【課題】エピタキシャル膜成長を行う際に、基板表面へのエッチングダメージを軽減して、良質なエピタキシャル膜を得る技術を提供する。
【解決手段】表面に絶縁体面と半導体面とを有する基板を処理室内に搬送する工程と、前記処理室内に搬送された基板に対し、水素含有ガスと塩素含有ガスとを供給し、前記基板の前記半導体面をエッチングするエッチング工程と、前記エッチングされた基板に対し、水素含有ガスを供給して基板表面の残留塩素を除去する第１パージ工程と、前記残留塩素を除去された基板に対しシリコン含有ガスを供給し、前記基板の半導体面にシリコン含有膜を形成する成膜工程とを備え、前記エッチング工程と第１パージ工程とを含む工程を連続して２回以上実施するよう半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面におけるボロン量を抑えるのに好適なエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶をスライス１１して得られたスライスウェーハをラッピング又は研削１１し化学エッチング１２し鏡面研磨１３し洗浄１４した後保管１６されたボロンがウェーハに付着したシリコンウェーハ上にエピタキシャル成長する方法において、保管１６されたシリコンウェーハをＨ₂Ｏ−Ｈ₂Ｏ₂−ＮＨ₄ＯＨの混合液で洗浄１７し、洗浄１７したシリコンウェーハをエピタキシャル成長装置内に搬入１８し、搬入１８したシリコンウェーハの表面に１０００〜１２００℃の温度で塩化水素ガスを流して、エッチング取り代が０．１〜０．５μｍとなるようにウェーハ表面の気相エッチング１９を行い、続いて成長装置内に原料ガスをキャリアガスとともに流して気相エッチングされたウェーハ表面にエピタキシャル層を形成２０する。 （もっと読む）

【課題】応力のないエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、１０００〜１２００℃の温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に、前記半導体ウェハを１２００〜９００℃の温度範囲で、１秒あたり５℃より低い速度で冷却する。 （もっと読む）

【課題】優れた基材とガスバリア層との密着性を有し、インラインでの処理が可能な高い生産能率のガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】基材１００上に中間密着層１０１とガスバリア層１０２とを形成したガスバリア性フィルムの製造方法であって、基材が走行する金属ロール電極と、対向電極としてＳ・Ｎ極一対以上の磁石を設置した接地電極とを備え、両電極間の最短距離を特定範囲としたＲＩＥ処理装置を用い、前記電極間に、酸化用ガスを含む処理ガスと、気化した有機シリコン化合物を導入して、処理空間内の圧力を０．５〜２０Ｐａとして、３０ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波を、特定値以上となるように印加し、基材表面に厚さ３ｎｍ以上の中間密着層を形成する工程と、中間密着層面上にガスバリア層を形成する工程とを具備する製造方法。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板または半導体膜の表面をエッチングして反射防止構造を形成するのではなく、半導体表面に同種または異種の半導体を成長させて凹凸構造とする。例えば、光電変換装置の光入射面側に、表面に複数の突起部を有する半導体層を設けることで、表面反射を大幅に低減する。かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】 超音波ホーンの損耗を防ぐことにより高寿命化する。
【解決手段】 多結晶材料からなる超音波ホーン基材１の表面をダイヤモンドライクカーボンからなる皮膜２で覆うことにより非晶化し、ホーン表面における不規則な超音波の集中を防止する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させた場合の基板の反り、またはＧａＮ結晶の割れを抑制する。
【解決手段】ベース基板と第１結晶層と第２結晶層と機能層とを有し、ベース基板、第１結晶層、第２結晶層および機能層が、ベース基板、第１結晶層、第２結晶層、機能層の順に配置され、第１結晶層と第２結晶層とが格子整合または擬格子整合して接し、機能層の熱膨張係数が、ベース基板の熱膨張係数より大きく、第１結晶層の格子定数が、第２結晶層の格子定数より小さく、第１結晶層および第２結晶層が互いに接する第１界面と、機能層側に位置する第２結晶層の第２界面とを、同一視野に含んで断面ＴＥＭ像を観察した場合、第１界面を含んで観察される第１モアレ画像の面積が、第２界面を含んで観察される第２モアレ画像の面積より小さい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】発光層がストライプ状の凹凸形状に沿って形成されたIII 族窒化物半導体発光素子において、発光層を均一な厚さに形成すること。
【解決手段】まず、基板１０１の一方の表面に、ノコギリ歯状ストライプの凹凸形状を形成する（図２（ａ））。次に、基板１０１のノコギリ歯状ストライプの凹凸形状が形成された側の表面上に、減圧ＭＯＣＶＤ法によって、その凹凸形状に沿って、ｎ型層１０２、発光層１０３、ｐ型層１０４を順に積層させる。これにより、各層が凹凸形状に沿ってうねったノコギリ歯状ストライプの形状となるよう形成する（図２（ｂ））。ここで、ガス流方向は、凹凸形状のストライプ方向に平行な方向とした。これにより、発光層１０３の面内膜厚分布、組成分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便にＡｌＮ半導体を製造することができると共に、ＡｌＮの成長速度をより広い範囲で制御することが可能であり、尚且つ、不純物の混入のおそれを可及的に排除して、結晶性に優れた電子デバイス用のＡｌＮ半導体が得られるＡｌＮ半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】III族元素以外の不純物成分の合計が０．００１重量％以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ₃ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させる電子デバイス用のＡｌＮ半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板の自然酸化膜除去処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する方法であって、処理用ガス供給装置から第１処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第１周波数の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に窒素イオンを含むプラズマを発生させ、この窒素イオンによって太陽電池基板の酸化膜を除去する除去工程と、処理用ガス供給装置から第２処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第２周波数（＞第１周波数）の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させ、このプラズマによって太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜する成膜工程とを連続して行う。 （もっと読む）

