説明

金属、超硬合金、サーメット又はセラミックスからの被覆物品並びに該物品の被覆法

本発明は、少なくとも1の硬質材料複合層を含む単層又は多層の層系で被覆された、金属、超硬合金、サーメット又はセラミックスからの被覆物品、並びにこのような物品の被覆法に関する。本発明は、このような物品のために、単層又は多層であってかつ少なくとも1の硬質材料複合層を有する層系であって、該複合層が主相として立方晶TiAlCN及び六方晶AlNを含み、かつ平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴とする層系を開発するという課題に基づく。前記課題には、このような被覆を廉価に製造するための方法の開発も包含される。本発明による硬質材料複合層は、主相として立方晶TiAlCN及び六方晶AlNを含んでおり、その際、該立方晶TiAlCNは、≧0.1μmの結晶子サイズを有する微晶質fcc−Ti1-xAlxyz(ここで、x>0.75、y=0〜0.25であり、かつz=0.75〜1である)であり、かつその際、該複合層は粒界領域内にさらに非晶質炭素を0.01%〜20%の質量割合で含有している。被覆は、本発明によれば、LPCVD法で700℃〜900℃の温度でかつ102Pa〜105Paの圧力で、付加的なプラズマ励起なしで行われる。本発明による硬質材料層は、平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴としており、かつ特にSi34及びWC/Co刃先交換型切削チップ及び鋼部材上の摩滅防止層として使用可能である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
技術分野
本発明は、単層又は多層の層系で被覆されており、該層系が少なくとも1の硬質材料複合層を含有している、金属、超硬合金、サーメット又はセラミックスからの被覆物品、並びにこのような物品の被覆法に関する。該物品上に形成された本発明による硬質材料層は、平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴としており、特にSi34及びWC/Co刃先交換型切削チップ及び鋼部材上の摩滅防止層として使用可能である。
【0002】
従来技術
切削加工用工具は、安定性及び耐磨耗性に関する高い要求を満たさねばならない。久しい以前から、チタンの窒化物、炭化物及び炭窒化物をベースとする被覆物が摩滅防止層として使用されている。近年は、アルミニウムを導入することによって、この被覆物により高い耐酸化性を付与する傾向にある。
【0003】
立方晶NaCl構造を有するTiAlN層、並びにその種々の製造法は公知である。ここで、単相のfcc−TiAlN層か、又はfcc−TiAlNと六方晶AlNとの混合物が、PVD法、プラズマCVD法及びサーマルCVD法を用いて製造される(WO03/085152A2;K. Kawata, H. Sugimura, O. Takai, Thin Solid Films, 390 (2001) p. 64-69;DE102005032860B4)。
【0004】
炭素及び他の金属の導入によって、該相は継続的にさらに改善され、その際、PVD法のみならずCVD法も使用される。
【0005】
純粋なfcc−TiAlCN層を有する層系は、例えばCN101319302Aに説明されている。ここで、直線勾配を有するTiAlCN層のPVD堆積法が記載されており、その際、N2及びC22の意図的な配量によりC/N勾配が生成される。
【0006】
特許出願WO98/10120A1は、TiN、TiCN、TiAlN及びTiAlCNからなる少なくとも2の連続する層を有する、PVD被覆加工物に関する。
【0007】
Ti及びAlの組み合わされた窒化物、炭窒化物及び炭化物からなる摩滅を低減する被覆を有する加工物は、特許文献US2002/0136933A1に記載されている。
【0008】
JP05337705Aでは、Ti、Al及びN及び/又はCからなる層を有する被覆切削チップの特許を受けている。この被覆はプラズマCVDを用いて製造されたものである。
【0009】
fcc−TiAlN及びh−AlNからの混合物を有する層(DE102007000512B3)、並びに、fcc−(TiyAlxMe1-x-y)N(ここで、Meは金属Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W又はSiを含む)とh−AlNとからの混合物の層(US2004/0115484A1)も公知である。
【0010】
fcc−TiAlNと非晶質炭素とからなるナノコンポジット層も公知である(US2003/143402A1;J. Shieh and M. H. Hon, Plasma-enhanced chemical-vapor deposition of titanium aluminium carbonitride/amorpous-carbon nanocomposite thin films, J. Vac. Sci. Technol., Jan/Feb 2002, A20,(1), p. 87- 92)。この層はプラズマCVDを用いて製造されたものである。ナノスケールのTiAlCN粒が非晶質炭素からのマトリックス内に埋め込まれている。
