【課題】ロールから引き出す連続した基板に半導体の結晶膜を成長させるには、高気密の大気遮断機構が必要である。結晶を成長させるために、それを７００℃以上の高温で可能にさせる第１の課題がある。また半導体ｐｎ接合を切断すると切断面にそれが現れてリークパスとなる。切断してもｐｎ接合端面が切断面に現れない製造方法が第２の課題である。第１、第２の課題を同時に解決する必要がある
【解決手段】シリコン基板を使わないで金属基板の上に半導体膜を積層して、安価で堅牢な太陽電池を製作する。そのために、鉄板をリング状の突起で押さえて機密なＣＶＤ反応室を作り半導体シリコン膜を成長させる第１の発明をした。鉄板を切断するとき接合の端が外部に露出しないように接合を絶縁膜で分離して膜を積層する第２の発明をした。高温で塗布材料を印刷する本発明によれば、鉄板の上の結晶半導体の太陽電池の連続製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】成膜中のストリーマの発生を抑制して、ストリーマ発生に起因する膜中へのパーティクルの混入を減少させ、抵抗率の劣化を好適に防止した低い抵抗率および良好な光学特性を有し、しかも、成膜面に適正な凹凸が無い場合でも、表面に好適なテクスチャ（凹凸）が形成された透明導電膜を、高い生産性で成膜することができる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】電極対２２にプラズマ生成用電力を供給する電源回路として、単一周波数の正弦波を発振する電源、および、パルス制御素子３６を有する電源回路を用いる。 （もっと読む）

【課題】繊維状物質上にコーティングを連続的に付着させるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】繊維状物質の複数のストランド４６を、ハウジング４２により画定された包囲されたチャンバー４４内のコーティングゾーンに通して連続的に移動させることにより、ストランドの一部分がチャンバーを通って移動するときに前記部分が反応物質ガスと接触し、ストランドと物理的に接触することなく、かつハウジングを直接に加熱することなく、ストランドの前記部分を直接加熱し、反応物質ガスがストランドの前記部分と接触し分解する結果としてストランド上にコーティング材料を付着させてコーティング材料のコーティングを形成することを含む化学蒸着法である。 （もっと読む）

【課題】高密度プラズマを発生させるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】円筒形電極１を有する円筒チャンバー部と、前記円筒チャンバー部を、ガス導入口１０を有する第１チャンバー室２と、ガス排出口１１を有する第２チャンバー室３とに仕切るように、前記円筒チャンバー部に配置されたオリフィス４と、前記第２チャンバー室内において前記円筒形電極の中心軸に設置されている棒状電極と、前記第１チャンバー室において設置された、前記円筒形電極とは異なる電位を印加できるサブ電極６とを具備したプラズマ発生装置において、前記円筒形電極と棒前記状電極の間に電界を印加しプラズマを発生させ、さらに、前記円筒形電極と前記サブ電極間に電界を印加してプラズマを発生させ、前記第１チャンバー室と前記第２チャンバー室のプラズマ領域が前記オリフィスの穴を通して接続している。 （もっと読む）

【課題】機能性微粒子の純度を高めつつ、機能性微粒子を含む機能膜を基材の表面に安定して形成すること。
【解決手段】開放型で不活性ガスを用いて雰囲気制御を行うヘッド２４を用いて、液中の機能性微粒子４をミストジェット技術にて所望の分布で基板３上に吐出させる工程と、その後に大気圧プラズマ化学輸送法により薄膜８を成膜させる工程とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

カーボンナノチューブの成長を促進するのに十分な第１の温度まで加熱する成長チャンバーを準備するステップと、基材を成長チャンバーに通すステップと、少なくとも一部の原料ガスを少なくとも遊離炭素ラジカルに解離するのに十分な第２の温度まで予熱した成長チャンバーに導入し、これによって基材上でカーボンナノチューブの形成を開始するステップと、を含んで構成されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）合成方法。 （もっと読む）

