【課題】半導体のエピタキシャル膜を選択的に成長させる場合に、基板処理後、ガス供給部からエッチングガス成分が処理室へ混入することを抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】シリコンを含む半導体のエピタキシャル膜を選択的に成長させる基板処理装置であって、前記基板を収納する処理室９と、前記基板を保持する基板保持具８と、シリコンを含む原料ガス、塩素を含むエッチングガス、及び水素ガスを供給するガス供給手段１９と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段２８と、前記ガス供給手段及び前記排気手段を制御する制御部１８とを備え、前記原料ガスと前記エッチングガスとを前記処理室内に供給、排気して、前記シリコンが露出された基板表面にシリコンを含むエピタキシャル膜を成膜し、成膜後、前記エッチングガスを供給したガス供給部１２，２６に前記水素ガスを流して前記ガス供給部内をパージする。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に、珪素を含有したダイヤモンドライクカーボン膜を形成するに際して、耐摩耗性等の摺動特性はもとより、耐食性をも好適に確保することができる摺動部材の表面処理方法、摺動部材、メカニカルキー及び携帯機を提供する。
【解決手段】摺動部材１０の表面には、次工程で積層されるＤＬＣ−Ｓｉ膜１３との密着性を確保するための窒化層１２ａを形成し、その後、当該窒化層１２ａの表面にＤＬＣ−Ｓｉ膜１３をプラズマＣＶＤにより形成するようにした。そして、そのときの処理温度を３５０℃〜４３０℃とした。このため、耐食性を確保する上で障害となる化合物であるクロム、窒素及び炭素の複合化合物の形成が抑制される。この複合化合物が形成されることにより、耐食性が著しく低下することが一般に知られている。したがって、低摩擦性及び耐摩耗性等の摺動特性はもとより、耐食性をも好適に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】工業用接着テープや光学用粘着シートに好適な、水滴の付着や汚染を防止するための、高い撥水性を有する剥離フィルムの提供。
【解決手段】表面粗さが５〜２００ｎｍであり、かつＳ／Ｎ比が５〜５０の範囲内である微細な凹凸を有する高分子基材上に形成された、水との接触角が１００〜１６０°であり、かつ石鹸水との接触角が５０〜１００°の範囲である、自己組織化単分子膜からなる撥水層を非剥離面に有することを特徴とする、剥離フィルム。 （もっと読む）

【課題】 予備洗浄エッチングと減圧処理を含む基板を処理する方法を開示する。
【解決手段】 予備洗浄エッチング処理は、基板を処理チャンバに導入するステップと；処理チャンバにエッチングガスを流すステップと；基板の少なくとも一部をエッチングで処理して汚染された又は損傷した層を基板表面から除去するステップと；エッチングガスの流れを停止するステップと；処理チャンバを排気してチャンバ内の減圧を達成するステップと；基板表面を減圧で処理するステップと；を含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を生成するためにかかる時間を大幅に短縮する成膜装置の提供。
【解決手段】成膜装置のＡＬＤ室５０のチャンバー内空間５０ａには、ＡＬＤ室ケーシング５１に対して回転可能な基板載置台５２が設けられている。基板載置台５２上の基板載置面５２Ｃ上には２枚の基板２を載置可能である。基板載置面５２Ｃには、一対の反応ガス空間画成部と、一対の排気空間画成部と、一対の不活性ガス供給空間画成部とを有する基板載置台対向部５５が、１ｍｍ以下のギャップを介して対向している。基板載置台５２を一定の回転速度でゆっくり回転させることにより、基板載置台５２上に載置されている２枚の基板２の表面全体を、交互に第１反応ガス空間５５ｂ、第２反応ガス空間５５ｃの開口端に徐々に対向させる。このことにより、基板２の表面全体において反応ガスの交互表面反応に曝して基板２上に薄膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】硬質基材に対するダイヤモンドコーティングの密着性を改善する。
【解決手段】被覆体は、超硬合金またはサーメットで硬質物質粒子（１）及び結合材（２）を構成成分とする基材と、その上に被覆される密着性のダイヤモンド層（４）とから成っている。基材の表面およびダイヤモンド層（４）の下方にある硬質物質粒子（１）の少なくとも一部は、密着性を高めるため粒内破壊型で穿孔状の凹部を有している。基材表面の硬質物質粒子が化学的工程を経て腐蝕され、粒内破壊が起きるので、窪み状または穿孔状の凹部が生成される。基材は、ＷＣおよびＣｏを主成分とする超硬合金で構成することができる。基材の機能面にはＣＶＤ法によりダイヤモンド層を被覆する。 （もっと読む）

