説明

螺旋電極を含むプラズマ反応器

プラズマ中でイオンさやを形成して、非導電性基材(12)上にコーティングを堆積する装置。この装置は、第1の幅を有する第1の電極(60)に螺旋状に巻き付ける外側表面を有する管状反応チャンバ(56)を含む。第1の電極の螺旋状の巻き付けにより、管状反応チャンバの外側表面周囲に複数の第1のラップが与えられる。この装置は、第1の幅より大きい第2の幅を有する第2の電極(58)をさらに含む。第2の電極の螺旋状の巻き付けにより、管状反応チャンバの外側表面周囲に第1のラップと交互の複数の第2のラップが与えられる。プラズマ中のイオンさやは、第1の電極が無線周波数電源に接続され、第2の電極が接地のための経路を提供するとき、管状反応チャンバの少なくとも長手軸に延在する厚さまで形成される。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コートされた光ファイバと、化学蒸着によりアモルファスまたは金属コーティングの適用のためにコートされていない長い光ファイバを、コートされていない光ファイバの強度特性に悪影響を及ぼすことなく接触及び位置決めする装置および方法に関する。特に、本発明は、管状反応チャンバの外側表面に螺旋状に巻き付けた電力供給および接地電極を有する管状反応チャンバの形態のプラズマ反応器を含むコーティング装置を提供するものである。本発明はさらに、液体、好ましくは水の層を凍結することにより形成されるファイバガイドを提供して、低圧反応チャンバ内側で、ダイヤモンドライクガラスコーティングを含むアモルファス材料の適用中に所定の軸に沿ったファイバの線形の動きのための軸受けとして作用する中実の環管を提供するものである。
【背景技術】
【0002】
光ファイバ屈折率格子の形成に用いられる光ファイバの製造には、一般的に、高感光性ガラスプリフォームからガラスフィラメントを延伸することが含まれる。このプロセスでは、ダウンフィードシステムを用いて、感光性プリフォームおよびクラッディングが誘導炉の加熱ゾーンに入るレートを制御する。加熱ゾーン温度は約2200℃〜約2250℃に達する。この温度範囲内だと、光プリフォームは、光ファイバのフィラメント形状まで延伸される。レーザ遠隔測定システムが、光ファイバの直径および延伸塔内のその位置をモニターする。その後、新たに形成された光ファイバが、少なくとも1枚のUV硬化性保護コーティングの適用のためのコーティングステーションの一つを通過する。バッファコーティングと一般的に呼ばれる保護コーティングは損傷を防いで、バッファのない光ファイバが物理的な衝撃または水や水溶液を含む環境汚染との接触に耐える。強度を損なうことなく、コートされていないガラスファイバと接触させることはこれまでできなかった。このため、光ファイバ延伸塔は、光ファイバが塔の底部に達する前に、ファイバ形成および保護バッファコーティングの適用に対応する高さを有している。ベア光ファイバとの接触による損傷は瞬時に起こり得るものの、バッファコーティングは、脆弱な光ファイバを十分に保護して、貯蔵ドラムに巻き付けて、更なる処理のために保持可能とする。
【0003】
コートされた光ファイバの後段の処理には、そのコア内の屈折率格子の形成をして、狭周波数帯リトロリフレクタ、光増幅器にゲイン平坦化装置および光通信システムに波長フィルタを含む有用な物品を作成することが含まれる。屈折率格子は、交互の高低屈折率の近接平行面として説明される屈折率の周期的な変化を含む。屈折率格子の形成プロセスには、化学放射線への露光、例えば、紫外線レーザから得られる屈折率の変化に対する光ファイバの感度を増大する酸化ゲルマニウムのようなドープ剤材料を含むコートされた光ファイバが必要である。予備増感なしで、化学放射線への露光による屈折率格子の製造には、レーザビームの経路において実際的でない長い露光時間が必要となる。屈折率変調の発現度および大きさは、化学放射線露光中のシリカまたはガラス構造を吸収する感光性に応じて変化する。光ファイバの保護に好ましい従来のポリマーバッファコーティングは、化学放射線を吸収し、屈折率変調を妨げる。保護バッファの除去により、たとえその長さの一部からのみであっても、光ファイバのベア部分は、脆弱な状況に戻り、所望の屈折率格子装置を作成するために、裸の光ファイバが変調すると損傷を受ける可能性がある。損傷に対する脆弱さは、光ファイバのベア部分がバッファ材料の保護再コートを受けるまで続く。
【0004】
ガラスコアと同様のガラス組成の被覆クラッド層とを含む光ファイバにおける屈折率格子の形成は、ファイバの元の物理強度特性に悪影響を及ぼす衝撃や汚染を与える光ファイバの露光なしに可能である。損傷の恐れは、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドライクガラスのコーティング、または紫外線を透過する、光ファイバクラッドを覆う保護層を形成する同様の構造のアモルファスコーティングを用いることにより回避できる。国際公開第01/66484 A1号パンフレットには、ダイヤモンドライクコーティングおよび屈折率格子を光ファイバコアに導入するために、紫外線レーザからの放射線に好適な感度を有する光ファイバを保護するその適用方法が記載されている。
【0005】
ダイヤモンドライクコーティングを用いることの課題は、減圧で操作される蒸着チャンバでのコーティング適用中に延伸光ファイバの元の物理強度を保持することであった。米国特許第4,402,993号明細書には、従来の延伸技術を用いたファイバ形成直後に光ファイバをコーティングする方法が記載されている。ファイバ押出し機から直接供給される光ファイバは、適切な保護シュラウドを通過して、対向端部に不活性ガスエアロックを有する矩形チャンバの入口へと進む。圧力ロック間で、光ファイバは、一連の真空排気チャンバセクションを続けて通過する。第1のセクションは、汚染物質および光ファイバ表面から微視的な欠陥を除去するプラズマイオンミリングゾーンである。次に、清浄にした光ファイバは第2のゾーンを通過して、プラズマイオン形態で噴射された元素カーボンが、サブミクロン厚さのダイヤモンドライク元素カーボンでファイバ表面をコートする。コーティング装置の様々なポイントで、光ファイバは光ファイバ直径より大きなサイズのオリフィスを有するプレートを通過する。オリフィス側部に対する衝撃や摩耗によるファイバへの損傷を防ぐために、コーティング装置は、クリーニングとコーティングゾーン間のガスフローを制御する不活性ガスの位置決め渦を用いる。
【0006】
不活性ガスの渦の使用は、ベア光学ファイバが異なる圧力で操作されるチャンバ間を通過するときにそれらのファイバを位置決めする一つの方法である。他の方法では、チャンバ間のガスの移動を防ぐためにシールを用いる。しかしながら、圧力制御チャンバ間の移動中、光ファイバはシールの上を転がって、擦動し、これもまたファイバを脆弱化させる可能性がある。コーティングプロセスでは、一般的に、ファイバに損傷を与える振動のような状態を感知させるモニタリング機器を用いる。これらの対策は、延伸光ファイバの強度特性が、気密シールコーティング適用中に減じる可能性を減少する。
【0007】
