【解決手段】構成要素の温度制御を改善されたプラズマ処理システムが開示される。システムは、チャンバ壁を有するプラズマ処理チャンバを含み得る。システムは、また、プラズマ処理チャンバの内部に配置される電極も含み得る。システムは、また、電極を支えるためにプラズマ処理チャンバの内部に配置されるサポート部材も含み得る。システムは、また、チャンバ壁の外側に配置されるサポート板も含み得る。システムは、また、サポート部材をサポート板に結合するためにチャンバを通るように配置されるカンチレバーも含み得る。システムは、また、チャンバ壁とサポート板との間に配置されるリフト板も含み得る。システムは、また、リフト板をサポート板に機械的に結合するための耐熱性結合機構も含み得る。 （もっと読む）

【課題】高温度の処理でも基板面内および基板相互間の処理均一性を確保することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室３２を形成する反応管３１内にＵ字管形状の第一供給ノズルと直管形状の第二ガス供給ノズル６８を設け、第一ガス供給ノズルには複数個の吹出口５９をＵ字管の頂点よりも下流側部分に配列し、第二ガス供給ノズル６８には複数個の吹出口６９を下流側半分に配列し、第一ガス供給ノズルの吹出口５９群は最上流吹出口５９ａを第二ガス供給ノズル６８の最上流吹出口６９ａの高さ位置よりも下流側に配列する。トリメチルアルミニウムガスが処理室３２内加熱領域に入ってから吹出口５９群および吹出口６９群から吹き出されるまでの助走距離が長く、かつ略等しいので、ボート４０の上部と下部とでトリメチルアルミニウムガスの供給量が均一になり、６００℃でウエハ上に形成されたウエハ面内均一性およびウエハ相互間均一性が高まる。 （もっと読む）

【課題】大きな表面積を覆い、薄く、一様な厚さの重合パラキシリレンの膜を堆積させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、固体または液体の出発原料を蒸発させるための蒸発器（１）を備える。搬送ガスのためのガスライン（１１）が蒸発器（１）に延びる。搬送ガスは、蒸発した出発原料を分解チャンバー（２）に運び、その中で出発原料が分解される。この堆積装置は、更に、プロセスチャンバー（８）を備える。プロセスチャンバー（８）は、搬送ガスによって運ばれる分解生成物が入るガス注入部（３）と、重合させられる分解生成物で覆われることになる基板（７）を支持するためにガス注入部（３）に対向して支持面（４’）を持つサセプタ（４）と、ガス排出口（５）とを有する。ガス注入部（３）は、支持面（４’）と平行に広がるガス放出面（３’）を有する平面ガス分配器を形成し、ガス放出面（３’）全体に渡って複数のガス放出ポート（６）が分布する。 （もっと読む）

【課題】膜厚及び特性の均一性を満足する堆積膜を形成可能な触媒ＣＶＤ装置及び堆積膜形成方法を、より簡便な装置構成で達成すること。
【解決手段】触媒体ＣＶＤ装置において、触媒体４を円筒状基体７の母線に対してａ（ｍｍ）の間隔を保って設置し、円筒状基体の母線方向の長さをｂ（ｍｍ）としたときに、触媒体の長さＬ（ｍｍ）を次式（１）を満たす長さに設定する。
（もっと読む）

【課題】ＳＰ２結合とＳＰ３結合との比率を制御することが可能であり、構造が異なる炭素質膜の形成が容易な成膜装置を実現できるようにする。
【解決手段】成膜装置は、成膜室１１と、成膜室１１内に設けられた第１の電極２１と第２の電極２２とを有するプラズマ発生部と、成膜室１１の中に設けられ、成膜室１１内を運動する中性粒子が感ずる電子エネルギー分布関数を変化させるエネルギー分布関数可変部とを備えている。エネルギー分布関数可変部は、第１の電極２１と第２の電極２２との間に配置され、グリッド電極２３と、成膜室１１内においてグリッド電極２３を移動させる移動機構３０とを有している。 （もっと読む）

【課題】減圧下でウォールデポを生じさせることなくサセプタを大径化できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】水平な円板状のサセプタ１１と、サセプタ１１を内部空間１３ａに収容する反応容器１３と、内部空間１３ａにガス流を形成するガス給排手段と、サセプタ１１に載置された半導体ウェーハ１２を加熱する加熱手段１７と、反応容器１３を外部から空冷する冷却手段とを備え、反応容器１３は中央が上方に膨出してサセプタ１１を覆う窓部１４ａを有する。サセプタ１１の外径Ｗが４９０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であり、窓部１４ａの厚みｔが４ｍｍ以上７ｍｍ以下であり、窓部１４ａの曲率半径Ｒが５８０ｍｍ以上６２０ｍｍ以下であり、サセプタ１１の上面から窓部１４ａ内面までの高さの最大値Ｈが２００ｍｍである。 （もっと読む）

