【課題】所要の特性を有する精密な薄膜を低温および／または高速で形成可能であるとともに、小型かつ安価で、簡易かつ省エネ運転が可能で、保守が容易であるスパッタ装置の提供。
【解決手段】間隔をおいて対向配置された一対のターゲット２ａ，２ｂと、ターゲットのそれぞれを支持する一対の電極部材３ａ，３ｂと、ターゲットの間に磁界空間を形成するために電極部材の背面側に配置された一対の磁石６ａ，６ｂと、ターゲットの前面中央に向けて迫出した環状の一対の電極ワッシャ部８１ａ，８１ｂを有する一対のシールド部材８ａ，８ｂと、ターゲットの間の側方に、磁界空間を臨んで配置された基板と、を備え、各ターゲットと各電極ワッシャ部の間に印加される交流電圧Ｖ_１と交流電圧Ｖ_２とが、Ｖ_１＋Ｖ_２＝０［Ｖ］となるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部の温度を正確に調節できる電極部材及びこれを含む基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するための電極部材において、電極板と、前記電極板と熱接触する複数の熱電モジュール（１０）を備える冷却ユニットとを含んで電極部材を構成する。また、電極板は、プラズマが生成される生成空間と対向する前面及び前面と対向する後面を有し、各熱電モジュール（１０）は電極板の後面に配置される。電極板の後面には後面から陥没された設置ホールが形成され、各熱電モジュール（１０）は設置ホールに実装される （もっと読む）

【課題】真空チャンバを大気に曝すことなく、また、ターゲット冷却用の冷却水を飛散させることなく、短時間で磁石の交換、調整が可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット２の冷却機構を内蔵したバッキングプレート４の一面側に取り付けベース１８と側壁２５からなる磁石収納容器を配置し、他面側に真空チャンバ２を配置し、側壁２５とバッキングプレート４とを着脱可能に真空チャンバ２に固定し、さらに、取り付けベース１８は側壁２５に着脱可能に固定し、取り付けベース１８に開閉機構５を取り付ける。 （もっと読む）

【課題】ヒータなどの特別な加熱機構を必要とせず、通常の構造のスパッタリングカソード本体を使用して、液相状態に溶融したスパッタリングターゲットでスパッタリングすることが可能なスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】内部にマグネトロン磁気回路部２と冷媒流路４を設けたスパッタリングカソード本体１を有するスパッタリングカソードであって、スパッタリングカソード本体１のスパッタリングターゲット載置面上にスパッタリングターゲット６を収容する容器部材８を備えている。容器部材８の熱伝導率は１００ｗ／ｍ・Ｋ以下であって、スパッタリングカソード本体１に印加される電位によりスパッタリングターゲット６を溶融させ、液相状態のスパッタリングターゲット６で成膜する。 （もっと読む）

上部に固体ターゲットシリンダを受け入れるようにされた、スパッタリング装置のための回転可能なターゲットベース装置を提供し、この回転可能なターゲットベース装置は、側面（３）と、中間部（１２）と、第１の端部領域（７）と、第１の端部領域に対向する第２の端部領域（９）とを有するターゲットベースシリンダ（４）を含み、第１及び第２の端部領域の少なくとも一方は、実質的に中間部の外径以下の最大外径を有する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜用の基板等の運動を適切に制御できるパラレルリンク機構およびパラレルリンク機構を備えた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】リンク部１２０は、アクチュエータ４５Ａが配された伸縮装置４５と、支柱４６と、を含み、伸縮装置４５が、一対の板部材４９、４８間において並列に配されて、伸縮装置４５のそれぞれが、アクチュエータ４５Ａの駆動力により軸方向に伸縮可能に構成され、支柱４６は、両板部材４９、４８間において伸縮装置４５と並列に配されて、アクチュエータ４５Ａの駆動力を一対の板部材４９、４８を介して伝達することにより軸方向に伸縮可能に構成される。板部材４９は、伸縮装置４５の一方の軸端に継手４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを介して連結され、支柱の一方の軸端に継手４３を介して連結される。板部材４８は、伸縮装置４５の他方の軸端に継手４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを介して連結され、支柱４６の他方の軸端に固定される。 （もっと読む）

