【課題】膜質が良好な膜を連続的に形成することができ、しかも装置コストが低い成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺の基板を搬送する第１の搬送手段と、チャンバと、チャンバ内を所定の真空度にする真空排気部と、基板の搬送方向と直交する幅方向に回転軸を有し、第１の搬送手段により搬送された基板が表面の所定の領域に巻き掛けられる回転可能なドラムと、ドラムに巻き掛けられた基板を搬送する第２の搬送手段と、ドラムに対向して所定の距離離間して配置された成膜電極、成膜電極に高周波電圧を印加する高周波電源部、および膜を形成するための原料ガスをドラムと成膜電極との間に供給する原料ガス供給部を備える成膜部とを有する。成膜電極とドラムとの間の距離の値の分布は、成膜電極の全域に亘り２０％以内である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ着火性を向上させると共に、適切にプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、処理容器１２内に配置され、その上に半導体基板Ｗを保持する保持台１４と、保持台１４と対向する位置に配置され、マイクロ波を処理容器１２内に導入する誘電板１６と、導入されたマイクロ波により処理容器１２内に電界を生じさせた状態でプラズマ着火し、処理容器１２内にプラズマを発生させるプラズマ着火手段と、保持台１４と誘電板１６との間隔を第１の間隔に変更して、プラズマ着火手段を作動させ、保持台１４と誘電板１６との間隔を第１の間隔とは異なる第２の間隔に変更して、半導体基板Ｗへのプラズマ処理を行うよう制御する昇降機構１８を含む制御部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の構造を複雑化させることなくローディング効果を防止する。
【解決手段】被処理物９を処理ヘッド２０に対し移動方向Ａへ相対速度ｖにて相対移動させ、噴出口２３ａから処理ガスを噴出して被処理物９に接触させて表面処理する。噴出口２３ａより移動方向Ａの上流側に離れた第１吸引口２６Ｌからガスを吸引し、噴出口２３ａより移動方向Ａの下流側に離れた第２吸引口２６Ｒからガスを吸引する。噴出口２３ａと第１吸引口との間の距離Ｌ１と、噴出口２３ａと第２吸引口２６Ｒとの間の距離Ｌ２を互いに等しくする。第１吸引口２６Ｌと第２吸引口２６Ｒの吸引圧を互いに略等しくする。噴出口２３ａと第２吸引口２６Ｒとの間の処理路２５Ｒでの処理ガスの平均流速φａｖと相対速度ｖとの比（ｖ／φａｖ）が、０．５＜ｖ／φａｖ≦３を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】基材上に酸化シリコン膜を形成するに際し、大気圧プラズマを利用することにより、減圧装置などの複雑化による装置全体の大型化や装置コストの上昇を招くことなく、かつ、焼付け処理や乾燥処理が不要な簡易な方法で大型の基材の成膜を行うことができるようにした、酸化シリコン膜の製造方法を得ること。
【解決手段】表面にハイドロジェン変性シリコーンが塗布された基材を、互いに対向する電極間に配置し、大気圧雰囲気下において前記電極間に高周波電力又は直流電力を印加して発生させたグロー放電プラズマにより前記基材表面におけるハイドロジェン変性シリコーンを分解し、前記基材上に酸化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面にガスを供給して集束ビームで前記ガスを活性化させながら加工するとともに、加工の進行状況をモニタリングできる加工システムを提供する。
【解決手段】加工システム１は開口部１９から排気される真空容器２内に電子ビーム８を発生させる電子源３、集光／偏向要素２１、集束レンズ１１、二次電子検出器１７、およびスタック２３とガス導管３９と物質リザーバ４１とからなるガス供給装置２０を備え、第３導管部３０からガスを物体３３の表面３３ａに供給し電子ビームでガスを活性化させながらを物体に照射し、堆積またはアブレーションにより加工する。また、電子ビームを走査させ、物体から発生した二次電子を二次電子検出器で検出し電子顕微鏡画像を取得して、加工の進行状況をモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制し、かつ成膜密度が高く緻密な薄膜を高速で連続成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺な基板を、搬送手段により所定の搬送経路で搬送しつつ、成膜部で基板に所定の膜を形成するものである。成膜部は、搬送経路に所定の隙間をあけて対向して平行に配置される第１の平板電極および第２の平板電極と、第１の平板電極に高周波電圧を印加する電源部と、第１の平板電極から第２の平板電極に向う方向で、かつ第２の平板電極の表面に対してなす角度が０°〜４５°に、膜を形成するための原料ガスを第１の平板電極および第２の平板電極の間に供給する原料ガス供給手段とを備える。また、搬送手段は、基板を第１の平板電極と第２の平板電極との間を搬送させるものである。 （もっと読む）

