【課題】より急峻且つより安定したＳＲプロファイルを有し、且つ所望のＳＲプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の基板Ｓの直上に、基板Ｓよりも不純物濃度が低い第１層を気相成長させる第１成長工程（１ｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ工程）と、第１層よりも上に第２層を気相成長させる第２成長工程（２ｎｄ Ｇｒｏｗｔｈ工程）とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、第１成長工程を常圧ＡＰ以下の第１圧力ＲＰ下で実行し、第２成長工程を第１圧力ＲＰ以上の第２圧力ＡＰ下で実行するとともに、ドーパントガスの反応炉内への流量を制御するＭＦＣ１３、１５、１６の流量を時間に対して比例的に変化させるようにする。 （もっと読む）

【課題】気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶種基板からの気相成長により得られたダイヤモンド単結晶基板であって、励起光の集光スポット径が２μｍの顕微ラマン分光法で、種基板層と気相成長層の界面に顕微焦点を設定して測定したダイヤモンド固有ラマンシフトが、界面の、０％より大きく２５％以下の領域（領域Ｃ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−１．０ｃｍ^−１以上−０．２ｃｍ^−１未満のシフト量であり、界面の領域Ｃ以外の領域（領域Ｄ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−０．２ｃｍ^−１以上＋０．２ｃｍ^−１以下のシフト量である。 （もっと読む）

【課題】ボンベ内の液化塩化水素を気化するときに２段階で減圧しなくても、またボンベ内の液化塩化水素の供給量が変動しても、更にボンベに貯留された液化塩化水素の残量が少なくなっても、液化塩化水素の気化した塩化水素ガスの純度を良好に保ち、これにより安定して高いライフタイムを実現し、これによりエピタキシャルウェーハ等の製品の品質の低下を防止する。
【解決手段】ボンベ１１に貯留された液化塩化水素１２を気化して半導体製造工程に供給する。ボンベの外面にこのボンベに貯留された液化塩化水素に対向して取付けられた外付け温調器１６又はボンベの設置室内に設けられた温調装置２８のいずれか一方又は双方により構成された加温手段がボンベを加温し、ボンベの外面温度を検出する温度センサ１７の検出出力に基づいてコントローラ１９が加温手段を制御してボンベを加温する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基底面転位などの欠陥が著しく低減された炭化珪素結晶からなる半導体基板を製造することが可能な、半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、炭化珪素単結晶基板を用い、上記炭化珪素単結晶基板の表面を水素エッチング処理する第１水素エッチング工程と、上記炭化珪素単結晶基板の上記第１水素エッチング工程において水素エッチング処理された表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、上記バッファ層の表面を水素エッチング処理する第２水素エッチング工程と、上記水素エッチング処理されたバッファ層の表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなる仕上層を形成する仕上層形成工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ウエハへの微小なパーティクルの付着を防止できる基板処理装置用の部品を提供する。
【解決手段】ウエハＷにプラズマエッチングを施す基板処理装置が備えるチャンバ１１を被覆するイットリア皮膜５０は、内壁に積層されたイットリア基層５１と、該イットリア基層５１の少なくとも一部に積層されたイットリア上層５２とからなり、イットリア上層５２の構造は、イットリア層を構成する粒子の大きさが２５０ｎｍ以上であることによりイットリア基層５１の構造よりも疎である。 （もっと読む）

