【課題】ラジカル状態の処理ガスを用いてウェーハを処理するに際して、ウェーハの処理均一性を高めて再現性の改善を図る。
【解決手段】真空処理槽１と、ラジカル状態の第１の処理ガスを真空処理槽１の内部に導入する第１の処理ガス導入部６と、第１の処理ガスと反応する第２の処理ガスを真空処理槽１の内部に導入する第２の処理ガス導入部７とを備えた真空処理装置１０において、真空処理槽１の内壁面に第１の処理ガスの失活を防止する失活防止処理を施す。この失活防止処理として、真空処理槽１の内壁面に酸化アルミニウム水和物からなる被膜１１を形成する。この被膜１１は、真空処理槽１の内壁面を不動態化しラジカル状態の処理ガスの失活を抑制して、当該処理ガスを真空処理槽１内において安定して分布させる。これにより処理後のウェーハの安定した面内均一性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 良好な表面状態を有し、しかも、転位密度が低減されて十分に大きい発光効率が得られる、広い有効発光波長範囲を有する発光デバイスを得ることができる半導体装置用基材およびその製造方法の提供。
【解決手段】 半導体装置用基材は、基板と、この基板上に形成された超格子構造層と、この超格子構造層上に形成された、ＡｌＧａＮ半導体化合物よりなる機能素子形成用ベース層とを有し、前記超格子構造層は、機能素子形成用ベース層よりも低結晶性であるＡｌＧａＮ半導体化合物よりなる第１の低結晶性層と、Ａｌの組成比率が第１の低結晶性層よりも大きいＡｌＧａＮ半導体化合物よりなる第２の低結晶性層とからなる積層単位が３以上重ねられた周期構造を有するものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダーとの密着度を良くし、かつＧａＮ自立基板の反りを減らすことにより、窒化物半導体素子の良品歩留率を向上させることができる自立した窒化ガリウム単結晶基板とその製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】表面（Ｇａ面）２が鏡面に研磨され、かつ裏面（Ｎ面）３の算術平均粗さＲａをラップ後のエッチング処理により１μｍ以上、１０μｍ以下（気相成長装置の基板ホルダーと面接触する粗さ）としたＧａＮ自立基板１を用いて、窒化物半導体素子を気相成長法により製造する。 （もっと読む）

【課題】 従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ₂層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ₂層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ₂は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体構造は、凹部及び凸部が形成された同一材料からなる成長面を有する基板と、成長面の少なくとも凸部上に形成された窒化物半導体膜とを有し、凹部は、基板上に設けられた複数の方向の線状の溝によって構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の製品よりも、反りが顕著に減少したサファイア基板／窒化ガリウム積層体を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムの膜厚を「Ｘ」とし、積層体の反りの程度を示す曲率半径値を「Ｙ」と記すとき、膜厚に対する曲率半径を表す関数グラフが下式を満たし、この式において、Ｙ_０値が６．２３±１．１５、Ａ値が７０．０４±１．９２、Ｔ値が１．５９±０．１２である時に描かれる関数グラフと一致するか、又は膜厚Ｘに対する曲率半径値Ｙのグラフ図上で該関数グラフの右側に位置するように、サファイア基板上に蝕刻トレンチ（Ｔｒｅｎｃｈ）構造を形成した。


上式中のＹは曲率半径値（単位：ｍ）であり、Ｘは窒化ガリウムの膜厚（単位：μｍ）であり、常数Ｙ_０、Ａ及びＴは、正の数である。 （もっと読む）

【課題】自然酸化膜を含む付着物を確実に除去し，次の成膜処理によって被処理基板に形成される膜の密着性をより向上させる。
【解決手段】基板処理装置１０３は，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄ，測定処理室４００に共通に連結され，各処理室に対してウエハの搬出入を行う共通搬送室１０２を備える。各処理室１０４Ａ〜１０Ｄはそれぞれ，ウエハ上の自然酸化膜を含む付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理室（ＣＯＲ処理室），ウエハ上に形成された付着物の生成物を熱処理により除去するための生成物除去処理室（ＰＨＴ処理室），ウエハにＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハをエピタキシャル成長により被層する際、歩留まりを高める一方、エッジロールオフの小さいエピタキシャル成長シリコンウェハを製造できるようにする。
【解決手段】前面でポリシングされたシリコンウェハを準備し、それぞれ１つをエピタキシ反応器内のサセプタにロードし、順次それぞれ個別にエピタキシ反応器内で被層する。第１のステップでシリコンウェハを水素雰囲気のもとで前処理し、第２のステップでシリコンウェハを水素雰囲気にエッチング媒体を加えて前処理し、次にこのシリコンウェハのポリシングされた前面をエピタキシャル成長により被層してエピタキシ反応器から取り出し、その後、サセプタを水素雰囲気のもとでそのつど少なくとも１０００°Ｃの温度まで加熱し、ついでそのつど所定数のエピタキシャル被層処理後、サセプタをエッチング処理し、サセプタをシリコンで短期間被層する。 （もっと読む）

