【課題】初期切削抵抗が小さく、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体表面にダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆工具であって、上記ダイヤモンド皮膜は、平均結晶粒径０．２〜１．５μｍの配向ダイヤモンド結晶粒が、無配向ダイヤモンド結晶粒のマトリックス中に平均面積割合で３０〜８０面積％分散分布する膜構造を有し、かつ、ダイヤモンド皮膜の厚さ方向に沿ってみた場合、表面側に向かうほど、配向ダイヤモンド結晶粒の結晶粒径及び面積割合は小さな値となり、さらに、前記ダイヤモンド皮膜の結晶粒の（１１０）面または（１１１）面の少なくともいずれかの面は、基体表面の法線に対する傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、０〜１０度の範囲内に存在する度数合計は、度数全体の３０〜６０％の割合を占める。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｂ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｃ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長
させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱した状態で前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第１の処理ガスとエッチング系の第２の処理ガスとを共に供給する第１のガス供給工程と、
前記処理室内に、前記第２の処理ガスよりエッチング力の強いエッチング系の第３の処
理ガスを供給する第２のガス供給工程と、
を少なくとも含み、前記第１のガス供給工程と前記第２のガス供給工程とを少なくとも１回以上実施し、前記基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して改善された全体的平坦度を有するエピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法を提供する。
【解決手段】エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ１つをエピタキシリアクタ中のサセプタに載置し、第一の工程では水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に１．５〜５ｓｌｍの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は双方の工程において１〜１００ｓｌｍであり、引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。 （もっと読む）

ルテニウムを堆積するための組成物及び方法。四酸化ルテニウムＲｕＯ_４を含有する組成物を前駆体溶液６０８として使用し、ＡＬＤ、プラズマ強化堆積、及び／またはＣＶＤによって基板４００を被覆する。周期的プラズマ濃縮を使用することもできる。
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【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥をより低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】基板法線方向から見て閉じた形状の窪み１０４が表面に設けられた基板１０２と、少なくとも窪み１０４の内面１０５、１０６、１０７からの結晶成長によって基板１０２の表面上に形成された半導体層１０３とを備えた半導体装置である。半導体層１０３は、基板１０２に設けられた窪み１０４の内部に位置する３枚の側面１０５、１０６および１０７からの結晶成長によって形成されているため、基板１０２の主面の法線方向とは異なる方向に半導体層１０３が結晶成長して欠陥が１カ所に集合するようになり、その結果、３枚の側面１０５、１０６および１０７の上部にある半導体層１０３の欠陥密度を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位が低く，より安定した高密度のプラズマを容易に形成する。
【解決手段】処理室１０２内に設けられ，ウエハを載置する載置台１１０と，処理室内に処理ガスを導入するガス供給部１２０と，処理室内を排気して減圧する排気部１３０と，載置台に対向するように板状誘電体１０４を介して配設された平面状の高周波アンテナ１４０と，高周波アンテナを覆うように設けられたシールド部材１６０と，載置台と板状誘電体との間に誘導結合プラズマを生成するための高周波を高周波アンテナに印加する高周波電源１５０とを備え，高周波アンテナは両端を開放するとともに中点又はその近傍を接地し，前記高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成したアンテナ素子１４２からなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成部で発生するプラズマ光が被処理物に照射されるのを防止し、被処理物の変質等を防止する。
【解決手段】吹出しノズル２０の内部の吹出し路２１のプラズマ導入口２１ａをプラズマ生成部１０の放電空間１２に連ね、吹出し口２１ｅを処理空間８に臨ませる。処理ガスを放電空間１２に導入してプラズマ化し、吹出し路２１を経て、吹出し口２１ｅから吹出し、処理空間８の被処理物９０に接触させる。吹出し路２１内には、ガス流通を許容するようにして遮光部材２３を設ける。遮光部材２３によって、プラズマ導入口２１ａから吹出し口２１ｅへ向かう光を遮る。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できかつ、エピタキシャルウェーハの信頼性を確保できるサセプタを提供すること。
【解決手段】サセプタ２Ｂは、エピタキシャルウェーハＥＰＷを製造する際に基板ウェーハＷが載置される。このサセプタ２Ｂは、基板ウェーハＷが載置された際に基板ウェーハＷおよび該サセプタ２の間で形成される空間部２２３と該サセプタ２外部とを連通する連通路２０Ｂを有する。連通路２０Ｂは、空間部２２３に面した開口、およびサセプタ２外部に面した開口がサセプタ２の厚み方向に平面的に干渉しないように形成されている。サセプタ２Ｂの側面部は、上方側から下方側に向うにしたがって断面積が縮小する段付き状に形成され、段差部２６を有する。連通路２０Ｂは、段差部２６に形成され、空間部２２３およびサセプタ２Ｂ外部を連通する。 （もっと読む）