膜を連続的に堆積させるための電子層堆積装置。本装置は、搬送方向に延在して少なくとも第１および第２の壁によって囲まれたプロセストンネルを備える。これらの壁は互いに平行であり、平坦な基板をその間に収容可能である。装置は、１列に連なった基板群またはテープ状の連続基板をトンネル内で移動させるための搬送システムをさらに備える。プロセストンネルの少なくとも第１の壁に複数のガス注入路が設けられ、これらのガス注入路は、使用時に、第１の前駆体ガス、パージガス、第２の前駆体ガス、およびパージガスをそれぞれ収容する連続する複数のゾーンを備えたトンネルセグメントを作成するように、搬送方向に見て、それぞれ第１の前駆体ガスソース、パージガスソース、第２の前駆体ガスソース、およびパージガスソースに連続的に接続される。 （もっと読む）

【課題】２つの平行平板電極を配置したプラズマＣＶＤ室において基板に薄膜を形成するに当たり、平行平板電極の距離を一定にして基板にうねり等の不具合が発生するのを抑制し、薄膜の均一性を向上させることが可能な薄膜製造装置を提供することにある。
【解決手段】原料ガスが導入されるプラズマＣＶＤ室３に２つの平行平板電極７，８を設置し、平行平板電極７，８に高周波電力を供給することにより、原料ガスを分解して平行平板電極７，８の間に置かれた基板１０上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法を用いた薄膜製造装置において、２つの平行平板電極７，８の少なくとも一方に複数本の絶縁性材料からなるスペーサ１３を設け、スペーサ１３を、平行平板電極７，８間距離が一定となるように平行平板電極７，８間に配設している。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造でありながら高精度に電極間距離を調整することができるプラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】反応室Ｒと、反応室Ｒに反応ガスＧ１を導入するガス導入部１ａと、反応室Ｒから反応ガスＧ１を排気する排気部６と、反応室Ｒ内に対向状に配置されかつ反応ガスＧ１を介してプラズマ放電させる平板状の第１電極１および第２電極２と、第１電極１または第２電極２を支持または固定して対向方向に移動可能とする移動手段５と、第１電極と第２電極の少なくとも一方を支持または固定する固定片７ａ、７ｂとを備え、第１電極１または第２電極２が移動手段５により移動され、かつ第１電極１および第２電極２の周縁部が固定片７ａ、７ｂと当接することにより、第１電極１と第２電極２との最小電極間距離が決定されることを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】１ｋＰａより高い圧力下でシリコン系薄膜を成膜する際に電極間隔を広げることと膜厚を面内で均一にすることとを両立する。
【解決手段】シリコン系薄膜成膜装置１０では、複数の対向電極１６の各々に隙間をもって対向するように各透明電極６２を配置する。続いて、ガス噴射口１４ａから原料ガスを支持電極１８に向かって噴射すると共にガス噴射口１５ａから同方向にバリアガスを噴射しつつガス排出口１３から排気してチャンバ１２内の圧力を１ｋＰａを超える圧力に調節する。次いで、各対向電極１６に直流パルス電圧を印加し、シリコン系薄膜を成膜する。このように直流パルス電圧を印加して放電させる方式であるため、電極間隔を広げた状態においてもプラズマを効率よく生成できると共に膜厚の面内分布も改善できる。また、原料ガスの外側にバリアガスを噴射することにより、原料ガスにキャリアガスを混合する場合にはキャリアガスの流量を低減できる。 （もっと読む）

基板の複数の領域を指定するステップと、前駆体を複数の領域の少なくとも第１の領域に供給するステップと、第１の前駆体を用いて形成された第１の領域上に第１の材料を堆積するように、プラズマを第１の領域に供給するステップとを含む組合わせプラズマ励起堆積技術を記載しており、第１の材料は基板の第２の領域上に形成される第２の材料と異なるものである。 （もっと読む）

【課題】成膜室２内における成膜面Ｗ１上の熱対流を抑制することにより、成膜面Ｗ１への自己組織化単分子の吸着ムラを無くし、緻密な自己組織化単分子膜を形成する。
【解決手段】自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化し、基板Ｗの成膜面Ｗ１上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成装置１であって、内部に基板Ｗが設けられる成膜室２と、前記成膜室２内に自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化して供給する原料供給機構３と、前記成膜室２内に保持された基板Ｗの成膜面Ｗ１上の対流を制限する対流制限構造８と、を具備する （もっと読む）

【課題】ロール状回転電極を用いたプラズマ放電処理装置による成膜において、ロール回転電極の回転精度による膜厚のばらつきを極小化することを提供する。
【解決手段】回転するロール電極１０Ａ，１０Ｂと対向する電極間に電圧を印加してプラズマ放電を発生させる放電空間１００と、該放電空間１００を搬送・通過する基材Ｆと、該放電空間に処理ガスＧ′を供給する処理ガス供給手段３０を有するプラズマ放電処理装置１を用い、搬送・通過する基材上に、少なくとも２回以上（２パス以上）成膜を繰り返し、層状に積層する際に、基材の搬送を一旦停止させ、ロール電極を所定量回転させて、基材とロール電極の相対位置をずらすことを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマビームにより基体を被覆及び表面処理する。
【解決手段】プラズマトーチ（４）を具えた加工室（２）を利用できるようにし、プラズマガスを前記プラズマトーチ（４）を通って送り、その中で電気ガス放電、電磁気誘導又はマイクロ波により加熱して、プラズマビーム（５）を生成させ、前記プラズマビーム（５）を、加工室中に導入した基体（３）上に送り、前記利用できるようにしたプラズマトーチ（４）が固体材料粒子をプラズマ溶射するための電力を有し、前記被覆及び／又は表面処理の間、前記加工室（２）中の圧力が０．０１〜１０ｍｂになり、液状又はガス状の少なくとも一種類の反応性成分を前記プラズマビーム（５）中に注入し、前記基体（３）の表面を被覆し又はそれを処理する。 （もっと読む）