【0011】
さらに、fcc−TiAlN層への他の金属の混入が公知である。
【0012】
EP1574594A1には、組成(AlxMe1yMe2z)CuE1vE2w(ここで、Me1及びMe2は金属であり、x>0.4、x+y+z=1でかつy,z≧0であり、かつ、1>u>0でかつu+v+w=1でかつv,w≧0である)の、ナノ結晶質構造を有する炭素含有硬質材料PVD層が記載されている。ここで、粒界における炭素含分はナノ結晶における炭素含分よりも高い。
【0013】
(Ti,Me)1-xAlx(Cyz)(ここで、MeはZr及び/又はHfである)からのCVD層を有する硬質材料被覆物品は、WO2009/112117A1に記載されている。この層は、高い耐酸化性及び高い耐摩耗性を特徴とする。
【0014】
発明の説明
本発明は、金属、超硬合金、サーメット又はセラミックスからの物品のために、単層又は多層であってかつ少なくとも1の硬質材料複合層を有する層系であって、該複合層が主相として立方晶TiAlCN及び六方晶AlNを含有しており、かつ平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴とする層系を開発するという課題に基づくものである。前記課題は請求項の特徴をもって解決され、その際、本発明は個々の従属請求項を「且つ」で繋げる意味で組み合わせたものも包含する。
【0015】
本発明による被覆物品は、該被覆物品が単層又は多層の層系で被覆されており、該層系が、少なくとも1の硬質材料複合層を有しており、該複合層が、主相として立方晶TiAlCN及び六方晶AlNを含有しており、その際、該立方晶TiAlCNが、≧0.1μmの結晶子サイズを有する微晶質fcc−Ti1-xAlxyz(ここで、x>0.75、y=0〜0.25であり、かつz=0.75〜1である)であり、かつその際、該複合層が粒界領域内にさらに非晶質炭素を0.01%〜20%の質量割合で含有していることを特徴としている。
【0016】
本発明によるTiAlCN被覆は微晶質複合層を特徴としており、その際、fcc−Ti1-xAlxyz(ここで、x>0.75)及び六方晶AlNの2つの主相は、高い硬度及び耐酸化性を保証し、かつ非晶質炭素は摩擦の低減に寄与する。複合層の高い硬度はh−AlN50質量%までの幅広い組成範囲にわたって保持されたままである。
【0017】
それに対して、従来技術によるTiAlCNナノコンポジット層は、より低いアルミニウム含分及び非晶質炭素へのTiAlCN結晶の埋め込みのために、制限された耐酸化性を有するに過ぎない。非晶質炭素マトリックスは400℃以上で燃焼する。それに伴い、高温でのナノコンポジット層内での結合は、もはや存在しない。
【0018】
しかしながらそれに対して、本発明によるTiAlCN層は、800℃までの意想外にも高い耐酸化性を示す。主成分であるfcc−TiAlCN及び六方晶AlNの高いアルミニウム含分並びに微晶質構造は、明らかに、耐酸化性に不利な影響を与えることなく所定の量の摩擦を低減させる非晶質炭素を受容するためのベースである。
【0019】
本発明による被覆は、以下のように適切にかつ有利に構成されていてよい:
微晶質fcc−Ti1-xAlxyzに加えて、硬質材料複合層内には、ウルツ鉱型構造のTi1-xAlxN及び/又はTiNからなる他のTi化合物が含まれていてよい。
【0020】
非晶質炭素は、有利にはグラファイトsp2炭素として存在している。
【0021】
本発明によれば、多層の層系は、非晶質炭素及び/又は六方晶AlNの種々の含分を有する複数のTiAlCN硬質材料複合層からなっていてよい。
【0022】
硬質材料複合層は、六方晶AlNの質量割合に関して0.1%〜50%の、及び/又は非晶質炭素の質量割合に関して0.1%〜20%の勾配を有することができる。
【0023】
適切には、本発明による硬質材料複合層は0.1μm〜30μmの層厚を有する。
【0024】
微晶質fcc−TiAlCNは、有利には0.1μm〜1μmの結晶子サイズを有する。
【0025】
物品に少なくとも1の硬質材料複合層が付与されており、該複合層が、主相として、微晶質fcc−Ti1-xAlxyz(ここで、x>0.75、y=0〜0.25であり、かつz=0.75〜1である)及び六方晶AlNを有しており、かつ付加的に非晶質Cを0.01%〜20%の質量割合で含有している被覆物品を製造するために、本発明は、該複合層を、Ti前駆体、Al前駆体、C前駆体及びN前駆体を含有するガス混合物の使用下に、LPCVD法で700℃〜900℃の温度でかつ102Pa〜105Paの圧力で、付加的なプラズマ励起なしに該物品上に堆積させる方法を含む。
【0026】