【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、清浄化処理を施した前記銅箔の張り合わせ面に、乾式成膜法で融点１４００℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて形成した表面処理層を備えることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】薄膜と半導体基板の熱膨張係数の違いに起因する半導体基板の反りを、生産性や信頼性を低下させることなく抑制する薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】ウェハ２（半導体基板）の裏面２ｂ（表面）に、ウェハ２とＮｉ膜を形成する方法が、真空引き可能なロードロックチャンバ２０内にウェハ２を配置する工程と、ロードロックチャンバ２０内に配置したウェハ２を予め冷却する冷却工程と、ロードロックチャンバ２０内を真空引きする真空引き工程と、冷却工程と真空引き工程を実施した後にウェハ２の裏面２ｂにＮｉ膜を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間でのプラズマの閉じ込めを向上し、基板の近くでの放電を防止して、低ダメージで低温成膜が可能な対向ターゲット式のデュアルマグネトロンスパッタ装置を提供すること。
【解決手段】２つのカソードに交流電圧を印加し、真空槽内に配置された基板にターゲット成分を含む膜を付着するデュアルマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲットの周囲にはアースシールドが設けられ、かつ、チャンバー内のカソードの周辺をアースと電気的に絶縁した。 （もっと読む）

【課題】装置を大型かつ複雑にすることなく、経済的課題を解消し、被成膜体表面に効率よく同時に均一な膜を成膜することができるスパッタリングカソード及びそれを用いたスパッタ装置を提供する。
【解決手段】スパッタリングカソード１１は、互いに極性が異なる一対のリング状磁石１２Ａ、１２Ｂ、リング状スパッタリングターゲット１５、磁気ヨーク１６、冷却ジャケット１４、グラファイトシート１７から構成される。スパッタリングカソード１１はスパッタ装置に設置され、内側にリング状のスパッタリングターゲット１５を収容した状態で、被成膜体をスパッタリングターゲット１５の内側に固定配置して、又は一定速度でリング軸方向に移動させながら、被成膜体に成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材を冷却水で冷却しながらスパッタリングを行う場合など、バッキングプレートに反りが生じたときにターゲット材の割れまたは剥離等が生じることのないスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】ターゲット材と、バッキングプレートと、前記ターゲット材と前記バッキングプレートとの間に設置された少なくとも１枚の緩衝板と、前記ターゲット材、バッキングプレートおよび緩衝板を一体的に接合するボンディング材とを有してなることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、被処理物を効率良く冷却できるスパッタリング装置及び方法を提供する。
【解決手段】スパッタ室３３，３５内にワークＷに対向して配置されたターゲット３３ｃ，３５ｃの材料を、スパッタリングによってワークＷに膜状に堆積させるスパッタリング装置であって、ゲルＧを介してワークＷに貼付されたサセプタＳを有する。サセプタＳを冷却する冷却室３４が、スパッタ室３３，３５とは別に設けられ、スパッタ室３３と冷却室３４との間で、ゲルＧを介してワークＷが貼付されたサセプタＳを移送する移送装置を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマをターゲット表面の広範囲に発生させることが可能な磁場形状を実現し、ターゲット材料の利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするマグネトロンスパッタ装置、および当該装置を用いたスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】マグネトロン電極の磁気回路１０を、ターゲット２の中央部から外周部へ向かって「中心垂直磁石１０１、内側平行磁石１０３、外側平行磁石１０４、外周垂直磁石１０２を配置した磁気回路１０」として、内側平行磁石１０３をターゲット２に近づける。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ熱を充分に抑制することができ、連続膜形成における被処理体に形成される膜質の変化およびターゲットの表面荒れを抑制し、安定した膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 ターゲット５を冷却するターゲット冷却手段１５２と、被処理体４を冷却する被処理体冷却手段１２４と、被処理体保持手段とターゲット保持手段との間に設けられ、被処理体４の膜形成部分を除く残余の部分への膜の形成を阻止するシールド２と、シールド２を冷却するシールド冷却手段１５０と、被処理体保持手段とターゲット保持手段との間に介在され、被処理体保持手段に保持される被処理体４の膜形成部分への膜の形成を阻止する阻止位置と、阻止位置から退避した退避位置とにわたって変位可能に設けられるシャッタ３と、シャッタ３を冷却するシャッタ冷却手段１５１とを含むスパッタリング装置１で、被処理体４に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】容易に製造でき、熱媒体を漏らさず高効率で機能する温調プレートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】熱媒体を流通させる屈曲した経路を有する金属製の管部２０と、管部２０が埋設され、金属基複合材料で形成された本体部１０と、管部２０と本体部１０との間に充填された金属製の充填部３０と、を備える。本体部１０が金属基複合材料で形成されているため、温調プレート１は高強度、高剛性、低熱膨張性を有し、軽量である。また、金属製の管部２０が埋め込まれ、その管部２０に熱媒体を流通させることができるため、熱媒体が漏れることがない。また、熱媒体を流通させる経路が屈曲しているため、熱媒体への熱伝導性を高くすることで温度調節の効率を向上させることができる。また、充填部３０が金属で構成されるため、充填部３０により管部２０と本体部１０との熱膨張の差を吸収することができる。 （もっと読む）

