ドープされた窒化シリコン膜の低温堆積のための方法及び装置が開示される。改善には、低温処理のための均一な熱分配とプロセス化学薬品の均一な分配を与えるＣＶＤチャンバの機械的設計と、基板を加熱し、シリコン含有前駆物質を混合領域がアダプタリングと一つ以上のブロッカープレートによって画成された処理チャンバと排気システムへ流し、該アダプタリングと該排気システムの一部を加熱し、水素、ゲルマニウム、ホウ素、又は炭素含有前駆物質の一つ以上を該処理チャンバへ流すことによって、更に、所望により、窒素含有前駆物質を該処理チャンバへ流してもよいことによって、基板上にシリコンと窒素を含む少なくとも一つの層を堆積させる方法が含まれる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に超撥水処理膜を形成すること。
【解決手段】少なくとも炭素とフッ素を含むガスの大気圧プラズマを発生させて、その大気圧プラズマの発生領域から離間した位置に被処理物を設け、大気圧プラズマから少なくとも炭素とフッ素を含む粒子を生成すると共にプラズマの電子により負に帯電させ、電界により帯電粒子を被処理物の方向に加速して、被処理物に堆積することにより被処理物を撥水処理することを特徴とする撥水処理方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上における原料ガスの上流側の濃度と下流側の濃度との差を縮小できるサセプタを提供する。
【解決手段】サセプタ１３は主面３１を有しており、この主面３１は複数の第１のエリア３１ａおよび第２のエリア３１ｂとを有する。また、サセプタ１３は、第２のエリア３１ｂに設けられた第１の開口３３と、主面３１と異なる当該サセプタ表面３５に設けられた第２の開口３７と、第１の開口３３を第２の開口３７に接続する孔３９とを備える。希釈ガスソース１９は、ライン５５を介してサセプタ１３の第２の開口３７に接続されているので、サセプタ１３上を流れる原料ガスＧ_Ｍに孔３９および第１の開口３３を介して希釈ガスＧ_Ｄを加えることができる。希釈ガスソース１９はサセプタ１３の第２の開口３７に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 格子整合性が劣る基板を用いても、欠陥やクラックの内在しない、良質な薄膜結晶を有する誘電体素子を提供する。
【解決手段】 基板１と、基板１上に形成された誘電体薄膜ＫＴａ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）からなる誘電体素子において、基板１と誘電体薄膜３との間に、成長方向において組成ｙが変化するバッファ層ＫＴａ_ｙＮｂ_１−ｙＯ_３（０≦ｙ≦１）を有する。組成ｙは、バッファ層２の基板１と接合する面の格子定数Ｘｆと、基板１の表面に表出する面の格子定数を自然数で除したＸとが、２｜Ｘｆ−Ｘ｜／｜Ｘｆ＋Ｘ｜＜０．０５となるような組成から、誘電体薄膜３の組成ｘまで変化する。 （もっと読む）

【課題】 水素含有炭素膜が形成されている基板からの剥離を有効に防止できるなどの新たな特性を有する水素含有炭素膜を提供する。
【解決手段】 炭素と水素とを含む水素含有炭素膜であって、水素含有炭素膜中における水素の含有量が５０原子％よりも多く６５原子％よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が１．３ｇ／ｃｍ³よりも大きく１．５ｇ／ｃｍ³よりも小さい水素含有炭素膜である。また、水素含有炭素膜中における水素の含有量が０原子％よりも多く５０原子％よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が１．４ｇ／ｃｍ³よりも大きく１．９ｇ／ｃｍ³よりも小さい水素含有炭素膜である。 （もっと読む）

本発明は、天井（２）と基板（４）を載せるための垂直に反対側の加熱された床（３）を有する反応チャンバー（１）中の少なくとも１の特に結晶基板の上に、特に結晶層を堆積するための装置に関するものである。垂直に重ねられたガス入口域（６、７）を形成するガス入口部材（５）は、少なくとも１の第一および１の第二ガス状出発物質を分離して導入し、前記出発物質は、キャリヤガスとともに前記反応チャンバー（１）を通過して水平方向に流れる。前記ガスの流れは、前記ガス入口部材（５）に直接隣接した入口域（ＥＺ）で均質化し、前記出発物質は少なくとも一部分解され、前記入口域（EZ）に隣接した成長域（GZ）中の基板（４）上に堆積される分解物を生成し、ガスの流れは連続的に使い尽くされる。前記入口域（EZ）の水平方向の広がりを減少させるためには、ガス入口部材（５）の追加ガス入口域（８）は、２つの出発物質のうちの一方に必須である。
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昇華された蒸気の定常流れを真空チャンバへ送達するための蒸気送達システムは、固体物質の気化器、機械式スロットルバルブおよび圧力ゲージ、それに続く真空チャンバへの蒸気導管を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度、およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。その気化器の温度は、閉ループ制御により設定点温度に決定される。この機械式スロットルバルブは、電気制御され、例えば、バルブの位置は、圧力ゲージの出力に対する閉ループ制御下にある。このようにして、蒸気の流量は、ほぼ圧力ゲージの出力に比例し得る。上記気化器から上記真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上流スロットルバルブとして作用するように示される。
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【課題】ダイヤモンドに匹敵する広い電位窓を有するホウ素炭素窒素系薄膜を用いたセンサーおよび電気化学装置を提供すること
【解決手段】ホウ素、炭素、窒素の少なくとも２原子からなる材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の層間絶縁膜などとして有用な低誘電率の膜を形成する方法と、この方法により形成される膜を提供すること。
【解決手段】 基材上に膜を成長させるのに十分な化学気相成長条件下で、シリルエーテル、シリルエーテルオリゴマー又は１以上の反応性基を有する有機ケイ素化合物を含む、有機ケイ素前駆物質を反応させて、約３．５以下の誘電率を有する層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）