【課題】十分なＥＭ耐性および配線間ＴＤＤＢ寿命を確保しつつ、層間絶縁膜の低誘電率化を行っても絶縁膜ライナー膜厚を薄くすることができ、配線間の実効比誘電率Ｋｅｆｆを低減した高速で高信頼性な配線を得ることができる。
【解決手段】第１の絶縁膜１には配線溝Ｍ１が形成されており、配線溝Ｍ１内にはＣｕ膜２ｂが設けられている。Ｃｕ膜２ｂの上にはＳｉＣＮ膜３ａ、ＳｉＣＯ膜３ｂおよびＳｉＯＣ膜４ａが順に設けられており、ＳｉＯＣ膜４ａはＳｉＣＮ膜３ａおよびＳｉＣＯ膜３ｂよりも低誘電率な絶縁膜である。ＳｉＣＯ膜３ｂの上面には、高密度化処理が施されて高密度膜３ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡便に効率よく転位密度の低いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、少なくとも主面１０ｍ側にＩＩＩ−Ｖ族化合物種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、気相エッチングにより基板１０の主面１０ｍに複数のファセット１０ｍｓ，１０ｍｔ，１０ｍｕを形成する工程と、ファセット１０ｍｓ，１０ｍｔ，１０ｍｕが形成された主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】グラファイト基板上にダイヤモンド層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド層を、ＣＶＤプロセスによりグラファイト基板に安定的に付着させることができ、この際、グラファイト基板を、ＣＶＤプロセスの前に、以下の前処理工程に供する。エッチングガス雰囲気中において、真空中、＞５００℃、好ましくは＞８００℃の温度で表面を洗浄し、固着していない粒子を機械的に除去し、微小のダイヤモンド粒子により、前記基板の表面に播種し、および、吸着された炭化水素および吸着された空気を除去するために、Ｔ＞５００℃、好ましくはＴ＞７００℃の温度Ｔで、真空中での少なくとも１回の脱気処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶からなる基板１上にイオン注入処理をおこなう注入工程と、塩化水素ガスを含む雰囲気で熱処理することにより、イオン注入された前記基板１上のイオン注入によるダメージをエッチング除去するダメージ除去工程とを備え、前記ダメージ除去工程におけるエッチング除去量が、前記基板１の深さ方向に対する注入されたイオンのガウス分布の最大濃度深さＲｐの５〜１２０％の厚みであるシリコンウェーハの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】１×１０^-4Ωｃｍ未満の抵抗率を有する低抵抗ＩＴＯ薄膜とその製造方法等を提供する。
【解決手段】低電圧スパッタリング法、酸素クラスタービーム援用蒸着法、ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ−原子層積層法、及びＭＢＥ（分子線エピタキシー）法のうちから選ばれる成膜法を用いて結晶性基板上に形成する低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法であって、
結晶性基板の最表面の結晶性配列が、Ｉｎ₂Ｏ₃の結晶構造と適合するものであることを特徴とする低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 下地（Ｎ＋）へのエッチングを防ぎ、且つ比較的速い成膜レートで成膜することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板を処理室内に搬入する第一のステップと、第一の温度に前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第一のシラン系ガスと第一のエッチングガスを供給する第二のステップと、前記第一の温度から第二の温度へ変更する第三のステップと、第一の温度と異なる温度である前記第二の温度に前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第二のシラン系ガスと第二のエッチングガスを供給する第四のステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子用カバー部材について、α線の放射量を少なくでき、さらに欠陥（異物）による画像不良の問題も少なくできる薄膜形成方法、固体撮像素子用カバー部材の製造方法、およびその製造方法により製造されたカバー部材と固体撮像素子とを備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】有機金属材料を原料とするＣＶＤ法により、固体撮像素子に対向するカバー部材表面に光学薄膜を形成する。この方法により得られた光学薄膜は、α線放射量が少ないだけでなく、カバー部材本体からのα線も遮蔽する。 （もっと読む）

【課題】通常、ホモエピタキシャル成長させたダイヤモンド膜表面上に異常成長粒子や成長丘等が10³ cm^-2以上形成される。これらは表面の平坦性を劣化させるだけではなく、その基板上に作製したデバイス特性を劣化させる。そのため、異常成長粒子や成長丘等が10³ cm^-2以下の平坦面を有するダイヤモンド膜が成長可能な基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板表面の異常成長粒子や成長丘の原因である転位、研磨傷等の欠陥部分の成長を抑制する物質をドープしてなる欠陥部分成長抑制ダイモンド薄膜層を備えるダイヤモンド薄膜積層体。 （もっと読む）

