【課題】高スループット化と省フットプリント化の相反する条件の両立を実現する。
【解決手段】搬送室１２と、基板を処理する処理室１６とを有し、前記搬送室１２は、基板を当該搬送室１２から前記処理室１６へ搬送する第１の基板搬送部材を有し、前記処理室１６は、前記搬送室１２と隣接され、第１の基板載置台３７を有する第１の処理部３６と、前記第１の処理部３６の内、前記搬送室１２とは異なる側に隣接され、第２の基板載置台４１を有する第２の処理部３８と、前記第１の処理部３６と前記第２の処理部３８の間で基板を搬送する第２の基板搬送部材４０と、少なくとも前記第２の基板搬送部材４０を制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】テラスエッジ部上の結晶欠陥を低減し、かつ表面平坦性に優れたｍ面ＧａＮ結晶を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０表面には、長手方向をｍ軸方向とする帯状の凹部１１が、ストライプ状に配置されて複数形成されている。凹部１１は、サファイア基板１０の主面に平行な底面１１ａと、向かい合う２つの側面１１ｂで構成されている。側面１１ｂは平面状である。テラス１０ａの幅ｘは２０μｍ以下、凹部１１の底面１１ａの幅ｙは１５μｍ以下、凹部１１の深さｚは５０ｎｍ以上、サファイア基板１０の主面に対して凹部１１の側面１１ｂのなす角度θは５０〜９０°、である。このサファイア基板１０上に結晶成長させたｍ面ＧａＮは、結晶欠陥が少なく結晶性に優れ、かつ表面平坦性に優れている。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板や絶縁膜に損傷が与えられるのを抑制しつつ、被処理基板に良好に絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 電磁波入射面Ｆを有する真空容器２の内部に被処理基板１００を配設する。希ガス及び酸素ガスのうちの少なくとも一方を含む第１のガスは、電磁波入射面Ｆからの距離が１０ｍｍ未満となる位置から真空容器２の内部に導入し、有機シリコン化合物を含む第２のガスは、電磁波入射面からの距離が１０ｍｍ以上となる位置から真空容器２の内部に導入する。真空容器２の内部に、電磁波入射面Ｆから電磁波を入射させることにより真空容器の内部で表面波プラズマを生じさせ、被処理基板１００に酸化シリコンを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】途中でガス排出エレメントを交換またはクリーニングすることなしに、連続するプロセスステップにおいてサセプタに支持される１つ以上の基板の上に汚染のない半導体層を堆積させる。
【解決手段】プロセスガスは、ガス注入エレメント（８）の流路を通ってプロセスチャンバー（１）の中にキャリアガスとともに導入される。キャリアガスは、実質的にサセプタ（２）に並行にプロセスチャンバー（１）を通って流れて、ガス排出エレメント（７）を通って排出される。分解生成物が、少なくとも基板（２１）の表面上と、サセプタ（２）の下流の端（２’）から間隔（Ｄ）でサセプタ（２）の下流に配置されたガス排出エレメント（７）の表面上との領域において被膜を形成するために成長する。間隔（Ｄ）は、ガス排出エレメント（７）の被膜から第２のプロセス温度で蒸発する分解生成物が対向流拡散によって基板（２１）に到達することを防ぐために十分に大きい。 （もっと読む）