米国特許第4,402,993号明細書に記載されたプロセスは、減圧で操作されるコーティングチャンバを用いて、コーティングチャンバ内側の電極構造周囲にプラズマイオンを形成させるものである。米国特許第5,234,723号明細書には、コーティングチャンバ外側周囲に螺旋状にラップされた単一電極を用いたコーティングチャンバ内のプラズマ活性種の生成が記載されている。外部電極を用いることによって、プラズマ活性種による粒子の処理を可能として、機能性コーティングを粒子に適用することができる。特開平11−222530号公報には、単一電極でラップされた管状チャンバを通過するポリマーコートされた金属ワイヤを作成するプラズマ処理が記載されている。電力供給電極は、管状チャンバ外側周囲に螺旋状にねじられ、金属ワイヤは大気圧でプラズマを生成する他の電極を提供する。特開昭51−06053号公報には、外側周囲にラップされた一対の螺旋状にラップされた平行の電極を有する反応ガスの絶縁管の一端に導入される低圧グロープラズマ放電の生成が記載されている。低圧グロー放電プラズマは、管内側の基材表面をエッチングする。絶縁管は、ガラス、PTFT、FEP、PET、PPS、PEEK、ABSのようなプラスチックおよびシリコーンおよびセラミックスからなっているのが好ましい。平行な電極対からなる螺旋は、好ましくは互いに5〜20mm離したCu、Ag、Ni、Al、ステンレス鋼、カーボン等から作成してよい。電極対の螺旋ラップは20cm離す。直径50cm、厚さ3mmのパイレックス(登録商標)放電管だと、シリコンウェハの均一のエッチング用絶縁管となった。記載したタイプの低圧グロープラズマ放電は、シリコンウェハのような基材をエッチングして、静置される、内側を移動する、またはセラミック、プラスチックまたはガラス絶縁管の内側表面に配置される。
【0008】
表面に適用された少なくとも1枚の保護バッファ層を有するコートされた光ファイバを、コーティングを光ファイバに適用する蒸着プロセスの出発材料としてもよい。この場合、例えば、ダイヤモンドライクガラス層の適用には、光ファイバのクラッドを覆うコーティングを除去する必要がある。例えば、ブラッグ格子を押印する前に、コーティングをクラッド光ファイバから除去するのに用いるプロセスは、コアの直径が10μm未満、クラッド層の直径が約125μmまで増大する繊細な単一モードの光ファイバ強度に悪影響を及ぼす可能性のある1つ以上の操作に相当する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
情報伝達および光電子デバイスをはじめとする用途に光ファイバを用いることが増えている。繊細な光ファイバに損傷が生じる数多くの条件を考慮すると、新たに延伸された光ファイバに関連したレベルからの強度特性の減少を抑えるプロセスおよび関連の機器が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明は、処理中の光ファイバを位置決めし、振動を排除するファイバガイドを提供する。ファイバガイドは、液体、好ましくは水の層を凍結することにより形成されて、軸受けとして作用する中実の環管を提供し、化学蒸着をはじめとする様々な材料コーティング技術を用いたコーティング材料の適用中に所定の軸に沿ったファイバの線形の動きの張力制御を与える。長期にわたって水に晒すと、コートされていない光ファイバに損傷を与えることは知られているが、コートされていない光ガラスファイバとの氷の接触は、ファイバ強度を劣化させないため、本発明による氷軸受けの多くの利点が与えられる。氷軸受けによって、大気圧の処理ステーションと、化学蒸着コータのような真空下で操作される処理ステーションの間にファイバを通過させるのを必要とするコーティングを適用するために、適宜、ベア光ガラスファイバの処理を操作し、位置決めしかつ張力をかけることができる。
【0011】
理論に拘束されることは望むところではないが、本発明による氷軸受けの少なくとも2つの特徴により、光ファイバ強度の損失を防ぐと考えられる。氷は凍結中に膨張し、圧力をかけると液化することは知られている。凍結状態にある軸受けは、それに囲まれた光ファイバの任意を部分を支持する。適所に凍結された軸受けを用いると、ファイバの正確な位置決めおよび幾何形状は重要でなく、ファイバに損傷を与えることなく処理中に徐々に変化するため、いくつかの利点を与える。光ファイバは、ファイバガイドを自由に通過するものの、氷軸受けと光ファイバ表面の間の水の流動層のために、摩擦熱または氷とガラス間の接触は実質的にない。流動層は、液体潤滑層に相当する。
【0012】
水層は、凍結に近い温度で氷の表面での潤滑を与える。温度降下が凍結より遥かに低い場合は、軸受けは乾燥したままとなる傾向があり、ベア光ファイバの長さの一部を配置するという氷軸受けの利点が失われてしまう。約−40℃〜約−0.2℃の温度範囲で、氷軸受けとガラス光ファイバ間の界面によって、制御された張力のかかった光ファイバを移動させることができる。現在、本明細書に示した氷軸受けまたはファイバガイドは、裸の、またはコートされていないガラスファイバに損傷を与えることなく接触可能な唯一の構造である。低表面エネルギーでも、テフロン(登録商標)のような軟性潤滑材料は、光ファイバに損傷を与え、強度を失わせる。強度損傷および損失の量は、潤滑材料の幾何形状および硬度、光ファイバ表面に対する接触圧力に応じて異なる。テフロン(登録商標)のような潤滑軸受けの更なる欠点は、処理済み光ファイバの汚染残渣の形成である。残渣は、光ファイバに適用されるコーティングの接着力および品質を損なわせる。これとは対照的に、水は本発明による氷軸受けとの接触に関する唯一の残渣である。純水の蒸発によって、処理済み光ファイバに汚染残渣は残らない。
【0013】
本発明によるファイバガイドの使用による他の利点は、光ファイバが氷軸受けに形成されたオリフィスを通過する際に、実質的に一定して水の界面層が再生されることである。水の純度を制御する限り、軸受けも同様に制御された組成および清浄度を有する。氷から形成されたファイバガイドのこの自己清浄態様によって、堆積した異物の周期的な除去を必要とするその他の種類の潤滑軸受けを再使用する問題点が回避される。
【0014】
水または氷を含む材料と、ガラスファイバのベア表面間の接触を含むプロセスは、当業者によれば、ガラスファイバの強度を減じさせるものと考えられている。本発明によれば、水の界面層は、ガラスの強度特徴を劣化させるような保護されていないガラスと反応することなく潤滑性が提供される。水は、一般的に、光ファイバ強度に悪影響を及ぼすと考えられているが、本発明による光ファイバ処理は、ガラスと水の間の接触を制限して、接触時間を短くし、大きな強度劣化を生じさせない。
【0015】
本発明によるファイバガイドまたは氷軸受けを用いると、損傷なく光ファイバを処理でき有利である。透明なダイヤモンド状ガラスコーティングの光ファイバ表面への適用を参照してその使用法を説明する。当業者には、氷軸受けを他の用途に用いてもよいことが分かるであろう。かかる用途も本発明の範囲に含まれる。
【0016】
