【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＹ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、逃げ面およびすくい面の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｙ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、逃げ面およびすくい面の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が断続重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層の中間層は、隣接する結晶粒相互の界面における（０００１）、{１０−１０}面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の４５％以上を占める結晶粒界面配列を示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層であり、上部層は、層厚方向に垂直な面内で平板多角形状（平坦六角形状も含む）、平行な面内でたて長形状を有し、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上の、Σ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されているＢ含有酸化アルミニウム層であり、隣接する結晶粒相互の界面における（０００１）、{１０−１０}面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の３５％以上を占める結晶粒界面配列を示すＢ含有酸化アルミニウム層である。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＴｉ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、逃げ面およびすくい面の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｔｉ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、逃げ面およびすくい面の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が断続重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層の中間層は、隣接する結晶粒相互の界面における（０００１）、{１０−１０}面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の４５％以上を占める結晶粒界面配列を示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層であり、上部層は、層厚方向に垂直な面内で平板多角形状（平坦六角形状も含む）、平行な面内でたて長形状を有し、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上の、Σ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されているＴｉ含有酸化アルミニウム層であり、隣接する結晶粒相互の界面における（０００１）、{１０−１０}面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全結晶粒界面単位の３５％以上を占める結晶粒界面配列を示すＴｉ含有酸化アルミニウム層である。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続重切削加工ですぐれた耐剥離性、耐チッピング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層としてＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、切刃部の中間層及び上部層は、すくい面、逃げ面に比して相対的に（０００１）面配向率の小さいα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、すくい面および逃げ面の上部層は、面積比率で３５％以上６０％未満の結晶粒の内部が、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有し、一方、切刃部の上部層は多角錐形状の結晶組織構造からなる。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速断続切削加工で、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、すくい面および切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、すくい面および切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】 鋼、鋳鉄等の高速断続重切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）ＴｉＮ層からなる下部層、（ｂ）微粒縦長成長結晶組織を有するＴｉＣ層と、粒状結晶組織のＴｉＣ層、ＴｉＮ層、ＴｉＣＮ層の何れかからなるＴｉ化合物層との交互積層構造からなる中間層、（ｃ）酸化アルミニウム層と、微粒縦長成長結晶組織を有するＴｉＣ層との交互積層構造からなる上部層を硬質被覆層として蒸着形成した、あるいは、必要に応じ、ＴｉＣＯ層、ＴｉＣＮＯ層の何れかからなる密着層を前記（ｂ）中間層と（ｃ）上部層との間に介在形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】 高い密着性と耐摩耗性を有する切削工具等の表面被覆部材を提供する。
