【課題】凹凸を有する基板上に均一な結晶を成長させる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基板の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる結晶成長方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基板の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させる。このように、バッファ層の堆積レートＲｔとバッファ層の平均の厚さＴを適切に管理することにより、バッファ層の上に形成された窒化物半導体結晶の表面モフォロジーの良好な平坦性が実現できるとともに、結晶欠陥であるピット発生数Ｎｐをきわめて小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜を成膜した非鉄金属材料部材の腐食を抑制できる複合硬質皮膜部材を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、非鉄金属材料からなる被成膜部材２と、前記被成膜部材の表面に形成された酸化珪素膜７と、前記酸化珪素膜上に形成された炭素含有珪素膜８と、前記炭素含有珪素膜上に形成されたダイヤモンドライクカーボン膜９とを具備することを特徴とする複合硬質皮膜部材である。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施例は、窒化ガリウム基板の製造方法に関する。
【解決手段】実施例による窒化ガリウム基板の製造方法は、基板上にエッチング防止層を形成するステップと、前記エッチング防止層上に第１窒化ガリウム層を形成するステップと、シラン（ｓｉｌａｎｅ）ガスで前記第１窒化ガリウム層を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第１窒化ガリウム層上に第２窒化ガリウム層を形成するステップと、前記第２窒化ガリウム層上に第３窒化ガリウム層を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料を提供する。
【解決手段】低く均一な複屈折性、均一で高い屈折率、歪みの関数としての低い誘起複屈折性又は屈折率変動、低く均一な光吸収、低く均一な光散乱、高い光（レーザ）損傷閾値、高い熱伝導率、高度な平行度及び平坦度を有しながら高度の表面研磨を示す加工性、機械的強度、磨耗抵抗性、化学的不活性等の特性の少なくとも１つを示すＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料であって、前記ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法は実質上結晶欠陥のない基板を提供するステップと、原料ガスを提供するステップと、原料ガスを解離して、分子状窒素として計算して３００ｐｐｂ〜５ｐｐｍの窒素を含む合成雰囲気を作るステップと、実質上結晶欠陥のない前記表面上にホモエピタキシャルダイヤモンドを成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

合成環境内にて基板上でダイヤモンド材料を合成するための化学蒸着(CVD)方法であって、以下の工程：基板を供給する工程；原料ガスを供給する工程；原料ガスを溶解させる工程；及び基板上でホモエピタキシャルダイヤモンド合成させる工程を含み；ここで、合成環境は約0.4ppm〜約50ppmの原子濃度で窒素を含み；かつ原料ガスは以下：a)約0.40〜約0.75の水素原子分率H_f；b)約0.15〜約0.30の炭素原子分率C_f；c)約0.13〜約0.40の酸素原子分率O_fを含み；ここで、H_f＋C_f＋O_f＝1；炭素原子分率と酸素原子分率の比C_f:O_fは、約0.45:1＜C_f:O_f＜約1.25:1の比を満たし；原料ガスは、存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の原子分率が0.05〜0.40で水素分子H₂として添加された水素原子を含み；かつ原子分率H_f、C_f及びO_fは、原料ガス中に存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の分率である、方法。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、ガスエッチングによって表面を清浄化した前記基板上に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量の炭素と珪素の原子数比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２となるように珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給して、１６００℃より高くかつ１８００℃以下の温度で炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる。これにより、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下となる。 （もっと読む）

【課題】裏面クラウンのステージへの接触が阻止される半導体装置の製造方法と、それに適用される半導体基板を提供する。
【解決手段】半導体基板１に面取り部１ｄが設けられる。半導体基板１の裏面１ｃを覆うように酸化膜１３が形成される。酸化膜１３のうち、側面１ｂに位置する部分と、裏面１ｃの面取り部１ｄにおける一定の領域に位置する部分が除去される。半導体基板の表面１ａにエピタキシャル成長法により、ｎバッファ層２、ｎ-層３が形成される。ｎ-層３にｐベース層およびｎ+エミッタ層が形成され、さらに、ゲート電極、エミッタ電極、コレクタ電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】 導電性と耐食性に優れた炭素皮膜をステンレス鋼の表面に形成する方法を提供する。
【解決手段】 ステンレス鋼板に例えば９．０％以上の冷間圧延処理を施し、表層部のオーステナイト組織の一部を応力誘起マルテンサイト組織に変態させ、次いで表面にエッチングなどの前処理を施した後、プラズマＣＶＤ法により炭素皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコンの少なくとも一つの極薄層を含む多層膜を製作する、単純で負担がより少ない方法を提案すること。
【解決手段】 本発明は結晶シリコンの少なくとも一つの極薄層を有する多層膜を製作する方法に関し、前記膜は、結晶構造を有し、予め洗浄された表面を含む基板から製作される。本発明によれば、前記方法は前記洗浄された表面をＳｉＦ_４、水素、及びアルゴンのガス混合物内で生成されたＲＦプラズマに当て、それにより前記基板に接触して微小空洞を含有する界面副層を備える結晶シリコンの極薄層を形成するステップａ）と、結晶シリコンの前記極薄層上に少なくとも１層の材料を堆積させ、それにより少なくとも一つの機械的に強い層を含む多層膜を形成するステップｂ）と、前記多層膜で覆われた前記基板を４００℃より高い温度でアニールし、それにより前記多層膜を前記基板から分離させるステップｃ）とを含む。 （もっと読む）