本発明によるダイヤモンドライクガラス適用のための光ファイバの処理には、ファイバからのアクリレートコーティングの連続除去、およびファイバガイドまたは氷軸受けを通過して、化学蒸着チャンバへと進んで、ダイヤモンドライクガラスのコーティングを適用する前に水でファイバを洗うといった数多くの工程が含まれる。処理装置により光ファイバをねじ込んだ後、氷圧力軸受けの形成には、ファイバの表面と水洗ステーションと化学蒸着チャンバ間に配置された支持管底部の間の表面張力により保持された水滴または水カラムの領域における温度減少が必要とされる。超冷却空気または熱電冷却装置を用いた水滴または水カラムの領域における−5℃未満の温度減少によって、水滴自身か、水カラムの少なくとも一部が光ファイバ周囲で凍結する。氷圧力軸受けを形成するために水が凍結すると、支持管底部がシールされて、蒸着チャンバを含む密閉システムが生成され、圧力が減じて、裸の光ファイバのプラズマコーティングを促すことができる。蒸着チャンバの後の調整には、チャンバの排気、および炭化水素、オルガノシラン、フルオロカーボンおよびこれらの混合物をはじめとする好適なプロセスガスのフローの開始が含まれる。ダイヤモンドライクガラスフィルムの蒸着は、例えば、約0.1〜約5.0の範囲の容積比を用いるテトラメチルシランと酸素の混合物を含むプロセスガスを用いる。本明細書において、ダイヤモンドライクガラスフィルムという用語は、ダイヤモンドライクガラスコーティングと同じ意味で用いられる。
【0017】
本発明による蒸着チャンバの一実施形態は、管状反応チャンバを含む。管状反応チャンバ外側周囲の二重螺旋電極システムは、小さな電極に大きな負のバイアス電位を生じる非対称電極配置として提供されて、管状反応チャンバの長手軸に沿った任意の点に垂直な局所電場を生成する。管状反応チャンバの中心に同軸配置された光ファイバは、管状反応チャンバの半径がイオンさやの厚さより小さいときは、プラズマのイオンさやに囲まれ、イオン衝撃を受ける。
【0018】
本発明による蒸着チャンバの好ましい実施形態は、プラズマ中にイオンさやを形成して、基材、特に、光ファイバのような非導電性基材にコーティングを堆積する装置である。この装置は、外側表面を有する管状反応チャンバと、第1の幅を有する第1の電極とを含む。第1の電極の螺旋状の巻き付けにより、管状反応チャンバの外側表面周囲に複数の第1のラップが与えられる。第2の電極は、第1の電極の幅より大きな第2の幅を有している。第2の電極の螺旋状の巻き付けにより、管状反応チャンバの外側表面周囲に第1のラップと交互の複数の第2のラップが与えられる。プラズマ中のイオンさやは、第1の電極が無線周波数電源に接続され、第2の電極が接地のための経路を提供するとき、管状反応チャンバの少なくとも長手軸に延在する厚さまで形成される。
【0019】
一般的に、管状反応チャンバは、約25.0mm未満、任意で約12.0mm未満、好ましくはプラズマ中のイオンさやの厚さより少ない半径を有するガラスでできている。
【0020】
特に、本発明は、フィラメントの長さを受ける軸チャネルを画定する内壁を有する支持管を含むフィラメントガイドを提供する。軸チャネルは、フィラメントの少なくとも一部を囲み、内壁の少なくとも一部と接触しているフィラメント封止の収納部を提供する。フィラメント封止には、フィラメントの長さを移動可能に形成されたオリフィスを有する氷軸受けを提供する水のような凍結流体の一部が含まれる。好適なフィラメントとしては、非導電性フィラメント、特に光ファイバが挙げられる。
【0021】
フィラメントガイドを、コーティング材料適用のためのベア光ファイバの長さの一部を配置する装置として用いてもよい。一実施形態において、本装置は、ベア光ファイバの長さ部分を囲む水のような流体のカラムを含んでおり、流体のカラムの少なくとも1枚の凍結層を含む少なくとも1つのファイバガイドを有している。少なくとも1つのファイバガイドには、コーティング材料の適用のために配置されたベア光ファイバの長さを移動可能なベア光ファイバの長さ部分の断面寸法のサイズのオリフィスが含まれる。
【0022】
コーティング材料を適用するためのベア光ファイバの長さの一部を配置する装置は、ファイバ入口とファイバ出口を含む水のカラムを含有する管を含んでいてもよい。管は、ベア光ファイバの長さの部分を囲む処理カラムの長手軸と同軸の関係で水のカラムを配置するための光ファイバ処理カラム内部に向きを有している。水のカラム層を凍結することにより形成されたファイバガイドは、水のカラムを支持するファイバ入口の位置を占めている。ファイバガイドは、コーティング材料をベア光ファイバの長さへ適用するために、ベア光ファイバの部分を移動可能なサイズのオリフィスを含んでいる。
【0023】
本発明はさらに、光ファイバに材料層を付着するプロセスも提供する。プロセス工程には、少なくとも1つのバッファコーティングを有する光ファイバを提供する工程と、光ファイバを処理カラムから処理済み光ファイバのためのアキュムレータにねじ込む工程とが含まれる。処理カラムは、光ファイバを受ける入口と、処理済み光ファイバをアキュムレータへと通過させる圧力制御出口とを含む。また、処理カラムはさらに、入口と出口の間に反応チャンバも含む。光ファイバは、加熱した酸を含有する酸浴への入口を通して供給部から分配されて、光ファイバからバッファコーティングが除去されて、裸の光ファイバを提供する。裸の光ファイバは、ファイバ入口とファイバ出口を含む管から搬送される。管は、処理カラムの長手軸と同軸の関係で裸の光ファイバの一部を囲むために、水のような流体を含有する管を配置するために処理カラム内部に向きを有している。流体の少なくとも一部を凝固点より低い温度まで冷却して、裸の光ファイバ部分周囲の凍結封止またはファイバガイドの形成中の圧力減少のための処理カラムを封止する。凍結封止には、裸の光ファイバを移動させるオリフィスが含まれる。凍結封止と圧力制御出口間の処理カラムの真空排気後、プロセスガス(例えば、比が約0.1〜約5.0のテトラメチルシランと酸素)のフローを反応チャンバを通る低圧で維持する。反応チャンバは、第1の電極および第2の電極により螺旋状にラップされた管を含む。第1の電極に対する無線周波数での電力の供給および第2の電極の接地への接続により、ダイヤモンドライクガラスのような材料層を裸の光ファイバに、反応チャンバを移動する際に付着させるイオン衝撃用プラズマのイオンさやが生成される。これによって、アキュムレータにより集められる処理済み光ファイバが得られる。
【0024】
ここで図面について簡単に説明すると、本発明の範囲に含まれ得るその他の形態はさておいて、添付の図面を参照して、例証の目的でのみ、本発明のいくつかの好ましい形態について説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0025】
本発明の詳細な実施形態は適宜本明細書に開示されるが、開示された実施形態は様々な変形形態で実現される本発明の例証に過ぎないものと考えられたい。図面は必ずしも縮尺が合っておらず、いくつかの特徴部分については特定の構成要素の詳細を示すために拡大または縮小されている。従って、本明細書に開示された特定の構造および機能の詳細は限定のためとは解釈されるべきではなく、特許請求の範囲の基礎および本発明を様々に用いる当業者への教示のための代表的な基礎でしかない。
【0026】