【課題】処理表面の欠陥が少なく、かつ、均一な処理を行なうことが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、ガス導入部（ガス供給口１３）と、整流板２０とを備える。ガス導入部は、処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向（矢印１１、１２に示す方向）に沿って複数形成されている。整流板２０は、処理室４の内部においてガス導入部を覆うように形成される。整流板２０は、ガス導入部から処理室の内部に供給されるパージガスを、反応ガスの流れる方向に沿った方向に流れるように案内する。整流板２０は、ガス導入部が形成された処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向に対して交差する方向である幅方向に延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの混入を抑制した高品質なＳｉＣ単結晶薄膜を安定して製造することができる気相成長装置および単結晶薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ガス供給口１とガス排気口２を有する反応容器内に、ウエハ搭載部を有するサセプタ３と、カバープレート８を固定保持するための支持部６と、を備えた気相成長装置を用い、前記ウエハ搭載部に単結晶ウエハ７を搭載し、前記支持部６により前記単結晶ウエハ７と前記サセプタ３に対向した壁面との間にカバープレート８を固定支持して、前記単結晶ウエハ７表面に単結晶薄膜をエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。 （もっと読む）

【課題】例えばエピタキシャルウエーハの品質や生産性の向上など、キャリアガスの流量の度合いによりもたらされる効果を得るとともに、膜厚形状を崩さずに、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層することができる枚葉式のエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下凸の上壁を有する反応室内に単結晶基板を配置し、反応室内にガス導入口から原料ガスおよびキャリアガスを導入して、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層する枚葉式のエピタキシャル成長方法であって、ガス導入口から反応室内に導入するキャリアガスの流量に応じて、反応室の上壁の曲率半径および／またはガス導入口の上端と反応室の上壁の下端との高さ方向における差を調整してから、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層するエピタキシャル成長方法。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗率がシリコンよりも小さい金属材料からなる被処理物をプラズマ中のイオンの移動を伴って生成される膜で被覆して得られる製品を歩留まりよく量産する。
【解決手段】２つの電極を含みこの２つの電極間にプラズマを発生させて基板９０をＤＬＣ膜で被覆する成膜部５４と、この成膜部５４が複数設置されたチャンバ１２と、これら複数の成膜部５４にそれぞれ一つずつ設けられ成膜部５４の支持電極５１と対向電極５２との間に直流パルス電圧を印加する電気回路６２を有するパルス電源部６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ヒータ機能面内での被加熱体とのクリアランスの均一化の確保及び金属コンタミネーションの減少が可能なヒータユニット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によれば、下面に溝１３を有するプレート部材１１と、中央が開口し、前記プレート部材１１の下面の一部に接合された基盤１２と、前記溝１３と前記基盤１２の上面との間に配置された抵抗発熱体１４と、前記プレート部材１１の上面に形成され、それぞれの上面が同一の平面を構成する複数の凸部１６と、を具備することを特徴とするヒータユニット１が提供される。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の向上および被膜ダメージの低減を図ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１２内に配置され、基板１１を載置する基板ホルダ１６と、基板ホルダ１６に対向配置され、成膜材料ガスをチャンバ１２内に導入するシャワープレート３１と、を備え、シャワープレート３１に交流電圧を印加して、チャンバ１２内に導入された成膜材料ガスをプラズマ化し、基板１１に成膜処理を行う成膜装置１０において、シャワープレート３１における基板ホルダ１６側に、複数の金属メッシュ板３０が積層配置されている。 （もっと読む）

【課題】異常放電を引き起こさず、安定した処理が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 排気配管１０１Ａ〜Ｃが、プラズマ放電に曝される可能性があるコンダクタンスバルブ１０２Ａ〜Ｃや集合配管１２８といった領域を有し、かつこれらはアース電位となるアース電位部である。カソード１１１からコンダクタンスバルブ１０２Ａ〜Ｃや集合配管１２８までの距離Ｌ１と、カソード１１１から円筒状基体１１２までの距離Ｌ２との関係がＬ１＞Ｌ２を満たす関係にある。 （もっと読む）