【課題】電極間距離を一定にしてプラズマ放電を行うプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】円筒形電極を有する円筒チェンバー部と、棒状電極と前記円筒形電極の内周面を移動自在な電極補正リングと、ベースに設置されたチャック部とを具備するプラズマ発生装置において、前記チャック部は棒状電極の下端部を点接触して把持させることができ、前記電極補正リングの中央部にはテーパ状の位置決め孔が設けられており、前記円筒形電極の中心軸が、前記チャック部の中心軸と一致するように、前記円筒チェンバー部は上下動可能に構成され、前記電極補正リングが前記円筒形電極の内周面の所定位置に位置決めされた状態で前記円筒チェンバー部が下降すると、前記電極補正リングのテーパ状の位置決め孔によって、前記棒状電極が前記円筒形電極の中心軸に設置されるように位置補正されるようにした、電極間距離を一定にしてプラズマ放電を行うプラズマ発生装置。 （もっと読む）

【課題手段】長期にわたって優れた転写性およびクリーニング性を維持できる中間転写体およびその製造方法、ならびに画像形成装置を提供すること。
【解決手段】ポリフェニレンスルフィドおよびポリアミドを含有する基材１７５上に、体積固有抵抗１×１０^７〜１×１０^１３Ωｃｍの半導電性無機層１７６を有する中間転写体１７０。ポリフェニレンスルフィドおよびポリアミドを含有する基材１７５上に無機層１７６をプラズマＣＶＤ法により形成する中間転写体の製造方法。上記中間転写体を備えた画像形成装置。 （もっと読む）

【課題】導電性ダイヤモンド皮膜を基材金属の表面に密着性良く形成することができ、導電性ダイヤモンド皮膜が電極基材から剥離することが抑制されたダイヤモンド電極とその製造方法、ダイヤモンド電極を陽極として用いることで、長期間、高濃度のオゾンを発生できるオゾン発生装置を提供する。
【解決手段】純Ｔｉ、Ｔｉ合金、純Ｎｂ、純Ｔａから選ばれる基材金属からなる電極基材と、電極基材の表面にボロンをドープして形成された導電性ダイヤモンド皮膜よりなり、電極基材と導電性ダイヤモンド皮膜との界面には基材金属種の水素化物が形成されており、Ｘ線回析測定で得られる水素化物の主ピ−クと基材金属の主ピ−クとの強度比が、０．１以上、３．０以下である。 （もっと読む）

膜を連続的に堆積させるための電子層堆積装置。本装置は、搬送方向に延在して少なくとも第１および第２の壁によって囲まれたプロセストンネルを備える。これらの壁は互いに平行であり、平坦な基板をその間に収容可能である。装置は、１列に連なった基板群またはテープ状の連続基板をトンネル内で移動させるための搬送システムをさらに備える。プロセストンネルの少なくとも第１の壁に複数のガス注入路が設けられ、これらのガス注入路は、使用時に、第１の前駆体ガス、パージガス、第２の前駆体ガス、およびパージガスをそれぞれ収容する連続する複数のゾーンを備えたトンネルセグメントを作成するように、搬送方向に見て、それぞれ第１の前駆体ガスソース、パージガスソース、第２の前駆体ガスソース、およびパージガスソースに連続的に接続される。 （もっと読む）

【課題】優れた品質の膜を形成することが可能な気相成長装置および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、サセプタ６と、原料ガス供給口（ガス流路２２ａのガス供給口２９およびガス流路２２ｃのガス供給口２９、またはガス流路２３ａのガス供給口２９およびガス流路２３ｃのガス供給口２９）とガス供給口（ガス流路２２ｂのガス供給口２９またはガス流路２３ｂのガス供給口２９）とを含む供給口群を複数備える。サセプタ６は、基板７を主面上に保持する。複数の供給口群は、サセプタ６の主面に沿った方向において周期的に配置されている。 （もっと読む）