添付の図面を参照すると、いくつかの図面を通して同一の構成要素には同一の番号を付してある。図1は、フィラメント状基板、特にコートされていない光ファイバ12基材にダイヤモンドライクフィルムを適用する装置10の概略図である。この装置には、保護バッファ層を除去する間、酸浴16を通過し、ダイヤモンドライクガラスコーティングの適用のために蒸着チャンバ18を上方に移動する光ファイバ12源としての巻き出しスプール14が含まれている。巻取りスプール20は、処理後、装置10の上部出口22から現れる光ファイバ12を集める。ここでは、保護バッファ層を含むコートされた光ファイバを参照して述べたが、シリカプリフォームからファイバを製造するのに用いる延伸炉から出る際、反応プラズマチャンバ18の上部から下部まで供給される光ファイバ12に直接ダイヤモンドライクコーティングを堆積させることが可能である。
【0027】
ダイヤモンドライクコーティングの光ファイバ12の形態でのフィラメントへの適用に、巻き出しスプール14と巻取りスプール20の間の搬送中、光ファイバ12の連続処理用装置10を用いてもよい。本発明による光ファイバ12の処理には、ファイバ12の処理装置10を通る行程においていくつかの箇所で光ファイバ12表面に対する変更が必要である。図1では、いくつかの処理ステーションを垂直配置で単一片の装置10に結合して、巻き出しスプール14から供給されたコートされた光ファイバ12が、装置10の基部に入って、各処理工程の一連を完了させる収容カラムを提供している。
【0028】
第1の処理ステーションは、ダイヤモンドライクガラスコーティングの適用の調整において、コートされた光ファイバ12からバッファコーティングを除去するための、好ましくは180℃の高温で熱濃(98%)硫酸を含有する酸浴16である。硫酸容器の底部入口24は、酸容器16と接触する漏れ防止光ファイバを提供するテフロン(登録商標)パススルー26を有している。コーティング除去後、裸のガラス光ファイバ12は残渣酸除去のために第1の水洗ステーション28へ入る。洗浄した光ファイバ12は出口30から出て、管72を通って開渠に入る前に、最終水洗管84を通過する。これは、第1の一連の真空排気チャンバ34、36、38へとつながっており、約98.8KPa(760トル)〜約39.0Pa(0.3トル)と漸進的に圧力を減じるようにして真空排気される。各チャンバへの入口で、ガスロック40があるチャンバを近接するチャンバからシールして、チャンバ34、36、38間で与えられた圧力差を維持する。
【0029】
図1に示すように、大気圧から約39.0Pa(0.3トル)までの漸減には、約3.9KPa(30トル)〜約13.0KPa(100トル)、好ましくは約9.75KPa(75トル)で操作される3つの真空排気チャンバ34、36、38を用いるのが好ましい。第2の真空排気チャンバ36は、約0.5KPa(4.0トル)〜約0.9KPa(7.00トル)、好ましくは約0.65KPa(5.0トル)まで圧力をさらに下げる。第3の真空排気チャンバ38への移動により、約26.0Pa(0.2トル)〜約39.0Pa(0.3トル)へ圧力降下する。これは、ダイヤモンドライクコーティングの化学蒸着にとって好ましい圧力範囲であり、化学蒸着にプラズマを生じさせるのに必要な範囲内である。各真空排気チャンバ34、36、38は、特定の減圧を維持するべく適用された真空マニホルド42への接続を有している。
【0030】
第3の真空排気チャンバ38は、反応チャンバ18の基部の位置を占めており、プロセスガス用の排気マニホルド44への接続を有している。反応チャンバの上端で、ガス供給マニホルド46は、反応チャンバ18の内側で、ダイヤモンドライクコーティングの蒸着のためのプラズマを形成する反応ガスを供給する。ガス供給マニホルド46は、末端真空排気チャンバ50へつながるガス供給チャンバ48を供給する。これはまた、反応チャンバ18からガスを除去する真空マニホルド52に接続されている。その結果、反応チャンバ18は、約26.0Pa(0.2トル)〜約39.0Pa(0.3トル)の低圧を維持する。反応チャンバ18に好適な材料としては、低スパッタ収率を有している、つまり、チャンバ表面から生じるダイヤモンドライクフィルムの汚染が非常に少ない材料が挙げられる。反応チャンバ18は、ガラス、水晶、酸化アルミニウムまたは選択したポリマーのような誘電性材料から製造されるのが好ましい。図1に示す反応チャンバ18の使用は、プラズマ作成、イオン加速およびフィルム蒸着に用いるガス収容部の減圧で制御された環境を提供する数多くある手段のうちの1つである。
【0031】
図2は、ダイヤモンドライクフィルムを基材に蒸着する反応チャンバ18に含まれる装置の図を示す。接地反応チャンバ内側の蒸着は、公称長さ610mm(24インチ)、幅38mm(1.5インチ)の一対のアルミニウム電極54を用いており、その一方または両方が無線周波数で通電される。電極54は、一方が他方の上でチャンバ18の直線軸に沿って、千鳥形配列で配置されている。光ファイバ12のような基材は、電極54の少なくとも1つの近傍の位置を占めており、ダイヤモンドライクフィルム蒸着のために選択した条件に応じて分離されている。反応チャンバ18の構造によって、プラズマ作成、イオン加速およびフィルム蒸着のための流体収容中、その内部が真空排気される。前述した通り、反応チャンバ18への排気および真空マニホルドの接続部44、52は、反応チャンバ18内の所望の減圧を維持する。
【0032】
図3は、非導電性粒子およびフィラメントの処理のための好ましいプラズマ反応器18の図である。このタイプの反応器18は、ダイヤモンドライクガラス(DLG)コーティングを光ファイバに適用するために本発明に従って用いられる。図示の通り、本実施形態は、従来のプラズマ反応器に比べて単純化された構造を有するコンパクトな反応器18を提供する。図1の詳細セクション3に対応するコンパクトな反応器18は、汚染されたら直ぐに交換可能な管状反応チャンバ56を含む。この場合、反応チャンバ56は、その外側表面に螺旋状に巻き付いた一対の電極58、60を有する直径の小さなガラス管を含む。螺旋電極58の1つは、もう一方の電極60より広く、狭い電極60は無線周波数電源59に接続し、広い電極58を接地した後、容量結合型プラズマが、ガラス管56の長さ内に非対称の放電を作成する。非対称の放電は、ダイヤモンドライクガラスフィルムの適用中、ガラス管56を通過する際に、光ファイバ12周囲に螺旋イオンさやを形成する。狭い螺旋電極60周囲の螺旋イオンさやの位置の調整は、ガラス管反応チャンバ56の直径に応じて異なる。ガラス管56の直径は、イオンさやを配置して、長手軸を超えてガラス管56へと延在しているのが好ましい。ガラス管56内側で同軸調心された光ファイバ12は、イオンさや、および光ファイバ12表面に衝撃する反応性イオンに露出される。表面衝撃によって、イオン誘導プラズマを形成するのに好適なガス状材料を用いて、ダイヤモンドライクガラスフィルムの化学蒸着用の非導電性繊維状基材が処理される。イオン衝撃は、基材にダイヤモンド状ガラスフィルムを蒸着させるのに重要である。特開昭51−06053号公報に記載されているように、プラズマエッチング装置には、1つの電力供給電極と、1つの接地電極とが含まれているが、絶縁管の直径が大きい(50cm)ため、ダイヤモンドライクガラスフィルムの蒸着には不向きである。このタイプの反応器管は、プラズマエッチングの要件を満足させる厚さ約5.0cmのイオンさやを生成するが、本発明によるダイヤモンドライクガラスフィルムを適用するのに必要なイオン衝撃を与えるとは考えられない。
