【課題】 サセプタの温度分布を低減し、ウェハの膜厚や発光波長の基板内分布が改善された横型気相成長装置を提供する。
【解決手段】 誘導加熱型のサセプタ上に載置した基板の基板面に対して平行に原料ガスを流して基板表面に結晶を成長させる横型気相成長装置であって、前記サセプタは、前記基板を載置する面と反対の面の中央部であって、前記基板を載置する面に垂直方向に熱電対が挿入されるための熱電対用穴を有し、かつ、前記基板を載置する面と反対の面の中央部に窪みを有する気相成長装置である。 （もっと読む）

本発明は、その一実施態様において、小粒子上のダイヤモンドライクコーティングを提供する。本発明は、約１〜１０００ｎｍのサイズ範囲の小粒子（１０）と、この小粒子上のダイヤモンドライクコーティングとを有する。このダイヤモンドライクコーティングは、この小粒子の表面の約５０〜１００％にわたって分布しており、かつこのダイヤモンドライクコーティングの厚さは１ミクロン以下である。次いでこれらの小粒子を、樹脂（１２）のような材料及び絶縁テープに施与してよい。
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【課題】基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 （もっと読む）

【課題】 マイクロリアクターや毛管の流路など、微細な空隙の内壁に均等に薄膜を形成する。
【解決手段】 電極６２と電極６３とを、流路１２，２１の外部に、流路１２，２１の長手方向に沿って配置して電源６１を駆動し、流路１２，２１内の気体に対して電圧を印加する。また、電源制御部６４が、電源６の電力波形を制御し、原料ガスが流路１２，２１内に充満する毎に、流路１２，２１内の原料ガスに対して電圧を印加し、流路１２，２１内にプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板や炭化珪素基板などの窒化物半導体とは格子不整合な材料からなる基板の上に、再現性よく品質の高い窒化物半導体の結晶層が形成できるようにする。
【解決手段】まず、サファイア基板１０１の上に、例えばスパッタ法により、Ａｌ₂Ｏ₃層１０２、ＡｌＯ_xＮ_y層１０３、ＡｌＮ層１０４が形成された状態とする。この後、ＡｌＮ層１０４の上に、亜鉛がドープ（２×１０¹⁸ｃｍ^-3）されたｐ形のＧａＮ（結晶）からなるバッファ層１０５が形成された状態とする。例えば、有機金属気相成長法によりバッファ層１０５が形成できる。 （もっと読む）

本発明は、サファイヤ基板上にＳｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層を形成する第１段階と、Ｓｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層の上にＧａＮ成分を含む窒化膜を形成する第２段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ系窒化膜の形成方法に関する。
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化学蒸着（ＣＶＤ）を用いてナノ構造を合成するためのシステムが提供される。該システムは、ハウジンングと、ハウジング内の多孔質基板と、該基板の下流面上における複数の触媒粒子とを含む。多孔質基板を通過する反応ガスとの相互作用により、該触媒粒子からナノ構造が合成され得る。成長中のナノ構造を支持させる電界を発生させるため、電極が設けられ得る。伸長した長さのナノ構造を合成するための方法も提供される。ナノ構造は、熱導体、ヒートシンク、電動機用の巻線、ソレノイド、変圧器、織物製造用、甲冑、並びに他の用途に有用である。 （もっと読む）

半絶縁ＩＩＩ族窒化物層および半絶縁ＩＩＩ族窒化物層の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物層を浅い準位のｐ型ドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を、例えば深い準位の遷移金属ドーパントなどの深い準位のドーパントでドーピングすることを有する。このような層および／または方法はまた、ＩＩＩ族窒化物層をおよそ１×１０^１７ｃｍ^−３よりも小さい濃度を有する浅い準位のドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を深い準位の遷移金属ドーパントでドーピングすることを有する。深い準位のドーパントの濃度は、浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大きい。
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本発明は、
−ケイ素イオンまたはゲルマニウムイオンのビームを使用して、基材を照射することによる核生成サイト（４）の形成と、
−形成された核生成サイト上でのナノストラクチャー（８）の成長
とを含むナノストラクチャーの形成方法に関する。
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基体上へセラミック膜、特に炭化ケイ素膜を堆積する方法が開示され、その方法において、残存応力、残存応力勾配、および抵抗率が制御される。これらの制御された特性を備えた堆積された膜を有する基体、およびこれらの特性を備えた膜を有するデバイス、特にＭＥＭＳデバイスおよびＮＥＭＳデバイスもまた開示される。この堆積された炭化ケイ素膜中の残存応力は、約７００ＭＰａと約−１００ＭＰａとの間にあり、その電気抵抗率は、約１０Ω・ｃｍ未満である。
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１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ｉｉ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
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【課題】 シーケンシャル流量堆積を使用して金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 シーケンシャル流量堆積を使用して良好な表面モホロジを有する金属層を堆積させる方法は、処理チャンバ内の基板を交互に金属−カルボニル前駆ガスと、還元ガスとに曝すことを含む。金属−カルボニルプリカーサガスにさらされる間、薄い金属層は、熱分解によって基板上に堆積され、その後の還元ガスに金属層を曝すことは、金属層から反応副生成物の除去するのを助ける。所望の厚さを有する金属層が達成されるまで、金属−カルボニルプリカーサガスと、還元ガスとの曝露ステップは、繰り返されることができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラズマ・チャンバから構成された直線プラズマ放電開口部（９，２７，２８，３０）及びこの直線プラズマ放電開口部の領域内に多重極磁場装置を有するＥＣＲプラズマ源に関する。少なくとも２つの個々の分波器（３，４）が、中心にある分波器として存在する。これらの分波器（３，４）はそれぞれ、部分プラズマ・チャンバ（１，２，２１，２２，３２，２３）内に配置されている。直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）及び多重極磁場装置（１０，１１，３８，３９）が、各部分プラズマ・チャンバ（１，２，２１，２２，３２，２３）に沿って存在する。少なくとも２つの直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）が、ＥＣＲプラズマ源の少なくとも１つのプラズマ放電開口部（９，２７，２８，３０）を形成するように、これらの直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）は、向き合って配置されている。
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電子および／または光電子用途用のＧａＮデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ ＮｉおよびＣｕなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。
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【課題】 水晶単結晶薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水晶エピタキシャル薄膜の製造方法は、大気圧下において、桂素源として珪素のアルコキシドを気化し、反応促進剤である塩化水素とともに基板上に導入する工程と、珪酸エチルと酸素を反応させて基板上に水晶を堆積させる工程を含むものである。前記薄膜は結晶性、光学特性の優れた単結晶水晶薄膜である。 （もっと読む）

グロー放電を用いて、基体上にプラズマ重合された付着を生成させる方法を記載する。グロー放電は電極と対電極との間に発生させる。バランスガス及びテトラアルキルオルトシリケートの混合物がグロー放電を通って基体上に流れ、基体上に、光学的に透明な被膜として、被膜を付着させるか、又は表面改質を生じさせる。この、好ましくは大気圧又はその近傍で実施する方法は光学的に透明で、粉末を含まないか又は事実上粉末を含まない被膜を生成するように設計することができる。
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