【課題】低温で自然酸化膜または有機物等の汚染物を除去できる基板処理装置、基板処理方法、および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】一部分にＳｉ面が露出した基板を処理室内に搬入する工程と、前記基板を所定の温度に加熱する工程と、前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも前記Ｓｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する工程と、前記処理室内に少なくともＳｉを含むガスまたはＳｉを含むガスとＧｅを含むガスを供給し、前記エッチング処理が施された前記Ｓｉ面の上に、ＳｉまたはＳｉＧｅのエピタキシャル膜を成長する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温で自然酸化膜または有機物等の汚染物を除去できる基板処理装置、基板処理方法、および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】一部分にシリコン面が露出した基板を処理室内に搬入する工程と、前記基板を所定の温度に加熱する工程と、前記処理室内に少なくともシラン系ガスとハロゲン系ガスと水素ガスとを供給し、少なくとも前記シリコン面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物を除去する前処理工程と、前記処理室内に少なくともシリコンを含むガスを供給し、前記前処理が施された前記シリコン面の上に、シリコンを含む膜を成長する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

本発明は一般的に、材料の堆積のための方法を提供し、さらに詳細には、本発明の実施形態は、障壁層、シード層、導電材料および誘電材料を堆積するために、光励起技術を利用する化学気相堆積処理および原子層堆積処理に関する。本発明の実施形態は一般的に、支援型処理の方法および装置を提供し、支援型処理は、均一に堆積される材料を提供するために行われてもよい。 （もっと読む）

基体からの酸化物の取り除きについての方法は、提供される。当該方法は、基体がそれに形成された酸化物層を有するプロセス・チャンバーにおいて基体を提供すること、及び、順次の酸化物の取り除きのプロセスを行うこと、を含む。順次の酸化物の取り除きのプロセスは、基体から酸化物層を部分的に取り除くためにＦ_２を含有する第一のエッチング・ガスの流動に対して第一の基体温度で基体を露出させること、第一の基体温度から第二の基体温度まで基体の温度を上昇させること、及び、基体から酸化物層をさらに取り除くためにＨ_２を含有する第二のエッチング・ガスの流動に対して第二の温度で基体を露出させることを含む。一つの実施形態において、フィルムは、順次の酸化物の取り除きのプロセスの後に続くことで、基体に形成されることがある。

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【課題】バリアメタルの材料となる高融点金属窒化物の成長工程を有する高融点金属窒化膜の形成方法に関し、配線のバリアメタルとなる高融点金属窒化物を低温で低抵抗に形成し、しかも、膜成長の際の反応生成物のチャンバ内の付着を防止するとともに、自然酸化膜の除去からコンタクトメタル、バリアメタルの成長までを減圧下で行うことを目的とする。
【解決手段】高融点金属のアルキルアミノ化合物を含むソースガスと還元性ガスとを使用して半導体基板上に化学気相成長法により高融点金属窒化膜を形成する高融点金属窒化膜の形成方法であって、還元性ガスを活性化する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 極めて薄い状態で金属の拡散防止と金属との密着性を保持したバリアメタル膜２３を作成する。
【解決手段】 表層のTaN 層のＮ原子を除去してバリアメタル膜２３の母材内部と比べて表層の窒素含有量を相対的に低減させる表面処理を施して表層に実質的に金属層２３ａを形成し、実質的な金属層２３ａと金属窒化物の層２３ｂとを一層の厚さで形成し、極めて薄い状態で金属の拡散防止と金属との密着性を保持したバリアメタル膜２３を作成し、金属配線のプロセスを安定させる。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ被膜により被覆される樹脂成形体において、ガスバリア性を低下させることなく透明性を高めることができる樹脂成形体を提供する。
【解決手段】本発明のガスバリア性樹脂成形体は、樹脂成形体の表面にプラズマエッチング処理を施すことにより二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）を３ｎｍ以下にする工程、次にプラズマＣＶＤ法により樹脂成形体の表面に膜厚が５〜２０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜を形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の高周波放電によって生成するプラズマの密度の空間的な分布を均一化ないし任意に制御してプロセスの面内均一性を向上させる。
【解決手段】下部電極のサセプタ１６には被処理基板Ｗが載置され、高周波電源３０よりプラズマ生成用の高周波が印加される。サセプタ１６の上方にこれと平行に対向して配置される上部電極３４は、チャンバ１０にリング状の絶縁体３５を介して電気的に浮いた状態で取り付けられている。上部電極３４の中心部にはサセプタ１６に向って突出する凸面部３７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
サファイア基板上に水晶をヘテロエピタキシャル水晶薄膜では、カットアングルを補正することができない欠点とサファイア基板と水晶薄膜との熱膨張係数の差で生じる残留応力の問題を解決する。
【解決手段】
任意に傾けたオフ角２°〜４°の水晶基板に５００℃以下の低温でのホモエピタキシャル膜の作製に光ＣＶＤ装置を使用し、無ひずみ加工の状態の水晶基板上にホモエピタキシャル水晶を結晶成長させることで成長方位の制御を可能とし、水晶基板と水晶薄膜とのの間の残留応力が発生しないため長期安定性に優れたＡＴカット水晶振動子や弾性表面波デバイス用水晶エピタキシャル基板を提供できる。本発明の水晶エピタキシャル基板は、大口径のΦ４インチ水晶ウェハを使用する。バッチ処理でこのΦ４インチ水晶ウェハ上に多数のパターンを形成後、ダイシングで個々のチップに分割し、一括処理が可能である。 （もっと読む）