【課題】熱交換機構の流路部分の電界腐食を抑え、エッチングやプラズマＣＶＤにおいてエッチングレートやデポレートが低下するのを防ぐ。
【解決手段】内部を真空に排気する排気系２２、内部にガスを導入するガス導入系２１を有する処理室１と、処理室１の内部に配置され基板４が載置される載置手段と、処理室１の内部に配置された対向電極２及び基板載置電極３と、対向電極２及び基板載置電極３に電圧を印加してガスをプラズマ化する基板載置電極用電源１３及び静電チャック電極用電源１５と、媒体供給手段から供給されて循環される冷却水の流路を内部に有し、電極の近傍に配置されて電極の温度を調整するための水冷ホルダー６及び冷媒ジャケット８とを備える。そして、水冷ホルダー６及び冷媒ジャケット８は、誘電体によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理時における異常放電の発生を防止した、プラズマ処理装置、スパッタ装置、及び液晶装置の製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ３ａ内に対向配置された電極９ａ，９ｂ間に高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマ処理装置３である。チャンバ３ａの内壁面への処理生成物の付着を防止する防着板３０を備え、防着板３０には少なくともプラスの電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】 投入電力を大きくした場合にも、ボンディング材や熱伝導性薄膜部材の溶着を防ぎ、スパッタリングターゲットに亀裂や割れを生じることがなく、しわ等のない膜を効率よく成膜できるスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】 スパッタリング装置の真空チャンバー内に配置され、冷媒によりスパッタリングターゲット部を冷却する冷却機構を備えるスパッタリングカソードであって、冷却機構の冷却板３とスパッタリングターゲット１とが両者間の外周部に配置したシール部材７ａによって真空チャンバー側と気密に封止され、冷却板３とスパッタリングターゲット１との気密封止された間隙部にガスを封入するため、真空チャンバー外からガスを導入するガス導入管８が接続されている。 （もっと読む）

【課題】安価で十分な機械的強度を有するバッキングプレートを提供する。
【解決手段】本発明は、スパッタリングターゲットを保持するためのバッキングプレートであって、銅からなる電極用プレート２Ｃと、ステンレスからなる補強用プレート２Ｓとを接合して積層させた本体部２を有する。本体部２には冷却水を循環させるための水路４が設けられ、電極用プレート２Ｃがスパッタリングターゲット３を保持する側に配置されている。水路４は、その内部空間が電極用プレート２Ｃと接触するように、補強用プレート２Ｓに設けられている。 （もっと読む）

【課題】磁界形成部からの磁界を外周側に広げ、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺にまで形成することが可能な、ターゲット利用効率の高いマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置によれば、磁界形成部を、第２磁石と第１磁石とで構成し、更に第１磁石が形成する磁界の強度を第２磁石の形成する磁界の強度よりも強く、またターゲット面から第２磁石の磁極面までの距離を第１磁石の磁極面よりも離すことで、磁界形成部により生じる磁界をターゲットの外周側に向かって広げることができる。これにより、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺を含むほぼ全面に亘って生じさせるもしくは移動させることが可能となり、ターゲットの利用効率の向上を図ることができる。 （もっと読む）