（０００１）配向された別の基板（１）上の第ＩＩＩ属金属窒化物から形成される、小さい機械的応力を有する半導体構造、および、（０００１）配向された別の基板（１）上の第ＩＩＩ属金属窒化物から形成される半導体構造における内部機械応力を減少させる方法。方法は、第１の窒化物層（２）を形成するために別の基板（１）上に窒化物を成長させるステップ、取り除かれる体積間の層の残りの部分における機械的応力の緩和を提供するための、第１の窒化物層（２）の上側面から予め定められた深さまでその体積を選択的に取り除くことによって第１の窒化物層（２）をパターン化するステップ、および、第１の窒化物層（２）上に連続した第２の窒化物層（８）（第２の窒化物層（８）は、半導体構造の内部の第２の窒化物層（８）の下で取り除かれる体積から空所（７）を囲む）が形成されるまで追加的な窒化物を成長させるステップ、を含む。 （もっと読む）

本発明は、摩耗および腐食からの保護が改善された、基板上のコーティングシステムに関する。本発明に従い、基板をダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）層でコーティングする。このＤＬＣ層を、ＤＬＣコーティング材料と異なる材料を用いたさらなる層でコーティングすることにより、ＤＬＣ層のピンホールを閉じる。
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【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】SiC単結晶をエピタキシャル成長させて薄膜を作製する炭化珪素単結晶成膜装置において、サセプタの座ぐりの底部表面に堆積するSiC堆積物による座ぐり底面とSiC単結晶基板裏面との間に生じる隙間を防止し、均一な特性のSiCエピタキシャル膜が形成できるサセプタを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を載置するサセプタ７に、炭化珪素単結晶基板を載置する座ぐり底面１０ａと、収容した基板の周縁を取り囲む周囲側壁と、周囲側壁に沿ってサセプタの厚み方向に掘り込まれたリング状の溝１１とを備え、炭化珪素単結晶基板の直径ｘ、座ぐり底面の直径ｙ、及び溝幅ｚとの関係がｙ＋ｚ＜ｘ＜ｙ＋２ｚであって、かつ、０（mm）＜ｚ≦４（mm）を満たす座ぐり１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。反応管２内が４００℃に加熱されると、制御部１００は、処理ガス導入管１７から、塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させる。この活性化された塩素が半導体ウエハＷに供給されることにより、半導体ウエハＷに形成された自然酸化膜が除去される。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に、平坦性及び配向性に優れ、優れたバッファ機能を有するバッファ層と、当該バッファ層上に、平坦性・配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度の低い完全性の高い熱安定状態のＺｎＯ単結晶を形成する成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、基板上に２５０℃ないし４５０℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶のバッファ層を成長する低温成長工程と、バッファ層の熱処理を行ってバッファ層を熱安定状態の単結晶層に遷移させる工程と、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、上記熱安定状態の単結晶層上に６００℃ないし９００℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶を成長する高温成長工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル被覆されたシリコンウェハのグローバル及びローカルフラットネスを実現する方法を提供する。
【解決手段】第１工程において水素雰囲気下で、第２工程及び第３工程においてこの水素雰囲気にエッチング媒体を添加しながら前処理し、引き続きエピタキシャル層を設け、その際、第１工程の間及び第２工程の間の水素流速、第２工程及び第３工程の間にエッチング媒体の流速は特定の速度であり、更に第２工程の間の反応器チャンバー中の平均温度は特定の温度であり、加熱エレメントの出力を特定の領域間で特定の温度差が存在するように制御し、第３工程の間に水素流速を特定速度に減少させるエピタキシャルに被覆されたシリコンウェハの第１の製造方法。第２の方法は、第３の前処理工程の間にエッチング媒体の流速を１．５〜５ｓｌｍに増加させ、その一方で水素流速は第３の前処理の間に減少させる必要はない。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、例えば、電子感知器、高出力電子機器等の分野や装飾用途（例えば、磨製ジェムストーン）等に使用することができる、ホウ素濃度が均一に分布しているダイヤモンドを提供することである。
【解決手段】本発明は、ＣＶＤにより製造され、ホウ素濃度が均一になっている単結晶ホウ素ドーピングされたダイヤモンド層で、この層は、単一の成長部分から形成されているか；又は、１００μｍを超える厚さを有しているか；又は、１ｍｍ^３を超える体積を有しているか；又は、そのような特徴の組み合せを有するものである。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に化合物半導体層を成長させて作製する半導体装置において、光取り出し効率の高い半導体装置を作製できるサファイア基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１の面に複数の凸起２，２，…をランダム配置で形成し、その面上にＧａＮ層１０を成長させた。さらにその上に、多重量子井戸層１２，ｐ−ＡｌＧａＮ層１４，ｐ−ＧａＮ層１６、ＩＴＯ層１８を形成し、２つの電極２１，２２も形成して半導体発光素子を作製した。 （もっと読む）

【課題】初期切削抵抗が小さく、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体表面にダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆工具であって、上記ダイヤモンド皮膜は、平均結晶粒径０．２〜１．５μｍの配向ダイヤモンド結晶粒が、無配向ダイヤモンド結晶粒のマトリックス中に平均面積割合で３０〜８０面積％分散分布する膜構造を有し、かつ、ダイヤモンド皮膜の厚さ方向に沿ってみた場合、表面側に向かうほど、配向ダイヤモンド結晶粒の結晶粒径及び面積割合は小さな値となり、さらに、前記ダイヤモンド皮膜の結晶粒の（１１０）面または（１１１）面の少なくともいずれかの面は、基体表面の法線に対する傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、０〜１０度の範囲内に存在する度数合計は、度数全体の３０〜６０％の割合を占める。 （もっと読む）