【課題】 除去加工を行うプラズマＣＶＭ法又は成膜を行うプラズマＣＶＤ法に使用するプラズマ処理方法及びその装置であって、プラズマＣＶＭの場合には最小加工痕が、プラズマＣＶＤの場合には最小成膜部が軸対称となるようにした回転電極を用いたプラズマ処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 反応ガス及び不活性ガスを含むガス雰囲気中に回転電極２００とワーク２０１とを配設し、ワークと回転電極をＸＹ軸方向へ相対的に走査するとともに、Ｚ軸方向の回転軸２０２を有する回転電極とワークとの間に所定のギャップ２０３を形成するように回転電極とワークをＺ軸方向へ相対的に変位させ、回転電極を回転させてギャップ近傍に渦流を形成するとともに、回転電極に高周波電圧を印加してギャップでプラズマを発生し、反応ガスに基づいて生成した中性ラジカルを用いてワーク表面を加工又はワーク表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 フローライナーとサセプタとの間から気相原料が漏洩することを抑制でき、サセプタやヒーターへの反応生成物や分解生成物の付着を防止でき、これらの交換時期の延長、装置寿命の延長が図れる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ１１の外周部、ヒーター１３の外周部及びリフレクター１４の外周部の少なくともいずれか一箇所に、フローライナー１７の壁部外面からサセプタ１１の回転軸（サセプタ支持軸１２）に平行な方向に延出するガス漏れ抑制板２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】発電効率の向上。
【解決手段】アモルファスｉ層をＣＶＤ法により成膜するために必要であるガス（６）が導入される真空槽（１）に配置される第１電極（７）と第２電極（８）の間に第３電極としてメッシュ電極が介設される。第３電極（９）に負のバイアス電位が与えられる。プラズマ中で生成する堆積先駆体は、第３電極（９）を通過した後に、拡散により基板（１３）に到達する。この際に、質量が大きい高次シランラジカルは、その拡散距離が短く、また、反応ガス（６）との衝突とその反応とにより、不活性な高次シラン分子に変わって、高次シランラジカルの製膜に対する寄与率が低下する。その結果として、得られるアモルファスシリコン膜中に含まれるＳｉＨ２の結合濃度は、観測機器（ＩＲ）の測定限界まで低減される。この程度のＳｉＨ２が存在するアモルファスシリコン層は、公知の発電層との対比で高い安定化発電効率を達成している。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特性に優れる無機物膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された無機物膜、この無機物膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基材５上に、無機物膜８の構成材料である膜材料８１’と膜材料以外の部分とで構成される化合物を膜材料前駆体８０として用いて、化学的気相成膜法により無機物膜８を形成する成膜方法であり、膜材料前駆体８０を収納した収納部７と、基材５とを空間を介して対向させた状態で、膜材料前駆体８０をガス状またはミスト状として、基材５に向かって供給し、前記空間において、ガス状またはミスト状の膜材料前駆体８１を加熱して、基材５に到達する前に、その少なくとも一部を熱分解させて、膜材料以外の部分を分解・除去することにより、膜材料８１’を前記基材に到達させて無機物膜８を形成させるものである。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、きわめて短時間にガスの置換を行なうことが可能な装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、大気圧近傍の圧力下であるプラズマ発生空間１６に対して所望のガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマ発生空間１６内にプラズマ８を発生させるための３以上の電極５ａ，５ｂ，５ｃと、プラズマ発生空間１６内にプラズマ８を発生させるために上記３以上の電極の中から選択された１以上の電極である電圧印加対象電極に電圧を印加するための電源６と、プラズマ発生空間１６内におけるプラズマ８の発生する領域が互いに異なる第１の発生領域と第２の発生領域との間で切り替わるように、上記電圧印加対象電極の選択を切り替えるための電圧印加状態切替手段としてのスイッチング回路７とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来の電子写真感光体における諸問題を克服して、低コスト且つ安定した製造が可能で、堆積膜特性の優れた、画像欠陥が少ない電子写真感光体の製造可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも一部が誘電体材料により構成された減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基体を配置し、反応容器内へ原料ガス導入手段より供給された原料ガスを高周波電力導入手段より導入された高周波電力により分解して円筒状基体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置において、円筒状基体は同一円周上に等間隔で配置され、高周波電力導入手段は反応容器の外側に配置され、且つ、反応容器の外周を一周せしめて覆う形状であり、円筒状基体が配置される配置円内に設置されている接地された円筒状部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速原子層堆積装置及び使用方法
【解決手段】処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。前記ガス注入装置（１４０）は、前記第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを、前記処理チャンバ（１００）の第１の位置及び第２の位置から導入するように構成されており、前記第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスの少なくとも一方は、前記第１の位置と第２の位置とから、交互にかつ連続に導入される。 （もっと読む）

