【課題】 ＣＶＤ法による欠陥のないダイヤモンド、とりわけ、ｎ型半導体特性の確実に向上したダイヤモンドの合成方法を提供する。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド薄膜の合成方法において、ダイヤモンド基板を反応性イオンによってエッチング処理し、この処理面に炭素源を含む原料ガスあるいはさらにリンを含むｎ型ドープ源を供給し、プラズマにより原料ガスを分解・析出するＣＶＤ法により欠陥のない高品質ダイヤモンド薄膜、とりわけ欠陥のないｎ型ダイヤモンド薄膜を生成させる。 （もっと読む）

【課題】 湿式法による廃ガスの処理において、フッ素含有廃ガスからフッ素ガスあるいはフッ化酸素を含む酸化性ガスを高効率で除去する方法を提供する。
【解決手段】 チオ硫酸塩、硫化物及び水硫化物からなる群から選ばれる硫黄系還元剤と塩基性化合物との混合物を含む吸収液を使用する、フッ素含有ガスからフッ素ガス及び／またはフッ化酸素を含む酸化性ガスを除去する方法。 （もっと読む）

【課題】所定の単結晶基板上において、高い結晶品質のＡｌ含有III族窒化物膜を形成する。
【解決手段】所定の単結晶基板の主面上に、高さが０．５ｎｍ〜５ｎｍのＡｌＮからなる針状構造を形成する。次いで、前記単結晶基板の前記主面上において、前記針状構造を介してＡｌ含有III族窒化物膜を形成する。 （もっと読む）

一実施形態において、減速エッチングプロセス（例えば、約＜１００オングストローム/分）によって汚染物質を除去し及び/又は基板表面を平滑にするステップを含むシリコン含有表面を処理する方法が提供される。基板は、エッチング剤とシリコン源を含有するエッチングガスにさらされる。好ましくは、エッチングガスは塩素ガスであり、基板は約８００℃未満の温度に加熱される。他の態様において、基板表面上にソース/ドレイン（Ｓ/Ｄ）領域内に凹部を形成しつつ、シリコン物質を除去するステップを含む高速エッチングプロセス（例えば、＞約１００オングストローム/分）が提供される。他の実施形態において、エッチング剤とシリコン源を含有するチャンバ洗浄ガスで内面をさらすステップを含むプロセスチャンバを洗浄する方法が提供される。チャンバ洗浄プロセスは、プロセスチャンバ内で石英と金属表面のエッチングを制限する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れ、劣化し難く、さらに撥水性に優れるダイヤフラム（自動車用ダイヤフラムを除く）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】外表面Ｓ４’に耐摩耗性、撥水性のある炭素膜Ｆが形成されているダイヤフラム及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 構造を単純化するとともに、プラズマ領域を容易に可変できるプラズマ限定装置を備えた半導体製造装置を提供する。
また、同一の駆動装置を用いて、プラズマ領域を小さな体積または大きな体積に限定することで、構成を単純化できるプラズマ限定装置を備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 反応室１３内のプラズマ領域を限定するプラズマ限定装置３０を備えた半導体製造装置であって、プラズマ限定装置３０は、反応室１３内のプラズマ領域を第１プラズマ領域Ｐ１に限定する第１限定装置３１と、反応室１３内のプラズマ領域を第１プラズマ領域Ｐ１より大きい第２プラズマ領域Ｐ２に限定する第２限定装置３５と、プラズマ領域を可変するために第１限定装置３１及び第２限定装置３５を一緒に移動する駆動装置３９とを含む。 （もっと読む）

磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された陽極酸化アルミナ膜（１３）と、陽極酸化アルミナ膜（１３）の上部表面及び細孔（１４）の内壁に形成された炭素層（１５）と、細孔（１４）の炭素層（１５）を介して内部に形成された磁性粒子（１６）と、炭素層（１５）及び磁性粒子（１６）の表面に形成された潤滑層などから構成される。炭素層（１５）により陽極酸化アルミナ膜（１３）の表面及び細孔（１４）の内壁を覆うことにより、陽極酸化アルミナ膜（１３）を保護して、耐蝕性及び耐久性に優れた磁気記録媒体を実現する。
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【課題】 圧力の制御性を低下させることなく圧力差の大きく異なる複数の処理を行なうことを可能とする真空装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバーと該真空チャンバーにガスを供給する手段と該真空チャンバーを排気する排気手段とを有する真空装置において、前記排気手段は、第一の圧力で処理を行なうための第一の排気手段１２４と第二の圧力で処理を行なうための第二の排気手段１２６とを有し、第二の圧力で処理を行なう際には第一の排気手段１２４は停止させ、かつ第一の排気手段１２４を通して真空チャンバーを排気することが可能なように第二の排気手段１２６が第一の排気手段１２４より下流に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマ中でイオンさやを形成して、非導電性基材（１２）上にコーティングを堆積する装置。この装置は、第１の幅を有する第１の電極（６０）に螺旋状に巻き付ける外側表面を有する管状反応チャンバ（５６）を含む。第１の電極の螺旋状の巻き付けにより、管状反応チャンバの外側表面周囲に複数の第１のラップが与えられる。この装置は、第１の幅より大きい第２の幅を有する第２の電極（５８）をさらに含む。第２の電極の螺旋状の巻き付けにより、管状反応チャンバの外側表面周囲に第１のラップと交互の複数の第２のラップが与えられる。プラズマ中のイオンさやは、第１の電極が無線周波数電源に接続され、第２の電極が接地のための経路を提供するとき、管状反応チャンバの少なくとも長手軸に延在する厚さまで形成される。
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【課題】 基板を処理するための方法を提供することである。
【解決手段】 基板を処理する方法は、プラズマ空間を規定するために構成される第１のチャンバ部分と、処理空間を規定するように構成された第２のチャンバ部分とを有する処理チャンバに基板を配置することと、プラズマ空間に第１のガスを導入することと、処理空間に第２のガスを導入することとを含む。プラズマは、上部チャンバ部分に結合されたプラズマソースを使用して第１のガスからプラズマ空間に形成される。プラズマがプラズマ空間から処理空間へと拡散することができるように、基板を処理するためのプロセス化学は、第１のチャンバ部分と、第２のチャンバ部分との間に配置されたグリッドを提供することによって処理空間に形成される。 （もっと読む）

基材の少なくとも一部の表面を処理するための装置及び方法がここに記載される。一の実施態様において、該装置は、内部容積部、該基材、及び排気マニホールドを含むプロセスチャンバー；一以上のエネルギー源によって一以上の反応性ガス及び随意的に追加的なガスを含むプロセスガスが活性化されて、活性化反応性ガスを提供する活性化反応性ガス供給源；及び該供給源及び該内部容積部と流体で連通している分配導管を有し：該分配導管は該活性化反応性ガスを該内部容積部及び直接的に該基材に導く複数の開口部を含み、ここで該活性化反応性ガスは該表面と接触し、該装置が該排気マニホールドを通じて該内部容積部から引き出される使用済みの活性化反応性ガス及び／又は揮発性生成物を提供する装置である。 （もっと読む）

【課題】本件は、従来の単層の珪素化合物を主体とする薄膜からなるバリア層を有するプラスチック容器では得られなかった高度のガスバリア性を奏するプラスチック容器を提供する。
【解決手段】プラスチック容器はその内面に、プラズマ化学気相成長法によって形成した、複数層の酸化珪素を主体とするガスバリア性薄膜からなり、第１層から最上層にかけて各層の酸化度が順次増加した、酸化珪素を主体とする複層ガスバリア性薄膜を備える。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル膜の形成方法と、これを用いた薄膜形成方法、及び半導体装置の製造方法が開示される。
【解決手段】 エピタキシャル膜の形成方法と、これを用いた薄膜形成方法、及び半導体装置の製造方法において、第１単結晶シリコン膜上に前記第１単結晶シリコン膜の表面を部分的に露出させる開口部を有する第１絶縁膜パターンを形成した後、前記開口部によって露出された第１単結晶シリコン膜上に単結晶シリコンで構成された第１シード膜を形成する。そして、前記第１シード膜が形成された結果物上部にシリコンソースガスを提供して、前記第１シード膜上にエピタキシャル膜を成長させながら、前記第１絶縁膜パターン上に非晶質シリコン膜を形成する。その後、前記非晶質シリコン膜の結晶構造を単結晶に転換させて前記エピタキシャル膜と非晶質シリコン膜から第２単結晶シリコン膜を獲得する。 （もっと読む）