気相蒸着時にフィルムを支持するためのカセットが第１のエンドプレート及び第２のエンドプレートを有する。各エンドプレート上のリブは３００ｍｍを超える幅を有するフィルムの渦巻状の巻きを縁に沿って受容する渦巻状の溝を形成する。フィルムの巻きの巻回間の間隔はガス流路を画定し、かつリブの隣接する巻回間の間隔は１つのエンドプレート内にチャネルと連通する複数の入口開口部を画定する。各リブは、所定の幅寸法と、所定の平均厚さ寸法と、少なくとも２：１の幅対厚さのアスペクト比とを有する。エンドプレート間の間隔は少なくとも３００ミリメートル（３００ｍｍ）であり、また、気相堆積温度でフィルム基材の幅寸法を超える。各リブの幅寸法はエンドプレート間隔の約０．５％から約２．０％の間である。
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チャンバ内の基板を加熱するための装置および方法を提供する。一実施形態では、本装置は、基板を受けるように適合された支持表面を有する基板支持アセンブリと、支持表面から一定の距離に当該支持表面に平行に基板を支持するため、かつ支持表面に実質的に直交する基準軸を中心として基板をセンタリングするための複数のセンタリング部材とを備える。複数のセンタリング部材が、支持表面の周辺に沿って可動に配置され、複数のセンタリング部材の各々が、基板の周辺エッジに接触するため、または支持するための第１の端部を備える。
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【課題】電極対の間の放電が安定するダイアモンドライクカーボン膜形成装置を提供する。
【解決手段】ＤＬＣ膜が表面に形成されたＤＬＣ膜形成体の製造に用いるプラズマ処理装置において、誘導性素子に磁界として蓄積されたエネルギーを直流パルス電圧として放出する誘導エネルギー蓄積型のパルス電源を用い、誘導性素子のインダクタンスＬ（μＨ）、チャンバの内部の圧力Ｐ（Ｔｏｒｒ）及びパルス電圧による投入電力を電極対の対向面積で除した単位面積あたりの投入電力Ｗ（Ｗ／ｃｍ²）が、条件式：−１．３×Ｗ×Ｌｎ（Ｐ）＋４．２５×１０²×Ｌｎ（Ｐ）＋４．７×Ｗ−１．４×１０³≧Ｌ≧０．８×Ｐ
を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって半導体素子上に窒化シリコン薄膜を形成する成膜処理において、高い表面パッシベーション効果を得ると共に、成膜時間を短縮する。
【解決手段】半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の薄膜を形成する成膜方法において、高周波電極と対向電極とを平行して対向配置してなる平板電極間の放電によってプラズマを生成し、放電プラズマによって半導体表面上に２層からなる薄膜を成膜し、２層の薄膜の内、第１層目の薄膜は６０ｎｍ／ｍｉｎ以下の低速で膜厚１０ｎｍ以下に成膜し、第２層目の薄膜は１００ｎｍ／ｍｉｎ以上の高速で膜厚１０ｎｍ以上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】排気の偏りが無く、かつ、メンテナンスが容易となるように基板支持台を支持するプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１０において、対向する真空チャンバ１１の側壁１１ａを貫通する貫通孔１２ｃを内部に有し、真空チャンバ１１の中心を通って横断する支持梁１２を真空チャンバ１１と一体に形成し、支持梁１２の上面の中央部に、基板支持台１３を取り付ける上面開口部１２ａを設け、真空側と大気側とをシールする第１シール部材を介して、上面開口部１２ａに円筒状の基板支持台１３を取り付けた。 （もっと読む）

【課題】 メートル級の大面積基板を処理するプラズマ処理装置において、真空槽内外の圧力差で押されることによって真空容器の開口部に設置されたプラズマ電極が変形することを防ぎ、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】第一の真空槽５の外部でプラズマ電極４を取り囲むように第二の真空槽１１を設置し、内部を真空排気する。プラズマ電極４のシャワープレート１９側と背面板１８側での圧力差を減らすことができ、圧力差で押されることによるプラズマ電極４の変形を防ぐことができる。これにより、プラズマ処理の均一性が向上する。 （もっと読む）

蒸着反応器と薄膜形成方法とである。蒸着反応器は、反応物質を蒸着反応器の第１の部分の凹部に注入する少なくとも１つの第１の注入部分を含む。第２の部分は、第１の空間部に接続され、第１の部分の凹部に接続された凹部を有している。第２の部分の凹部は、第１の空間部の中の圧力より低い圧力の状態に維持される。第３の部分は、第２の空間部に接続され、排出部分は、第３の空間部に接続されている。
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【課題】膜厚および膜質の面内分布に優れた高品質な薄膜を歩留まり良く製膜可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】製膜室Ｒ内において被処理基板２が基板ステージ１上に保持され、前記被処理基板２の被製膜面に向けてシャワーヘッド４から原料ガス８を分散供給した状態で前記原料ガス８のプラズマ５を発生させて前記プラズマ５により前記原料ガス８を分解して前記被製膜面に堆積させることで薄膜を製膜するプラズマＣＶＤ装置であって、前記シャワーヘッド４は、前記基板ステージ１と対向する面に設けられて前記被製膜面に向けて原料ガス８を分散供給するガス供給部１０と、前記基板ステージ１と対向する面の前記ガス供給部１０の外周部であって前記被処理基板の面内方向における前記被処理基板の外周端部位置よりも外方の位置に、前記基板ステージ１の方向に突出した遮蔽部７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ベローズの腐食、ベローズからの発塵を抑制すると共に、被駆動部分の体積、重量を小さくした基板支持台の構造及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０において、円筒状の内筒１２、ベローズ１３、外筒１４及び覆設部材１５を、順次、内側から同心円状に配置すると共に、駆動機構２４により駆動される駆動部材２１を、開口部１１ｂ及び内筒１２の内部を通って、載置台１６の裏面に取り付けた基板支持台の構造とした。 （もっと読む）