Ｓｉ基板上にＳｉＣ含有フィルムを成長させるための方法が開示される。ＳｉＣ含有フィルムは、例えば、プラズマスパッタリング、化学気相成長法または原子層堆積により、Ｓｉ基板上に形成することができる。このようにして成長されたＳｉＣ含有フィルムは、半導体結晶の成長用の高価なＳｉＣウェハーの代わりに提供される。
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内部スペースを有する加熱されたチャンバー内において半導体ウェハを支持するサセプタに関する。当該サセプタは、上面、および当該上面と反対の下面を有する本体を備える。当該サセプタは、当該上面から当該本体に仮想の中央軸に沿って下方に延びる凹部を有する。当該凹部はその中に半導体ウェハを受容することができる大きさおよび形状に形成されている。当該サセプタは、当該本体を貫通し凹部から下面まで延びる複数のリフトピン開口部を有する。複数のリフトピン開口部のそれぞれは、ウェハを凹部に対して選択的に上昇または下降させるため、リフトピンを受容することができる大きさに形成されている。サセプタは、本体から中央軸に沿って凹部から下面まで延びる中央開口部を有する。
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プラズマ法を実施するための真空処理装置もしくは真空処理方法であって、このとき前記処理は真空室（１）内で行われ、前記真空室には、陰極（１０）及び前記陰極にアーク発生器を介して電気的に接続可能な陽極（１３）から構成されている、低電圧アーク放電（１５）（ＮＶＢＥ）を発生させるための装置と、ワークピース（２）を受容及び移動させるための、電気的にバイアス発生器（１６）に接続可能なワークピースキャリア（７）と、少なくとも１つの不活性ガス及び／又は反応性ガスのための供給口（８）と、が配置されている。このとき、少なくとも前記陽極の表面の一部はグラファイトから構成されており、高温にて作動する。
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基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも１つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 （もっと読む）

【課題】 透明性を有すると共に優れたガスバリア性を備え、かつ、温度・湿度依存性が小さく、また、耐衝撃性等の諸物性に優れ、更に、引き裂き性が良好で直線カット性を有すると共にヒ−トシ−ル性樹脂層（ヒ−トシ−ラント）として作用する極めて有用な易引き裂き性を有するガスバリア性積層フィルムを提供することである。
【解決手段】 直線引き裂き性を有する一軸延伸ポリエチレン系樹脂フィルムの一方の面に、プラズマ保護層を設け、更に、該プラズマ保護層の面に、化学気相成長法によるバリア性無機酸化物の蒸着膜を１層ないし２層以上設け、更に、該バリア性無機酸化物の蒸着膜の上に、プライマ−剤層を設けたことを特徴とする易引き裂き性を有するガスバリア性積層フィルムに関するものである。 （もっと読む）

【課題】特殊な表面加工設備を用いることなく、優れた密着性を得ることができるダイヤモンド薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基材１にダイヤモンド薄膜２が被覆されたダイヤモンド薄膜素子である。前記基材１は、線膨張係数が１２×１０^-6／Ｋ以下の低熱膨張材で形成され、長さ方向に沿って任意の垂直な横断面の外周が凸状の曲線となる側面（円錐面）部を有し、前記側面部の横断面の周長ｐが９００μm 以下とされる。前記側面部に被覆されたダイヤモンド薄膜の膜厚をｔとするとき、ｔ／ｐが１．０×１０^-4以上、７．０×１０^-3以下とされる。 （もっと読む）

【課題】同一処理室内において、基板を急速に加熱、冷却できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室４１内において基板Ｗを処理する装置であって、処理室４１内において基板Ｗを載置させる載置台４５と、載置台４５に載置された基板を温度調節する第１温度調節機構５０と、処理室４１内において載置台４５から上方に基板Ｗを持ち上げる昇降機構６０と、昇降機構６０によって載置台４５から上方に持ち上げられた基板Ｗを温度調節する第２温度調節機構７２とを有し、第１温度調節機構５０と第２温度調節機構７２により、基板Ｗが互いに異なる温度に温度調節される。 （もっと読む）