【課題】成膜不良の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ処理装置のＰＭはチャンバを備え、該チャンバは容器、該容器内に配置されたＥＳＣ３３、及び容器内に配置されたウエハリフト装置８０を有し、ウエハリフト装置８０は、容器内においてＥＳＣ３３を囲うように配置されている円環状のピンホルダ８１と、ピンホルダ８１に接続される３つのリフトアーム８３と、各リフトアーム８３に遊嵌結合されて担持される３つのリフトピン４２とを有し、各リフトピン４２は、ピンホルダ８１の昇降に連動して昇降する。 （もっと読む）

【課題】新たな熱処理プロセスの追加や熱処理条件の変更を行うことなく、エピタキシャル欠陥の発生を低減する。
【解決手段】窒素がドープされたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハの表面全体を４〜１５ｎｍエッチングした後、そのシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル層を成長させる。ドープされた窒素濃度は０．５×１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ³〜５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³である。 （もっと読む）

【課題】室内の基板収容領域が略均等な高温雰囲気に設定された処理室で、シリコンのエピタキシャル膜を選択成長させることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ２００収容領域が略均等な高温雰囲気に設定された処理室２０１内に、表面の少なくとも一部にシリコン層が形成されたウエハ２００を搬入し、処理室２０１内に少なくとも水素化物系のシリコンを含む原料ガスと水素ガスとを供給し、シリコン層の表面にエピタキシャル膜を成長させる第１の工程と、処理室内にエッチングガスを供給し、シリコン層以外の基板表面に堆積したシリコン化物を除去する第２の工程とを複数回繰り返して、シリコン層の表面に所望の厚さのエピタキシャル膜を選択成長させる。 （もっと読む）

連続的堆積処理でＳｉ膜を成膜する方法が供される。当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する工程、前記基板を塩素化されたシランガスに曝露することによって塩素化されたＳｉ膜を成膜する工程、及び前記塩素化されたＳｉ膜をドライエッチングすることによって前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程、を有する。Ｓｉ膜は基板上に、選択的又は非選択的に堆積されて良い。堆積は自己制限的であっても良いし、非自己制限的であっても良い。他の実施例は、連続的堆積処理でＳｉＧｅ膜を成膜する方法を供する。
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【課題】 各種の微細構造物の必須の機能を保証する空間を容易且つ迅速に形成するとともに、製造コストの飛躍的な低減を実現し得る微細構造物の作製方法を提供する。
【解決手段】 貴金属成分（Ｉｒ）とハロゲンとからなる前駆体を、微細孔５３の底部に吸着させるとともに、吸着させた前駆体にハロゲンラジカルを作用させて還元することにより前記貴金属の薄膜５７を形成した後、ハロゲンラジカルによるエッチングモードとして前記薄膜５７を触媒とする基板３のエッチングを急激に進行させることで基板３内における前記各微細孔５３の下方にキャビティ５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 成膜雰囲気の圧力制御により良好な埋め込み性と高速度での埋め込み成膜を両立させることができる埋め込み成膜装置を提供する。
【解決手段】 ラジカルＣｌ^＊でＣｕ製の被エッチング部材１１をエッチングして得る前駆体２４を、基板３の凹部３ａに吸着させ、その後前記ラジカルＣｌ^＊で還元してＣｕ膜を形成する成膜反応と、成膜雰囲気の圧力を低圧から徐々に高圧に変化させながら、前記圧力を制御して前記底部のみに前記Ｃｕ膜を形成し、続けて前記底部より少し上方で前記圧力を制御して先に形成したＣｕ膜の上に新たなＣｕ膜を堆積させるとともに、以後前記前駆体２４とラジカルＣｌ^＊の供給バランス点が凹部３ａの開口側に移動するように前記圧力を制御して前記凹部３ａにＣｕ膜の埋め込み成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】処理容器内に腐食性の液体ソースの蒸気を供給して処理を行う半導体製造装置において、液体ソース中に溶出する金属成分による被処理体に対する金属汚染を抑える手段の提供。
【解決手段】液体ソースの貯留容器６内に、貯留容器６を構成する金属よりはイオン化傾向の小さい金属を主成分とする電極６３を浸漬し、貯留容器６と電極６３との間に直流電源６４から防食電流を流す。あるいは貯留容器６を構成する金属よりはイオン化傾向が大きくかつ半導体装置に対して悪影響を及ぼさない金属を主成分とする電極６３を用い、この電極６３と貯留容器６とのイオン化傾向の差を利用して両者の間に防食電流を流す。 （もっと読む）