【解決手段】 基体６の表面に、Ｔｉの炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸化物、窒酸化物および炭窒酸化物のうちの１層以上の下層７と、α型結晶構造のＡｌ_２Ｏ_３層８とを形成してなり、Ａｌ_２Ｏ_３層８に波長６３２．８１ｎｍのHｅ−Ｎｅレーザーを照射して得られるラマンスペクトルにおいて、波数４１６〜４２０ｃｍ^−１（４１８ｃｍ^−１付近）の範囲内に現れるＡｌ_２Ｏ_３に帰属されるピークＡと、波数１３９８〜１４０２ｃｍ^−１（１４００ｃｍ^−１付近）の範囲内に現れるＣｒに帰属される蛍光ピークＣに対して、ピーク強度をそれぞれＩ_Ａ、Ｉ_Ｃとしたとき、その比（Ｉ_Ｃ／Ｉ_Ａ）が３〜１５である切削工具１等の表面被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器の天井壁内面を覆うように設けられたシャワー板を介して、不活性ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気した状態で、処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して、基板上に薄膜を形成し、それを繰り返した後、シャワー板および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が、刃先に高負荷が作用する高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、例えば、Ｂを微量含有するＢ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、中間層の結晶粒平均幅Ｄ（ｂ）と、上部層の結晶粒平均幅Ｄ（ｃ）との比の値Ｄ（ｃ）／Ｄ（ｂ）が１．５以上である。 （もっと読む）

被加工物から材料を除去するためのコーティングされた切削インサート１０が開示される。インサート１０基材１２、ならびにα−アルミナ層１５およびα−アルミナ層１５の上に堆積されたＺｒ−炭窒化物またはＨｆ−炭窒化物の外層１６を含む、耐摩耗コーティング。Ｚｒ−炭窒化物またはＨｆ−炭窒化物外層１６は、コーティング後のウェットブラスティング処理を受ける。ウェットブラスティングは、アルミナコーティング層１５の応力状態を、初期の引張応力状態から圧縮応力状態に変化させる。
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本発明は、少なくとも１の硬質材料複合層を含む単層又は多層の層系で被覆された、金属、超硬合金、サーメット又はセラミックスからの被覆物品、並びにこのような物品の被覆法に関する。本発明は、このような物品のために、単層又は多層であってかつ少なくとも１の硬質材料複合層を有する層系であって、該複合層が主相として立方晶ＴｉＡｌＣＮ及び六方晶ＡｌＮを含み、かつ平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴とする層系を開発するという課題に基づく。前記課題には、このような被覆を廉価に製造するための方法の開発も包含される。本発明による硬質材料複合層は、主相として立方晶ＴｉＡｌＣＮ及び六方晶ＡｌＮを含んでおり、その際、該立方晶ＴｉＡｌＣＮは、≧０．１μｍの結晶子サイズを有する微晶質ｆｃｃ−Ｔｉ_1-xＡｌ_xＣ_yＮ_z（ここで、ｘ＞０．７５、ｙ＝０〜０．２５であり、かつｚ＝０．７５〜１である）であり、かつその際、該複合層は粒界領域内にさらに非晶質炭素を０．０１％〜２０％の質量割合で含有している。被覆は、本発明によれば、ＬＰＣＶＤ法で７００℃〜９００℃の温度でかつ１０²Ｐａ〜１０⁵Ｐａの圧力で、付加的なプラズマ励起なしで行われる。本発明による硬質材料層は、平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴としており、かつ特にＳｉ₃Ｎ₄及びＷＣ／Ｃｏ刃先交換型切削チップ及び鋼部材上の摩滅防止層として使用可能である。
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【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、（ａ）下部層はＴｉ化合物層、（ｂ）上部層は、α型Ａｌ_２Ｏ_３相、κ型Ａｌ_２Ｏ_３相およびＴｉ化合物相の混合組織層からなり、（ｃ）上部層において、α型Ａｌ_２Ｏ_３相含有割合（＝α型Ａｌ_２Ｏ_３相／（α型Ａｌ_２Ｏ_３相＋κ型Ａｌ_２Ｏ_３相））は０．６〜０．９、また、Ｔｉ化合物相は、ＴｉＯ_２、Ｔｉ_３Ｓ_４を少なくとも含み、（ｄ）上部層におけるＴｉ含有割合（＝Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｏ＋Ｓ））は０．３〜３ａｔ％、Ｓ含有割合（＝Ｓ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｏ＋Ｓ））は０．１〜２ａｔ％、さらに、Ｔｉ_３Ｓ_４は、Ｔｃ（１００）＞２を満足する配向性を有する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜に対するＵＶキュア処理による低誘電率膜の下で且つ配線の上に形成されるライナ膜とその下層の膜との間の界面剥離を、ＵＶブロッキング膜を用いずに防ぐことにより、高歩留まりの配線構造を有する信頼性が高い半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】基板の上に、第１の絶縁膜１１を形成し、形成した第１の絶縁膜１１の上部に第１の金属配線１２を形成し、第１の絶縁膜１１の上に、第１の金属配線１２を覆うように第２の絶縁膜１３を形成し、第２の絶縁膜１３に対して膜質の改質処理を行う。その後に、第２の絶縁膜１３の上に第３の絶縁膜１４を形成し、形成した第３の絶縁膜１４に対してキュア処理を行う。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について、配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台５１と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材８２とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台５１の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるようにバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器内の下部から天井壁付近まで立ち上がりその天井壁に向けてガスを吹き付けるように設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）