【課題】高周波電力によって生起されたプラズマを用いた堆積膜形成において、異常成長の発生を低減すること。
【解決手段】堆積膜形成装置は、内部を減圧可能な反応容器１０１を有し、反応容器１０１内には、原料ガスを供給するガス供給手段１１０が設けられ、複数の円筒状基体１０５が同一円周上に等間隔に配置され、反応容器１０１の外に、高周波電力導入手段１０２が配置されており、原料ガスを高周波電力によって励起、解離させることによって、円筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。この堆積膜形成装置には、同一円周上に配置された円筒状基体１０５に囲まれた領域の内部に、アースに落とされ冷却された導電性の円筒状部材１１１が設置されている。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が低く、熱安定性を有する誘電材料を提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスを利用して、平行板化学気相成長プロセスにおいて、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨ原子を含む熱的に安定した超低誘電率膜を製造するための方法を開示する。更に、この方法によって作成された熱的に安定した超低誘電率材料の絶縁層を含む電子デバイスを開示する。熱的に安定した超低誘電率膜の製造を可能とするため、例えばジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）のようなシラン誘導体、および、例えばビシクロヘプタジエンおよび酸化シクロペンテンのような有機分子等、特定の前駆物質材料を用いる。 （もっと読む）

本発明は、静止又は移動している基板のための窒化ケイ素薄膜形成装置と、このような薄膜を形成するための方法とを提供する。本発明に係る方法は、薄膜の厚さ及び薄膜の物性の均一性を高めるとともに、薄膜の堆積速度を高める。薄膜の物性は、太陽電池デバイスにおける反射防止層もしくは保護層、又は、薄膜トランジスタにおける誘電体層としての応用に適している。本発明に係る装置は多数の金属フィラメントを備えている。薄膜形成装置内の空間部において、フィラメントを基準にして基板とは反対側に、フィラメントとは予め設定された距離を隔ててガス供給システムが配設されている。静止している基板のための薄膜形成装置は、薄膜形成のための開始条件及び終了条件を制御するとともに、薄膜の厚さを制御するためのシャッターを備えている。
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非平面状物品は、実質的に均一な厚さ及び実質的に均一な耐摩耗性を有し、ほぼ平均値の±０．２５の間の範囲にある△曇り（％）を有する、プラズマ蒸着した耐摩耗性被覆を含む。
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ガス分配シャワーヘッド(1501)は、広範囲なシャワーヘッド対ウェハ間隔(y)にわたり均一厚みの膜の堆積を許容するように設計される。本発明の一実施形態によれば、フェースプレートへの入口オリフィス(1501a)の数、幅及び／又は深さを減少させて、流れ抵抗を増加し、これにより、フェースプレートの上流で圧力を高める。この高い上流のガス流圧力は、次いで、シャワーヘッドの縁部分に対してその中心部分を通して流れるガスの速度の変化を減少させ、これにより、ウェハの縁又は中心部分に堆積される膜の厚みの均一性を保証する。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバに導入され熱分解反応を行う反応ガスを用いてプロセスチャンバ内の1または複数の結晶基板の上に結晶層を蒸着する装置を提供する。
【解決手段】片面から加熱可能な搭載プレート２を具備しかつ該搭載プレート上に少なくとも１つの基板ホルダ９と基板ホルダを取り囲む少なくとも１つの補償プレートとが載置されることにより水平ギャップ３を形成し、補償プレート４の局所的表面温度に影響を及ぼすために、ガス流の方向における前記基板ホルダの上流側において水平ギャップ３のギャップ高さを変化させるかまたは局所的に異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】 処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ２２上面のウェハ保持エリア５０において、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に所定距離の隙間を生じるようにウェハ支持部５４でウェハＷを支持する。さらに、ウェハ加熱面５２上に、ウェハＷとの隙間の距離が小さくなる凸部５８を設ける。このとき、サセプタ２２からウェハＷへの加熱条件がウェハ保持エリア５０の各部位での隙間の距離によって調整され、これによって、ウェハＷ面内での温度分布の均一性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの低ＵＨＦ帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。
【解決手段】 ガス供給系５からガスを供給しながら、排気系６で排気して、処理容器３内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器１で低ＵＨＦ帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器２内でＴＭ₀₁₀モードで共振させる。隔壁板２０に形成された長孔２５を通してマイクロ波を放電室４内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板３０の表面に、エッチングやＣＶＤなどの処理を行なう。隔壁板２０の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板２０と基板載置台３１との間のギャップは、基板３０の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。 （もっと読む）