【課題】カソード電極を最適化して高密度なプラズマを生成する。
【解決手段】アノード電極を凹凸形状とすることによって、ホローカソードを形成し、カソード面へのイオン入射により放出さる電子を凸部と凹部からなるカソード電極間に閉じ込め、高密度電子の空間を形成することができる。この高密度電子空間に反応ガスを噴出させることで高密度のプラズマを生成する。カソード電極において、凸部を形成する全ての突出部は、アノード電極側の端部の高さレベルを同一とする。また、凹部を形成する底面は、突出部の端部の高さレベルからの距離を異にする複数の底面部分を含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】高密度で、かつ、均一なプラズマを生成してプラズマ処理することができるアンテナアレイ、および、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、反応ガスが供給される成膜容器１２と、成膜容器１２内に配設された、基板４２が載置される基板ステージ３２と、導電体のアンテナ本体が誘電体で被覆された棒状の複数のアンテナ素子２６を平行に配列して構成されたアンテナアレイ２８とを備えている。隣接する２本のアンテナ素子２６同士が接触しない間隔であり、かつ、アンテナ本体の半径ａと隣接する２本のアンテナ素子２６の中心間の間隔ｒとの比率ｒ／ａ≦１１．６である。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シランの混入のない高品質なアモルファスシリコン薄膜を得ることができるプラズマＣＶＤ装置、及びプラズマＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、真空容器２と、該真空容器２内の真空度を保持する排気系と、被成膜基板５を置くための接地電極４と、該被成膜基板５を加熱するための加熱機構７と、原料ガスを供給可能な放電電極３と、該原料ガスにプラズマを発生させるために該放電電極３に高周波電力を印加する高周波電源９と、を備えた平行平板型プラズマＣＶＤ装置１において、該放電電極３には該真空容器２内に原料ガスを供給するための凹部８が設けられており、該凹部８の壁面には原料ガスを凹部内に供給するための原料ガス供給孔が設けられており、該原料ガス供給孔は原料ガスを該凹部８内に凹部の壁面の方向に向けて放出するように形成する。 （もっと読む）

【課題】基材としての第二電極を用いることなく液中にプラズマを発生させることが可能な液中プラズマ成膜装置および液中プラズマ用電極を提供する。
【解決手段】基材Ｓと原料を含む液体Ｌとを収容可能な容器１と、容器１に配設される液中プラズマ用電極２と、液中プラズマ用電極２に電力を供給する電源装置３と、を有する液中プラズマ成膜装置において、液中プラズマ用電極２は、
放電端部２２を有する主電極２１と、放電端部２２に対向するとともに、互いに対向する放電端部２２と基材Ｓとの間に配設される副電極２６と、
放電端部２２の表面２２ａと表面２２ａに対向する副電極２６の表面２６ａとで区画された空間をもち、主電極２１に電力が供給されることで空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部２９と、を備える。
プラズマ発生部２９で発生したプラズマを基材Ｓに接触させて、基材Ｓの表面に原料の分解成分を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制して均一なプラズマを生成することが可能なプラズマ電極を提供する。
【解決手段】プラズマ反応により薄膜が堆積される基板を載置する基板電極と、プラズマを生成するプラズマ空間を挟んで基板電極と対向し、プラズマ空間に面する第１主面６及び第１主面６の反対側の第２主面８で両面を定義し、第１主面から第２主面に貫通する複数のガス吹き出し部を有する高周波電極１０とを備える。高周波電極１０の複数のガス吹き出し部のうち、少なくとも外周部に設けられたガス吹き出し部が、第１開口部２及び第１開口部２に接続された第２開口部４を有し、第１開口部２の開口幅が第２開口部４よりも小さく、貫通する方向に測った第１開口部２の長さが１ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を搬送しつつ連続的に膜を形成する場合、この基板の長手方向と直交する幅方向における膜厚の均一性が高い膜を形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、チャンバ内を所定の真空度にする真空排気部と、基板の幅方向に回転軸を有し、基板が巻き掛けられて回転可能なドラムと、ドラムに対向して離間して配置された成膜電極、成膜電極に高周波電圧を印加する高周波電源部および原料ガスをドラムと成膜電極との隙間に供給する原料ガス供給部を備える成膜部とを有する。ドラムと成膜電極との隙間は、膜形成時に原料ガスが供給された場合、ドラムの回転方向の方がドラムの回転軸方向よりも原料ガスが流れ易い。 （もっと読む）