シリコン製直立管を使用して内部にガスが流通される反応器内での化学気相蒸着によってポリシリコンまたはその他の材料を製造するための、システムおよび方法が提供される。シリコン製の直立管は、前駆ガスが反応室の種々の部分に注入され得るように、ノズル連結器を使用して反応器システムに取り付けられ得る。結果として、反応室全体のガス流れが改善され、これによりポリシリコンの産出量を増加でき、ポリシリコンの品質を改善でき、エネルギーの消費を低減できる。
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【課題】取り扱い性に優れており、且つ、熱伝導性等のダイヤモンドが本来有する性能を発揮することができるダイヤモンド繊維及びそれを含む不織布、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】前記ダイヤモンド繊維は、ダイヤモンドのみから実質的になり、アスペクト比が２００以上である。前記不織布は、前記ダイヤモンド繊維を含む。前記ダイヤモンド繊維の製造方法では、ダイヤモンドナノ粒子とポリマーとを混合して紡糸液を調製し；前記紡糸液を紡糸空間へ供給し、この紡糸液に電界を作用させることにより細径化して、ダイヤモンドナノ粒子とポリマーとの複合微細繊維を形成し；前記複合微細繊維からポリマーを除去して、ダイヤモンドナノ粒子のみからなる繊維を形成し；前記ダイヤモンドナノ粒子のみからなる繊維にＣＶＤを行い、ダイヤモンド繊維を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理パラメータの変動をあまり受けない、化学蒸着用の前駆体物質のより制御可能な計量を行う。
【解決手段】加工物３０上に層を生成する方法であって、層を生成する少なくとも１つの成分を計量し、この成分は計量の際に液相中に存在し、次の処理工程において、異なる凝集状態に少なくとも部分的に変わる方法。 （もっと読む）

【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】発熱体ＣＶＤ（化学蒸着）法において、作成される薄膜中への不純物の混入を抑制する方法を提供する。
【解決手段】処理容器１内にガス供給系２によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構３０により所定の高温に維持された発熱体３の表面で分解及び又は活性化して基板９の表面に薄膜が作成される。発熱体３は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。発熱体３からの不純物金属の放出が抑制され、作成される薄膜中への不純物金属の混入も抑制される。 （もっと読む）

本発明は、蒸気成長カーボンナノファイバーのような炭素材料の表面を改質する方法を提供するものであり、その方法では、ケイ素は化学蒸着法を用いて蒸気成長カーボンナノファイバー上に蒸着される。得られるケイ素−炭素合金は再充電可能なリチウムイオン電池のアノードとして用いうる。 （もっと読む）

本発明は封入層を高分子繊維及び弾道抵抗性布帛の表面上に蒸着するための方法を提供する。さらに詳しくは、本発明は、非半導性高分子繊維及び布帛への材料の原子層蒸着により塗被されたコンフォーマルな封入層を有する布帛を提供する。 （もっと読む）

本発明は、軟質基材上にバリヤー層を形成する方法及びプロセスを提供する。連続ロールツーロール法は、処理チャンバを通して基材を誘導するように構成された少なくとも１つのローラーを使用して、基材を処理チャンバに提供することを含む。該プロセスは、処理チャンバ内にある基材の少なくとも一部分を、ケイ素及び炭素含有前駆体ガスを含むプラズマに曝すことによって、バリヤー層を基材に近接して蒸着させることを含む。本発明は、構造単位ＳｉＣ：Ｈに基づいたバリヤー層を含む、コーティングされた軟質基材をさらに対象とする。該バリヤー層は、高密度及び低多孔度を有する。さらに、該バリヤー層は、１０^−２〜１０^−３ｇ．ｍ^−２ｄ^−１の範囲の低い水蒸気透過速度（ＷＶＴＲ）を示し、非常に低い透過率用途に適切である。
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