【課題】被処理基板にパーティクルを付着させない可動機構によりプラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させる。
【解決手段】チャンバ１０の天井には、サセプタ１２と平行に向かい合って、石英隔壁板３４が水平に取り付けられ、この石英隔壁板３４の裏側（上方）に上部電極３６が配置されている。電極位置可変機構３８は、鉛直方向に延びるネジ軸４０の上端に結合されているステップモータ４２と、上部電極３６に一体結合され、かつネジ軸４０と螺合する可動ナット部４４とを有している。ステップモータ４２の回転方向および回転量により、上部電極３６の移動方向および移動量を制御し、上部電極３６の高さ位置ひいては上部電極３６とサセプタ１２との電極間距離を一定範囲内で連続的に可変できる。 （もっと読む）

【課題】アノード電極とカソード電極との間で、プラズマを均一及び安定的に発生させ、被処理基板に、硬質で被処理基板に対する密着性に優れ、かつ均一な膜厚の被膜を得る。
【解決手段】真空容器１内に対向して配置された第１電極１０及び第２電極２０を有し、前記第１電極１０表面上に被処理基板３０を配置し、減圧状態で前記真空容器１内に反応ガス７を導入しながら、その反応ガス７のプラズマを前記電極間１０、２０に形成するプラズマ処理装置であって、前記第１電極１０は電源に接続され、前記第２電極２０はアース接地され、前記被処理基板３０と前記第２電極２０との間に、前記反応ガス７の導入ヘッド４０が設けられ、前記導入ヘッド４０は、箱状となり、前記被処理基板３０側の壁に多数の吹き出し口４０Ａを有し、外部から流入孔を通して前記導入ヘッド４０内へ導入される前記反応ガス７が、前記吹き出し口４０Ａ群から前記被処理基板３０側に吹き出されるように構成した。 （もっと読む）

【課題】低圧力下においても、高い成膜レートを引き出し、高いガスバリア性を有する高分子フィルム積層体を製造するための真空成膜装置ならびに最適な高分子フィルム積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁場を用いなくても高密度プラズマを容易に形成できる表面波プラズマの原理を応用し、マイクロ波プラズマの密度を成膜条件に併せてコントロールすることで、低圧力下においても、高い成膜レートを引き出し、高いガスバリア性を有する高分子フィルム積層体を製造する。ここで、プラズマ密度を増加するため、プラズマ発生用の印加周波数に工業用周波数として幅広く用いられているＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を用いず、より周波数の高いマイクロ波を用いて真空成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】製膜処理時に大面積の基板の変形を抑制し、均一で良質な半導体膜を製膜することができるプラズマＣＶＤ装置用電極、およびプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明によるプラズマＣＶＤ装置用電極は、互いに略平行に配置された複数の第１電極棒５０ａ、９０と、互いに略平行に配置された一対の第２電極棒５０ｂと、互いに略平行に配置された一対の冷却媒体供給棒５５とを備える。一対の第２電極棒５０ｂは複数の第１電極棒５０ａ、９０を挟むように配置される。一対の冷却媒体供給棒５５は複数の第１電極棒５０ａ、９０を挟むように配置される。複数の第１電極棒５０ａ、９０と一対の冷却媒体供給棒５５の内部に、冷却媒体５７が流れる冷却媒体管５６ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】被処理物の端部付近の処理量が外部からの流入ガス等によって低下するのを抑制し、表面処理の均一性を向上させる。
【解決手段】被処理物Ｗの配置部１０上に第１方向へ相対移動可能なノズル部２０を配置する。ノズル部２０には、第１方向と交差する第２方向に延在する噴出口２４と吸引口２５を互いに第１方向に離して形成する。吸引口２５の第２方向の端部を噴出口２４より第２方向に延出させる。噴出口２４から処理流体を噴き出し、吸引口１５から吸引する。ノズル部２０と配置部１０との間であって噴出口２４と吸引口２５との間に画成された流体流通空間５０の第２方向の外側には、該流体流通空間５０より流体の流通抵抗を大きくする流通抵抗部３０を設ける。流通抵抗部３０における吸引口側部分３３を噴出口側部分３２より第２方向の外側に引っ込ませる。 （もっと読む）

【課題】噴出口と吸引口の端部どうし間の流体の流れ制御を容易化する。
【解決手段】被処理物Ｗの配置部１０上に第１方向へ相対移動可能なノズル部２０を配置する。ノズル部２０には、第１方向と交差する第２方向に延在する噴出口２４と吸引口２５を互いに第１方向に離して形成する。噴出口２４から処理流体を噴き出し、吸引口１５から吸引する。ノズル部２０の第２方向の端部には、吸引口２５の端部を噴出口２４の端部に対し第２方向に相対位置調節する口端位置調節手段３０を設ける。口端位置調節手段３０の口端画成部３１によって、吸引口２５の第２方向の端部を画成する。 （もっと読む）