【課題】高いスパッタ電力が投入された場合であっても、ターゲットの冷却を効果的に行うことができ、最も高温になるターゲット中央部の温度上昇を飛躍的に抑えることができると共に、ターゲットの被スパッタ面全体の温度分布がより均一になるようにターゲットを冷却できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲットの背面側にターゲットを冷却する手段が備えられており、当該ターゲットを冷却する手段は、冷媒流入口と冷媒流出口とを備え、冷媒流入口から冷媒流出口に向かって冷媒が流動する冷媒通路であって、断面積が冷媒流入口から冷媒流出口までの間でほぼ同一である冷媒通路によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来のバッキングプレートは、冷却能力が十分であるとはいえず、構造上、冷却能力を高めることが難しいといえる。また、通路内の冷媒の入口部分と出口部分の温度差が大きく、冷却能力が不均一となり、冷却ムラが生じやすいという問題がある。
【解決手段】平板状の本体内部において、対向する２辺から夫々反対側の対向する辺に向かって交互に延びる平行な畝を複数本形成すると共に、これら畝と畝との間の間隔をもって冷媒の通路となる蛇行する溝を形成し、この溝を一枚の蓋によって一括して塞ぐと共に、畝の幅（Ｗ１）と、畝と畝との間の溝の幅（Ｗ）とが、Ｗ＞Ｗ１であり、前記蓋の周縁部を連続する接続線をもって前記本体に一体に接合すると共に、前記蓋の前記畝に対応する位置を夫々複数本の接合線をもって畝に一体に接合してなることを特徴とする冷却板。 （もっと読む）

【課題】従来のバッキングプレートは、冷却能力が十分であるとはいえず、構造上、冷却能力を高めることが難しいといえる。また、通路内の冷媒の入口部分と出口部分の温度差が大きく、冷却能力が不均一となり、冷却ムラが生じやすいという問題がある。
【解決手段】平板状の本体内部に夫々平行に延びると共にその両側において合流される複数本の冷媒通路となる溝を形成し、これらの溝を一枚の蓋によって一括して塞ぐと共に、これら溝の幅（Ｗ）と、溝と溝との間の畝の幅（Ｗ１）とが、Ｗ＞Ｗ１であり、前記蓋の周縁部を連続する接続線をもって前記本体に一体に接合すると共に、前記蓋の前記畝に対応する位置を夫々平行に延びる複数本の接合線をもって前記畝に一体に接合してなることを特徴とする冷却板。 （もっと読む）

【課題】被堆積面がダメージを受け難くかつ膜組成の変更が容易なマグネトロンスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、各々が方向５１に延びた形状を有するターゲット部２１および２２を方向５２に並べてなりかつターゲット部２１および２２は組成が異なるスパッタリングターゲット２と、カソードマグネット１１と、基板３と、枠体１４１とこれに支持されたトラップマグネット１４３ａおよび１４３ｂとを備えたスパッタリングトラップ１４とを、ターゲット２と基板３とが枠体１４１の開口部１４２を挟んで向き合いかつターゲット２がカソードマグネット１１と基板３との間に介在するように配置し、カソードマグネット１１がターゲット部２１および２２と順次向き合うようにカソードマグネット１１をターゲット２に対して方向５２に相対的に移動させながらマグネトロンスパッタリング法により基板３上に膜を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】冷却媒体液が真空中に流入し且つこの真空を不純物で負荷することを防止する。
【解決手段】各シール装置が、半径方向で間隔を置いて配置されたシールリングから成っており、これらのシールリング間にリング室が形成されており、該リング室が通風穿孔を介して、支持プレートの、当該バックプレートとは反対の側に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高い生産性で無機配向膜を形成する。
【解決手段】対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の基板の内面側に無機配向膜を形成してなる。成膜室２、２と、成膜室内にて基板Ｗに配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置３とを備える。スパッタ装置は、プラズマ生成領域を挟んで対向する一対のターゲット５ａ、５ｂと、プラズマ生成領域を挟む両側に配置されプラズマ生成領域からスパッタ粒子５ｐをそれぞれ放出する開口部３ａ、３ａとを有する。成膜室は、開口部のそれぞれに対応して設けられる。開口部は、成膜室の基板の無機配向膜形成面に対して斜め方向からスパッタ粒子を入射させる位置にそれぞれ配置される。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの中心部に再堆積された材料物質が、該ターゲットから剥がれて、集積回路に欠陥をもたらさない、再堆積物質を洗浄する装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング用デュアルマグネトロンにおいて、該マグネトロンの位置は、スパッタ堆積とターゲット洗浄の間で、相補的半径方向に動かすことができる。該マグネトロンは、異なる特徴のサイズ、強度及び不平衡を有する。該ソースマグネトロンは、より小さく、より強く、かつアンバランスのソースマグネトロン６２であり、スパッタ堆積及びエッチングにおいて、ウェーハのエッジ近くに位置している。該補助マグネトロン６４は、より大きく、弱く、かつより平衡しており、該ターゲットの中心を洗浄し、スパッタ堆積において、スパッタイオンを該ソースマグネトロンからガイドするのに使用される。 （もっと読む）

