートとして構成されている。この冷却プレート内には冷却チャネル（１５）が存在する。この冷却チャネルは給水部（１６）を介して支持体（２）を通って、冷却液体を供給する。ここでこの冷却液体は、帰り管（１７）を介して支持体（２）内を再び流れ出る。雰囲気側には磁石装置（５）が設けられている。
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本発明は、冷却液ディフレクタを有するバッキングプレートを含み、各ディフレクタの少なくとも一部は、非線形である。バッキングプレートから突出する突起は、スパッタリングターゲット内の開口に挿入するように構成されている。本発明は、少なくとも１つの開口を有するターゲットを含み、開口は、ターゲットの背面からターゲット中に延在するファスナーを受ける。本発明は、バッキングプレートから突出し、ターゲット内の開口内に挿入可能な突起を有するターゲットアセンブリを含む。本発明は、ターゲットとバッキングプレートとの間に配置された複数の冷却液ディフレクタを有するターゲットアセンブリを含む。各ディフレクタの部分は、非線形である。本発明は、ターゲットを冷却する方法を含む。冷却液ディフレクタは、ターゲットとバッキングプレートとの間のギャップ内に配置され、冷却液ディフレクタは、それらの長さの少なくとも一部に沿って非線形である。
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【課題】本発明は被処理物である基板に成膜、ドライエッチングなどのプラズマプロセスを行うプラズマプロセス用装置に関し、ステージ冷却機構の小型化及び低コスト化を図ることを課題とする。
【解決手段】プラズマプロセス用装置において、容器の内部に被処理物を載せる導電性のステージ301を設け、このステージ301には直流電圧もしくは高周波を印加できる構造が設けられ、前記冷却媒体を水ベースの液体とし、ステージ301の内部には高熱電導性金属により形成されており前記被処理物を冷却するための冷却媒体流路303を設け、ステージ301と冷却媒体流路303との間にステージ301の熱を冷却媒体に伝えるために熱伝導度が高くステージ301に印加した直流電圧もしくは高周波を前記冷却媒体に伝えないように電気絶縁性が高い高熱伝導率絶縁材料を設け、かつ、チラーを使わずに前記冷却媒体を冷却媒体流路301に供給する。 （もっと読む）

【課題】 装置のサイズを大きくすることなく、膜厚分布及びカバレージ分布を向上させることができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 基板ホルダユニット４は、基板５が載置される基板支持部と、該基板支持部に設けられ、前記基板を加熱するヒータ機構と、前記ヒータ機構を冷却する冷却機構と、前記基板支持部にバイアスを印加するバイアス印加機構と、前記ヒータ機構、前記冷却機構及び前記バイアス印加機構が固定されると共に、前記基板支持部を自転可能に支持する円弧移動ベース６５と、前記基板支持部の自転中心に対して偏心して前記円弧移動ベースから延出し、前記真空容器に回転自在に支持される偏心軸と、該偏心軸を貫通して設けられ、前記基板支持部を自転させる自転機構４０と、前記偏心軸を回転させる円弧運動機構６０とを少なくとも具備することにある。 （もっと読む）

管状マグネトロンスパッタリング装置に用いられるエンドブロックが、開示されている。このようなエンドブロックは、真空の完全な状態と閉冷媒回路を維持しながら、運動、冷媒、および電流をターゲットに回転可能に伝達するものである。従って、このエンドブロックは、駆動手段と、回転電気接触手段と、軸受手段と、多数の回転冷媒シール手段と、多数の真空シール手段とを備えている。本発明のエンドブロックは、ターゲットに沿って最小の軸方向長さを占め、これによって、ディスプレイ塗膜機のような既存の機器における空間節約を可能にしている。この軸方向長さは、上記手段の少なくとも２つを互いに半径方向に取り付けることによって、短縮されることになる。
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