【課題】真空処理遊星システム工作物キャリヤを発展させる。
【解決手段】真空処理遊星システム工作物キャリヤは、駆動装置１と連結可能で太陽システム軸７の周りを回転可能な、太陽車９を有する太陽システム９，９′と、その周りを回転するよう回転可能に連結され、遊星軸１１の周りを回転可能な遊星システム１７，１７′とを含み、前記遊星システム１７，１７′は、駆動連結部１５，１３を有する。前記キャリヤはさらに、太陽システム７，９，９′への駆動接続を有し、少なくとも一つの月システム２９，３１を含むキャリヤであって、前記月システムは、前記月軸１９に沿って重なって互い違いに配置される少なくとも２つの月車２９を有し、前記月車２９の各々は少なくとも１つの工作物のための受容部を有し、前記太陽システムへの前記月システムの駆動接続は、少なくとも操作中は中断されることなく成立する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に形成されている凹部の内径や幅が小さくても、薄膜の成膜時のステップカバレジを向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器２２内へ凹部を有する絶縁層が表面に形成された被処理体Ｗを収容すると共に処理容器内へチタンを含む原料ガスと還元ガスとを供給してプラズマＣＶＤ法によりガスを反応させて被処理体に対してチタンを含む薄膜を形成する成膜方法において、反応が原料ガスの反応律速の反応状態となるように原料ガスと還元ガスの各流量を設定するように構成する。これにより、被処理体の表面に形成されている凹部の内径や幅が小さくなったり、凹部のアスペクト比が大きくなっても、薄膜の成膜時のステップカバレジを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高い歩留でレーザーダイオードを製作することが可能な窒化物半導体自立基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法による窒化物半導体自立基板の製造方法であって、前記成長用基板上の前記窒化物半導体層が成長する領域における原料ガスを含むガスのガス流速を１ｍ／ｓ以上に、かつ、前記窒化物半導体層を形成するための原料ガスを含むガスを吹き出すガス吹出口から前記窒化物半導体層が成長する領域までの距離を５０ｃｍ以上に設定することで、ガス流れが均一となり、これにより、膜厚分布が大幅に改善し、基板表面Ｗ１での転位密度が４×１０^６／ｃｍ^２以下で、基板表面Ｗ１の面内における基板表面Ｗ１に沿った結晶軸の向きａのバラツキの範囲が、±０.２°以下の窒化物半導体自立基板Ｗが得られる。 （もっと読む）

【課題】ワークに対して異常放電が生じるのを防止しつつ、効率よくプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１０の上方に設けられた電極ユニット２と、通電手段３と、処理ガス供給手段４と、冷却手段５とを有している。電極ユニット２は、長手形状の柱状体で構成された電極本体２１１と、この電極本体２１１の内部に、長手方向に沿って設けられた貫通孔２１２とを備えるアース電極２１と、貫通孔２１２に挿通された電極棒２２１を備える印加電極２２とを有する。貫通孔２１２と電極棒２２１との間には隙間が形成されており、この隙間がプラズマ生成空間２７として機能する。また、アース電極２１には、プラズマ生成空間２７を外部に開放するスリット２８が形成されている。このスリット２８からプラズマＰを噴出することにより、ワーク１０にプラズマ処理が施される。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）

【課題】複数のシャワー電極が設けられたプラズマ処理装置において、生産性を高めるとともに、プラズマ処理の均一性を維持できるようにする。
【解決手段】プラズマチャンバ２１，２２に、複数のシャワー電極６が隙間８をあけて設けられる。複数の基板４が等間隔に並べられたトレイ５が、シャワー電極６と下部電極７との間に搬送される。成膜開始時、隣り合うシャワー電極６間の隙間８の真下に基板４がくるように、トレイ５が位置決めされる。成膜中、トレイ５は隙間８の大きさに応じた搬送速度で進行方向に移動する。トレイ５は、基板４の長さよりも短い距離だけ移動する。この間に、基板４上に薄膜が形成されるが、シャワー電極７間の隙間８の真下に発生した強いプラズマ放電の影響を受ける領域が基板４上を移動するので、膜厚のばらつきが低減する。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）