特定のハイドライド気相エピタキシー方法を利用することによって成膜層を有利に得る。この方法では、ＩＩＩ−Ｖ族及びＶＩ族化合物半導体の成膜に、延長拡散層と、均一化隔壁と、側壁パージガスと、独立したガス及び基板加熱装置を有する縦型成長セル構造を使用する。ガス流は延長拡散層内で均一に混合し、基板の表面全体に接触するように供給し、それによって高品質かつ均一な膜を形成する。そのようなガス流構成の例としては、基板をガス出口から離れて配置し、基板の上方に近接して配置された延長拡散層と隔壁によって対流作用の影響を最小化させ、均一性を向上させることが挙げられる。このような対称的な構成によって、シングルウエハ装置からマルチウエハ装置に容易に大規模化することができる。この縦型構成により、異なる反応性ガス前駆体を迅速に切り替えることができ、成膜材料の欠陥密度をさらに最小化するために時間変調成長及びエッチング法を採用することができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜速度が速く、成膜時のダメージが小さい金属系膜の作製方法及び作製装置及び積層膜作製装置を提供する。
【解決手段】 圧力制御可能なチャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設され、３ｄ遷移金属からなる被エッチング部材１０の上方から、Ｂ又はＳｉを含有するハロゲン系の原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１９を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、被エッチング部材１０をエッチングして、被エッチング部材に含まれる３ｄ遷移金属成分の前駆体２０を生成し、被エッチング部材１０より低い温度に制御された基板３に、前駆体２０を成膜させると共に、成膜された前駆体２０をハロゲンのラジカルにより還元して、基板３上に３ｄ遷移金属、又は、Ｂ若しくはＳｉを含有する３ｄ遷移金属の金属系膜を作製する。 （もっと読む）

部材に関して、第１領域（２４）の、ダイヤモンド層（３０）に向かう移行領域に、凹部（１８）および凸部（１６）を含む深さ方向プロフィルを設け、この場合、ダイヤモンド層（３０）を基体材料（１０）に絡合せて固定し、かくして、ダイヤモンド層（３０）の部分（３２）を、第１領域（２４）の凸部（１６）よりも深く基体（１０）内に設ける。方法に関して、第１工程において、結合材料の選択的エッチングを実施し、第２工程において、硬質物質の選択的エッチングを実施し、第３工程において、結合材料の選択的エッチングを実施し、次いで、基体（１０）にダイヤモンド層（３０）を被覆する。
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【課題】 プラズマ処理を行うような真空室を備えた装置において、プラズマより生成されたラジカルやイオンのアタックでＯリングのようなシール部材がダメージを受けることにより生じる発塵を十分に抑制する。
【解決手段】 開口部を開閉する弁体および弁座の対向面上の開口端からシール部材に至るまでに抑止部を設け、プラズマ処理室やその他の真空室からの粒子が、閉じた状態の弁体と弁座との間隙を通じてシール部材に到達するのを抑止する。 （もっと読む）

エピタキシャル炭化ケイ素層が、結晶学的方向に向かってオフアクシスに方向付けられた炭化ケイ素基板の表面内に形態を形成することによって作製される。これらの形態は、結晶学的方向に対して非平行（すなわち、斜めまたは直角）に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、エピタキシャル炭化ケイ素層が、形態を備える炭化ケイ素基板の表面上に成長される。
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窒化タンタル／タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはＰＶＤで堆積される。窒化タンタル／タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 （もっと読む）