本発明による方法は、以下のように適切にかつ有利に構成されていてよい:
硬質材料複合層を堆積させるための前駆体として、ガス混合物中で、有利にはハロゲン化チタン、ハロゲン化アルミニウム、反応性窒素化合物、炭化水素及び/又は炭素と窒素との化合物を使用することができる。
【0027】
反応性窒素化合物として有利にはNH3を使用することができ、かつ炭化水素としてC24又はC22を使用することができる。
【0028】
適切には、硬質材料複合層を堆積させるためのガス混合物に、H2及び/又はN2及び/又は希ガスを混入させることができる。
【0029】
発明を実施するための実施例
以下に、本発明を実施例及び付属の図に関して詳説する。図は以下のものを示す:
図1:fcc−TiAlCN、h−AlN及び非晶質炭素からなる、実施例1による硬質材料複合層のXRD回折図。
図2:fcc−TiAlCN、h−AlN及び非晶質炭素からなる、実施例1による硬質材料複合層のラマンスペクトル。
図3:fcc−TiAlCN、h−AlN及び非晶質炭素からなる、実施例2による硬質材料複合層のXRD回折図。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】fcc−TiAlCN、h−AlN及び非晶質炭素からなる、実施例1による硬質材料複合層のXRD回折図。
【図2】fcc−TiAlCN、h−AlN及び非晶質炭素からなる、実施例1による硬質材料複合層のラマンスペクトル。
【図3】fcc−TiAlCN、h−AlN及び非晶質炭素からなる、実施例2による硬質材料複合層のXRD回折図。
【実施例】
【0031】
実施例1
WC/Co超硬合金刃先交換型切削チップに、まず厚さ1μmのTiN結合層を、次いで本発明による層をCVD法により施与する。
【0032】
この被覆プロセスを、内径75mmのホットウォール型CVD反応器中で行う。CVD被覆のために、H2 51.8体積%、AlCl3 1.3体積%、TiCl4 0.3体積%、Ar 25.9体積%及びNH3 4.9体積%、C24 1.3体積%並びにN2 14.5体積%を含有するガス混合物を使用する。堆積温度は850℃であり、プロセス圧は0.8kPaである。被覆時間が30分間経過した後、厚さ5μmのTiAlCN層が得られる。
【0033】
WDX試験により算出したところ、層内部で、C含分0.5At.−%、アルミニウム含分36.2At.−%、チタン含分8.1At.−%、塩素含分0.3At.−%及び窒素含分54.9At.−%であった。
【0034】
この層を、すれすれ入射でのX線図形薄膜分析により試験した(図1のX線回折図を参照のこと)。この回折図は、fcc−TiAlCN及びh−AlNからなる相混合物を示している。リートベルト分析の結果は、結晶性層成分に関して、h−AlN 3.5質量%及びfcc−TiAlCN 96.5質量%の含分であった。非晶質層成分は、X線図形試験法を用いては把握不可能である。
【0035】
非晶質炭素の検出のために、TEM試験及びラマン試験を実施した。TEM試験は、粒界領域内での炭素リッチを示していた。ラマンスペクトル(図2を参照のこと)は、幅広の2つのバンドを含んでおり、第一のバンドは1200〜1400cm-1であり、第二のバンドは1500〜1700cm-1であり、これらのバンドは非晶質sp2炭素のDバンド及びGバンドに相応している。
【0036】
TEM試験で測定されたfcc−TiAlCNに関する結晶子サイズは、0.4μmである。
【0037】
ビッカース圧子を用いた微小硬度測定の結果、硬度は31.5±0.6GPaであった。
【0038】
本発明による硬質材料層は、平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴としている。
【0039】
実施例2
Si34セラミックス刃先交換型切削チップに、まず厚さ1μmのTiN結合層を、次いで本発明による層をCVD法により施与する。
【0040】
この被覆プロセスを、内径75mmのホットウォール型CVD反応器中で行う。CVD被覆のために、H2 51.7体積%、AlCl3 1.2体積%、TiCl4 0.5体積%、Ar 25.9体積%及びNH3 4.9体積%、C24 1.3体積%並びにN2 14.5体積%を含有するガス混合物を使用する。堆積温度は850℃であり、プロセス圧は0.8kPaである。被覆時間が25分間経過した後、厚さ5μmのTiAlCN層が得られる。
【0041】
WDX試験により算出したところ、層内部で、C含分0.6At.−%、アルミニウム含分36.6At.−%、チタン含分8.7At.−%、塩素含分0.3At.−%及び窒素含分53.8At.−%であった。
【0042】
この層を、すれすれ入射でのX線図形薄膜分析により試験した(図3のX線回折図を参照のこと)。この回折図は、実施例1よりも高いh−AlN含分を有する、fcc−TiAlCN及びh−AlNからなる相混合物を示している。リートベルト分析の結果は、結晶性層成分に関して、h−AlN 29.0質量%及びfcc−TiAlCN 71.0質量%の含分であった。