【課題】シリコン層又はシリコン基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を、少ない工程で低コストに形成することが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハ１１の一面１１ａに対して、ウエットエッチング法によって異方性エッチングを行う。シリコンウエーハ１１の一面１１ａに対して、異方性エッチングを行うと、シリコンウエーハ１１の一面１１ａに微細な凹凸１２が形成される。この微細な凹凸１２は、例えば（１１１）面からなる傾斜面１２ａ，１２ｂで構成された溝１４が、周期的に多数形成されたものであればよい。 （もっと読む）

【課題】発光効率が低下するのを抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】この２波長半導体レーザ素子１００（発光素子）は、（０００１）面からなる平坦部１０ａと、（１、１、−２、１０）面からなる傾斜部１０ｂとを含むｎ型ＧａＮ基板１０と、平坦部１０ａの表面上に形成される発光層３３を含む青色半導体レーザ素子部３０と、傾斜部１０ｂの表面上に形成されるとともに青色半導体レーザ素子部３０と異なる波長を発振する発光層５３を含む緑色半導体レーザ素子部５０とを備える。そして、青色半導体レーザ素子部３０および緑色半導体レーザ素子部５０は、それぞれ、窒化物系半導体からなる発光層３３および５３により構成されている。 （もっと読む）

【課題】同一のＳｉＣ薄膜形成プロセスの進行中に、基板の前処理段階（昇温過程および高温過程）および基板上への薄膜の成長段階において、あるいは更に降温段階において、供給する炭化水素ガス種を瞬時に切り替えて、各段階に最適な種類の炭化水素ガスを供給できるＣＶＤによるＳｉＣ薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の薄膜を成長させる基板１４を保持するサセプタ１２を内蔵したＣＶＤ反応容器１０、および該ＣＶＤ反応容器にそれぞれ接続されたＳｉ原料ガスの供給器２６および炭化水素ガスの供給器２８を備えたＳｉＣ薄膜形成装置において、上記炭化水素ガスの供給器は、それぞれ相互に独立して供給を制御可能な複数の炭化水素ガス源Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 バイパス配管の下流側に専用の真空ポンプを設けることなく、バイパス配管からガス排気系へと排気された処理ガスの処理室内への逆拡散を抑制する。
【解決手段】 基板を収容する処理室と、基板を処理する処理ガスを処理ガス源から処理室内へ供給するガス供給系と、処理室内の雰囲気を排気するガス排気系と、ガス排気系に直列に設けられた少なくとも２つの真空ポンプと、ガス供給系とガス排気系とを処理室を介さずに接続するバイパス配管と、を含み、真空ポンプの内、ガス排気系を流れるガスの最上流側に位置する真空ポンプはメカニカルブースタポンプであって、バイパス配管は、メカニカルブースタポンプとその下流に位置する真空ポンプとの間の位置に接続される。 （もっと読む）

高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い¹³C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。 （もっと読む）

【課題】超硬合金の表面に非晶質炭素膜を被覆してなり、基材の表面を特定の凹凸面とすることで密着性を向上させた新規の被覆超硬合金部材を提供する。
【解決手段】被覆超硬合金部材は、炭化タングステンを含む硬質相１２および鉄族金属を含む結合相１１からなる超硬合金からなる基材１０と、基材１０の表面に被覆された非晶質炭素膜２と、を備える。非晶質炭素膜２が被覆された基材１０の表面は、硬質相１２が消失してなる凹部１２⁻をもつ凹凸面１０ｆであり、ＷＣの平均粒径をＸ［μｍ］、凹部の最大深さをＹ［μｍ］、凹凸面における前記結合相の面積率をＺ［％］としたとき、Ｘ、ＹおよびＺの値を所定の範囲内とすることで、アンカー効果により基材１０の表面と非晶質炭素膜２との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ウェハー外周部から剥離した膜がカラーリングに異物として付着することを抑制できるＣＶＤ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高密度プラズマＣＶＤ装置は、成膜とエッチングを同時に又は繰り返して行うことで埋め込み性の高い膜をウェハー上に形成する高密度プラズマＣＶＤ装置であり、、ウェハー２１が保持され、ウェハー２１より径の小さい静電チャック２と、静電チャック２の側壁を囲むように設置されたカラーリング１ｂとを具備し、カラーリング１ｂは、静電チャック２の側壁に対向し且つウェハーの外周部の下方に位置する対向部４０ａを有し、対向部４０ａは静電チャックの側壁を囲むように形成されており、対向部４０ａにおける静電チャック２に対して外側は、前記ウェハーの外周部の最も外側の端部より内側に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より急峻且つより安定したＳＲプロファイルを有し、且つ所望のＳＲプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の基板Ｓの直上に、基板Ｓよりも不純物濃度が低い第１層を気相成長させる第１成長工程（１ｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ工程）と、第１層よりも上に第２層を気相成長させる第２成長工程（２ｎｄ Ｇｒｏｗｔｈ工程）とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、第１成長工程を常圧ＡＰ以下の第１圧力ＲＰ下で実行し、第２成長工程を第１圧力ＲＰ以上の第２圧力ＡＰ下で実行するとともに、ドーパントガスの反応炉内への流量を制御するＭＦＣ１３、１５、１６の流量を時間に対して比例的に変化させるようにする。 （もっと読む）