【課題】信号遅延の抑制と絶縁性の向上との両立が可能な絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置を提供する。
【解決手段】
シリコン貫通電極用の貫通孔が形成されたシリコン基板を備える基板Ｓに絶縁膜を形成するに際し、抵抗加熱ヒータ３３Ｈによって加熱された基板Ｓを収容する反応室３１Ｓに、酸素ガス及びキャリアガスであるアルゴンガスと混合されたＺｒ（ＢＨ_４）_４を供給する。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４を上記基板Ｓ上で熱酸化することによって、基板Ｓの表面及び上記貫通孔の内側面にジルコニウム、ホウ素、及び酸素を含む絶縁膜の一つであるＺｒＢＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの上部電極上に形成される充填膜の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に形成された下部電極１４と、下部電極１４上に形成された容量絶縁膜１５と、容量絶縁膜１５上に形成された上部電極１６と、上部電極１６の表面に形成された表面改質層と、表面改質層上に形成された充填膜１８を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】基板表面に堆積させた不純物のラジカルの厚さ（量）を比較的高精度に測定し、その結果に基づいて所望量の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入することができるプラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室１２と、プラズマ生成室１２に連通して設けられて処理対象である基板Ｓを保持するステージ３１が設けられた処理室１３と、を備え、プラズマ生成室１２で生成されたプラズマ中の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入するプラズマドーピング装置１０であって、ラジカルの生成量を測定する測定手段５０を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの結晶層の中に、ボロンのデルタドープ層が容易に形成できるようにする。
【解決手段】励起光を、第１半導体層の表面に照射した状態で（ステップＳ１０１）、第１半導体層の上にボロン原子を含む第１ソースガスを導入してボロン導入層を形成し（ステップＳ１０２）、引き続き、励起光が照射されているボロン導入層の上に第２ソースガスを導入して第２半導体層を形成する（ステップＳ１０３）。 （もっと読む）

【課題】成膜温度が１８０℃以下で形成される絶縁膜の絶縁性を高めることの可能な絶縁膜の形成方法及び該絶縁膜を形成する成膜装置を提供する。
【解決手段】
マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。この際、活性状態にされた酸素原子を含むガスの供給を連続的に行う間に、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４昇華ガスの供給を間欠的に複数回行ってもよい。これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＶＤ法の欠点とＡＬＤ法の欠点を改善し、薄膜化の要求に応えるとともに、高い成膜速度を実現する。
【解決手段】ＣＶＤ反応が生じる条件下でそれ単独で固体となる第１元素を含むガスを供給して基板上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、それ単独では固体とならない第２元素を含むガスを供給して第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを１回以上行い、所定膜厚の第１元素および第２元素を含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜対象のシリコン基板の表面上に自然酸化膜が形成されている場合であっても、基板上にホウ素含有アモルファスシリコン膜を形成する際の成長遅れ時間を短縮させ、基板処理の生産性を向上させる。
【解決手段】反応室２０１内に基板２００を搬入する搬入工程と、前記反応室内にシリコン含有ガスのみを供給し前記基板上にシード層を形成する第１の成膜工程と、引き続き、前記反応室内にシリコン含有ガスとホウ素含有ガスとを供給し前記シード層上にホウ素含有アモルファスシリコン膜を形成する第２の成膜工程と、前記反応室内から前記基板を搬出する搬出工程と、を有する基板処理方法とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも大きな供給量でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。次に、TMG又はTEGの供給量を、第２の成長工程よりも小さくする（第３の成長工程）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。第２と第３の工程を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長することも可能である（図３（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を得ることのできる基板処理装置を提供する、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室２１内に基板１６を搬入する工程と、前記処理室２１内に少なくともホウ素含有ガス３１ａを供給し、前記基板１６上にホウ素膜を形成するホウ素膜形成工程と、処理室内に少なくとも窒素含有ガス３１ｃを供給し、ホウ素膜形成工程で形成したホウ素膜を窒化する窒化処理工程とを有し、ホウ素膜形成工程と窒化処理工程とから構成される一連の処理工程を、２回以上繰り返すことにより、所定膜厚の窒化ホウ素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