【0033】
反応チャンバを通過する際に、ダイヤモンドライクガラスコーティングを光ファイバ表面に蒸着させるのに、本発明による化学蒸着に好ましい材料として、テトラメチルシラン(TMS)と酸素の混合物を用いる。TMS対酸素の流量比は、0.1〜5.0、好ましくは0.5〜2.0、最も好ましくは0.8〜1.5で選択してよい。
【0034】
本明細書に記載した管状反応チャンバ56は、ねじ込んだ光ファイバ12周囲の領域にイオン誘導プラズマを生成する。好適に位置決めされると、螺旋イオンさやは、イオン衝撃による処理中に、光ファイバ12の一部に沿って長さ方向に延在する。螺旋状ラップ電極58、60はまた、周囲均一性を有するコーティングも生成する。この特性により、図2に示すような、蒸着の方向依存性のある、平らな電極を備えた反応チャンバ18が改善される。この場合、光ファイバの円柱表面への均一な材料蒸着には、基材の回転、または複数の電極の好適な配置が必要とされる。螺旋イオンさやは、透明な保護層を脆弱な光ファイバ12の表面に提供するために、効率的なイオン衝撃およびダイヤモンド状ガラス組成物の均一な付着のために、光ファイバ12周囲の領域に、より効率的に制限されたプラズマを提供する。
【0035】
管状反応チャンバ56を通した、またはダイヤモンド状ガラス蒸着装置10の電極54を通した光ファイバ12のねじ込み後、氷圧力軸受け62(図1参照)の形成には、水滴または水カラムの領域において温度を下げる必要がある。図4および図5に、プラスチック管72の上下に延在する光ファイバ12を囲むようにプラスチック管72内側に保持される水カラム64のような一般的な用語で記載される氷軸受け62の形成に好適な構造を示す。プラスチック管72は、図1に示すように、蒸着装置10の2つのチャンバ29、34間に配置された支持管32のチャネル66において摩擦により保持される。プラスチック管72の下端で−5℃未満に温度を下げると、プラスチック管72内側に延在する凍結シリンダ70に結合された逆円錐の形状の凍結液滴74を含む水カラム64の凍結部分が生成される。水カラム64のセクションを凍結する手段には、プラスチック管72の周囲の支持管32の過冷却空気または熱電冷却のジェットの衝突が挙げられる。過冷却空気の蒸気は、支持管32を蒸着装置10表面に取り付けるのに用いる支持管32と壁装着部78の間に絶縁層があると、効率的な冷却を与える。本発明による凍結フィラメントガイド62の好ましい実施形態において、熱電冷却器は、水カラム64中に水を凍結する手段を与える。好適な熱電冷却装置としては、ニュージャージー州トレントンのメルコアサーモエレクトリックス(Melcor Thermoelectrics,Trenton,NJ)より入手可能なUT6−7−30−F1という装置が挙げられる。この冷却装置は、例えば、ミネソタ州セントポールの3M社(3M Company,St.Paul,MN)より入手可能な熱導電性エポキシ接着剤TC2707を用いた接着接合をはじめとする様々な固定手段のうち任意のものにより、チャンバ29の表面に固定してもよい。蒸着装置10への熱電冷却装置の取り付けには、熱電冷却器の熱側を、ヒートシンクか、または直接、氷軸受け62を含有するチャンバ29の枠へ接続することが含まれる。その後、熱電冷却器は、冷却された支持管32に装着された温度センサとして、コネチカット州スタンフォードのオメガエンジニアリング(Omega Engineering,Stamford,CT)より入手可能なCO1−Eスタイル1熱電対を用いて、ロードアイランド州カンバーランドのアルファオメガインスツルメンツ(Alpha Omega Instruments,Cumberland,RI)より入手可能な60ワットの800シリーズ冷却器の制御下で操作される。
【0036】
冷却する好適な方法を用いることによって、水カラム64の少なくとも一部が光ファイバ12周囲で凍結する。氷軸受け62を形成するために水が凍結すると、凍結水滴74が支持管32底部をシールして、圧力が減じて、ダイヤモンドライクガラス層の化学蒸着により、裸の光ファイバ12のコーティングを促す密閉システムが生成される。氷軸受け62は、凍結液滴74の形成後、プラスチック管72に付加された水層を有していてもよい。本発明の一実施形態は、光ファイバ周囲に形成された完全凍結水カラム64として氷軸受け62を有している。その後の反応チャンバ18の調整には、チャンバ18を流し、テトラメチルシランと酸素を含む選択したプロセスガス混合物で充填するためのガスフローの導入が含まれる。ガスの流量を調整し、マサチューセッツ州MKSインスツルメンツ(MKS Instruments,Andover,MA)より入手可能な質量流量コントローラ(MFC)により維持する。メカニカルポンプ(イギリス、サセックスのエドワーズハイバキューム(Edwards High Vacuum,Sussex,England)より入手可能な型番E2M80)を背面に備えたルーツブロワ(イギリス、サセックスのエドワーズハイバキューム(Edwards High Vacuum,Sussex,England)より入手可能な型番EH1200)が、真空マニホルドを通して反応チャンバ18からガスを除去した。反応チャンバ18と真空ポンプ間に配置されたバタフライバルブによる圧力調整は、プロセスガス流量に依存することなく、反応チャンバ18の圧力を制御する手段を提供する。スロットルバルブおよびコントローラ(マサチューセッツ州アンドーバーのMKSインスツルメンツ(MKS Instruments,Andover,MA)より入手可能な型番653および600シリーズ)を用いて、プラズマ蒸着に好適な約0.13Pa〜130Pa(0.001〜1.0トル)、好ましくは約26.0Pa(0.2トル)〜約39.0Pa(0.3トル)の値で圧力を維持してもよい。ガス流量は、反応チャンバ18の内部体積に応じて異なり、チャンバ18内のガス混合物に同じ休止時間を得るためには大きなチャンバだと高い流量が必要である。
【0037】
約13.56MHzの無線周波数での電極54、60への電力供給には、電力供給電極が負にバイアスをかける無線周波数プラズマ放電をセットアップする。このバイアスは通常、100〜1500ボルトの範囲である。このバイアスにより酸素リッチなプラズマ内のイオンが電極に向かって加速されて、イオンさやが形成される。酸素リッチなプラズマからの加速イオンが、非導電性基材、好ましくは光ファイバ12に堆積する。
【0038】
ダイヤモンドライクガラスのフィルムでは、テトラメチルシランと酸素の混合物を含有するプラズマ放電化学蒸着プロセスのプロセスガスを必要とする。ガス混合物は反応して、プロセスガスの成分の比率に依存する複雑な三次元構造を有する表面堆積物を生成する。圧力、無線周波数電力、ガスの種類および濃度、および電極サイズをはじめとする様々な条件により蒸着レートが変化する。通常、堆積レートは、増大する無線周波数電力、プロセスガス圧力および濃度と共に増大する。
【0039】