【課題】スパッタ蒸発した原子をイオン化することにより、緻密性、結晶性に優れた皮膜を成膜することができるスパッタ装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１と、真空チャンバ内に対向して設けられた一対のターゲット２Ａ，２Ｂと、前記ターゲットにスパッタ電力を供給するスパッタ電源５と、前記ターゲットの表面を通り、その垂直方向ないしほぼ垂直方向に磁界を形成するマグネット３Ａ，３Ｂを備え、前記磁界を形成すると共に前記真空チャンバに導入したスパッタリングガス中で前記ターゲット間の空間部の外側に設けた基板Ｗにスパッタ成膜する対向ターゲットスパッタ装置である。前記スパッタ電源５は、スパッタ成膜する際にターゲット２Ａ，２Ｂに投入される瞬時電力のピーク値であるピーク電力を前記空間部の体積で除した最大体積電力密度が８３Ｗ／cm³ 以上となるようにスパッタ電力を前記ターゲットに供給する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置のターゲット材と裏板との間に介在される熱伝導性金属シート２０について、熱伝導性が良くかつターゲット材が加熱されて熱伝導性金属シート２０の金属層が２７溶融しても、金属層２７の流出を防止できるようにする。
【解決手段】金属層２７を低融点金属材料で構成すると共に、この金属層２７中に、当該金属層２７を構成する低融点金属材料より高融点の材料で構成され、しかも穴３０ａを有する金属箔３０を、前記金属層２７の表面に対して平行に埋め込んだ熱伝導性金属シート２０とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの適所を連結部にして冷却板に着脱可能にターゲットを連結することにより、ターゲットの交換作業効率化、ターゲットの面内方向熱歪防止化、バッキングプレート再利用化およびターゲットのワイドエロージョン対応容易化を図りつつ、スパッタリング装置の稼働時（減圧時）の冷却板によるターゲットの冷却能力を適切に確保可能な、ターゲット組立ユニットおよびスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット組立ユニットＴは、スパッタリング用のターゲット１０と、第１連結手段１９を介してターゲット１０を固定するとともに、第２連結手段１５を介してケーシング１３に支持される冷却板１１と、を備え、ターゲット１０は、第１連結手段１９の外力に基づいて冷却板１１の表面に沿うように弾性変形される。 （もっと読む）

【課題】より良い冷却効果が得られる高圧取囲み冷却ターゲットチェンバを提供する。
【解決手段】中央に貫通孔部がある第１のチェンバがあり、貫通孔部の両端面に、それぞれ第１、２の薄膜層が設けられ、第１のチェンバは流路部が環設され、流路部に、それぞれ液体入力部と気体入力部が連通され、また、第１のチェンバの一面に設置される第２のチェンバがあり、第２のチェンバは一端縁に凹口が設置される収納部があり、周縁に収納部に連通される出力部があり、また、収納部の中に設置される搭載ユニットがあり、搭載ユニットは一端面に放置区があり、また、搭載ユニットに欠け口を有する凹み部が環設される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にスパッタリングターゲット部のクラック不良や割れ不良およびスパッタリングターゲット部の膨張によって回転時にスパッタリングターゲット部が空転する現象を防ぐことができる回転式ターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】中空状の回転ローラと、回転ローラの外周に形成されたスパッタリングターゲット部と、回転ローラとスパッタリングターゲット部との間に介在され、熱伝導率がスパッタリングターゲット部より大きい冷却挿入部材とを備える回転式ターゲットアセンブリ。 （もっと読む）

【課題】マルチカソード大面積ＰＶＤ装置用の冷却暗部シールドが開示されている。
【解決手段】マルチカソードシステムについては、近接するカソード／ターゲット間に暗部シールドがあると有益である。シールドは接地してもよく、スパッタリングプラズマ内に存在する電子の接地経路を提供する。シールドは近接するターゲット間にあるため、接地されたシールドは、アノードとして作用することにより処理空間内で均一なプラズマの形成に寄与する。チャンバ内の温度は処理温度とダウンタイム温度の間で変動するため、シールドは膨張及び収縮する。シールドを冷却すると、膨張及び収縮の可能性が減じ、生じる恐れのあるフレーキングの量を減じる。シールドの表面をエンボス加工すると、シールドに蒸着する材料の量が減じ、シールドの膨張及び収縮が制御される。 （もっと読む）

