本発明は、固有抵抗を測定するための機器を使用してシラン及びゲルマンの純度を間接的に決定するための方法に関する。本発明はさらに、固有抵抗を測定するための機器を使用した品質管理を含めた、シラン又はゲルマンの工業的製造及び／又は充填のためのプラントに関する。
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【課題】化合物半導体エピタキシャルウェハ外周部より得られたＨＥＭＴ素子であってもリーク電流の急激な増加がなく、良好な耐圧を持つＨＥＭＴ素子が得られる化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにこのような化合物半導体エピタキシャルウェハを用いて得られるＨＥＭＴ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、バッファ層３と、下部電子供給層４と、電子走行層５と、上部電子供給層６と、を有する化合物半導体エピタキシャルウェハ１０において、前記バッファ層３はＡｌＧａＡｓからなり、前記下部電子供給層４及び前記上部電子供給層６はＡｌＧａＡｓからなり、前記下部電子供給層４及び前記上部電子供給層６のＡｌ組成が０.２
０以上０.２７以下であり、かつ前記バッファ層３のＡｌ組成が前記下部電子供給層４の
Ａｌ組成より小さい。 （もっと読む）

【課題】複数種類の面方位のＹＡＧ（Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２）のいずれにも簡易な工程でＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】半導体素子１０において、ＹＡＧ基板１２は、面方位（１００）、（１１０）、（１１１）のいずれかの単結晶基板として形成される。半導体素子１０を製造する場合、まずＹＡＧ基板上にＴＭＡｌガスを供給し、ＩＩＩ族元素であるアルミニウムにより核形成層１８を形成する。次に核形成層１８の表面にＮＨ_３ガスを供給して核形成層１８の表面をＶ族化してＡｌＮからなるＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４を形成する。次にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４上にＴＭＡｌガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスを供給してＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０を形成する。最後にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０上にＩＩＩ族窒化物半導体層１６を成長結晶させる。 （もっと読む）

【課題】結晶中に欠陥の発生や不純物の混入を防止することにより結晶品質の改善を図ることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】基板上に結晶９０を成長させる際に、結晶９０中の格子欠陥の欠陥準位に対応する波長を含む光を結晶成長時に照射し、照射した光に基づいて格子欠陥に対して近接場光を発生させ、発生させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて格子欠陥を構成する不純物３３又は欠陥周辺の原子を脱離させる。 （もっと読む）

【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】
反応容器内に被処理基材を保持し、その容器内に導入した有機金属化合物のガスから炭化水素系ガスプラズマを発生させることにより、１５〜４０ａｔ％の水素を含有するアモルファス状炭素・水素固形物の微粒子を気相析出させると同時に金属の超微粒子を共析させて、金属粒子含有アモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜を形成し、その後、この膜を酸化処理して金属酸化物部粒子を生成させることを特徴とする半導体加工装置用部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐プラズマ性に優れ、安定した酸化物膜を提供する。
【解決手段】大気開放型ＣＶＤ法により、加熱した基材１０の表面に金属酸化物原料５を吹き付けて酸化物膜を成膜する。その際、ＸＲＲ法によって測定した膜密度が理論密度（ＴＤ）の７５．０〜９８．０％未満の範囲となるように成膜条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０を用いる気相成長方法であって、第１III 族元素ガスをIII 族系ガス中間室２３ａに供給し、被成膜基板３に第１半導体層を形成する第１成膜工程と、被成膜基板３に第２半導体層を形成する第２成膜工程とを含み、第１III 族元素ガスと第２III 族元素ガスとが異なる場合、III 族用キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してIII 族系ガス中間室２３ａへ、または、第１Ｖ族元素ガスと第２Ｖ族元素ガスとが異なる場合、Ｖ族系キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してＶ族系ガス中間室２４ａへの供給のうち少なくとも一方への供給を行う残留ガス排出工程を含む。 （もっと読む）

【課題】サセプタの成長面と基板の成長面との間に生じる段差をウェハ面内の膜厚均一性に影響しないレベルに抑えることのできる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】水平な方向にガス流路が形成される反応管２の上部壁にサセプタ用開口２ａを形成し、そのサセプタ用開口２ａに、基板３を設置した円盤状のサセプタ４を、その成長面４ａ側がガス流路に臨むように設けると共にその中心軸廻りに水平に回転自在に設け、そのサセプタ４の成長面４ａとは反対の面側にヒーター５を設けた化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１において、サセプタ４の成長面４ａに対して基板３の成長面３ａの位置を任意に変更できるホルダ６を介して基板３を、サセプタ４に設置するようにしたものである。 （もっと読む）

化学気相反成長応器及び方法。ＩＩＩ族金属源およびＶ族金属源を含むガス等の反応性ガスが、回転ディスク反応器のチャンバ１０内に導入され、ウェハキャリア３２と、高温基板温度、一般に、約４００℃を上回り通常は約７００〜１１００℃に維持される基板４０とに対して下方に向けられて、ＩＩＩ−Ｖ族半導体等の化合物を堆積させる。ガスは、反応器内に、望ましくは約７５℃、最も好ましくは約１００℃〜３５０℃の入口温度で導入される。反応器の壁は、入口温度に近い温度にすることができる。高温の入口温度を用いることにより、ウェハキャリアのより低い回転速度、より高い動作圧力、より低い流速、又はこれらのいくつかの組合せを用いることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】パージガスがシャワーヘッド内部を経由しないで、成長室に吐出されることにより、シャワーヘッドのカバープレート側の表面に原料ガスが付着することがなく、シャワーヘッド作製にかかる時間、手間、およびコストを低減し、かつメンテナンス性に優れた気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０とカバープレート３０との間には、パージガスが導入されるパージガス分配室３２ａが設けられ、パージガス分配室３２ａには、シャワーヘッド２０の複数の原料ガス流路２１ｂとカバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂとを互いに連通する連通管３１ｄが設けられている。カバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂを除く領域には、パージガス分配室３２ａのパージガスを成長室７に供給するプレートパージガス流路３２ｂが設けられている。 （もっと読む）