本発明により堆積したフィルムは、ファイバ強度を大幅に失うことなく、ガラスファイバを保護する。フィルム堆積物の厚さは約1ミクロン〜約100ミクロン、好ましくは約2ミクロン〜約10ミクロンの範囲である。非常に透明なダイヤモンドライクガラスフィルムが、光の過剰な減衰なしに、好ましい範囲よりも厚く堆積される。ダイヤモンドライクガラスを、例えば、100ミクロンの厚さまで光ファイバに堆積して、干渉計やフェーズマスクをはじめとする公知の手段を用いて光ファイバ格子の形成に必要なライトスルー特性を損なうことなく、強固なファイバ構造を与えて、ファイバのコア内の周期的に変化する屈折率格子を書き込むことができる。かかる格子構造の屈折率、反射帯域幅および波長は、用いたフェーズマスクおよび露光時間の期間および長さにより単純に定義される。
【0040】
図4に、凍結させて光ファイバガイドまたは氷軸受けを形成する少なくとも1枚の層70を有する水カラム64を含有するプラスチック管72を保持するチャネル66を含む管32を図示する。管32は、水洗ステーション28と第1の真空排気チャンバ34間のチャンバ29の氷軸受け62の位置を示す図1に示す処理装置10の壁に装着してもよい。好ましい実施形態において、チャンバ29には、処理済みファイバ12が氷軸受け62を通過する直前に、第2の水洗ステーションを提供する水供給管84が含まれている。図4に示すように、チャネル66底部の切欠き部は、本発明による氷軸受け62の固体部分として氷70の層の位置を示している。約−40℃〜約−0.2℃まで水を冷却することにより形成される氷軸受け62は、圧力バリアおよび支持体を構築する。これは、光ファイバ12を振動から安定化させ、コートされた光ファイバを巻取りスプール20で集める前に、光ファイバ12が大気圧のチャンバ29から、化学蒸着チャンバ18に近接する減圧領域へ通過する際、そのベア表面を損傷から保護する。本発明により、氷軸受け62を通って第1の真空排気チャンバ34へ入る光ファイバ12は、大気圧の環境から約9.75KPa(75トル)の低圧の環境へ移動する。氷軸受け62の使用により、圧力調整に用いられる従来制限を受けていたオリフィスの数々の問題が回避される。従来のオリフィスの圧力差によって、オリフィスを通るガスが移動して、ファイバ中に振動を招く。その振幅に応じて、振動する光ファイバ12は、オリフィスの壁と接触する。ファイバ12とオリフィスの壁の間の衝撃は、光ファイバ12の強度を減じることが分かっている。ファイバ中に生じた振動の強度は、ファイバの張力と長さ、およびガスの密度とフローの関数である。ガス流量および特性には、渦が含まれ、圧力降下およびオリフィス幾何形状の関数である。約1メートルを超える有用なファイバ長さおよび約1キログラム未満の張力で、約98.8KPa(760トル)〜約85.6KPa(650トル)未満のオリフィスの圧力降下が渦を生成して、ファイバを損傷する振動を招く。逆に、氷軸受け62によって、ファイバを損傷することなく、約0.66KPa(5トル)〜約13.0KPa(100トル)まで第1のチャンバ34において圧力が減少する。約13.0KPa(100トル)未満の圧力で、プロセスガスの密度は、ファイバ変位による損傷を生じないようなものとする。これによって、第1の真空排気チャンバ34と以降の真空排気チャンバ36、38の間で従来制限されていたオリフィスを用いることができる。約0.35mm(0.09インチ)〜約0.24mm(0.06インチ)のオリフィスを用いて、ファイバを損傷することなく所望の圧力差を提供することができる。これらの点で従来の制限されたオリフィスを用いることは好ましい。というのは、凍結水軸受けが、化学蒸着に必要な圧力で蒸発したり昇華するためである。
【0041】
図5に、本明細書では処理カラムとも呼ばれる付着装置10の2つのチャンバ29、34間の氷軸受け62の位置の詳細を示す。図5に、介在壁76の下に延在する支持管32を示す。ブラケット78は、支持管を処理カラム10の背壁に取り付ける手段である。シール80、好ましくはテフロン(登録商標)シールは、シール80を通して真空排気チャンバ34へと延在している介在壁76とプラスチック管72の間に気密シール80を提供する。スナップリング82は、気密シール80の保持手段を提供する。管32の下端から突出して、プラスチック管72に取り付けられているのは、凍結前に部分的に形成された水滴であった逆円錐74の氷である。氷滴74は、光ファイバ12から残渣の酸を除去する間に用いる最終水洗管84に引っ掛かる。最終水洗管84を用いると、化学蒸着によりコーティングの適用のために調整された光ファイバ表面が得られる。本発明による化学蒸着にはまた、酸汚染物質を光ファイバ12の表面から除去する第1のステーションとしての第1の水洗管86(図1参照)も含まれる。水洗管84、86は、ファイバが通過するそれぞれ直径約0.35mm(0.09インチ)の軸状に並んだ上下穴が含まれる。軸状に並んだ穴の直径は、光ファイバの間隙となるほど十分に大きいが、毛管力により、流れ出すことなく、ファイバ上を流れる、水洗管84、86を通るいずれかの方向に水が通過できる十分に小さい直径を有している。
【0042】
凍結流体ファイバガイド62、凍結水により作成されたものは特に、光ファイバ処理の他の態様を促進する。例えば、比較的容易に、光ファイバ12を配置し、脆弱なファイバを損傷することなく、正確に張力をかけられる。氷軸受け62を用いると、光ファイバの強度の劣化を避けて以前から用いられていた技術により分配することが可能である。かかる技術としては、光ファイバの張力を上げたり、支持体間のファイバスパンの長さを減少したり、真空チャンバの数を増やして、乱流ガスフローを減じたり、光ファイバが通過する開口部のサイズを増大することが挙げられる。後者の処理技術は、電力要件が増大し、130Pa(1.0トル)未満の圧力レベルを維持するために追加の真空ポンプや真空排気チャンバをはじめとする追加の機器があることから実際的ではなかった。
【0043】
固化流体ファイバガイド62の概念は、光ファイバのみの処理に限定されず、特に表面の損傷を受けやすいその他のフィラメントにも適用される。本発明によるファイバガイドの概念を更に広げると、表面感受性のあるフィラメントのプーリとして作用するファイバ回転固定具のような物品の製造という可能性がある。かかる固定具は、フィラメントの回転およびフェスツーンを可能とする輪郭を有する氷表面により作成することができる。光ファイバの形態のフィラメントのフェスツーニング(festooning)、またはラッピングによって、光ファイバを延伸したりその他処理するのに短い塔を用いることができる。短い処理塔の多様性および長さは、一回の通過で処理されるフィラメントの量を増大するために、適切なねじ込みを用いると効率的に増大する。かかるねじ込みによって、再構築が必要であった古い塔構造の長さが効率的に増える。凍結流体ガイドは、例えば、光ファイバのポリイミドコーティング処方によるコーティングといった、現在の速度では実際的ではない塔での用途に利点を提供するものである。
【実施例】
【0044】
実施例1
本実施例の目的は、制御された条件下で、ベア、裸またはその他コートされていないガラスファイバを、ガラスファイバの強度特性を大幅に変更することなく、溶ける氷と接触させて繰り返し往復運動させたり、それに打ち付けたりするということを示すことである。
