【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】圧電特性が良好なＢｉ系圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。


（式中、ＡはＢｉ元素または３価の金属元素から選択される少なくともＢｉ元素を含む１種類以上の元素を表す。ＭはＦｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｙ、Ｇａ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の元素を表す。０．９≦ｘ≦１．２５、０．４≦ｊ≦０．６、０．４≦ｋ≦０．６、０．０９≦ｌ≦０．４９、０．１９≦ｍ≦０．６４、０．１３≦ｎ≦０．４８、ｌ＋ｍ＋ｎ＝１である。） （もっと読む）

【課題】 β−ジケトネート配位子を有する有機金属組成物を含むような、ＣＶＤ前駆物質に対して広い効用を有する新規な溶剤組成物を提供すること
【解決手段】 溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含む、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のための溶剤組成物であって、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ_６−Ｃ_８アルカンであり、ＢがＣ_８−Ｃ_１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライム）及びポリアミンからなる群から選択される溶剤組成物。およそ５：４：１の重量比のオクタン、デカン及びポリアミンを含有する特定の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９フィルムの形成に特に有効に使用される。 （もっと読む）

【課題】強誘電体特性である分極量を維持しつつ疲労特性を向上させた信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１の上に形成され、高融点金属を含む導電体膜１３１と、導電体膜１３１の上に形成された複数の金属元素を含む強誘電体金属酸化膜１３２とを備えている。強誘電体金属酸化膜１３２は、複数の金属元素のうちの一の金属元素と酸素元素との化学量論的結合を、一の金属元素と酸素元素との酸素欠損を含む結合よりも多く含む。 （もっと読む）

【課題】圧電特性が良好な圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型複合酸化物からなり、前記ペロブスカイト型複合酸化物の結晶系が少なくとも単斜晶構造を含んでいる圧電材料。前記ペロブスカイト型複合酸化物の結晶系が、単斜晶構造と菱面体晶構造を有する混在系、または単斜晶構造と正方晶構造を有する混在系であることが好ましい。


（式中、ＡはＢｉ元素であり、ＭはＦｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｙ、Ｇａ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の元素である。ｘは０．４≦ｘ≦０．６の数値を表す。ｙは０．１７≦ｙ≦０．６０の数値を表す。） （もっと読む）

【課題】キャリアガスを効率良く冷却することができ、ガス通路５出口付近での材料目詰り発生防止効果を向上し得て、メンテナンス時期の長期化並びに稼動効率の向上に貢献することができ、しかも、より一層均一な分散効果を奏することができる気化器を提供する。
【解決手段】分散器２に形成されたキャリアガス導入穴に挿入されてその内壁との協働によりガス通路５を形成するセンターロッド３５と、分散器２のキャリアガス導入穴の外周側に配置されてガス通路５内を冷却する冷却部と、前記センターロッドの軸線方向に沿い且つ前記センターロッドの略全長に跨って形成された冷却部材挿入穴と、該冷却部材挿入穴内に配置されて前記センターロッドを冷却する冷却部材と、を備えていることを特徴とする気化器。 （もっと読む）

被覆工程（１１０）で、平面抵抗が＞１０Ｍオームであり、かつ平均反射率が＞５０％である金属層（１４）が基材（１２）上に施与され、それに引き続いてさらなる被覆工程（１４０）で所定の層厚を有するさらなる層（２４）が施与される、誘電性基材（１２）上に層システムを製造するための方法が企図されており、この際、さらなる層（２４）がさらなる被覆工程（１４０）で同じ層厚で基材（１２）上に施与された場合、さらなる層（２４）の平面抵抗は＜１Ｍオームであり、かつ金属層（１４）とさらなる層（２４）からの層システム（１０）の平面抵抗は＞１０Ｍオームである。本発明はさらに、被覆工程（１１０）で、平面抵抗が＞１０Ｍオームであり、かつ平均反射率が＞５０％である金属層（１４）が基材（１２）上に施与され、それに引き続いてさらなる被覆工程（１４０）で所定の層厚を有するさらなる層（２４）が施与されている層システムに関し、この際、さらなる層（２４）がさらなる被覆工程（１４０）で同じ層厚で基材（１２）上に施与された場合、さらなる層（２４）の平面抵抗は＜１Ｍオームであり、かつ金属層（１４）とさらなる層（２４）からの層システム（１０）の平面抵抗は＞１０Ｍオームである。加えて、本発明による層システムを有するケースも企図されている。
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【課題】良好な強誘電体膜を備えた強誘電体メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、下地絶縁膜２３の上方に、アモルファス状の表層３３４を含んだ下地層イリジウム膜３３１を形成する工程と、アモルファス状の表層３３４を酸化して、酸化イリジウム層３３５とする酸化工程と、酸化イリジウム層３３５上にＭＯＣＶＤ法で強誘電体膜を形成する工程と、強誘電体膜上に電極を形成する工程と、を有する。アモルファス状の表層３３４を形成しており、表層３３４に多結晶構造がないので、これを均一に熱酸化することができる。したがって、酸化による体積膨張が均一となり、表層３３４の上面を平坦にすることができる。また、表層３３４の厚さを１０ｎｍ以上にしており酸素が表層３３４をほとんど透過しないので、下地層３３１はほとんど酸化されない。これにより、結晶性の下地層３３１が不均一に酸化されて凹凸を生じることが防止される。 （もっと読む）

Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｂｉ−Ｔｅ、およびＺｎ−Ｔｅ薄膜などのＴｅ含有薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。Ｓｂ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ−Ｓｅ、およびＺｎ−Ｓｅ薄膜などのＳｅ含有薄膜を形成するためのＡＬＤプロセスも、提供される。式（Ｔｅ、Ｓｅ）（ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３）_２のＴｅおよびＳｅ前駆体が使用されることが好ましい（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^３はアルキル基である）。これらのＴｅおよびＳｅ前駆体を合成するための方法も提供される。相変化メモリ素子において当該ＴｅおよびＳｅ薄膜を使用するための方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供すること。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液５を供給するための手段６と、分散された原料溶液５を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を流れるを冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、反応部の圧力は、気化管の圧力より低く設定されるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供する。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液を供給するための手段６と、分散された原料溶液を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を流れるを冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、ガス出口７の外側に細孔１０１を有する輻射防止部１０２を設けてある。 （もっと読む）

【課題】相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】相変化層の形成方法において、電気化学蒸着法で相変化層を形成することを特徴とし、相変化層を構成する元素をそれぞれ含む前駆体と溶媒とを混合して電解質を形成する第１ステップ、陽極板と相変化層の蒸着される基板が設けられた陰極板とを離隔した状態で電解質に漬ける第２ステップ、相変化層の蒸着条件を設定する第３ステップ、及び陽極板と陰極板との間に電圧を印加する第４ステップを含む相変化層の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供する。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液５を供給するための手段６と、分散された原料溶液５を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、ガス出口７の外側に細孔１０１を有する輻射防止部１０２を設けてある。 （もっと読む）

【課題】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。
【解決手段】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。本発明によれば、相変化物質層を選択的に形成することによって、ボイド及びシームなしにホールを満たす相変化パターンを実現することができる。これによって、相変化記憶素子の特性低下を防止し、高集積化及び低消費電力化の少なくともいずれか一方に最適化された相変化記憶素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜キャパシタにおいて、強誘電体膜の組成が膜厚方向において不均一になることを防止して、良好な電気的特性を有するキャパシタを実現する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下部電極を形成する（Ｓ５１）。次に、第１の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、下部電極上に第１の強誘電体膜を形成する（Ｓ５３ａ）。次に、第２の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、第１の強誘電体膜上に第２の強誘電体膜を形成する（Ｓ５３ｂ）。次に、第２の強誘電体膜上に上部電極を形成する（Ｓ５４）。ここで、第１の強誘電体膜を形成する工程（Ｓ５３ａ）で用いた第１の原料ガスに含まれる酸素の濃度は、第２の強誘電体膜を形成する工程（Ｓ５３ｂ）で用いた第２の原料ガスに含まれる酸素の濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】高性能で均一な薄膜を、効率的に、かつ常温でも形成可能な薄膜形成方法とそれにより得られる薄膜を提供する。
【解決手段】ナノ粒子を基材に付与し、基材上に付与された該ナノ粒子を大気圧プラズマ処理することにより、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、該大気圧プラズマ処理が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間にガスを供給し、該電極間に高周波電界を発生させることによって該ガスを励起ガスとし、該励起ガスに基材上に付与された該ナノ粒子を晒す処理であることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】良質なペロブスカイト型酸化物薄膜を得ることのできる成膜方法、該成膜方法により成膜した薄膜からなる圧電体を有する酸化物薄膜素子を提供する。
【解決手段】Ａサイト及びＢサイトの少なくとも一方のサイトが複数種の元素で構成され、少なくとも一方のサイトの前記複数種の元素は価数の異なる元素を同サイト内に有するペロブスカイト型酸化物の薄膜を基板上に成膜する方法であって、
前記価数の異なる元素が同じグループに属するように、前記Ａサイト及びＢサイトに属する元素を複数のグループに分け、該グループに属する元素を含む原料を、前記グループ毎にそれぞれ別工程で前記基板上に供給することを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】良質なペロブスカイト型酸化物薄膜を得ることのできる成膜方法、該成膜方法により成膜した薄膜からなる圧電体を有する圧電素子、該圧電素子を有する液体吐出ヘッドおよび該液体吐出ヘッドを有する液体吐出装置を提供する。
【解決手段】（Ａ１_x，Ａ２_y，Ａ３_z）（Ｂ１_j，Ｂ２_k，Ｂ３_l，Ｂ４_m，Ｂ５_n）Ｏ_pで表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の薄膜を基板上に成膜する方法であって、前記元素を含む原料を前記基板上に供給する工程を複数種有し、前記元素Ａ１〜Ａ３、Ｂ１〜Ｂ５を複数のグループに分け、該グループに属する元素を含む原料を、前記グループ毎にそれぞれ別工程で前記基板上に供給することを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜及び強誘電体キャパシタ形成方法そして強誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】強誘電体膜及び強誘電体キャパシタ形成方法及び強誘電体キャパシタを提供する。反応チャンバに強誘電体を形成するための適切な比率で複数の有機金属ソース化合物を供給して強誘電体膜を形成する。有機金属ソース化合物はＮ_ｙＯ_ｘの嵩比が少なくとも５０％であるＮ_ｙＯ_ｘ／Ｏ_２混合酸化ガスと反応する。有機金属ソース化合物と混合酸化ガスは強誘電体膜を形成する蒸着時間の間、反応チャンバ内で蒸着温度及び蒸着圧力を維持される。その結果、強誘電体膜の均一度、例えば、下部電極との界面附近での均一度を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ用の原料溶液の流量を長時間にわたって精度よく制御することができるＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＶＤ用気化器は、キャリアガス中に原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させるオリフィス管と、前記オリフィス管の前記ガス通路に連通されたところの前記原料溶液を供給する原料溶液用通路２１〜２５と、前記オリフィス管に前記キャリアガスを供給するキャリアガス用通路３３と、前記オリフィス管で分散された前記原料溶液を気化する気化管３１と、前記気化管３１内に挿入され前記オリフィス管のガスを噴出する噴出部とを有し、前記オリフィス管は、円柱状のガス通路を備える。 （もっと読む）