水素ラジカルでバイアホールにバリヤ層をコーティングする前に、低ｋ誘電体の水素プラズマ洗浄に特に有用なチャンバ不動態化法が遠隔プラズマ源（６０）から提供される。各ウエハについて、水素プラズマの点火前に遠隔プラズマ源を通過した水蒸気（８６）（又はプラズマ対向壁上により多く化学吸収された他のガス）でチャンバが不動態化される。遠隔プラズマ源のアルミナや石英部分のような壁（７８、７９）上に水蒸気が吸収され、水素プラズマの生成で壁を保護するのに充分な長さを耐える保護単層を形成する。それによって、特にアルミナのような誘電体の、プラズマ対向壁がエッチングから保護される （もっと読む）

ドライエッチングプロセスに続いてエピタキシャル堆積プロセスを含む、エプタキシャル堆積プロセスが開示される。ドライエッチングプロセスは、洗浄すべき基板を処理チャンバ内に配置して表面酸化物を除去するステップを含む。ガス混合物をプラズマキャビティに導入し、ガス混合物を励起してプラズマキャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させる。反応性ガスは、処理チャンバに入り、基板と反応し、薄膜を形成させる。基板を加熱して薄膜を蒸発させ、エピタキシー表面をさらす。エピタキシー表面は、実質的に酸化物を含まない。その後、エピタキシャル堆積を用いてエピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

本発明は、一つの反復単位が、炭素、ケイ素および水素を主成分とする２〜１００層（Ａ、Ｂ）からなる１〜１０００の反復単位と、任意に機能性表面層（ＦＳＬ）を含む、低摩耗率かつ低摩擦係数の耐食性薄膜多層構造体に係わる。本発明は、そのような薄膜多層構造体を含む構成要素、およびそのような薄膜多層構造体を堆積する方法にも係わる。
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【課題】窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ウェハ上に形成されたｎ−クラッド層と、ｎ−クラッド層の上面から所定深さまでＨＣｌとＮＨ_３との混合ガス雰囲気で表面処理して形成された多孔性層と、多孔性層上に順次に形成された活性層及びｐ−クラッド層と、を備える窒化物系発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 転位密度を低減した窒化ガリウム系化合物半導体を用いて内部量子効率を向上させた発光素子の製造方法、また基板の凹凸構造の形成工程を簡易化して発光素子にクラックが生ずるのを回避し、光の取り出し効率の向上した発光素子を製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶構造が六方晶からなる半金属的性質をもつ単結晶基板１０の一主面に凹凸構造を形成する工程（１）、単結晶基板１０上に所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る一導電型半導体層１３と、所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層１４と、所定の化学式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る逆導電型半導体層１５とを積層した発光素子を作製する工程（２）、単結晶基板１０を選択的にエッチングすることにより発光素子から除去する工程（３）を具備する。 （もっと読む）