【0043】
ラマン分析の結果、非晶質sp2炭素に関するDバンド及びGバンドを有する図2と同一のスペクトルが得られた。
【0044】
走査型電子顕微鏡による層構造の分析は、fcc−TiAlCNの結晶子サイズ0.1μmを有する、より微細な粒状の構造を示している。
【0045】
ビッカース圧子を用いて測定された硬度は30.3±0.5GPaである。
【0046】
本発明による硬質材料層は、平滑で均一な表面、優れた耐酸化性及び高い硬度を有する極めて微細な粒状の複合構造を特徴としている。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
単層又は多層の層系で被覆された、金属、超硬合金、サーメット又はセラミックスからの被覆物品であって、該層系が、少なくとも1の硬質材料複合層を有しており、該複合層が、主相として立方晶TiAlCN及び六方晶AlNを含有している被覆物品において、該立方晶TiAlCNが、≧0.1μmの結晶子サイズを有する微晶質fcc−Ti1-xAlxyz(ここで、x>0.75、y=0〜0.25であり、かつz=0.75〜1である)であり、かつ、該複合層がさらに粒界領域内に非晶質炭素を0.01%〜20%の質量割合で含有していることを特徴とする、被覆物品。
【請求項2】
微晶質fcc−Ti1-xAlxyzに加えて、ウルツ鉱型構造のTi1-xAlxN及び/又はTiNからなる他のTi化合物を含有している、請求項1記載の被覆物品。
【請求項3】
非晶質炭素がグラファイトsp2炭素として存在している、請求項1記載の被覆物品。
【請求項4】
多層の層系が、非晶質炭素及び/又は六方晶AlNの種々の含分を有する複数のTiAlCN硬質材料複合層からなる、請求項1記載の被覆物品。
【請求項5】
硬質材料複合層が、六方晶AlNの質量割合に関して0.1%〜50%の、及び/又は非晶質炭素の質量割合に関して0.1%〜20%の勾配を有する、請求項1記載の被覆物品。
【請求項6】
硬質材料複合層が、0.1μm〜30μmの層厚を有する、請求項1記載の被覆物品。
【請求項7】
微晶質fcc−TiAlCNの結晶子サイズが、0.1μm〜1.0μmの範囲内である、請求項1記載の被覆物品。
【請求項8】
金属、超硬合金、サーメット又はセラミックスからの物品を単層又は多層の層系で被覆するための方法であって、該層系が、少なくとも1の硬質材料複合層を有しており、該複合層が、主相として、微晶質fcc−Ti1-xAlxyz(ここで、x>0.75、y=0〜0.25であり、かつz=0.75〜1である)及び六方晶AlNを有しており、かつ付加的に非晶質炭素を0.01%〜20%の質量割合で含有している方法において、該複合層を、Ti前駆体、Al前駆体、C前駆体及びN前駆体を含有するガス混合物の使用下に、LPCVD法で、700℃〜900℃の温度でかつ102Pa〜105Paの圧力で、付加的なプラズマ励起なしに該物品上に堆積させる方法。
【請求項9】
硬質材料複合層を堆積させるための前駆体として、ガス混合物中でハロゲン化チタン、ハロゲン化アルミニウム、反応性窒素化合物、炭化水素及び/又は炭素と窒素との化合物を使用する、請求項8記載の方法。
【請求項10】
反応性窒素化合物としてNH3を使用し、かつ炭化水素としてC24又はC22を使用する、請求項9記載の方法。
【請求項11】
硬質材料複合層を堆積させるためのガス混合物に、H2及び/又はN2を混入させる、請求項8記載の方法。
【請求項12】
硬質材料複合層を堆積させるためのガス混合物に、不活性希ガスを混入させる、請求項8記載の方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【公表番号】特表2013−510946(P2013−510946A)
【公表日】平成25年3月28日(2013.3.28)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−538341(P2012−538341)
【出願日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【国際出願番号】PCT/EP2010/067371
【国際公開番号】WO2011/058132
【国際公開日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【出願人】(594102418)フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ (63)
【氏名又は名称原語表記】Fraunhofer−Gesellschaft zur Foerderung der angewandten Forschung e.V.
【住所又は居所原語表記】Hansastrasse 27c, D−80686 Muenchen, Germany
【Fターム(参考)】