【課題】透明電極成膜において有機薄膜上に透明電極をスパッタリング法により成膜する際、有機薄膜上への二次電子飛散によるチャージアップやスパッタリングダメージを抑制するとともに、ターゲット１２の温度上昇をバッキングプレート下部を流れる冷却水をチラー等により強制冷却させることで抑え、ターゲット１２輻射熱によるマスク変形（たわみ）を抑制する方法を提供する。
【解決手段】有機薄膜上への透明電極成膜をチャージアップを起こさず、かつスパッタリングダメージを抑制させながら行う方法であって、最終成膜プロセスがスパッタリング法である透明有機電界発光素子やトップエミッション型有機電界発光素子においては特性（駆動、寿命等）向上が期待できる。 （もっと読む）

【課題】良好な配向性の強誘電体膜を長期にわたり形成することができるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】プラズマの発生の前後から、冷却・調温ユニットにより温度制御を行いながら、配管２ａ〜２ｆを介して冷却部１内の流水路６ａ〜６ｆに冷却水を流す。このとき、冷却を行わなかった場合にターゲットの厚さの減少が大きくなる箇所ほど、そこを流れる冷却水の温度を下げることとする。例えば、ターゲットの外周部及び中心部に位置する流水路６ａ及び６ｆを流れる冷却水の温度を低めにし、流水路６ａよりも内側に位置する流水路６ｂを流れる冷却水の温度を高めにする。ターゲットの温度を中心からの距離に応じて制御することができるため、エロージョンの程度も中心からの距離に応じて調節することができる。このため、強誘電体膜を形成する場合であっても、良好な配向性のものを長期にわたり安定して形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高分子フィルム等の薄膜形成用基材表面に所定のパターンを有する薄膜を、スパッタリング法により形成するに際し、高品質なパターンを効率よく形成することができるマグネトロン型スパッタ装置、及び成膜方法を提供する。
【解決手段】内側に磁場発生手段と冷却手段とが設置され、外周面にスパッタ材料の層が形成されてなる、円筒形状のマグネトロン型回転カソードターゲットと、外周面に所定のパターンで形成された開口を有し、前記ターゲットの外周を取り囲むように、前記ターゲットと離間して設置された円筒形状のマスク部材とを備え、前記マスク部材の外周面に薄膜形成用基材を配置した後、前記ターゲットの内部を冷却手段により冷却し、該ターゲットを円筒軸の周りに回転させながら放電を行うことにより、前記薄膜形成用基材の表面に所定のパターンを有する薄膜を成膜するマグネトロン型スパッタ装置、及びこの成膜装置を用いる成膜方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】スパッタリング空間内のスパッタリングに用いる固定装置が、スパッタリング源に電流を伝えるための電気および熱伝導性材料の送電手段２、１０、１３、１５、１６、１７、１８と、送電手段がスパッタリング空間から電気絶縁され得るように、スパッタリング空間から送電手段を遮蔽するための遮蔽手段１、４、５、６、１２とを含み、最高１１５０℃までの固定装置の耐熱性および電気放電に対する抵抗性を保証するために、耐熱手段１、５を設けて成る。 （もっと読む）

交流電源に接続され、かつ接地された基板の一部に近接して配置された、少なくとも１つの電極を備えた新規かつ有用なプラズマ源が提供される。電極は、該電極が交流電源によって負にバイアスされたときにマグネトロンプラズマを電極のところに発生させ、電極が交流電源によって正にバイアスされたときにミラープラズマを基板上に発生させる、センター磁石を有する。
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【課題】過熱が生じないように、ターゲット保持手段によって、ターゲットを冷却システムに連結すること。
【解決手段】コーティング源のターゲット９の装着のための装置が、ターゲット９と、ターゲット保持装置１とを包含し、ターゲット保持装置１が冷却体３と、ターゲットを冷却体に装着するための連結手段６、７、８、１１とを包含する。電力供給がターゲット全体にわたって均一な分布で行われ、同時に、被覆手法の間、ターゲットに生じる熱が冷却体内に均一に伝導できるように、連結手段３、６、７、８、１０、１１が導電性及び／又は伝熱性の手段を包含し、それによってより多くの電力をコーティング源に接続でき、被覆率が上昇する。 （もっと読む）

【課題】
ターゲットのベーキング作業や交換作業を容易に行うことができるスパッタソースを提供する。
【解決手段】
スパッタソース２のターゲット４の下方にはバッキングプレート６が配置される。バッキングプレート６の下方には環状水路１８が設けられ、下方側には水冷パイプ２０が接続される。バッキングプレート６の下方には、円柱磁石３４および環状磁石３６が配置される。環状磁石３６および磁石保持部材３８には、切り欠き部４５が設けられ、切り欠き部４５の中を水冷パイプ２０が通過している。 （もっと読む）