本明細書には希土類金属含有層を堆積するための方法および組成が記載されている。一般的に、開示した方法は化学気相堆積または原子層堆積のような堆積法を用いて希土類含有化合物を含む前駆体化合物を堆積する。開示した前駆体化合物は、置換基として少なくとも１種の脂肪族基を有するシクロペンタジエニルリガンドおよびアミジンリガンドを含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面の凹凸や亀裂等に金属酸化物薄膜を成膜するための酸化物膜形成方法および酸化物被膜部材を提供する。
【解決手段】大気開放型ＣＶＤ装置を使用し、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）焼結体基板１０へ大気開放型ＣＶＤ法を用いてＹ₂Ｏ₃膜を生成する。Ｙ₂Ｏ₃膜の出発原料としてＹ(ＤＰＭ)₃を用いることで、酸化イットリウム膜を基材に沿って合成でき、基板表面の凹凸の均一化、粒界亀裂等の最奥部までの酸化イットリウム膜の蒸着による埋孔が可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】長尺成長時のクラック発生率が低減されたIII族窒化物単結晶インゴットとこのインゴットを用いて製造したIII族窒化物単結晶基板、III族窒化物単結晶インゴットの製造方法、及びIII族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向に垂直な断面が円形であるか、または側面が｛１０−１０｝面からなり、厚さ方向に垂直な断面が六角形である主面が（０００１）面からなるＧａＮ結晶下地基板１０の主面及び側面の気相エッチングを行い、側面から少なくとも１μｍ以上の厚さの部分を除去したあと、エッチングが行われた下地基板１０Ａ上にＧａＮ単結晶１１をエピタキシャル成長させる。前記のエッチングにより下地基板の角や側面の加工変質層が除去されるので、ＧａＮ単結晶インゴットの周囲にポリ結晶や異面方位結晶が析出するのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】鉄が添加されており半絶縁性のＧａＮ基板のための窒化ガリウムを形成する方法を提供する。
【解決手段】有機金属塩化水素気相装置１１のサセプタ上に、（０００１）面を有するサファイア基板といった基板１を配置する。次いで、フェロセンといった鉄化合物のソース１３からの鉄化合物ガスＧ_Ｆｅと塩化水素ソース１５からの塩化水素ガスＧ１_ＨＣｌを混合器１６において反応させて、塩化鉄（ＦｅＣｌ_２）といった鉄含有反応物のガスＧ_{ＦｅＣｏｍｐ}を生成する。この生成と共に、鉄含有反応物Ｇ_{ＦｅＣｏｍｐ}、窒素ソース１７からの窒素元素を含む第１の物質のガスＧ_Ｎおよびガリウム元素を含む第２の物質のガスＧ_Ｇａを反応管２１に供給して、鉄が添加された窒化ガリウム２３を基板１上に形成する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、基板上に、ＩＩＩ族及びＶＩ族元素を含む単一前駆体と、Ｉ族金属を含む前駆体と、ＶＩ族元素を含む前駆体またはＶＩ族元素を含有するガスとを共に供給しながら蒸着させ、単一の有機金属化学気相蒸着工程によりＩ−ＩＩＩ−ＶＩ_２化合物薄膜を形成する方法を提供する。これによれば、従来の方法に比べて、一回の蒸着工程で最終薄膜が形成されるため、工程が簡素化されて経済的になり、製造された薄膜の内部気孔が少なく、均一な表面が形成されるので、太陽電池用吸収層として有用である。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法またはＨＶＰＥ法を選択的に用いて結晶層を堆積させる。
【解決手段】反応装置（１）のプロセスチャンバー（２）内のサセプタ（３）の上に配置された１以上の基板（特に結晶基板）（６）上に１以上の層（特に結晶層）を堆積させる。プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）によって積極的に加熱されるプロセスチャンバー天井（４）が、サセプタ加熱デバイス（１１）によって積極的に加熱されるサセプタ（３）に対向するように位置する。プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）は冷却液流路を持つ。プロセスチャンバー天井（４）が加熱されるとき、プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）はプロセスチャンバー天井（４）の表面（１８）から少し離れて配置される。プロセスチャンバー天井（４）が冷却されるとき、プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）の面（１７）はプロセスチャンバー天井（４）の表面（１８）に接触する。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶から成る基板の表面の自然酸化膜を除去するとともに、基板の表面を特定の保護層で覆い、基板の表面の再酸化を抑制する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 基板の表面処理方法は、反応性イオンエッチング装置内に設置した化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＺｒ，Ｍｇ，Ａｌ及びＨｆのうち少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基板１０に反応性ガスによってエッチング処理を施すことにより、基板１０の表面の自然酸化膜１１を除去するとともに、基板１０の表面に反応性ガスの成分とＸとの化合物から成る保護層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】不所望の発熱を生じるＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを効率的に冷却し得る冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体基礎基板（１）の一主面上において溝（２）を形成する工程と、その溝に蓋をして封止するようにＩＩＩ族窒化物半導体層（３）をラテラル結晶成長させる工程とを含み、それによって、その蓋で封止された溝が冷媒を通過させるためのマイクロチャネルとして利用され得る。 （もっと読む）