【0045】
それぞれ長さ2メートルの3M社製の303番の20個の試料を、165℃の温度で濃硫酸を用いて処理し、光ファイバからバッファコーティングを除去して、約2インチの長さの裸のコートされていない部分を生成した。光ファイバの裸の部分を水とイソプロピルアルコール中で洗った後、処理長さの光ファイバを箱に保管して、露出したガラスと接触しないようにした。
【0046】
7本の裸のファイバを国産冷蔵庫の冷凍庫より得られた溶けたアイスキューブに前後に擦りつけた。裸の領域の一方の側のファイバを手で握り、10°〜45°の角度でアイスキューブの上隅でファイバを下方に延伸して約455g(1ポンド)の張力をかけて前後に動かした。アイスキューブ表面に光ファイバを叩きつけた回数を変えて、室温で、試験ファイバの得られる強度の関数として調べた。10回〜50回アイスキューブに擦りつけた光ファイバの基部は、氷と接触させなかった裸の対照例のファイバと実質的に同じ強度を保持していた。試料の試験には、氷表面に対して打ち付けることも含まれていた。これは、裸の中央部を有する光ファイバを引張り強度約455g(1ポンド)でコートされた側に保持した定性試験方法であった。表1に、光ファイバ試験試料の中央の裸の部分をアイスキューブの隅部または表面と繰り返し接触した結果を示す。
【0047】
任意の試験方法において、さらに3つの光ファイバの裸の部分を、2つのアイスキューブ間で捕捉し、氷から取り去る前に約100回前後に叩いた。
【0048】
3つの裸の光ファイバに、−40℃でアイスブロックを含む冷凍庫で他の試験を実施した。前と同じようにして、裸の光ファイバ試料を、−40℃のアイスブロックの表面に叩きつけて、この手順が試験ファイバの強度に何らかの影響を与えるかどうか判断した。
【0049】
室温または−40℃で試験した全ての試料の引張り強度を、0.5メートルのゲージ長さのセクションとして不合格となるまで引っ張ることにより評価した。試験試料の長さは1.5メートルであり、各試料の各端部の0.5メートルの長さを、予め411番の両面接着テープ(ミネソタ州セントポールの3M社(3M Company,St.Paul,MN))でカバーしておいた直径10.0cm(4インチ)のアルミニウムマンドレル周囲にラップした。マンドレルに駆動力を適用すると、中心の0.5メートルのゲージ長さが、1分当たり0.5mmか1.0mmから選択された固定レートで伸張する。試験試料は全て、不合格時に600KPSIを超える強度値を保持していた。氷で処理した試料の破断強度と酸ストリッピングのみを施した対照試料とを比べても大きな変化はなかった。
【0050】
比較例C1
氷の代わりに清浄なテフロン(登録商標)の表面を用いて実施例1に記載した手順を繰り返した。これらの代替表面に50回前後に叩きつけた後、不合格時に引っ張ったとき試験ファイバの大半の強度が大幅に失われた。表1の結果によれば、裸のファイバをテフロン(登録商標)表面に叩きつける試験は、前述した通り、ファイバを擦るのと略同じ損傷であった。
【0051】
【表1】

【0052】
実施例2
裸の光ファイバと氷を接触する影響の定性調査の後、氷圧力軸受けを用いて、材料の化学蒸着に対応する減圧でダイヤモンドライクガラスを裸の光ファイバにコートするのに用いる装置を調べた。
【0053】
管状反応チャンバを、内径約1.00cm(0.4インチ)、長さ122cm(4フィート)のパイレックス(登録商標)ガラス管を用いて構築した。一対の電極を長さ約91.5cm(3フィート)にわたって、ガラス管外側に螺旋状にラップして、図3に示す管状構造とした。電極をラップした管を、図1に示す光ファイバ処理装置にねじ込まれたダイヤモンドライクガラスコーティングを裸の光ファイバに付着するのに用いる低圧プラズマ反応器に与えた。
【0054】
管反応チャンバ外周囲で二重螺旋としてラップした2つの電極を用いると、一対の電極によりカバーされた管のスパンに沿った任意の点で局所電場が与えられる。電力供給電極は、接地電極の幅より広くないのが好ましい。プラズマ形成条件下で、プラズマは、管状反応チャンバの長手軸に交差する方向に管へと延びる。緻密なダイヤモンドライクガラスフィルムを裸の光ファイバに付着させるためのイオン衝撃では、プラズマのイオンさやの厚さより少ない半径を有する管状反応チャンバを用いる必要がある。この構成だと、管状反応チャンバを直進する中央に配置された光ファイバをイオンさやに浸すことにより、非導電性基材の表面にコーティング材料の堆積が促されるものと考えられる。
【0055】
本発明による二重螺旋のラップされた電極を含む管状反応チャンバを用いて、約35.0m(120ft)〜約45.0m(150ft)の裸の光ファイバを、60Wで操作する動力供給電極を用いて約25cm/分(9インチ/分)のレートでダイヤモンドライクガラスでコートした。電極電力は、ニュージャージー州クレソンのRfパワープロダクツ(Rf Power Products,Kresson,NJ)より入手可能な型番RF5S電源、型番AM−10整合ネットワークおよび型番AMNPSコントローラにより供給した。得られたDLGフィルムの厚さは約2ミクロンであった。これらの条件下で4つの別個の処理により、不注意による接触から光ファイバを保護するためにダイヤモンドライクガラスコーティングを堆積した。
【0056】
−9℃で冷却空気により冷却された凍結流体光ファイバガイドを用いた最初の実験では、光ファイバのファイバ移動プーリとの接触に起因する損傷および強度の減少を確認した。この問題を是正した後、ダイヤモンドライクコーティングの連続適用のための管状反応チャンバを用いて光ファイバに同様の処理をすると、表2に示すように、光ファイバの強度特性の保持に大幅な改善が示された。
【0057】
【表2】

【0058】
比較例C2には、ファイバをガイドし保護するための氷軸受けなしのダイヤモンドライクガラスコーティングの適用後の強度試験の結果が含まれる。異なる光ファイバを用いたいくつかのコーティングによれば、大気圧から130Pa(1.0トル)未満でシステム圧力を下げるのに用いるガス真空排気チャンバのスタックを光ファイバが通過する際、制御されていない振動によって、不合格時低引張り強度となる欠陥がいかにして生じるかが示されている。真空排気チャンバ毎の圧力差によって、気道が生じ、その結果ファイバの振動によって、チャンバ間の開口部と繰り返しの接触が生じる。前述した通り、裸のファイバの化学蒸着装置内側表面との接触によって、影響を受けた光ファイバの強度が損なわれ減じる。コーティングは故意に変えなかったが、かかる装置からの出力は、比較例C2に示すように、ダイヤモンドライクコーティングの適用後、約50kpsi〜約650kpsiと低い引張り強度測定値を有する、可変の特性を有している。光ファイバ特性の更なる不整合性は、50%の試験試料が、約200kpsiの引張り強度に適合せず、約60%の試料が350kpsi未満に適合しないことにも示されている。
【0059】