【課題】バッチ式リモートプラズマ処理装置における処理管を提供する。
【解決手段】バッチ式リモートプラズマ処理装置に適用される処理管は、複数枚のウエハ１が積層して収容される処理室１２と、処理室１２から区画され、処理ガス４１が供給される放電室３３であって、少なくともこの放電室３３内でプラズマ４０を生成する一対の電極部を収容可能な放電室３３と、を備えている。処理管は放電室３３内のプラズマ４０で活性化させた粒子４２を処理室１２へ供給することができる。
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【課題】 半導体装置の製造に際し、より効率的な清浄化処理を行う方法を提供することである。
【解決手段】 絶縁性表面の一部に、金属からなる導電領域が露出した基板を、処理チャンバ内に搬入する。処理チャンバ内に、有機酸を、蒸気またはミストの状態で導入し、基板を清浄化する。有機酸の蒸気またはミストの導入を停止し、続いて成膜用の原料ガスを、処理チャンバ内に導入して、基板上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤによる膜と基板との界面特性を高く維持することが可能なＡＬＤ成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板を内部に入れた反応容器の該基板を所定温度に昇温した後、該反応容器にＡＬＤによる膜形成用の金属原料ガスを供給し、次いで、該反応容器内の前記金属原料ガスを排気し、該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス又は窒化剤ガスを供給し、次いで、該反応容器内の前記酸化剤ガス又は窒化剤ガスを排気し、前記の１サイクルで１原子層が形成されるＡＬＤ成膜方法であって、前記１サイクル目の金属原料ガスの供給に先立って、反応容器内にエッチングガスを供給して減圧状態で前記昇温されている基板の被処理面に対してプラズマを発生させずに１ｎｍ〜２ｎｍ削る程度のソフトエッチング処理を行うこと。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工を行った状態で歪取焼鈍を施し、その後この曲げ加工部に応力が加わるような場合であっても、絶縁被膜の剥離が生じない、被膜密着性に優れた超低鉄損方向性電磁鋼板を提供する。
【解決手段】フォルステライト被膜を有しない鋼板表面に、金属窒化物、金属炭化物または金属炭窒化物からなるセラミックス被膜を形成した方向性電磁鋼板において、該セラミックス被膜中に 0.001〜１mass％の塩素を含有させる。 （もっと読む）

厚さ100nm〜800nmを有し高度に緩和したエピタキシャル半導体層（52）をチャンバ内で形成する方法である。本発明の方法は、基板キャリア上の成長チャンバ内に基板（51）を配置し、基板（51）の基板温度（Ts）を350〜500℃の範囲で一定に維持し、基板（51）をプラズマに曝すように成長チャンバ内に高密度・低エネルギーのプラズマを発生させ、ガス導入口からシランガス（SiH4）とゲルマンガス（GeH4）をチャンバ内に導入し、その際、上記半導体層（52）を成長速度1〜10nm/sで蒸着により形成可能にシランガスとゲルマンガスの流速を調整し、かつ上記半導体層（52）のゲルマニウム濃度xを、0＜x＜50％とする。
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【課題】 本発明は基材に超硬合金を使ったダイヤモンド膜被覆部材から、基材の強度を低下させることなくダイヤモンド膜を容易に除去でき、再びダイヤモンド膜を成膜することで、省資源や工具コストの低減を実現することができるダイヤモンド膜の除去方法およびダイヤモンド膜被覆部材の製造方法を提案する。
【解決手段】 ダイヤモンド膜被覆部材を真空焼結炉に入れ、浸炭雰囲気または真空雰囲気で熱処理することによりダイヤモンド膜を除去する。熱処理の温度は、９５０〜１１００℃とし、浸炭雰囲気で行う場合、炭化水素のみの雰囲気とする。そして、このようにしてダイヤモンド膜を剥がした基材をＣＶＤ炉に入れ、基材の表面にダイヤモンド膜を再被覆する。 （もっと読む）