【課題】高速切削条件下でクレーター摩耗を低減しかつ高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具の提供。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、この被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＴｉとＺｒとを少なくとも含む硬質被膜層であり、この硬質被膜層は、ＴｉとＺｒの含有量が硬質被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ｔｉの含有量が極大となるＴｉ極大含有点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ｔｉ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ｔｉ極大含有点におけるＴｉの含有比率Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９≦Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦０．９９９９であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦０．２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ４００℃未満の温度で誘電体上に半導体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ジボランを使用するゲルマニウム膜の低温成長をうまく実現する。最初に、ジボランガスが４００℃未満の温度で反応炉内に供給される。ジボランは、所与の温度でそれ自体が分解し、分解後のホウ素が、誘電体、例えばＳｉＯ_２の表面に析出して核形成部位および／またはシード層を形成する。次に、半導体膜を形成するためのソースガス、例えばＳｉＨ_４、ＧｅＨ_４などが反応炉に供給されて半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ドープされる元素の濃度と成長速度とのバッチ間均一性が良好な膜を作製することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を反応炉内に搬入するステップと、前記反応炉内にガス供給ラインより処理ガスを供給して排気ラインより排気することで基板に対して処理を行うステップと、前記反応炉内より処理後の基板を搬出するステップと、処理後の基板を前記反応炉内より搬出後、次に処理する基板を前記反応炉内に搬入する前に、前記反応炉内に少なくとも製品基板を収容していない状態で、前記反応炉内に対する前記排気ラインによる排気を行いつつ、前記排気ラインに設けられた排気バルブの開閉を複数回繰り返すことで前記反応炉内をパージするステップとで半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ４０Ｄの内部空間Ｓに吸着期間の間だけＺｒ（ＢＨ_４）_４を導入した。そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。また、吸着期間の経過後、照射管４７の内部に改質期間の間だけマイクロ波を照射し、プラズマ化したＨ_２を、すなわち水素活性種をシリコン基板２の表面に供給した。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４の供給と、水素活性種の供給と、を交互に繰り返した。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜や層間絶縁膜等の絶縁膜として十分機能する絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にＳｉＢＣＮ薄膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスの３種類のガスの同時供給と窒化ガスの供給とを間欠的に且つ交互に行うようにする。これにより、比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、クリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

無機多孔質基材、及びベース基板に堆積させたナノ粒子を用いた無機多孔質基材の製造方法である。無機多孔質基材は生物学的応用、例えば、ＤＮＡ、ＲＮＡ、蛋白質等の生体分子の固定に有益である。また、無機多孔質基材は細胞増殖の分野でも有益である。
（もっと読む）

【課題】２以上のガスを用いる成膜装置において、均一な膜を形成できるシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドは、原料ガス拡散室１８及び反応ガス拡散室１６を備え、前記原料ガス拡散室と原料ガス導入管とを接続するガス通路は、１段以上の多段に構成され、各段は、２^ｎ−１（ｎは段数）で表されるガス通路１７を有し、１段目のガス通路は、前記原料ガス導入管１１１に接続され、２段目以降の各ガス通路は、前段のガス通路と連通し、最終段の各ガス通路は、原料ガス拡散室に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低転位で結晶品質に優れたIII族窒化物層群を提供するとともに、形成すべきIII族窒化物層群の転位低減方法を提供する。
【解決手段】所定の基材１上においてIII族窒化物層群１５を形成し、このIII族窒化物層群中に、少なくともＢを含むIII族窒化物から構成される島状又は網目状の介在層９を形成して、半導体積層構造１０を作製する。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】第２層間絶縁膜と第１配線、あるいは、第２配線層とハードマスクをシリコン基板２の表面に形成し、そのシリコン基板２を反応室Ｓに搬送させ、その反応室Ｓに、マイクロ波によって励起されたＮ_２ガスを導入する。そして、供給タンクＴに収容されるＺｒ（ＢＨ_４）_４をＡｒガスによってバブリングし、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４を含むＡｒガスをＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスとして反応室Ｓに導入する。 （もっと読む）

【課題】 極めて低い誘電率を有するホウ素炭素窒素膜を成膜することができる
成膜装置を提供すること。
【解決手段】 成膜室１内にプラズマを生成するプラズマ生成手段２と、窒素、ホウ素および炭素材料を導入する導入手段５，９，１０と、プラズマの下部または内部に基板６１を保持する手段６と、基板保持部を昇温する昇温手段７とを備えることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）