表2の実施例2は、熱電冷却器を用いて水を凍結することにより形成された氷軸受けを用いる、本発明によるダイヤモンドライクガラスコーティングでコートされた光ファイバを提供するものである。ダイヤモンドライクコーティングの適用中、裸の光ファイバに、50g未満の低張力か、100gを超える高張力を施した。比較例C2、実施例2を比較すると、光ファイバ引張り強度の整合性に大きな改善が示されている。低張力によって、好ましい整合性のコートされた光ファイバが生成される。ダイヤモンドライクコーティングに、本明細書においてはアップコーティングとも呼ばれる保護バッファコーティング(オランダ、へーレンのDSMデソテック(DSM Desotech,Heerlen,Netherlands)より入手可能なデソテック(DESOTECH)3471−2−136−)を適用する後の再コーティングによれば、このプロセスがファイバの完全性に損傷を与える証拠が示されている。これは、アップコートされた光ファイバの引張り試験を、低張力でダイヤモンドライクフィルムでコートされた光ファイバと比較することにより示される。アップコートされた光ファイバは、600kpsiを超える引張り強度を達成するパーセンテージが低く、大きな可変性を示す。
【0060】
本発明による氷軸受けはいくつかの領域において可能性を有している。乱流による振動で損傷を与えることなく、ベアファイバを大気から減圧へ通すことができる。この技術により支援されるいくつかの真空プロセスとしては、前述した金属化およびダイヤモンドライクコーティングの化学蒸着、およびアクリレート組成物の光ファイバへの高速、減圧適用が挙げられる。
【0061】
凍結流体軸受けとも呼ばれる凍結流体ガイドについて、一対の電極により螺旋状にラップされた好ましくは管状プラズマ反応器を用いて、ダイヤモンドライクコーティングの光ファイバへの適用を促すのに用いることを特に参照して説明してきた。特許請求の範囲に記載した本発明の範囲には、当業者であれば理解されるであろうプロセスおよび材料のその他の変形例が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【0062】
【図1】バッファコーティングを光ファイバから除去し、裸の光ファイバにダイヤモンドライクコーティングを適用するための処理装置の概略図である。
【図2】ダイヤモンドライクフィルムの堆積に用いる反応チャンバ内側の電極を示す概略図である。
【図3】図1の処理装置の詳細部分3に対応する管状反応チャンバの概略図である。
【図4】本発明による凍結流体ファイバガイドまたは氷軸受けの部分切欠き斜視図である。
【図5】本発明による処理カラムにおける凍結流体ファイバガイドの配置を示す図1の詳細部分5の概略図である。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
プラズマ中にイオンさやを形成して非導電性基材上にフィルムを堆積するためのものであって、
外側表面を有する管状反応チャンバ(56)と、
第1の幅を有し、螺旋状に巻き付けて、前記管状反応チャンバの前記外側表面周囲に複数の第1のラップを与える第1の電極(60)と、
前記第1の幅より大きい第2の幅を有し、螺旋状に巻き付けて、前記管状反応チャンバの前記外側表面周囲に前記第1のラップと交互の複数の第2のラップを与える第2の電極(58)とを含み、
プラズマ中のイオンさやが、非導電性基材のイオン衝撃のために、前記第1の電極が無線周波数電源に接続され、前記第2の電極が接地のための経路を提供するときに、少なくとも長手軸に前記管状反応チャンバへ延在する厚さまで形成されて前記フィルムを前記基材上に堆積させる、装置。
【請求項2】
前記管状反応チャンバがガラス製の管状反応チャンバである、請求項1に記載の装置。
【請求項3】
前記管状反応チャンバが前記プラズマ中の前記イオンさやの前記厚さより少ない半径を有している、請求項1に記載の装置。
【請求項4】
前記管状反応チャンバの前記半径が約25.0mm未満である、請求項3に記載の装置。
【請求項5】
前記管状反応チャンバの前記半径が約12.0mm未満である、請求項3に記載の装置。
【請求項6】
前記非導電性基材が繊維状基材である、請求項1に記載の装置。
【請求項7】
前記繊維状基材が光ガラスファイバ(12)である、請求項6に記載の装置。
【請求項8】
光ファイバ上に材料層を堆積させるものであって、
光ファイバ(12)を供給する工程と、
前記光ファイバを受ける入口と、処理済み光ファイバをアキュムレータに通過させる出口とを含み、前記入口と前記出口の間に反応チャンバ(56)とをさらに含む処理カラム(10)を通して前記処理済み光ファイバ用アキュムレータに前記光ファイバをねじ込む工程と、
前記処理カラムを真空排気して、第1の電極(60)と第2の電極(58)により螺旋状にラップされた管を含む前記反応チャンバの内側に減圧を提供する工程と、
前記反応チャンバを通して低圧でプロセスガスのフローを維持する工程と、
無線周波数で前記第1の電極に電力を提供し、前記第2の電極を接地に接続して、プラズマ中にイオンさやを生成する工程とを含み、
前記イオンさやが、前記裸の光ファイバの移動中にイオン衝撃のための厚さを有していて、その上に材料層を堆積して、前記アキュムレータにより集めるための前記処理済み光ファイバを提供する、方法。
【請求項9】
前記反応チャンバが管状反応チャンバである、請求項8に記載の方法。
【請求項10】
前記管状反応チャンバがガラス製の管状反応チャンバである、請求項9に記載の方法。
【請求項11】
前記管状反応チャンバが前記プラズマ中の前記イオンさやの前記厚さより少ない半径を有している、請求項9に記載の方法。
【請求項12】
前記管状反応チャンバの前記半径が約25.0mm未満である、請求項11に記載の方法。
【請求項13】
前記減圧が約130.0Pa(1.0トル)未満である、請求項8に記載の方法。
【請求項14】
前記減圧が約26.0Pa(0.2トル)〜約39.0Pa(0.3トル)の範囲である、請求項8に記載の方法。
【請求項15】
前記プロセスガスがテトラメチルシランおよび酸素を含む、請求項8に記載の方法。
【請求項16】
前記プロセスガスのテトラメチルシラン対酸素の比が約0.1〜約5.0である、請求項15に記載の方法。
【請求項17】
前記プロセスガスのテトラメチルシラン対酸素の比が約0.5〜約2.0である、請求項15に記載の方法。
【請求項18】
前記無線周波数が約13.56MHzである、請求項8に記載の方法。
【請求項19】
前記無線周波数の電力が約60Wである、請求項8に記載の方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公表番号】特表2006−513126(P2006−513126A)
【公表日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−567421(P2004−567421)
【出願日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【国際出願番号】PCT/US2003/039176
【国際公開番号】WO2004/068530
【国際公開日】平成16年8月12日(2004.8.12)
【出願人】(599056437)スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー (1,802)
【Fターム(参考)】