【課題】生産コストを低くできるプラズマ処理装置及び基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置され、基材２を保持する基材ホルダー３と、前記チャンバー１に繋げられ、前記チャンバー内に処理ガスを導入するガス導入経路と、前記チャンバー内に５０〜５００ｋＨｚの高周波出力を供給する高周波電源４と、を具備し、前記高周波電源４から供給された高周波出力により前記チャンバー内に前記処理ガスのプラズマを発生させて前記基材２にプラズマ処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的小さい膜厚で結晶性の良いIII族窒化物半導体の結晶を成長させることができるIII族窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体の成長方法は、基板(10)上に、III族窒化物半導体の結晶核(40)を島状に形成する第１の工程と、窒素源ガスを供給しながら珪素源ガスとIII族源ガスを交互に供給することにより、前記結晶核(40)を島状に成長させる第２の工程と、該第２の工程後、窒素源ガスとIII族源ガスを供給し、前記島状の結晶核(40)からIII族窒化物半導体を各々成長させ、層状のIII族窒化物半導体(45)を形成する第３の工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金やグラファイト、ＣＦＲＰ材等の難削材の切削加工において、密着性にすぐれ、長期の使用に亘ってすぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体表面に５〜３０μｍの膜厚のダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆切削工具であって、上記工具基体とダイヤモンド皮膜の界面部のダイヤモンド皮膜側には、平均粒径５〜２００ｎｍのＣｏ粒子が析出し、Ｃｏ粒子の含有割合は０．１〜２０原子％である。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの端面に角張った形状の結晶層を成長させることなく、半導体ウエハ上に厚い単結晶層を成長させることができる技術を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ１０上に単結晶層３０が形成されたエピタキシャルウエハの製造方法であって、平坦な上面１２と、平坦な下面１４と、上面１２と下面１４を接続する端面１６を有する半導体ウエハ１０の端面１６上に、アモルファス層２０を形成するアモルファス層形成工程と、アモルファス層形成工程後に、半導体ウエハ１０の上面１２上に、８０μｍ以上の厚みを有する単結晶層３０を気相成長させる単結晶層形成工程を有する。 （もっと読む）