この発明は、コーティングされ表面が微細構造化された工作物およびその作製方法に関する。ここにおいては、微細構造の構造深さ（ｓ）は、層厚（ｄ）よりも大きく設定、あるいはこれに対して或る定められた割合に設定される。
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充てん物を含むポリマーマトリクス複合体から作られる製品表面の電気的接続性を改善する方法は、以下の工程を含む：室温よりも高い第一処理温度まで製品の表面を加熱する工程；表面のポリマーの除去と充てん物の除去を酸素ラジカルにより行う表面の第一プラズマ処理工程；プラズマ処理した当該製品の表面を第一処理温度よりも低い第二処理温度まで冷却する工程；表面の活性化を酸素ラジカルにより行う第一プラズマ処理によって生成された表面の第二プラズマ処理工程；第二プラズマ処理により生成された表面上でメタライゼーションを蒸着する工程。 （もっと読む）

【課題】 高温でエピタキシャル成長を行うことが可能なＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 両端に開口部を有する反応管１６内で原料ガスを反応させ基板３０上に炭化ケイ素薄膜を堆積させるＣＶＤ装置１０であって、反応管１６の一端の開口部から前記原料ガスを供給するミキシングチャンバ１４と、反応管１６の内部に設置され且つ基板３０を加熱するサセプタ２８と、反応管１６内で基板３０上を通過した前記原料ガスを反応管１６の他端の開口部から排出する排出管１８と、透過した光量を低減する不透明減光部材からなり、前記反応管内で生じた輻射光の光量を低減する拡散用減光シャワー板２４及び減光板５０と、を備えたＣＶＤ装置１０である。
である。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、エピタキシャル膜の膜厚の均一化を図れるサセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】サセプタ２は、基板ウェーハが載置されるウェーハ載置部２１を有する。このウェーハ載置部２１は、基板ウェーハの形状に対応した凹形状を有し、基板ウェーハの外周縁部を支持する第１凹部２１１と、この第１凹部２１１よりも中心側下段に形成される第２凹部２１２とで構成される。このうち、第１凹部２１１の底面は、外周端縁から内周端縁に向かうにしたがってサセプタ２の厚み寸法が小さくなるように傾斜している。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜のエピタキシャル成長を阻害することの少ない半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶からなるＧａ_２Ｏ_３基板を準備（工程イ）し、沸騰する硝酸中にＧａ_２Ｏ_３基板を浸け込み、所定時間エッチング（工程ロ）し、このＧａ_２Ｏ_３基板をエタノールを用いた超音波洗浄（工程ハ）、超純水を用いた超音波洗浄（工程ニ）を行った後に乾燥する（工程ホ）。反射高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）法によりストリーク像が観察され、原子間顕微鏡（ＡＭＦ）によりＧａ_２Ｏ_３基板の表面が平滑であることが確認できた。 （もっと読む）

酸化膜形成装置（１０）の導入管（１８）には、オゾン（３２）を生成するオゾナイザ（３１）と、脱イオン水（３５）が貯留されオゾナイザ（３１）のオゾン（３２）を供給するオゾン供給管（３３）が脱イオン水（３５）の中に浸漬されてバブリングされるバブラ（３４）と、オゾン（３２）のバブリングで生成したＯＨ＊を含む酸化剤（３７）を供給する供給管（３６）とを備えた酸化剤供給装置（３０）が、接続されている。オゾンを水中でバブリングして生成したＯＨ＊を含む酸化剤は強力な酸化力を有するので、ウエハに酸化膜を比較的に低温下で短時間に形成できる。プラズマを使用せずに済むので、ウエハに先に形成された半導体素子や回路パターン等にプラズマダメージを与えるのを未然に回避できる。酸化膜形成装置のスループットや性能および信頼性を向上できる。
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【課題】 後処理の工程を経ることなくＣｌの影響をなくして不純物層等が形成されることがない薄膜作製装置とする。
【解決手段】 Ｃｕの薄膜を形成した後、Ｃｌ₂ ガス２１の供給を停止すると共に、ガスノズル１８からＡｒガス２２を供給してＡｒ^*を発生させ、基板３にＣｕ成分が成膜された後に残留するＣｌ^*とＡｒ^*とが置換される。これにより残留するＣｌ^*が再反応してコンタミ層の形成やパーティクルの形成を抑えてＣｕ層の表面を清浄に保ち、被エッチング部材１１の表面を清浄に保つ。 （もっと読む）